Repblica Bolivariana de Venezuela

Universidad de Carabobo
Facultad de Ingeniera
Escuela de Telecomunicaciones






Caracterizacin del
MOSFET 3SK131




Integrantes:
Mndez Luis
C.I: 21.004.350
Quirs Gerardo
C.I: 23.649.338
Rodrguez Miriam
C.I: 21028847
Profesor:
Eduardo Gonzlez


Naguanagua, Julio del 2014
Marco Terico
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
Como se especific anteriormente tienen funciones de amplificador sabiendo que un
amplificador es todo dispositivo que es capaz de incrementar la amplitud de una seal que
se aplica en su entrada. Algunos de los tipos de amplificadores son los amplificadores de
RF (radiofrecuencia) los cuales son dispositivos en los que se tienen en cuenta parmetros
que incrementan proporcionalmente con la frecuencia y que influyen en la respuesta del
mismo con el tiempo, por lo general estos amplificadores son proyectados con transistores
FET (transistor de efecto de campo).
Los amplificadores lineales (pequea seal) utilizan un transistor operando en modo
lineal (modo activo para BJT (transistor de unin bipolar) , saturacin para FET), a bajas
frecuencias se utiliza el modelo de pequea seal, pero en frecuencias de RF
y microondas aparecen elementos parsitos que hacen ms complejo el anlisis con este
modelo, por esta razn se utilizan los parmetros S o Scattering del transistor que permiten
un anlisis ms simple y exacto, ya que por medio de estos parmetros se puede obtener
la ganancia, prdida por retorno, relacin de onda estacionaria de tensin (ROEV),
coeficiente de reflexin y estabilidad de amplificacin.
Para asegurar la confiabilidad de un amplificador de RF, se debe prestar
suma atencin a las especificaciones del transistor a utilizar, tales como voltajes y
corrientes mximos de Base (Compuerta) y Coletor (Drenador), temperatura de unin
mxima y condiciones de operacin que conduzcan a la ruptura secundaria en los BJT"s o
FET`s, por esta razn los fabricantes ofrecen al usuario un manual (datasheet) donde
ofrecen los valores mnimos, tpicos y mximos de estos dispositivos.

En la implementacin de este diseo se utiliz un Mosfet modelo 3SK131, el cual es
un amplificador de RF para VHF.





Desarrollo
Para caracterizar el transistor bajo estudio, se trabaj con el circuito de prueba ofrecido en
la hoja de especificaciones del mosfet. En nuestro caso, se desarroll el diseo con un
Mosfet modelo 3SK131. Tomando la siguiente informacin de datasheet:
En la hoja de especificaciones se observa la ubicacin
de cada terminal del mosfet. Donde el Pin 1, 2, 3 y 4,
corresponden con fuente, drenaje, compuerta 1 y compuerta 2,
respectivamente, y su ubicacin en el componente se realizo
observando el ancho del pin de fuente (siendo el de mayor
ancho), y de esta manera se identificaron los pines restantes.
Por otro lado, se tomo el circuito de prueba de la hoja de
especificaciones como diseo para el desarrollo de la practica.
El circuito es una red de dos puertos, que funciona como
amplificador de seales a frecuencias RF. El circuito prueba
se muestra en la siguiente imagen:


El circuito esta compuesto por 2 capacitores variables, 7 capacitores de , 2 capacitores
de , 2 inductores con nucleo de aire, 1 inductor con nucleo de ferrita, 2 resistencia de
22k y una resistencia de 200. Para la implentacin del diseo es necesario resaltar que
no se encontraron los capacitores de , por lo tanto, se procedio a realizar un parelelo
entre y para obtener dicho valor, los capacitores variables tenian un rango de
a 20, los capacitores de 1 que se utilizaron eran de ceramica, para los inductores
con nucleo de aire que correspondian con tres terminales se necesito un cable de cobre
esmaltado; debido a que los inductores eran de tres terminales se procedio a realizarlos por
separados haciendo un primero inductor con un enrollado de dos vueltas y un segundo
inductor con un enrollado de tres vueltas para luego porceder a unirlos con la final de
generar dichos tres terminales, era necesario para el diseo de estos inductores tomar una
restriccion sealada por el fabricante en el datasheet, la cual era, que debian disponer de un
diametro de 7mm. Para los demas componente no hubo ningun inconveniente ya que se
adquirieron de manera facil, tambien se utilizaron dos conectores BNC tipo patch. Este
diseo se implementaria mediante un circuito impreso.
Para el circuito impreso, se realizo el diseo del mismo sobre el software PCB
Eagle. Esta plataforma permite la creacion de un circuito esquematico, contando con una
amplia librera de componentes e integrados, ademas de permitir la exportacion de un
circuito esquematico al modelo de circuito impreso.
Se diseo e circuito esquematico sobre el software Eagle, basado en el circuito
prueba del mosfet 3SK131, como se muestra en la siguiente figura.


Aqu es importante considerar ciertos aspectos. Se coloc el en paralelo capacitores
(C1,C2 y C10,C13) la capacitancia de 7pF (4.7pF + 2.2pF). Para simular la inductancia de
tres terminales, se coloc 2 inductores (L1,L7 y L8,L9) con un mismo terminal en
coincidencia. Por otra parte, se colocaron como entrada y salida de la seal, conectores
BNC de base cuadrada, de acuerdo a los que se utilizaran en el diseo fsico del circuito.
Figura 3: Esquemtico en Eagle
Por ltimo, como se observa en la imagen, el transistor utilizado en el circuito es el 3SK63,
esto se debe a que el software Eagle no posee la librera del mosfet 3SK131. En este caso,
Eagle permite el diseo de un nuevo componente, estableciendo las medidas y dimensiones
del integrado y sus pines. En este caso particular, se decidi utilizar el transistor 3SK63
como sustituto del 3SK131 para el diseo del circuito impreso, esto debido a las similitudes
en dimensiones de ambos.
Una vez diseado el circuito, El modelo impreso a implementar sobre la baquelita
es el siguiente:


Luego de imprimir el circuito sobre la baquelita, y soldar los componentes, se
muestra de la siguiente manera:

En el desarrollo inicial del circuito, se present un efecto de oscilacin provocada
por el propio circuito. Al hacer las mediciones a la salida del circuito, se obtena una seal
senoidal con cierto nivel de amplificacin, a una frecuencia de alrededor de 88MHz.
Figura 5: Circuito fsico de prueba
Figura 4: Circuito de prueba impreso
Realizando pruebas, se apag la fuente de seal RF que alimentaba al circuito y a pesar de
esto se mantena la misma seal a la salida. Es aqu donde se presenta un circuito oscilante
por acoplamiento. Lo que ocurre es que para un cierto rango de valores de las
capacitancias variables, y una cierta apertura de los inductores, se genera un acople entre
ambos creando un circuito resonante que oscilara a partir de los valores de estos
componentes. Adems de esto, tambin se consideran los elementos parsitos del mismo
MosFET, como los son las capacitancias parasitas que se generan entre los terminales del
transistor, que a su vez interactan con los dems componentes del circuito contribuyendo
con la resonancia, obteniendo una seal senoidal a la salida, independiente de la entrada. La
amplitud de la seal aumenta debido a las caractersticas propias del MosFET 3sk131. Al
variar los valores de ambos componentes se logra el diseo correcto del circuito y a su vez
la salida amplificada de la seal de entrada
Para las mediciones de la ganancia del circuito y los parametros de la red de 2
puertos, se establecieron los siguientes valores:
Alimentacion DC
Vgs1 = 5V
Vgs2 = -0.3V
Vds = 10V
Seal RF
F = 100Mhz
Vp-p = 125.6mV
Las mediciones realizadas sobre el circuito, pueden dividirse en grupos. En primera
instancia, medimos la ganancia de voltaje del circuito en funcin del voltaje de entrada y
salida del mismo. Y una segunda medicin, la cual abarca la determinacin de los
parmetros S de la red de dos puertos. La primera, se realizara haciendo un estudio de la
seal en el tiempo sobre el osciloscopio, mientras que la segunda se obtendr por medio del
analizador de redes.

Anlisis de resultados
Realizando un anlisis temporal del circuito, podemos ver la respuesta del sistema a
una seal senoidal de frecuencia 100MHz y amplitud 43,72V
rms
.

Como se logra observar, en la salida del circuito amplificador, se obtiene la senoidal
de 100MHz de la entrada amplificada a 308,6mV
rms
.

Con la relacin de amplitudes,

podemos
obtener la relacin logartmica de potencia como:
(

) () . Dicha relacin toma el nombre de

Ganancia del Sistema y es el parmetro ms importante de un circuito amplificador.
La ganancia del sistema nos da una medida logartmica de cuanto se incrementa la
potencia de una seal en el amplificador. Aunque consideramos que 17dB es una
amplificacin bastante considerable, sabemos que el MOSFET 3SK131 nos puede otorgar
una mayor amplificacin.
Para obtener la mayor amplificacin se sintoniz el circuito a la frecuencia de
trabajo (100 MHz) variado los capacitores e inductores variables con ayuda del analizador
de redes, obteniendo una ganancia de 24dB en condiciones de adaptacin.
Al realizar la caracterizacin del circuito mediante el analizador de redes, se
obtuvieron los siguientes resultados:
Parmetro S
11
:


El parmetro S
11
nos indica el coeficiente de reflexin que se observa en el puerto 1
al conectar una carga adaptada en el puerto 2. Como sabemos, estas medidas estn referidas
a potencia, por lo que para hallar la magnitud del coeficiente de reflexin, debemos realizar
las conversiones apropiadas.
|

Como se logra observar, hay un grave problema de desadaptacin del puerto, que
debera ser corregido si se requiriese el amplificador como parte de un sistema funcional
que tenga poca tolerancia a las ondas reflejadas.
Parmetro S
12
:







Se hacen notar amplitudes realmente pequeas para el coeficiente S
12
. Esto
representa que de la potencia que se introduce en el puerto 2, una muy pequea parte
(prcticamente nula) es la que se muestra como reaccin en el puerto 1.
Este es un resultado bastante alentador, ya que como amplificador, lo que se busca
es que haya una alta ganancia de la entrada a la salida, y un desacople total de la salida a la
entrada.
Tambin se observa que justo en la frecuencia de trabajo existe un mnimo abrupto
del coeficiente de trasmisin inverso (S
12
) obteniendo valores alrededor de:

Parmetro S
21
:


Obviamente el amplificador cumple su tarea de amplificar la seal, y no solo 17dB
como en el caso anterior, sino que amplifica a una proporcin de 24,279 dB, lo que
equivale a

veces la potencia,

veces la amplitud de la
seal.
El Sistema presenta un bajo ancho de banda, lo que se refleja en el pico de 100Mhz,
el cual es bastante abrupto y la cada de 3dB se presenta bastante cerca de f
0
.
Cabe destacar que estos valores representan al coeficiente de transmisin solo si se
cumple con la adaptacin de los puertos, con otras cargas, estos valores de trasmisin
cambiaran.
Para poder apreciar las variaciones del parmetro, se tuvo que reducir la carta de
Smith debido a q las grades amplitudes no se muestra en el tamao de carta predefinido.
Parmetro S
22
:
El coeficiente de reflexin en este puerto tiene un comportamiento bastante extrao,
ya que en la frecuencia de trabajo, este es bastante pequeo, (|

)|

)
lo cual puede ser bueno porque se consigue un puerto Adaptado. Pero en las frecuencias
que no son la de trabajo, el coeficiente de reflexin incluso est por encima de 1
(|

)|

), lo que significa que se refleja ms potencia de la que se

introduce, esto solo es posible por la presencia del dispositivo MOSFET no lineal.


Analizando los resultados de la matriz S en la frecuencia de operacin logramos
realizar pequeas conclusiones en cuanto a la naturaleza del sistema.
Es un sistema no reciproco, lo cual era de esperarse por la intervencin del
transistor.
Es un sistema con prdidas. El sistema o cumple con la condicin para sistemas sin
prdidas.
En un sistema no adaptado, Aunque podemos considerar el puerto 2 como adaptado,
el puerto 1 tiene un demasiado alto.
Se realiza como ltimo nuevamente un estudio en el dominio temporal, esta vez, ya
sintonizado el circuito para mxima ganancia y colocando una carga de 50 en paralelo
con el osciloscopio para de esta forma simular una carga cuasi-adaptada en el puerto 2

Se observa en la entrada del amplificador una seal de100 MHz con 125.1 mV
P-P
.
En la salida obtenemos:

La misma seal con frecuencia de 100 MHz pero amplitud de 1.504 V
P-P
.
Procedemos a obtener la ganancia mediante a expresin (

)
(

)
Se observar como ahora se parece ms al parmetro S
21
que representa la ganancia
en directo del sistema. Aunque an se observa una diferencia un poco menor a 3dB, que se
puede atribuir al desacople de impedancia en el puerto 2, que aunque se mejor desde la
medicin anterior, la conexin T con la carga de 50 ohmios no representa un mtodo de
adaptacin de calidad. Tambin se suman muchas otras fuentes de errores propios del
analizador de espectro o el osciloscopio, e inclusive puede afectar el hecho de que las
mediciones no se realizarn el mismo da.

Conclusiones
En el diseo del amplificador, se tuvo como meta obtener la mayor ganancia, por
esa razn, no nos preocupamos por lograr adaptacin y obtenemos un coeficiente de
entrada demasiado elevado.
En el primer diseo (el diseo errado que dio por accidente un oscilador) se logr
observar como es influenciado el circuito por los componentes parsitos del transistor
mismo, al punto de simular una falsa red de retroalimentacin y as lograr oscilar.
La ganancia medida en el tiempo y el parmetro de ganancia en directo |

no
llegan a ser iguales aunque tiene mucho sentido que estos sean valores bastante parecidos.
La frecuencia de trabajo seleccionada es aun lo suficientemente baja como para
permitir muchas de las terminaciones mecnica rpidas que hicimos al realizar el circuito,
como los conectores a 90, la poca distancia entre las pistas y tierra, etc. Lo que hace que el
circuito ignore este tipo de detalles que seguramente causaran muchos problemas a
frecuencias ms altas.