De RECOPILACIN 8 del 1-VIII-2005

TCNICAS PARA FABRICAR OBLEAS DE SILICIO

SiO2 INSOLUBLE
El nombre de dixido de silicio, as como la formulacin SiO2 son poco
afortunados, pues pueden sugerir la presencia de molculas aisladas! En
realidad el SiO2 es un edificio cristalino inmenso formado por "tomos de
silicio tetradricos, con un oxgeno en cada #rtice, de modo $ue cada
oxgeno es compartido por dos tetraedros! %e a& $ue la composicin
centesimal del compuesto responda a la frmula de SiO2.
'ese a $ue cada enlace Si-O tiene un alto car"cter inico, lo cual podra &acer
pensar $ue el compuesto sera soluble en agua, la enorme cantidad de
energa $ue se desprende en la formacin de la red cristalina &ace el
compuesto insoluble, pues sera necesario aportar esa cantidad de energa
para disgregar el cristal!
La forma #trea, $ue es de &ec&o el #idrio en sentido general, tampoco es soluble pues los
enlaces siguen siendo mu( fuertes!
Los silicatos de potasio ( de sodio son solubles en agua, ( se obtienen dilu(endo )untos arena e &idrxido
de sodio o de potasio, o fundiendo arena con carbonato de sodio o de potasio, con lo $ue se forma orto o
metasilicato*
SiO2 + ,O-. SiO, + 2-2O
SiO2 +Na2/O0 Na2SiO0 + /O2
El silicato de sodio es el m"s importante1 (, aun$ue slido, se encuentra generalmente en el comercio en
forma de disolucin concentrada con el nombre de #idrio soluble! Se utili2a para &acer un incombustible la
madera ( los te)idos, como ad&esi#o en el cemento de /&ina, como relleno o carga en )abones baratos, (
para conser#ar &ue#os!
Los silicatos de los dem"s metales son insolubles en agua, ( se encuentran en la naturale2a formando
minerales ( son disoluciones slidas o me2clas de dos o m"s silicatos simples! 3lgunas de estas son de
gran importancia! 'or e)emplo, el feldespato se altera por el agua ( el dixido de carbono, form"ndose
carbonato pot"sico 42/O0, ( arcilla! El carbonato pot"sico del suelo es utili2ado por las plantas como
alimento! La arcilla es generalmente arrastrada por corrientes de agua, ( se deposita en ni#eles m"s ba)os,
formando (acimientos!
Vidrio soluble, compuesto de silicato de sodio (o potasio), incoloro y de aspecto vidrioso,
de frmula Na2SiO3 (vase Vidrio; Silicio). Es solule en a!ua y alco"ol, y se emplea
comercialmente como cemento, para faricar "ormi!n y como capa protectora en
materiales i!n#fu!os. $ami%n se utili&a en la elaoracin de 'aones y deter!entes
sint%ticos y en procesos de refinado del petrleo. (a disolucin de vidrio solule tami%n se
utili&a para conservar "uevos y madera.
La solubilidad de la slice amorfa vara con la temperatura segn los siguientes datos reportados:
1
TC 0 25 9
ppm i!
2
"0#$0 100#1%0 &"0#&$0
EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SILICIO EN REACTORES (TANQUES) HORIZONTALES
Se propuso una teora sore e! "re"#$#ento ep#ta%#a! &e s#!#"#o en !os rea"tores (tan'ues) (or#)onta!es* operan&o a+o
"on&#"#ones 'ue &an por resu!ta&o una propor"#,n -ran&e &e "!oros#!ane* "on.#rt#/n&ose en s#!#"#o0 Se resue!.e !a
e"ua"#,n &e! transporte para e! "aso &on&e !os rea"tantes &e! e'u#!#r#o son1
Asu$#en&o 'ue e! "ontorno &e !a .e!o"#&a& &e! -as es "onstante sore un p!ano perpen&#"u!ar a !a &#re""#,n en !a 'ue e!
-as 2u3e* 3 'ue !a te$peratura es "onstante en to&o e! rea"tor0 La e%pres#,n resu!tante por !a tasa &e "re"#$#ento* es
"o$para!e "on e! .a!or e%per#$enta! ut#!#)an&o tr#"!oros#!ane "o$o !a 4uente &e s#!#"#o* se $uestra ra)ona!e !o 'ue se
ot#ene0
EL SUBESTRATO P:
El faricante produce un cristal p de varias pul!adas de lar!o y de ) a 2 de di*metro +ue
se corta en del!adas obleas. ,n lado de estas oleas se empare'a y pule "asta otener
una superficie lire de imperfecciones. (a olea resultante se denomina el subestrato p y
se emplear* como c"asis para los componentes inte!rados.
TECNICA EPITAXIAL:
Ense!uida, las oleas se colocan en un "orno donde una me&cla de !ases de silicio y de
*tomos pentavalentes circula sore ellas. En esta forma, se otiene una capa del!ada de
semiconductor tipo n sore la superficie caliente del suestrato (esta capa del!ada se
denomina capa epita-ial. (a capa epita-ial tiene entre ..) y ) mil de espesor.
/onsiste en crear por el proceso de crecimiento y partiendo de una fase de vapor sore la
superficie de un monocristal calentado "asta una alta temperatura *tomos +ue se colocan
ordenadamente de acuerdo a la estructura del monocristal.
El sustrato monocristalino y el depsito constituyen entonces un cristal 0nico. (a capa
epita-ial tiene un espesor comprendido entre 1 y )2 micrmetros apro-imadamente y su
resistividad es funcin de las impure&as de dopado del orden de .,2 o"m 3 cm.
(a reaccin +u#mica +ue conduce a la creacin de la capa epita-ial, se efect0a en un
cilindro "ori&ontal de cuar&o, llamado4 5reacto6,el cual se calienta por induccin de alta
frecuencia.
LA CAPA DE AISLAMIENTO
7ara prevenir +ue la capa epita-ial se contamine, se sopla o-#!eno puro por la superficie
de la olea. (os *tomos de o-#!eno se cominan con los *tomos de silicio y forman una
capa de di-ido de silicio (SiO2) Esta capa, parecida al vidrio, de Si.2 sella la superficie y
evita posteriores reacciones +u#micas; este tipo de sellado de la superficie se conoce por el
nomre de inactivacin.
BASES DE INTEGRADO
/ada una de estas *reas se separa despu%s +ue la olea se corte en cuadrados. 8ntes
+ue la olea sea cortada, el faricante "a producido cientos de circuitos en ella. Este
2
sistema de produccin masiva en forma simult*nea es la ra&n del a'o costo de los
circuitos inte!rados.
E! "re"#$#ento ep#ta%#a! "ons#ste en !a &epos#"#,n &e una o .ar#as "apas &e
espesor ar#trar#o* sore !a super5"#e &e un $ater#a! ase $ono"r#sta!#no
(sustrato)* &e 4or$a 'ue e! resu!ta&o es un $ater#a! 'ue repro&u"e !a
estru"tura "r#sta!#na &e! sustrato0 E! "re"#$#ento se pro&u"e "uan&o "ant#&a&es
$u3 "ontro!a&as &e !os -ases pre"ursores &e !os e!e$entos 'ue "on4or$an e!
$ater#a!* 3 en su "aso &e pre"ursores &e !os e!e$entos &opantes* son
#n3e"ta&os en e! rea"tor $u3 &#!u#&os en un -as porta&or (-enera!$ente
(#&r,-eno)0 Estos -ases se &es"o$ponen en !a super5"#e "a!#ente &e! sustrato
3 &an !u-ar a !os &#st#ntos e!e$entos 'ue 4or$ar6n e! $ater#a!0 Los
supro&u"tos &e !a rea""#,n son arrastra&os !e+os &e !a super5"#e &e "re"#$#ento
por e! $#s$o 2u+o* 'ue aan&ona e! rea"tor a tra./s &e !a e%tra""#,n0 En e! "aso
en 'ue !os $ater#a!es pre"ursores !!e-an a !a #nter4a) &e "re"#$#ento en 4ase
.apor* !a t/"n#"a se &eno$#na 7PE (ep#ta%#a en 4ase .apor)* 'ue es una
su"ate-ora &e! C7D (&epos#"#,n 'u$#"a en 4ase .apor)* t/r$#no $6s -en/r#"o
'ue #n"!u3e ta$#/n $ater#a!es se$#"r#sta!#nos 3 a$or4os0 E! t/r$#no MO7PE
#n&#"a 'ue para e! "re"#$#ento se ut#!#)an "o$o pre"ursores "o$puestos a!'u#!es
or-ano$et6!#"os* aun'ue -enera!$ente /stos s,!o son ut#!#)a&os para !os
e!e$entos &e! -rupo III* pre5r#/n&ose (#&ruros para !os &e! -rupo 70
'un(ue el silicio es un material mu) abundante en la tierra* su depuraci+n ) cristali,aci+n est- en
manos de " empresas* todas ellas fuera de nuestro pas.
/uelven a subir los paneles
Como consecuencia inmediata* los precios de los paneles fotovoltaicos est-n comen,ando a subir*
tras a0os de ba1adas consecutivas debidas al importante incremento de la demanda.
2l sector empresarial fotovoltaico espa0ol 3a ido creciendo significativamente durante los ltimos
a0os* contando actualmente con cinco empresas fabricantes de paneles fotovoltaicos de primera
calidad ) varias f-bricas en proceso de creaci+n* cu)a producci+n es e4portada en m-s de un $05.
'dem-s* m-s de un centenar de empresas instaladoras de diverso tama0o se encargan de introducir el
producto en el mercado* lo (ue refle1a fielmente la realidad de un sector en continuo crecimiento )
mu) pu1ante en la creaci+n de empleo.
&
B. RESULTS ( Sahara 'A posteriori' projects results )
6.1 i4 pro1ects 7ere considered for furt3er development. T3ese pro1ects are:
1. T3e Wacker Chemie pro1ect 7it3 869 development
2. T3e Tokuyama pro1ect 7it3 a ne7 t)pe of deposition reactor
&. T3e ASi!"REC pro1ect 7it3 869 development.
%. T3e #e$ussa"SolarWorl% pro1ect 7it3 tube deposition
5. T3e S&LS!LC"S'URT pro1ect 7it3 direct reduction and a melt purification c)cle
". T3e EL(E pro1ect based on purification of metallurgical grade silicon
AstroPo8er t#ene un "/!u!a en pe!"u!a "ont#nua* !a AP9::;
%
AstroPo8er &e.e!ope& a "ont#nuous9s(eet
pro&u"t#on pro"ess 4or :<=9"$: 8a4ers 8#t( a
&e$onstrate& pro&u"t#on o4 ><== 8a4ers per &a30
Cont#nuous In9!#ne ?a4er R#nse9Dr3 S3ste$
To #n.est#-ate t(e #n9!#ne 8a4er (an&!#n- approa"(* a "ont#nuous 8a4er r#nser9
&r#er 8as
spe"#5e& an& pro"ure&0 T(#s e'u#p$ent #s ase& on stan&ar& $o&u!ar un#ts
"ons#st#n- o4 !oa&*
r#nse* &r3* an& un!oa& se"t#ons0 Ea"( $o&u!e #s a!e to stan& a!one* ut #s o!te&
to-et(er to 4or$
a s3ste$0 T(e resu!ts a"(#e.e& 8#t( t(#s "ont#nuous* #n9!#ne r#nser9&r3er s3ste$
(a.e een
#$press#.e0 ?a4ers tra.e! t(rou-( t(e s3ste$ at a spee& o4 aout ;= #n"(es per
$#nute0 At t(#s
spee& 8#t( $a%#$u$ !oa&#n-* t(e t(rou-(put o4 t(#s s3ste$ #s o.er :;== AP9
::; 8a4ers per
(our0 @or "o$par#son* a sp#n &r#er 8ou!& taAe $ore t(an ten $#nutes to &r3 4our
"assettes (or
>== 8a4ers)0
T(e "on.ers#on eB"#en"3 o4 S#!#"on9@#!$TM so!ar "e!!s (as stea&#!3 #n"rease& s#n"e
>CDE0
T(e $ost re"ent !aorator3 so!ar "e!! (as an eB"#en"3 o4 >F0FG as $easure& at
NREL0 @u!! s#)e AP9::; so!ar "e!!s (:<= "$:) (a.e &e$onstrate& an eB"#en"3 o4
>:0;G* an& present pro&u"t#on eB"#en"3 o4 t(e AP9::; so!ar "e!! #s >=G0
Metallurgical-Grade Silicon for Solar Application
T(e o+e"t#.e o4 t(e 8orA per4or$e& un&er t(#s tasA #s to &e.e!op &#re"t#ona!
so!#&#5"at#on $et(o&s to up-ra&e $eta!!ur-#"a! -ra&e s#!#"on (MH9S#) 4or use as a
!o89"ost
4ee&sto"A $ater#a! 4or t(e S#!#"on9@#!$s(eet pro"ess0 T(e approa"( u#!&s on
pre.#ous!3
esta!#s(e& su""esses (e0-0 Do8 Corn#n-* E%%onIE!Ae$* S#e$ens* Ja8asaA#) t(at
use&
5
"on.ent#ona! un#9&#re"t#ona! so!#&#5"at#on (e0-0 C)o"(ra!sA# or Kr#&-$an) to pur#43
MH9S#
s#!#"on0 Ea"( o4 t(ese -roups (a.e su""ess4u!!3 e$p!o3e& .ar#ous $eta!!ur-#"a!
$et(o&s*
"oup!e& 8#t( &#re"t#ona! so!#&#5"at#on* to pro"ess MH9S# #nto p(oto.o!ta#" -ra&e
s#!#"on (P7H L
S#) 4ro$ 8(#"( so!ar "e!!s 8#t( "on.ers#on eB"#en"3 -reater t(an >=G 8ere
4ar#"ate&0 Dur#n-
t(e #n#t#a! p(ase o4 t(#s 8orA an e%#st#n- pro"ess#n- 4urna"e 8as $o&#5e& to
&#re"t#ona!!3
so!#&#43 MH9S# so t(at t(e #$pur#t#es are se!e"t#.e!3 $o.e& to one sur4a"e0 T(#s
sur4a"e 8as
t(en $e"(an#"a!!3 re$o.e& an& t(e resu!t#n- up-ra&e& $ater#a! 8as pro"esse&
#nto 4ee&sto"A
$ater#a! 4or t(e S#!#"on9@#!$s(eet pro"ess0 Cross9se"t#ons o4 t(e pur#5e&
$ater#a! 8ere
prepare& 4or t(e purpose o4 $easur#n- t(e !#near #$pur#t3 pro5!e 3 SIMS0 A Ae3
e!e$ent #n
t(#s tasA #s t(e #&ent#5"at#on o4 $eta!!ur-#"a! -ra&e s#!#"on .en&ors t(at "an
supp!3 4ee&sto"A
8#t( !o8 oron "on"entrat#ons* as &#re"t#ona! so!#&#5"at#on #s #neMe"t#.e 4or t(#s
e!e$ent0
Pat(s >* :* an& N a!! e-#n 8#t( t(e "arot(er$#" re&u"t#on o4 'uart)#te (san&)0
T(e
pro&u"t o4 t(#s pro"ess step #s "a!!e& $eta!!ur-#"a!9-ra&e s#!#"on (MH9S#)0 Pat( >
"ap#ta!#)es on
t(e #&ea o4 start#n- 8#t( pure start#n- $ater#a!s 4or t(e "arot(er$#" re&u"t#on
pro"ess0 Pat( : #s
present!3 t(e one e$p!o3e& 3 a!! t(e $anu4a"turers o4 Po!39S# 4or t(e
se$#"on&u"tor #n&ustr3
an& #s re.#e8e& 3 MCCORMICJ* >CD; O:P0 T(#s pat( uses t(e chemical approach
to pur#43 MHS#*
an& #s eMe"t#.e at re$o.#n- oron0 Ho8e.er* t(e "osts to eMe"t t(ese pro"esses
#s t3p#"a!!3
(#-( (QRN=IA-)* an& a""or&#n-!3* t(#s pat( 8#!! not e treate& #n t(#s report0
E!e"tro&epos#t#on o4 MH9S# to pro&u"e a p(oto.o!ta#" -ra&e s#!#"on (as a!so een
#n.est#-ate&0 In -enera! t(e approa"( #s p!a-ue& 3 t(e sa$e !o8 !#near -ro8t(
rate (t3p#"a!!3
> to : $#"ronI$#n) t(at !#$#ts t(e S#e$ens9ase& C7D approa"(* t(us re'u#r#n-
.er3 !ar-e
rea"t#on areas #n or&er to a"(#e.e $ean#n-4u! $ass -enerat#on rates0
8dvances in solar cell manufacturin! systems for lar!earea
Silicon9:ilm polycrystalline silicon s"eet material are
revie;ed. <ecent pro!ress in continuous rapid t"ermal
'unction diffusion and cassette9less ;et c"emical processin!
is discussed. 8 sin!le Silicon9:ilm s"eet !eneration
system operatin! at 3.) m=min no; "as a capacity of )2
>? of silicon s"eet per year. $"is s"eet !eneration system
is used as t"e asis for an advanced sin!le9t"read production
"
line desi!n for manufacturin! t"e ne-t !eneration of Silicon9
:ilm solar cells ;"ose area is nominally @.. cm2. $"ese
solar cells are ein! used to desi!n lar!e9area solar modules
t"at can produce up to 22. ? of po;er. /ustom module
desi!ns "ave een developed for 8stro7o;erAs domestic on!rid
rooftop system pro!rams.
8ll of 8stro7o;erBs compound semiconductor9ased products incorporate epita-ial !ro;t" in t"eir farication.
$odos los productos semiconductor9asados compuestos de 8stro7o;er incorporan el crecimiento epita-ial
en su faricacin
(7E is a ;idely used tec"ni+ue t"at involves meltin! a semiconductor material and lettin! it crystalli&e on a
sustrate.
(7E es una t%cnica e-tensamente usada +ue implica el derretir de un material del semiconductor y de'*ndolo
cristali&arse en un sustrato
uso de un !radiente termal +ue promueve el crecimiento de la capa epita-ial lateralmente muc"o m*s r*pido
+ue verticalmente del sustrato.
arseniuro de !alio
Ca sido financiado por la 8$7.9 8dvanced $ec"nolo!y 7ro!ram, por lo +ue su tecnolo!#a
estar* disponile al p0lico se!uro.
AstroPower, Elkem Work to Purify Silicon
E! "re"#$#ento ep#ta%#a! "ons#ste en !a &epos#"#,n &e una o .ar#as "apas &e
espesor ar#trar#o* sore !a super5"#e &e un $ater#a! ase $ono"r#sta!#no
(sustrato)* &e 4or$a 'ue e! resu!ta&o es un $ater#a! 'ue repro&u"e !a
estru"tura "r#sta!#na &e! sustrato0 E! "re"#$#ento se pro&u"e "uan&o "ant#&a&es
$u3 "ontro!a&as &e !os -ases pre"ursores &e !os e!e$entos 'ue "on4or$an e!
$ater#a!* 3 en su "aso &e pre"ursores &e !os e!e$entos &opantes* son
#n3e"ta&os en e! rea"tor $u3 &#!u#&os en un -as porta&or (-enera!$ente
(#&r,-eno)0 Estos -ases se &es"o$ponen en !a super5"#e "a!#ente &e! sustrato
3 &an !u-ar a !os &#st#ntos e!e$entos 'ue 4or$ar6n e! $ater#a!0 Los
supro&u"tos &e !a rea""#,n son arrastra&os !e+os &e !a super5"#e &e "re"#$#ento
por e! $#s$o 2u+o* 'ue aan&ona e! rea"tor a tra./s &e !a e%tra""#,n0 En e! "aso
en 'ue !os $ater#a!es pre"ursores !!e-an a !a #nter4a) &e "re"#$#ento en 4ase
.apor* !a t/"n#"a se &eno$#na 7PE (ep#ta%#a en 4ase .apor)* 'ue es una
su"ate-ora &e! C7D (&epos#"#,n 'u$#"a en 4ase .apor)* t/r$#no $6s -en/r#"o
'ue #n"!u3e ta$#/n $ater#a!es se$#"r#sta!#nos 3 a$or4os0 E! t/r$#no MO7PE
#n&#"a 'ue para e! "re"#$#ento se ut#!#)an "o$o pre"ursores "o$puestos a!'u#!es
or-ano$et6!#"os* aun'ue -enera!$ente /stos s,!o son ut#!#)a&os para !os
e!e$entos &e! -rupo III* pre5r#/n&ose (#&ruros para !os &e! -rupo 70
En un $o&e!o 6s#"o &e "re"#$#ento pue&e suponerse 'ue e%#sten &os re-#ones
en e! 2u+o &e -as &entro &e! rea"tor1 una a!e+a&a &e! sustrato en !a 'ue !os
-ases est6n #en $e)"!a&os 3 se &esp!a)an a una .e!o"#&a& "onstante se-Sn un
e+e perpen&#"u!ar a! sustrato* 3 una se-un&a a&3a"ente a !a super5"#e &e!
sustrato* &eno$#na&a estan"a&a* en !a 'ue !a .e!o"#&a& &e! -as es "ero0 En
rea!#&a&* se-Sn un $o&e!o a!-o $6s r#-uroso* e%#ste una )ona &e trans#"#,n
arupta ("apa !$#te) entre !a super5"#e &e "re"#$#ento* &on&e !a .e!o"#&a& es
"ero* 3 e! 2u+o !#re &e -as0 Sue!e &e5n#rse !a "apa !$#te "o$o !a re-#,n en 'ue
!a .e!o"#&a& &e! 2u+o es $enor 'ue e! CCG &e !a .e!o"#&a& en !a "orr#ente !#re
&e! -as0 En !a "apa !$#te !os "a$#os &e "on"entra"#,n son por &#4us#,n0 En este
:
$o&e!o !as $o!/"u!as &e -as se &#4un&#ran a tra./s &e !a "apa !$#te (a"#a !a
super5"#e &e! sustrato0
' partir de una cara de un cristal de material semiconductor se 3ace crecer un substrato con la misma
estructura cristalina. ;ediante esta t<cnica se puede controlar de forma mu) precisa el nivel de
impure,as en el semiconductor* (ue son los (ue definen su caracter => o ?@. ?ara 3acer esto se
calienta el semiconductor 3asta casi su punto de fusi+n ) se pone en contacto con el material de base
para (ue* al enfriarse* recristali,e con la estructura adecuada
Las dos c"maras $ue usa el grupo para fabricar los mdulos son el resultado del pro(ecto
5arisol! El primer paso del proceso es la metali2acin del sustrato ( se &ace en una de las
c"maras! 'ero la tcnica para el paso siguiente es distinta ( debe &acerse en la otra c"mara* la
deposicin de la capa 6absorbente7, $ue es la $ue absorbe las partculas de lu2, ( el llamado
6material #entana7! 8inalmente se pasa de nue#o a la primera c"mara para depositar el
material conductor ( una 9ltima capa!
En los dispositi#os de pelcula delgada las capas negati#a ( positi#a pueden ser diferentes
semiconductores con materiales diferentes! 3s $ue la estructura :simplificada; de estos
dispositi#os es, de aba)o a arriba* primero el sustrato sobre el $ue se depositar"n las diferentes
capas, ( $ue puede ser desde pl"stico a #idrio1 luego una capa met"lica, conductora1 despus el
semiconductor $ue absorbe los fotones1 sobre ste, el otro material semiconductor con carga
contraria, $ue adem"s &ace de 6#entana7 para de)ar pasar slo la lu2 de una longitud de onda
determinada1 por 9ltimo se deposita un material conductor ( transparente a la lu2 solar $ue
recoge la electricidad generada! En total el grosor de estos dispositi#os no supera las milsimas
de milmetro!
T3e A Bepartment of 2nerg) cost goal for t3in films is about C0.&&DE
p
* 73ic3 is based on a module
efficienc) goal of about 155 and module manufacturing costs of about C50Dm
2
,n panel de ) m2 produce al aDo en EspaDa ))E. F?". /omo vemos el !oierno
americano +uiere amorti&ar los paneles en 2 aDos a ra&n de 22 pts=F?".
El mercado sue a un ritmo del 3.G anual, al precio actual de la tecnolo!#a o'o. Si se
pudiera a'ar a0n m*s el precio, se disparar#a la venta a0n m*s.
8stro7o;er se funda en )HI3. En )HHI comerceali&an la 879222 faricada en continuo.
$
7o;er:ilm "a desarrollado pel#cula del!ada +ue aporta 33;=mJ frente a )2.;=mJ de
c%lulas normales.
9
7or otro lado, K9/ells acaa de anunciar la firma de un acuerdo de colaoracin con Ever!reen Solar,
propietaria de la tecnolo!#a Strin! <ion$> de faricacin de oleas, para estalecer en $"al"eim, 8lemania,
un nuevo centro de faricacin de oleas con capacidad de 3. >?.
Unais Dis!la"s #$%&
(a l#nea de LMN solar de ,na-is desarrolla todas las etapas del proceso de produccin de mdulos solares de
pel#cula fina de ),@ m2, lo +ue permite un paso m*s r*pido de estos procesos del laoratorio a la produccin
industrial. (os procesos incluyen deposicin de pel#cula fina en capas de contacto, deposicin de capas de Si
as# como los diferentes procesos l*ser en la faricacin de mdulos.
)*T+Tech,olo$ies- S.A. es una compa0a sui,a (ue fabrica c<lulas ) m+dulos ultra finos* mu)
fle4ibles ) de mu) poco peso* mediante una tecnologa de plasma propia denominada /er) Fig3
8recuenc)* para depositar silicio amorfo en diferentes sustratos pl-sticos.
CSG Solar AG #'%&
Silicio cristalino sore cristal
(as si!las de esta empresa alemana corresponden a la denominacin in!lesa de su e-clusiva tecnolo!#a
O/rystalline Silicon on PlassQ, desarrollada a lo lar!o de ). aDos de investi!acin por un e+uipo internacional
con sede en Sydney, 8ustralia, y +ue est* llamada a revolucionar la tecnolo!#a solar. (os mdulos /SP
utili&an una capa de silicio cristalino de )2. a 2.. veces m*s fina +ue las convencionales, y se farican a
partir de !as silano, lo +ue "ace su produccin inmune a las restricciones en el suministro de silicio.
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R(E S)*o++ Solar G,b- #./&
Ne la ampl#sima !ama de productos de esta firma alemana para la industria solar destacamos los mdulos
8SL, de "asta 2. Vp, +ue utili&an una tecnolo!#a patentada, dentro del tipo de pel#cula fina, +ue permite una
!ran eficiencia en su faricacin
S*ell Solar #.0&
S"ell Solar presentar* la nueva !ama de modulos fotovoltaicos S"ell 7o;er>a-, de alta eficiencia y
destacado rendimiento ener!%tico. $ami%n mostrar* su prototipo EclipseI., el nuevo mdulo con tecnolo!#a
de capa fina de S"ell +ue comina un e-celente rendimiento, incluso en condiciones de a'a luminosidad, con
un atractivo diseDo +ue le "ace idoneo para su uso en sistemas solares inte!rados en edificios.
Solar(orld AG #/01&
Solar?orld presenta todos los pasos de la cadena de valor de la industria fotovoltaica (oleas, c%lulas,
mdulos, sistemas e incluso el reciclado de productos fotovoltaicos) a trav%s de la presentacin de las
compaD#as +ue forman el !rupo Solar?orld 8P, Neutsc"e Solar 8P, Neutsc"e /ell, Solar :actory, PRllivare
p"otovoltaics, y la unidad de ne!ocio de Neutsc"e Solar, Solar >aterial. Neutsc"e /ell es actualmente el
octavo faricante de c%lulas fotovoltaicas, con una produccin en 2..@ de 2I >?p, lo +ue si!nifica una cuota
del mercado del 2,3G.
MS2 Cor!ora+ion #10&
El 7V9$V, asado en la tecnolo!#a de silicio amorfo, es un nuevo material de construccin +ue transforma
cual+uier superficie vitrada en una fuente de ener!#a respetuosa con el medio amiente, durante el d#a, y en
una pantalla de color durante la noc"e. ,n panel 7V9$V de ) m2 es el mayor panel solar semitransparente
faricado en el mundo y es, se!0n su faricante el primero +ue puede utili&arse tanto de d#a como de noc"e.
%urante los 9ltimos die2 a<os se &a estado traba)ando en una alternati#a basada en redes interpenetrantes de
uniones nanocristalinas! 'ara reali2arla se &an construido materiales semiconductores mesoscpicos a partir de
cristales de xidos de titanio, 2inc, selenio o estroncio de pocos nanmetros de espesor ( con una gran superficie
interna de absorcin de la lu2! Los poros mesoscpicos existentes entre las partculas cristalinas de estos
materiales se rellenan de un medio semiconductor o conductor :un electrolito;! El resultado final son dos redes
del material entrela2adas con una gran "rea de contacto! Esta estructura semiconductora tiene un espesor tpico
de => micrmetros ( una porosidad del ?>@ ( parece $ue se mantiene moderadamente estable con el paso del
tiempo, confiriendo al dispositi#o una #ida media de unos #einte a<os!
En definiti#a, los dispositi#os foto#oltaicos basados en redes mesoscpicas interconectadas est"n apareciendo
como alternati#as crebles a las clulas solares con#encionales, especialmente por el ba)o coste energtico de su
construccin ( su flexibilidad, lo $ue les confiere una me)or capacidad de capturar energa desde distintos
"ngulos! Aambin son f"ciles de te<ir con tintes transparentes a simple #ista con lo $ue una de las aplicaciones
m"s imaginati#as consistira en usarlas en las #entanas de los edificios!
Ana capa delantera transparente (ue tambi<n protege contra el ambienteG
Ana capa superior o una re1illa transparente ) conductora (ue llevan la corrienteG
An fino =micr+n 1#%@* emparedado central de los semiconductores (ue forman unas o m-s
ensambladuras para separar la cargaG
An contacto trasero (ue es a menudo una pelcula del metalG
Ana 3o1a trasera (ue protege contra el ambiente ) (ue podra ser de apo)o =rgido o fle4ible@G
/arios pasos de proceso intermedios: escribanos ) deposiciones para interconectar las c<lulas
de la tira* pasos (ue recuecen para activar o para terminar ciertos componentesG laminaci+n
para unir la encapsulaci+nG el accesorio de la barra de los buss a llevar apagado accionaG
escribanos del aislamiento en las fronterasG el cristal o el otro substrato (ue dirige* limpiando*
) calentando.
8un+ue los costes de capital iniciales para la faricacin de 7V pueden ser !randes (de
S..2> 9 S2> por cada me!avatio de la capacidad de produccin de mdulo anual, sore la
ase de costes en curso y eficiencia de mdulo)
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En su modelo de pel#cula del!ada, re+uieren solamente apro-imadamente S)2> para una
planta 2. >?, o S..)) = ?p (SH = m2 en I G de rendimiento).
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