Henrique Musseli Cezar

Litografia - Processos litogrficos e

suas aplicaes
Instituto de Fsica de So Carlos - Universidade de So
Paulo
2012
Resumo
Nessa monografia, explicarei o que litografia ptica, assim como comentarei e
falarei brevemente de outras tcnicas de litografia. Irei dar um grande enfoque
em suas aplicaes, como por exemplo produo de circuitos integrados que
muito importante na indstria. Pretendo conseguir mostrar a importncia
da litografia nos dias atuais, e dar uma viso geral do funcionamento de suas
tcnicas.
Introduo
A palavra litografia vem do grego e significa escrever sobre pedra. A
litografia foi desenvolvida pela indstria grfica e um tipo de gravura
que em seus primrdios utilizava um lpis gorduroso para escrever sobre uma
matriz de pedra. A tcnica teve em seu incio, grande importncia para a
imprensa e foi amplamente utilizada [10].
Hoje em dia a palavra litografia j extrapola seu significado, e utilizada
de diversas maneiras, principalmente para criao de figuras e dispositivos
em micro e nano escala. Existem atualmente vrios mtodos de litografia
modernos que diferem, entre outros aspectos, em resoluo e custo. Lidarei
aqui especialmente a tcnica da litografia ptica, que com a era dos semicon-
dutores e da microeletrnica se tornou predominante dentre as outras.
Outros mtodos de litografia que no o da litografia ptica sero tambm
comentados, apesar de no serem o foco principal. Tcnicas como a litografia
por feixe de eltrons, podem ser teis no para produo em escala, mas
para fabricao de mscaras a serem usadas por outras tcnicas, como ser
visto posteriormente . O principal motivo para a popularidade da litografia
ptica frente outras tcnicas, seu custo e a velocidade de se produzir
componentes com a tcnica, o que torna vivel a produo em escala.
A importncia de se estudar tcnicas litogrficas hoje surge, dentre outros
motivos, da necessidade de se produzir circuitos integrados cada vez mais
complexos e menores. Contudo quanto menores ficam os circuitos, outros
problemas acabam por surgir, como a dissipao de potncia e os defeitos
que podem surgir devido escala dos dispositivos [3]. A tcnica litogrfica
a ser utilizada, deve ser capaz de lidar com essas dificuldades.
Descrio
Aspectos gerais
Nos pargrafos seguir, pretendo abordar e explicar, os termos mais gerais
quando se fala de litografia. claro que cada tcnica possui suas peculiari-
dades, entretanto, necessrio um conhecimento bsico para se entender
todas elas.
Para o uso de uma tcnica litogrfica, necessrio que se tenha uma
superfcie onde ser feita a gravura, ou por exemplo um circuito integrado. O
nome dado essa superfcie onde reside a gravura substrato. Na indstria
eletrnica, o substrato mais comum o silcio, e comumente chamada de
wafer de silcio.
Sob o substrato, colocamos ento uma camada de alguma outra substn-
cia chamada de resiste. No caso da litrografia ptica, esse resiste deve ser
fotosensvel, pois com ele que a luz (tipicamente UV) ir interagir. Nor-
malmente, colocada uma camada de um xido (como por exemplo o SiO
2
)
entre o resiste e o substrato, que chamada de filme. essa camada que ir
permanecer sob o substrato aps todo o processo, e ela que por exemplo
a gravura a ser feita, ou o componente de um circuito integrado.
Na na figura 1 podemos ver esquematizadas as camadas descritas anteri-
ormente.
Outra ferramenta utilizada em alguns tipos de litografia como a litografia
ptica ou de raios X, a mscara. A mscara feita de forma a permitir que
a radiao exponha apenas na regio onde ela permite. Ela de certa forma
uma espcie de molde, que utilizada para transferir o padro desejado
amostra.
pela mscara que temos um padro formado no que chamado de
resiste positivo ou resiste negativo. No resiste positivo, temos que a mscara
bloqueia a radiao apenas onde queremos formar o padro desejado. Para o
resiste negativo, temos o contrrio, a radiao somente transmitida onde o
padro ser formado. O resiste positivo e negativo esto exemplificados na
figura 1.
Tcnicas que utilizam de mscaras so chamadas de tcnicas de escrita
indireta, pois os padres so formados indiretamente pela exposio luz. A
outra classe de tcnicas so as de escrita direta, como por exemplo a litografia
por feixe de eltrons ou a litografia por feixe de ons. As tcnicas de escrita
direta transferem o padro direto amostra, e no atravs da interao do
resiste com a luz como na litografia ptica por exemplo.
Figura 1: Camadas sobre o wafer de silcio. Vemos tambm o resiste positivo
e o negativo. [2]
4
Litografia ptica
A litografia ptica uma tcnica litogrfica que utiliza de luz para marcar
um resiste fotosensvel. Ela requer boas condies do substrato, tendo este
que estar limpo e ter uma superfcie no muito rugosa [14].
As etapas do processo de litografia ptica, costumam ser divididas da
seguinte maneira, primeiro feita a limpeza do substrato, para em seguida ser
depositado sobre o wafer um xido. Logo depois feita a deposio do resiste
por spin coating (deposio de uma gota com o substrato rodando). Com
essa tcnica de aplicao do resiste, conseguimos formar uma fina camada,
ajustando apenas a rotao. Ento feita a exposio, que onde a luz
interage com o resiste. Finalmente feito um processo qumico onde as reas
afetadas pela luz so corrodas no substrato, para em seguida o resiste ser
removido.
O comprimento de onda da luz utilizada nessa tcnica varia bastante, e
um fator determinante para a resoluo, pois o comprimento de onda da luz
utilizada que costumava dar a ordem de resoluo mxima alcanada pela
tcnica. Veremos posteriormente entretanto que alguma tcnicas conseguem
remediar esse problema do comprimento de onda. Tradicionalmente, so
utilizados comprimentos de onda da ordem de 436 nm 150 nm, sendo
o limite superior obtido com luz prxima do visvel e o inferior com UV
distante [6]. Na indstria da produo de circuitos integrados, tipicamente
utilizada uma fonte UV, e o comprimento de onda mais comum 193 nm.
Hoje tambm j se estuda litografia ptica com UV extremo, que consegue
ter comprimento de onda da ordem de uma dezena de nanometros (10 nm
14 nm) [6]. Essa tcnica chamada de Extreme Ultraviolet Lithography
(EUV), e uma das tcnicas de litografia ditas de prxima gerao [8], que
so as tcnicas candidatas a substituir a litografia ptica na produo de
circuitos integrados no futuro.
Existem basicamente trs mtodos de exposio utilizados na tcnica de
litografia ptica. So eles por contato, proximidade ou projeo. Na figura 2
vemos um esquema da diferena entre tais mtodos.
Na exposio por contato, temos que a mscara encosta no resiste. O
mtodo permite uma resoluo maior em comparao aos outros, contudo
pode danificar a mscara e tambm causar defeitos no padro [2]. O mtodo
de proximidade similar ao por contato, com a diferena de manter um
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Figura 2: Mtodos de exposio na litografia ptica. [2]
pequeno espao (da ordem de uma dezena de nanometros) entre o resiste e
a mscara.
J na exposio por projeo, temos que a mscara projetada sobre
o resiste atravs de um sistema ptico. No h riscos ento de se danificar
a mscara, mas surge o problema de alinhamento, que se torna ainda mais
complicado. Esse mtodo foi aprimorado e hoje utilizado em grande escala
pela indstria de microeletrnica como litografia por imerso [9]. O que
ocorre que no espao final entre as lentes e o resiste ao invs de ar ou
vcuo, colocado um lquido como por exemplo gua. O ganho em resoluo
na litografia por imerso de acordo com o ndice de refrao do lquido
utilizado [9].
Quanto a escolha do resiste, um fator importante a energia absorvida
pelo material fotosensvel. Idealmente queremos que aps exposto, o resiste
tenha as bordas que formam o padro bem definidas. Isso entretanto no
ocorre, e temos situaes diferentes para resistes que tem alta absoro de
energia e os com baixa. Podemos ver na figura 3 essas situaes ilustradas.
Temos primeiro o caso ideal, seguido pelo caso de alta absoro e ento o de
baixa.
As principais dificuldades tcnicas associadas litografia ptica, so de-
vido necessidade de se alinhar muito bem a mscara com o wafer. O
alinhamento deve ser feito de maneira muito precisa, principalmente quando
se utiliza mais de uma camada, a fim de fazer por exemplo circuitos inte-
6
Figura 3: Resiste aps o processo de exibio. Temos na figura sequencial-
mente o caso ideal, o caso de alta absoro de energia, e o de baixa absoro.[3]
grados complexos. Para auxiliar no processo de alinhamento, so utilizadas
marcaes na mscara e no substrato.
Litografia por feixe de eltrons
A tcnica de litografia por feixe de eltrons, uma tcnica de escrita direta,
ou seja, no utiliza mscaras em seu processo. A resoluo nessa tcnica
muito boa, e chega a dezenas de nanometros. Contudo o tempo necessrio
para se produzir uma amostra grande quando comparado outras tcnicas.
utilizado um feixe de eltrons com energias de 10 keV at 100 keV que
incidido numa lmina similar da litografia ptica, porm com um resiste
diferente. Esse feixe ento utilizado para formar o padro no resiste.
Os resistes utilizados nessa tcnica no so necessariamente fotosensveis.
Tipicamente, o resiste algum polmero, que ao interagir com os eltrons
do feixe, muda suas propriedades de modo a possibilitar ele ser revelado
posteriormente. Historicamente, os primeiros resistes utilizados eram os mes-
mos que os utilizados na litografia ptica, contudo novos resistes foram sendo
desenvolvidos [4]. Um tipico resiste utilizado atualmente o polmero PMMA.
As tcnicas atuais de escrita indireta tem em grande parte, a litografia
por feixe de eltrons como base e utilizam multiplos feixes de eltrons. Essas
tcnicas entretanto sofrem quanto a interao dos eltrons entre os feixes. A
principal aplicao dessas tcnicas para a produo de mscaras a serem
utilizadas na litografia ptica, entretanto, existem tentativas de utilizar a
litografia por feixe de eltrons para produo em escala [11].
Uma das vantagens dessa tcnica, que quando no necessrio produzir
em escala, conseguimos resolues muito boas com linhas da ordem de 10 nm
20 nm. Outra vantagem que podemos adaptar um microscpio eletrnico
7
com equipamentos de preos razoavelmente acessveis para ser utilizado como
um equipamento de litografia por feixe de eltrons [7].
Alguns empecilhos quanto ao uso da tcnica que ela no muito eficaz
para produo em escala. Por exemplo, em alguma condies, para se formar
um padro numa rea de 1 cm
2
, necessrio um perodo de 12 dias [7].
Quanto a problemas tcnicos, uma das dificuldades da tcnica que os
eltrons ao se chocarem com a matria produzem eltrons retroespalhados,
e tambm alguns eltrons se soltam da rede. Esses eletrns, acabam por
prejudicar na transferncia do padro ao resiste, pois eles prprios acabam
interagindo com o resiste e sensibilizando partes que princpio no deveriam
ser expostas. Na figura 4 podemos ver como controlando por exemplo a energia
dos eltrons do feixe, podemos controlar esses efeitos.
Figura 4: Perfis revelados (tracejados), e tericos sobre um resiste de PMMA.
Vemos os efeitos para trs energias de feixe. [4]
8
Aplicaes e exemplos
Vimos na seo anterior , que umas das aplicaes mais importante de tc-
nicas litogrficas, para a produo de circuitos integrados. Devido a essa
importncia, a indstria tem dado muito valor pesquisa nessa rea e as tc-
nicas tem evoludo ao longo dos ltimos anos. Tal importncia confirmada
quando se verifica que 60% do tempo gasto na produo de uma lmina,
com processos litogrficos [3].
A necessidade de se reduzir as dimenses dos componentes, vem do fato
de que quanto maior o nmero de componentes por unidade de rea menor
so os custos para a produo. Com a reduo nas dimenses, tambm
possvel diminuir as capacitncias envolvidas resultando em dispositivos mais
rpidos [3].
Um fator determinante ser entendido nas aplicaes de tcnicas litogr-
ficas, que a resoluo no um fator limitante atual para a indstria. Isso
no sentido de que existem tcnicas j estabelecidas que conseguem resolues
menores do que as utilizadas atualmente, como por exemplo a litografia por
feixe de eltrons. O problema que essas tcnicas possuem algum fator limi-
tante quanto a aplicao, seja no custo ou na falta de eficincia na produo
em escala.
As aplicaes na produo de circuitos integrados, tambm sofrem com
o fato da intolerncia a erros. Vrios fatores podem levar a pequenos erros
nos circuitos, inclusive fatores ambientais como a temperatura, que podem
interferir no alinhamento das camadas do processo litogrfico. Isso muito
importante pois na produo dos circuitos chegam a ser utilizadas 20 camadas
ou mais para a construo dos componentes no wafer. Buscando minimizar
esses efeitos, os wafers no costumam ser expostos totalmente, e sim por
partes, possibilitando assim alinhamentos localizados que so feitos com maior
preciso.
A indstria teve tambm que ir superando as limitaes de algumas
tcnicas para conseguir chegar tecnologia que temos hoje. Atualmente, j
conseguimos produzir em escala, processadores com tecnologia de 32 nm [1].
Vemos ento que a barreira do comprimento de onda determinante resoluo
j foi quebrada. Isso se deve muito ao estudo de tcnicas como a litografia
por imerso [9].
Na figura 5 vemos um panorma atual das tcnicas litogrficas e as
possibilidades de utilizao na indstria. O motivo de a tcnica no ser
empregada na indstria atual est onde na tabela encontramos prohibitive.
Figura 5: Panorma atual das tcnicas litogrficas. [13]
Podemos ver ento na tabela da figura 5 que o principal fator proibitivo
novas tcnicas de litografia na indstria a capacidade de produo em
escala (o throughput). Vemos que nenhuma tcnica que no a litografia por
raios X, tem hoje em dia capacidade similar. E mesmo no caso da litografia
por raios X outros fatores tornam a tcnica invivel no momento.
Outro assunto de grande importncia para a indstria so os materiais
utilizados como resiste. No caso da litografia ptica, o resiste a ser utilizado
est relacionado com o comprimento de onda da fonte incidente. Idealmente,
interessante se ter resistes mais finos para se poder obter resoluo melhor.
Mas com resistes mais finos, a reveleo se torna mais complicada, ento,
algumas vezes utilizado um resiste multi camadas para solucionar esse
problema [3]. Contudo, o processo de revelao pode ser diferenciado para
casos de resiste mais finos e resistes multicamadas. Um resiste utilizado
10
atualmente para comprimentos de onda de 193 nm (um dos mais comuns
na indstria hoje), o ArF, um polmero fotosensvel que continua sendo
estudado com o intuito de beneficiar a indstria litogrfica [5]. Informaes
sobre quais os resistes especficos utilizados so escassas, mas os resistes so
produzidos de forma comercial por alguma empresas, e so vendidos de acordo
com o comprimento de onda e tcnica a ser utilizada.
11
Concluses
Tcnicas de litografia so de suma importncia para a indstria, e viabi-
lizaram o desenvolvimento de nossa microeletrnica atual. A litografia ptica
por exemplo, de grande importncia histrica, e continua viva ainda hoje tra-
balhando com comprimentos de onda na faixa do UV. A tcnica de litografia
ptica muito eficiente atualmente, mas j se questiona se num futuro talvez
no to distante, quando a indstria necessitar de tecnologias inferiores 22
nm, se ela ser efetiva. Nesse caso, outras tcnicas devero ser exploradas,
como talvez a Quantum Optical Litography, que pode chegar talvez res-
oluo de 2 nm [12], ou ainda outras tcnicas de prxima gerao como a
Extreme Ultraviolet Lithography [8].
O estudo de tcnicas litogrficas no est restrito estudar como melhorar
a resoluo. Existem outros fatores talvez at mais relevantes, como por
exemplo a capacidade de produo em escala e um custo acessvel.
Outras tcnicas de litografia como a por feixe de eltrons tambm se
demonstram importantes, mas no para produo em escala na indstria, e
sim para a produo de mscaras a serem utilizadas por outras tcnicas.
No se pode negar o envolvimento e esforo da indstria para o desen-
volvimento de tcnicas litogrficas. A indstria est ligada a litografia desde o
seu surgimento, e provavelmente ter por muitos anos uma forte dependncia
de suas tcnicas para a produo dos mais diversos dispositivos.
O estudo de tcnicas de litografia abrange diversas reas do conhecimento,
como a fsica, qumica e a engenharia. Em todas essas reas existem problemas
desafiadores a serem atacados a fim de melhorar a tecnologia e produo.
Apesar de grande parte relacionado indstria, o estudo dessas tcnicas no
est restrito a esse meio, e h muito a ser estudado seja pela academia ou
pela indstria.
Referncias Bibliogrficas
[1] Intel core i7 2720qm. http://ark.intel.com/products/50067/
Intel-Core-i7-2720QM-Processor. [Online; acessado 19-Junho-2012].
[2] Photolithography. http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/
theory/photolith.html. [Online; acessado 17-Junho-2012].
[3] A. C. Seabra. Litografia para microeletrnica. http://www.lsi.
usp.br/~acseabra/pos/5838_files/Litografia_texto.pdf. [Online;
acessado 17-Junho-2012].
[4] Marcelo de Assumpcao Pereira da Silva. Estudo de litografia por feixe de
eltrons para a produo de padres sobre substratos de eletroestruturas.
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-11092008-
165630/pt-br.php, October 2011.
[5] Hae-Sung Sohn, Sang-Ho Cha, Won-Ki Lee, Dong-Gyun Kim, Hyo-
Jin Yun, Myung-Sun Kim, Boo-Deuk Kim, Young-Ho Kim, Jae-Woo
Lee, Jeong-Sik Kim, Deog-Bae Kim, Jae-Hyun Kim, and Jong-Chan
Lee. Synthesis of arf photoresist polymer composed of three methacry-
late monomers via reversible addition-fragmentation chain transfer
(raft) polymerization. Macromolecular Research, 19:722728, 2011.
10.1007/s13233-011-0705-3.
[6] K. J. Vinoy. Lithography. http://ece.iisc.ernet.in/~kjvinoy/
rfmems/set2.pdf. [Online; acessado 17-Junho-2012].
[7] Wikipedia contributors. Electron beam lithography, June 2012. Page
Version ID: 497593526.
[8] Wikipedia contributors. Extreme ultraviolet lithography, June 2012.
Page Version ID: 492985435.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICASREFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[9] Wikipedia contributors. Immersion lithography, April 2012. Page Ver-
sion ID: 489183116.
[10] Wikipedia contributors. Lithography, May 2012. Page Version ID:
494797537.
[11] Wikipedia contributors. Maskless lithography, June 2012. Page Version
ID: 425450513.
[12] Wikipedia contributors. Nanolithography, May 2012. Page Version ID:
488491588.
[13] Wikipedia contributors. Next-generation lithography, February 2012.
Page Version ID: 443182875.
[14] Wikipedia contributors. Photolithography, June 2012. Page Version ID:
497870208.
14