INGENIERIA ELECTRICA

Construccin de un diodo
Semiconductores contaminados p y n
Tipos de diodos
Tema
Monserrat Hernndez Jimnez
Alumna
08/septiembre/2014
Fecha
2
N de tarea
ELECTRNICA ANALGICA

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MONSERRAT HERNANDEZ JIMENEZ
ndice
Objetivo3
Introduccin 4
Construccin del diodo. 5
Operacin del diodo. 6
Semiconductores contaminados P y N 8
Polarizacin directa e inversa de la unin P-N.. 10
Conduccin en materiales semiconductores11
Tipos de diodos.13
Glosario. 14
Bibliografa 15
Conclusin16
ndice de tablas y figuras
Figura 1.10 y 1.11..... 6
Figura 1.12 . 7
Tabla de elementos.. 8
Imagen 1.10
Imagen 2.11
Imagen 3.12
Imagen 412




ELECTRNICA ANALGICA

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MONSERRAT HERNANDEZ JIMENEZ
Objetivo:
Se pretende que con esta investigacin se tenga un conocimiento de los
aspectos bsicos del diodo, principalmente de su funcionamiento y
comportamiento. El conocimiento relativo sobre los diodos se extiende en
gran medida pero el objetivo no es involucrar todo lo relevante con el diodo
sino ms bien lo indispensable y bsico para lograr una comprensin clara de
este dispositivo.
















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Introduccin:
El diodo tiene un papel muy importante en la tecnologa moderna. Prcticamente
cada sistema electrnico, desde el equipo de audio hasta el computador usa
diodos de una u otra forma. El diodo puede ser descrito como un dispositivo de
dos terminales, el cual es sensible a la polaridad. Es decir la corriente en el diodo
puede fluir en una direccin solamente (descripcin ideal).El primer diodo de
vaco, basado en el fenmeno de emisin termo-inica (emisin de electrones de
un alambre metlico calentado), data de comienzos de 1900. Alrededor de 30
aos despus, el diodo semiconductor fue introducido comercialmente. El primer
diodo fue probado en1905. La tecnologa de semiconductores de germanio y silicio
se introdujo en los aos 30.El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo
de estado slido, tiene muchas ventajas importantes sobre el diodo de vaco. El
diodo de estado slido es mucho ms pequeo, barato, y muy confiable.
Actualmente los diodos de vaco son usados en muy raras ocasiones.













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CONSTRUCCIN DEL DIODO
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la
electricidad solo en un sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la
direccin en la cual puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de
la vlvula o tubo de vaco y al principio los diodos fueron llamados realmente
vlvulas.
En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados
juntos para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de
construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la
concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen
como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina
con material de tipo de y el otro con material de tipo n.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres;
germanio, silicio y arseniuro de galio. En general, en silicio ha reemplazado al
germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores.
El arseniuro de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y
microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de
tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica
esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se
debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se
comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la vecindad de la unin,
como se muestra en la figura 1.11 (a). Este fenmeno se debe a la combinacin
de huecos y electrones donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr
muy pocos portadores.

Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento
de huecos y electrones a travs de la unin se suman para formar la corriente de
difusin, ID. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems de la
corriente de difusin existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores
minoritarios a travs de la unin, y se conoce como IS.
Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n,
como se muestra en la figura 1.11 (b), se dice que el diodo est polarizado en
directo, por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura 1.11 (c), el diodo
se polariza en inverso.
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Figuras 1.10 y 1.11

Operacin del diodo

El la figura 1.12 se ilustran las caractersticas de operacin de un diodo prctico.
Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9 (b) en los siguientes
puntos: conforme la tensin en directo aumenta ms all de cero, la corriente no
fluye de inmediato. Es necesaria una tensin mnima, denotada por V , para
obtener una corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder V la
corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande
pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensin mnima necesaria para
obtener una corriente significativa, V , es aproximadamente 0.7 V para
semiconductores de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores
de germanio. La diferencia de tensin para el silicio y el germanio radica en la
estructura atmica de los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V es
ms o menos 1.2 V.

Cuando el diodo est polarizado el inverso, existe una pequea corriente de fuga,
est corriente se producen siempre que la tensin sea inferior a la requerida para
romper la unin. El dao al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de
electrones, que fluyen a travs de la unin con poco incremento en la tensin. La
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corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta
ruptura a menudo se conoce como la tensin de ruptura del diodo (VBR).

Figura 1.12













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SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS P Y N
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como
aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en
el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla adjunta.
Elemento Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd II B 2 e
-

Al, Ga, B, In III A 3 e
-

Si, C, Ge IV A 4 e
-

P, As, Sb V A 5 e
-

Se, Te, (S) VI A 6 e
-


Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de
corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al
movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se
producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las
cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos
pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc.)
Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados
impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a
los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los
diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los
metales y la de los aislantes.
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SEMICONDUCTORES CONTAMINADOS (TIPO PN Y NP)
La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable
cuando se introducen cantidades pequeas de impurezas especficas en el cristal.
Este procedimiento se llama contaminacin. Si las sustancias contaminantes
tienen electrones libres extra, se conoce como donador, y el semiconductor
contaminado es de tipo n. Los portadores mayoritarios son electrones y los
portadores minoritarios son huecos, pues existen ms electrones que huecos. Si la
sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor o receptor, y
el semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son
huecos y los minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen
como semiconductores extrnsecos, mientras que las sustancias puras son
materiales intrnsecos. La densidad de electrones se denota por n y la densidad de
huecos por p. Se puede demostrar que el producto, NP, es una constante para un
material dado a una temperatura dada.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.


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Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N

El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en
el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas
donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P) De esta forma,
en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones
libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un
campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo:
polarizacin inversa y polarizacin directa.

Polarizacin inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms
positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la
parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido
Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa
que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P
(donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una
corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios
(parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente
global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la
corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de
difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total
Prcticamente nula.
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La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan
Corriente inversa de saturacin (Is ).

Polarizacin directa. Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms
positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la
parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son
mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene
el mismo sentido que la corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de
huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La
corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor
elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin umbral, V) que
depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y
en el Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que
permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.





CONDUCCIN EN MATERIALES SEMICONDUCTORES

En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con
suficiente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad
dentro del tomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace
covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de
energa. En calor y otras fuentes de energa provocan que los electrones en la
banda de valencia rompan sus enlaces covalentes y se conviertan en electrones
libres en la banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de
valencia, se forma un "hueco". Un electrn cercano a la banda de valencia puede
moverse y llenar el hueco, creando otro, prcticamente sin intercambio de energa.
La conduccin provocada por los electrones en la banda de conduccin es
diferente de la conduccin debida a los huecos dejados en la banda de valencia.
En semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres.
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Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o
corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el
movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por
el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los
electrones saltan a la banda de conduccin.

La fuente de energa trmica interna aumenta la actividad de los electrones; por
tanto, saca a los electrones de valencia de la influencia del enlace covalente y los
dirige hacia la banda de conduccin. De esta forma, existe un nmero limitado de
electrones en la banda de conduccin bajo la influencia del campo elctrico
aplicado; estos electrones se mueven en una direccin y establecen una corriente,
como se muestra en la figura 1.5. El movimiento de huecos es opuesto al de los
electrones y se conoce como corriente de huecos. Los huecos actan como si
fueran partculas positivas y contribuyen a la corriente total. Los dos mtodos
mediante los cuales se pueden mover los electrones y huecos a travs de un
cristal de silicio son la difusin y el desplazamiento.






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TIPOS DE DIODOS
Diodo Rectificador
En P.D conduce corriente. En P.I no conduce
Diodo Led
En P.D conduce corriente y emite luz
En P.I. no conduce corriente y no emite luz.
Fotodiodo
Opuesto al anterior. En P.I. absorbe la luz detectada y conduce corriente.
Diodo Zener
En P.D. como el diodo rectificador.
En P.I. si se supera cierta tensin (tensin zener) conduce tambin













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Glosario:
Diodo: Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos.
Tensin: Diferencia de voltaje entre dos puntos o dos cuerpos distintos.
Alta Voltaje que est por encima de 1 000 voltios para corriente alterna y 1 500
voltios para corriente continua.
Baja Voltaje que est por debajo de 1 000 voltios para corriente alterna y 1 500
voltios para corriente continua: la electricidad de las viviendas es de baja tensin.
Semiconductores: Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por
ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Rectificador: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en
corriente continua.
Led: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente
continua.
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja.
Polarizacin: es el proceso por el cual en un conjunto originariamente
indiferenciado se establecen caractersticas o rasgos distintivos que determinan la
aparicin en l de dos o ms zonas mutuamente cargadas.






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Bibliografa:
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/diodo.pdf
http://s3.amazonaws.com/ppt-download/clasesdediodos-110330175153-
phpapp02.doc?response-content-
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xpires=1410140595&AWSAccessKeyId=AKIAI6DXMWX6TBWAHQCQ
http://www.sc.ehu.es/acwamurc/transparencias/(6)Diodos.pdf
http://www.scribd.com/document_downloads/direct/82381751?extension=docx&ft=
1410137585&lt=1410141195&user_id=76631252&uahk=EbBO/NbCwPt3tHJ8vDX
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Conclusin
Concluyo que los diodos son elementos importantes en la ingeniera elctrica que
nos rodea hoy en da, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos
conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con
el propsito de resolver algn problema.
Para m uno de los aspectos ms importantes del diodo es que no se quedan en
un solo tipo de diodo y ms bien se han desarrollado el diodo en formas que
extienden su rea de aplicacin.