Conservao de Energia

Captulo um
Seo 1.3
Alternative Formulations
Formulaes alternativas
Base tempo:
Em um instante
ou
Em um intervalo de tempo
Tipo de Sistema:
Volume de controle
Superfcie de controle
Uma importante ferramenta na anlise de T. C., sempre fornecendo
a base para determinao da temperatura de um sistema.
CONSERVAA DE ENERGIA
(PRIMEIRA LEI DA TERMODINMICA)
Em um Instante de tempo:

Note a representao do sistema atravs da
Superfcie de controle (linha tracejada) nas fronteiras.
Fenmeno de superfcie
, energy transfer across the control
su
: rate of thermal and/or mechanical
due to heat transfer, fluid flow and/or wor rfa k i c nteract io . e ns
in out
E E
Fenmeno Volumtrico
: rate of due to conversion from another enegy form
(e.g., electrical, nuclear, or chemical); energy conversion proc
thermal ener
ess occurs w
gy generatio
ithin the sy e
n
m.

st
g
E
energy storage in the system : rate of change . of
st
E
Conservation of Energy
in out g st
dE
st
dt
E E E E
+ =
(1.11c)
Cada termo possui as unidades de J/s or W.
APPLICAO EM UM VOLUME DE CONTROLE
Em um Intervalo de tempo
Cada termo possui as unidades de J.
in out g st
E E E E + = A
(1.11b)
VC em un Instante e em um Intervalo de tempo
Taxa de energia trmica e/ou mecnica transferida atravs do volume de controle devido a
T.C., escoameno do fluido e/ou interaes de trabalho
Taxa de gerao de energia trmica devido a converso de outra forma de energia (p. e., eltrica,
nuclear, ou qumica); a converso de energia ocorre dentro do sistema
Taxa de variao de energia estocada no sistema
Conservao de energia
Em um instante de tempo
t
dU
q
W
dt
=
Casos especiais (Relao com a Termodinamica)
(i) Processo Transiente em um Sistema fechado de Massa (M) Assumindo a T.C.
para o Sistema (Inflow) e Trabalho Realizado pelo Sistema (Outflow).
Over a time interval
tot
st
Q E
W
= A
(1.11a)
Sistema Fechado
For negligible changes in potential or kinetic energy
t
Q W U = A
Internal thermal energy
Em um intervalo de tempo
Para mudanas desprezveis na energia cintica e potencial
Energia interna trmica
Examplo 1.3: Aplicao p/ a resposta trmica de um condutor com aquecimento
Ohmico (gerao):
Envolve mudanas na energia trmica de uma substncia incompressvel.
t
dU dT
Mc
dt dt
=
A T. C a partir do condutor ( negativo ) q
A Gerao pode ser vista como trabalho eletrico realizado no sitema ( negativo )
W
Examplo 1.3
Exemplo 1.5: Aplicao c/ mudana de fase slido-lquido isotrmico em um container:
Calor latente de fuso
t 1at sf
U U M A = A = h
Examplo 1.5
(ii) Escoamento em Estado Estacionrio atravs de um Sistema Aberto sem mudana
de fase e Gerao de energia:
( ) flow o w rk pv
( ) enthalp y
t
u pv i +
( )
ideal gas constant specific h For an w eat ith :
in out p in out
i i c T T =

( )
( ) ( )
For an : incompressible liquid
0
in out in out
in out
u u c T T
pv pv
=
~

( ) ( )
( ) ( )
2 2
0
2 2
0
For systems with significant heat transfer:
~
~
in
in
out
V V
gz gz
out

Em um Instante de Tempo:
2
0
2
t
out
m u pv V gz
W
| |
+ + + =
|
\ .

2
2
t
in
m u pv V gz q
| |
+ + + +
|
\ .

(1.11d)
Sistema Aberto
Trabalho devido ao fluxo
Entalpia
Para um gas ideal de calor especfico constante
Para um lquido incompressvel :
Para um sistemas com considervel T. C.
Balano de Energia na Superfcie
Um caso especial em que nem massa ou volume em volvido pela superfcie de controle.
Conservao de Energia (Em um Instante de Tempo):
0
out
in
E
E
=
(1.12)
Aplica-se para condies de estado estacionrio e transiente.
Considere a superfcie de uma parede onde ha T. C. por conduo, conveco e radiao.
0
cond conv rad
q q q '' '' '' =
( )
( )
4 4
1 2
2 2 2
0
sur
T T
k h T T T T
L
c o

=
Sem massa ou volume, gerao e acmulo de energia no so pertinentes ao balano de energia,
Mesmo se ocorrerem no meio limitado pela superfcie.
BALANO DE ENERGIA NA SUPERFCIE
Metodologia

Desenhe um esquema do sistema representando a superfcie de controle com
linhas traejadas.
Escolha a base de tempo apropriada.
Identifique os modos relevantes de transporte, gerao e/ou acmulo de energia
identificando-os adequadamente no esquema com setas.
Escreva a forma adequada da lei de conservao de energia.
Substitua as expresses apropriadas dos termos da equao de energia.
Resolva a eq. para achar as quantidades desconhecidas.
METODOLOGIA DE ANALISE DA PRIMEIRA LEI
KNOWN: Silicon wafer positioned in furnace with top and bottom surfaces exposed to hot
and cool zones, respectively.
Problema 1.43: O processamento trmico de pastilha (wafer) de silcio em um
forno com duas zonas. Determine (a) a taxa inicial mudana na temperatura do wafer
e (b) a temperatura no estado estacionrio.
Problema: pastilha de Silcio
FIND: (a) Initial rate of change of the wafer temperature from a value of
w,i
T 300K, = and (b)
steady-state temperature. Is convection significant? Sketch the variation of wafer temperature
with vertical distance.
SCHEMATIC:

DADOS: pastilha de silcio posiciondo no forno com suas superfcies superior e inferior
expostos as zonas quente e fria, respectivamente
ACHAR: (a) a taxa inicial de mudana de temperatura do wafer de um valor de T
w,i
= 300K
e (b) a temperatura do estado estacionrio. A conveco significativa? Apresente a variao
da temperatura com a distncia vertical.
ESQUEMA :
Problema: pastilha de silcio (cont.)
ASSUMPTIONS: (1) Wafer temperature is uniform, (2) Hot and cool zones have uniform
temperatures, (3) Radiation exchange is between small surface (wafer) and large enclosure
(chamber, hot or cold zone), and (4) Negligible heat losses from wafer to pin holder.
ANALYSIS: The energy balance on the wafer includes convection from the upper (u) and
lower (l) surfaces with the ambient gas, radiation exchange with the hot- and cool-zone and an
energy storage term for the transient condition. Hence, from Eq. (1.11c),
in out st
E E E =
ou, por unidade de rea superficial
, , , ,
w
rad h rad c cv u cv l
d T
q q q q cd
dt
'' '' '' '' + =
( ) ( )
( ) ( )
4 4 4 4
,
,
w
w sur c w u w l w
sur h
d T
T T T T h T T h T T cd
dt
co co

+ =
(a) For the initial condition, the time rate of change of the wafer temperature is determined
using the foregoing energy balance with
w w,i
T T 300K, = =
( ) ( )
8 2 4 4 4 8 2 4 4 4 4 4
0.65 5.67 10 W/ m K 1500 300 K 0.65 5.67 10 W/ m K 330 300 K

+
( ) ( )
2 2
8W/ m K 300 700 K 4W/ m K 300 700 K =
3
2700kg/ m 875J / kg K ( )
w
i
0.00078 m dT / dt
( )
w
i
dT / dt 104 K/ s =
CONSIDERAES: (1) A temperatura do pastilha uniforme (2) As zonas quente e fria possuem
temp. uniforme (3) T. C. por radiao entre uma superfcie de pequena A envolta por uma grande
superfcie (camara, da zona quente e fria, e (4) perda de calor da pastilha para os pinos de sustentao
desprezvel
ANLISE: O balano de energia na pastilha inclui a conveco das superfcies superior (u) e inferior
(l) com o gas ambiente, troca de calor por radiao com a zona quente e fria e um termo de acmulo
para o sistema em transiente. Portanto, da Eq. (1.11c),
(a) Para a condio inicial, a taxa de mudana na temperatura da pastilha determinada usando a eq.
de balano com T
w
= T
w,i
= 300 K
Problema: Pastilha de silcio (cont.)
(b) For the steady-state condition, the energy storage term is zero, and the energy balance can
be solved for the steady-state wafer temperature,
w w,ss
T T . =
( ) ( )
4 4 4 4 4 4
w,ss w,ss
0.65 1500 T K 0.65 330 T K o o +
( ) ( )
2 2
w,ss w,ss
8W/ m K T 700 K 4W/ m K T 700 K 0 =
w,ss
T 1251 K =
To assess the relative importance of convection, solve the energy balances assuming no
convection. With ( )
w w,ss
i
dT / dt 101 K/ s and T 1262 K. = = , we conclude that the radiation
exchange processes control the initial rate of change and the steady-state temperature.
If the wafer were elevated above the present operating position, its temperature would
increase, since the lower surface would begin to experience radiant exchange with
progressively more of the hot zone. Conversely, by lowering the wafer, the upper surface
would experience less radiant exchange with the hot zone, and its temperature would decrease.
The temperature-distance relation might appear as shown in the sketch.
(b) Para condies de estado estacionrio, o termo de acmulo de energia zero, e o balano pode ser
resolvido para a temperatura de estado estacionrio, T
w
= T
w,ss
.
Para determinar a importncia relativa da conveco, resolver o balano de energia assumindo
no haver conveco. Com (dT
w
/dt)i = 101 K/s e T
w,ss
= 1262 K, conclui-se que a troca por
radiao controla a taxa inicial de T. C. e a temperatura de estado estacionrio
Se o wafer fosse acima da posio de operao inicial, sua temperatura poderia aumentar, pois a
superfcie inferior poderia comear a trocar calor por radiao com uma rea maior da zona
aquecida. Inversamente, baixando o wafer, a superfcie superiro poderia trocar menos radiao
com a zona aquecida e sua temperatur poderia diminuir. A relao temperatura-distncia poderia
aparecer como no esquema abaixo.
Problema Resfriamento de um reator esfrico
Problema 1.48: Resfiamento de um reator esfrico usado para estocar reagentes
qumicos. Determine (a) a taxa inicial de mudana de temperatura do
container, (b) a temperatura de estado estacionrio e (c) o efeito da
conveco na temp. de estado estacionrio.

KNOWN: Inner surface heating and new environmental conditions associated with a spherical
shell of prescribed dimensions and material.

FIND: (a) Governing equation for variation of wall temperature with time and the initial rate of
change, (b) Steady-state wall temperature and, (c) Effect of convection coefficient on canister
temperature.
535 J/kgK
DADOS: Aquecimento superficial interno e condies ambientais associada com a
superfcie de um container de dimenses e material conhecidos.

ACHAR: (a) A equao adequada para a variao da temperatura da parede com o tempo
e a taxa inicial de variao, (b) a temperatura de estado estacionrio, (c) o efeito do
coefieciente convectivo na temperatura do container.
Problema de Resfriamento de um reator esfrico
ASSUMPTIONS: (1) Negligible temperature gradients in wall, (2) Constant properties, (3) Uniform,
time-independent heat flux at inner surface.
PROPERTIES: Table A.1, Stainless Steel, AISI 302: = 8055 kg/m
3
,
p
c = 535 J/kgK.
ANALYSIS: (a) Performing an energy balance on the shell at an instant of time,
in out st
E E E = .
Identifying relevant processes and solving for dT/dt,
( ) ( )
( )
( )
2 2 3 3
i o o p
i i
4 dT
q 4 r h 4 r T T r r c
3 dt
t t t

'' =

( )
( )
2 2
i o
i
3 3
p o
i
dT 3
q r hr T T
dt
c r r

(
'' =
(

.
ESQUEMA:
CONSIDERAES: (1) o gradiente de temperatura na parede desprezvel (2)
prorpiedades constantes (3) fluxo de calor calor uniforme e independente do tempo na
superfcie interna
PROPRIEDADES:
ANLISE: (a) aplicando um balano de energia na casca esfrica em um instante de tempo,
Identificando os processos relevantes e resolvendo para dT/dt,
(b) Under steady-state conditions with
st
E = 0, it follows that

( ) ( )
( )
2 2
i o
i
q 4 r h 4 r T T t t

'' =
2
2 5 2
i i
2
o
q r 10 W/m 0.5m
T T 300K 439K
h r 0.6m
500W/m K

'' | |
| |
= + = + =
| |
\ .
\ .
(c) Parametric calculations show a sharp increase in temperature with decreasing values of h < 1000
W/m
2
K. For T > 380 K, boiling will occur at the canister surface, and for T > 410 K a condition known
as film boiling (Chapter 10) will occur. The condition corresponds to a precipitous reduction in h and
increase in T.
Substituting numerical values for the initial condition, find

( ) ( ) ( )
( ) ( )
2 2 5
2 2
3 3 3
i
3
W W
3 10 0.5m 500 0.6m 500 300 K
dT
m m K
kg J
dt
8055 535 0.6 0.5 m
kg K
m
(

(
|

=
|
( .

(


i
dT
0.084K/s
dt
|
=
|
.
Substituindo os valores numricos para as condies iniciais, encontramos
(b) Sob condies de estado estacionrio com Segue que
( c ) Clculos paramtricos mostram um grande aumento na temperatura para
valores de h < 1000 W/m
2
.K. Para T > 380 K, ebulio ir ocorres na superfcie
do cantainer, e para T > 410 K ir ocorrer uma condio conhecida como ebulio
em pelcula (captulo 10) . Esta condio corresponde a uma reduo no h e um
aumento em T.
Problema de Resfriamento de um reator esfrico
Problema do Resfriamento de um reator esfrico
Although the canister remains well below the melting point of stainless steel for h = 100 W/m
2
K, boiling
should be avoided, in which case the convection coefficient should be maintained at h > 1000 W/m
2
K.
COMMENTS: The governing equation of part (a) is a first order, nonhomogenous differential equation
with constant coefficients. Its solution is ( )
( )
Rt Rt
i
S/R 1 e e u u

= + , where T T u

,
( )
2 3 3
i p o
i i
S 3q r / c r r '' ,
( )
2 3 3
o p o
i
R 3hr / c r r = . Note results for t and for S = 0.
100 400 800 2000 6000 10000
Convection coefficient, h(W/m^2.K)
300
400
500
600
700
800
900
1000
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
e
,

T
(
K
)
Embora o container permanea bem abaixo do ponto de fuso do ao inox para a condio de h = 100 W/m
2
.K, deve-
se evitar a ebulio, neste caso o coeficiente convectivo de ser mantido em h > 1000 W/m
2
.K
COMENTRIOS: A equao da parte (a) de primeira ordem, uma eq. diferencial no homognea com coeficientes
constantes. Cuja soluo