64K (8K x 8) CMOS EPROM

27C64
CARACTERSTICAS
rendimiento de alta velocidad - 120 ns tiempo de acceso disponibles Tecnologa CMO
S de bajo consumo de energa - 20 mA activo corriente - 100 A corriente de espera p
rogramacin de fbrica disponibles insercin automtica de envases de plstico compatible
con Auto ID sida automatizados de programacin chip independiente permiten habilit
ar los controles de salida y
TIPOS DE PAQUETE
DIP/SOIC
VPP
1
28
VCC
A12
2
27
PGM
A
NC7 3 26
25 4 A6
A8
A5
5
24
A9
A4
6
27C64 23
A11
A
22
OE3 7
A2
8
A10
A 21
9
20
CE1
A0
10
19
O7
Alta velocidad "express" algoritmo programacin organizada 8K x 8 salidas: JEDEC e
stndar - 28pines. - 32 Pines PLCC Package - 28-pin SOIC paquete - Cinta y carrete
Disponible para los siguientes rangos de temperatura: Comercial: 0 OC a +70 Oc
- Industrial: -40 OC a +85 Oc
DESCRIPCIN
El Microchip Technology Inc. 27C64 es un CMOS 64 K
S0
S6 11 18
12
17 S1
S5
S2
S4 13 16
14 15 S VSS3
PLCC PGM
Vcc
NU NC
A7
V PP
A12
A6
A8 5 29
6
28 A5
A9
30 A4
27C64 7
27
A11
31
1
A3
8
NC
32 26
2
25 9 A2
OE
poco (elctricamente) Memoria de slo lectura programable.
4
3
A1
10
24
A10
El dispositivo est organizado de 8K palabras de 8 bits (8K
A0
11
23
12
22 NC CE
O7
bytes). Acceso a los bytes de una direccin
O0 13 21 O5 O6
o transicin de power-up (chip enable pin va baja)
O4
se realiza en menos de 120. Diseo CMOS y
NU
SS
S3
permite procesamiento esta parte para ser utilizado en sistemas
14
15
16
S2 V1
17
donde un menor consumo de energa y alta fiabilidad
18
son requisitos.
Una familia completa de los paquetes se ofreci a proporcionar el
19
20 de
mayor flexibilidad en las aplicaciones. Montaje en superficie de proce- sos, PLC
C SOIC o embalaje.Cinta y carrete embalaje tambin est disponible para PLCC SOIC o
paquetes.
1996 Microchip Technology Inc.
se cre este documento con FrameMake
DS11107L-pgina 1
r 4 0 4
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1.0 CARACTERSTICAS ELCTRICAS
1.1 Mximo Ratings
VCC y las tensiones de entrada suministrados VSS. ... ... ... ... 0,6 V a + 7,25
V tensin respecto VPP VSS durante la programacin ... ... ... ... ... ... ... . -0
,6V a +14V
tensin en A9 suministrados VSS ... ... ... ... ... ... ... ... 0,6 V de tensin de
salida +13.5V suministrados VSS ... ... ... ... ... ... ... .. 0,6 V a VCC +1,0V
temperatura de almacenamiento ... ... ... ... ... ... ... ... -65 OC a +150 Oc t
emp. ambiente con energa aplicada... -65 OC a +125 Oc
Notice: Destaca por encima de los mencionados en la lista de "valores mximos" pued
e causar daos permanentes en el dispositivo.Se trata de un estrs rat- ing slo y fun
cionamiento del dispositivo en los o las otras condiciones por encima de los ind
icados en las listas de la operacin esta especificacin no es implcita. La exposicin
a la mxima calificacin con- diciones por perodos prolongados puede afectar fiabilid
ad del dispositivo.
TABLA 1-2: OPERACIN DE LECTURA DC CARACTERSTICAS EN EL
CUADRO 1-1: FUNCIN DE PIN
Funcin Nombre de la tabla
A0-A12 direccin
CE Entradas Activacin Chip OE Salida PGM Programa permiten VPP Voltaje de Program
acin
O0 - O7 Salida de Datos
VCC +5V Fuente de Alimentacin VSS Tierra
NC sin conexin; No hay conexin interna
NU- no se utiliza; ninguna conexin externa est permitido
VCC = +5V ( 10%) Comercial: Tamb = 0 OC a +70 Oc Industrial: Tamb = -40 OC a +85
Oc
Parmetro Part Smbolo de Estado Unidades Mn. /mx. Condiciones
Las tensiones de entrada toda la lgica " 1" VIH
lgica " 0" MVIL
fugas de entrada todos - ILI
Tensiones de salida toda la lgica " 1" VOH
lgica " 0" VOL
Fuga de salida - OIT
capacitancia de entrada todos -
Capacitancia de Salida CIN, COUT
Corriente de la fuente de alimentacin, C entrada de TTL ICC1
activa I entrada de TTL ICC2
Corriente de la fuente de alimentacin, C TTL ICC de entrada(S) en modo de espera,
entrada de TTL - CMOS -
IPP Leer todo Modo de lectura
VPP IPP leer tensin en todo modo de lectura VPP
Partes: C=Comercial Rango de temperatura; I = Rango de temperatura industrial.
2,0 VCC+1 V -0,5 0,8 V
-10 10 V = 0 a VCC
2,4 V IOH = -400 A 0,45 V = 2,1 mA LIO -10 10 V = 0V a VCC
- VIN 6 pF = 0V; Tamb = 25 C; f = 1 MHz
- 12 pFV A = 0 V; Tamb = 25 C; f = 1 MHz
- 20 mA VCC = 5,5 V; VPP = VCC - 25 mA f = 1 MHz; OE = CE = MVIL; IOUT = 0 mA; MVI
L = -0,1 a 0,8 V; VIH = 2,0 a VCC; Nota 1
- 2 mA - 3 mA - 100 A CE = VCC 0,2 V
100 A VPP = 5,5 V-0.7 VCC VCC V.
Nota 1: Tpica activo corriente aumenta .5 mA por MHz de frecuencia de funcionamie
nto de todas las temperaturas.
DS11107L-pgina 2 1996 Microchip Technology Inc.
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TABLA 1-3: OPERACIN DE LECTURA CARACTERSTICAS DE CA
CA Onda Pruebas: VIH = 2,4 V y VIL = 0,45 V, VOH = 2.0V VOL = 0,8 V Carga de sal
ida: 1 Carga de TTL de entrada + 100 pF Tiempos de ascenso y descenso: 10 ns Tem
peratura ambiente: Comercial: Tamb = 0 OC a +70 Oc Industrial: Tamb = -40 OC a +
85 Oc
27C64-12 27C64-15 27C64-17 27C64-20 27C64-25 Sym parmetro Unidades Condiciones Mi
n Max Min Max Min Max Min Max Min Max
Direccin de retardo de salida tACC - 150-120-170 - 200 - 250 ns CE = OE = MVIL
CE demora de la salida de tec - 150-120-170 - 200 - 250 ns.
OE = MVIL convergencia de retardo de salida - 70-65-70 - 75- 100nsCE = MVIL
CE o OE de O/P de alta tdesactivado 0 50 0 50 0 50 0 55 0 60 ns Impedancia
de salida tOH 0-0-0 - 0 - 0 -ns Direccin CE o OE, lo que ocurra primero
FIGURA 1-1: LEER ONDA
VIH
Direccin Vlida MVIL
V IH
CE MVIL tec(2)
V IH
OE MVIL t(1,3 ) convergencia(2) tOH
VOH Salidas alta Z Z alta salida vlida O0 - O7 VOL
tACC
Nota 1: tOFF se especifica para la OE o CE, lo que ocurra primero.
2: OE puede retardarse hasta tec - convergencia despus de la borde de cada de la C
E sin impacto en tec.
3: Este parmetro se muestra como no es 100% probado.
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TABLA 1-4: LA PROGRAMACIN DC CARACTERSTICAS
Temperatura ambiente: Tamb = 25 C 5 C VCC = 6,5 V 0,25 V, VPP = VH = 13,0 V 0,25 V
Parmetro smbolo de estatus Min Max. Las Condiciones Las Unidades
lgicas tensiones de entrada " 1" VIH 2,0 VCC+1 V lgica " 0" MVIL -0,1 0,8 V
Fugas de Entrada - ILI -10 10 V = 0V a VCC
Tensiones de salida lgica " 1" VOH 2.4 - V IOH = -400 una lgica " 0" VOL - 0,45 = 2
,1 V LIO mA
VCC Corriente, programa y verificar - ICC2 - 20 mA actual Nota 1 VPP, programa -
IPP2 - 25 mA Nota 1
A9 Identificacin del Producto - VH 11,5 12,5 V.
Nota 1: VCC deben ser aplicadas en forma simultnea o VPP antes y despus retira al
mismo tiempo o PPV
TABLA 1-5: PROGRAMACIN CARACTERSTICAS DE CA
para el Programa, Programa Verificar pruebas CA Onda: VIH = 2,4 V y VIL = 0,45 V
, VOH= 2.0V; VOL 0.8V y programa inhibir los modos Temperatura ambiente: Tamb= 2
5 C 5 C VCC= 6,5 V 0,25 V, VPP = VH = 13,0 V 0,25 V
Parmetro Smbolo Unidades Mn. /mx.
tiempo de montaje de Direccin Comentarios tas 2 - s tiempo de montaje de Datos tds
2 - s Retencin de datos Tiempo tdh 2 - s Direccin Tiempo de Espera tah 0 - s Retardo
de flotacin (2) intercambiaban 0
VCC 130 ns Tiempo de montaje de tVCS 2 - s
Programa Ancho de pulso (1) tPW 95 105 s 100 s
tiempo de montaje de CE ect 2 - s OE 2 Tiempo de montaje de los dedos - s
V PP Tiempo de preparacin tVPS 2 - s
datos vlidos de OE toe - 100 ns
Nota 1: Para expresar algoritmos, programacin inicial tolerancia de anchura es de
100 s 5 %.
2: Este parmetro slo se muestra y no 100% probado. Salida flotante se define como
el punto en el que los datos ya no est accionada (ver diagrama de distribucin).
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FIGURA 1-2: PROGRAMACIN ONDA (1)
Programa
VIH
estable Direccin MVIL
tas
V IH
estable datos los datos de MVIL
t DH t DS
13,0 V (3) VPP
tVPS
6,5 5,0 V V (3) VCC
5,0 V tVCS
VIH
CE MVIL
ect
V IH
PGM MVIL
t PW
V IH
OE tOPW
MVIL
Notas: (1) referencia de sincronizacin es de 0,8 V para mvil y 2.0 V para V
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Verificar
tah
Alto Z
intercambiaban datos vlidos
(2)
t OI t OE
(2)
CASE IH.
(2) defensa territorial y convergencia son caractersticas del dispositivo, pero d
ebe tenerse en cuenta por el programador.
(3) Vcc = 6,5 V 0,25 V, VPP = VH = 13,0 V 0,25 V para expresar algoritmo.
TABLA 1-6: LOS MODOS
Modo de funcionamiento CE OE PGM Leer MVIL MVIL
MVIL VIH VIH Programa MVIL
Programa Compruebe MVIL MVIL VIH
inhiben Programa VIH X XVH
VPP A9 S0 - S7 VCC X D
X D VH
VH X D
X Z alta
espera VIH X X Alto Z XVCC Desactivacin de Salida MVIL VIH VIH
Identidad MVIL MVIL VIH
X = Don't Care
1.2 Modo de lectura
(Ver Diagramas de distribucin y caractersticas de CA)
Modo de lectura se accede cuando
a) el CE pin es baja para encender (activar) el chip b) el OE pin es baja a la p
uerta los datos a las patillas de salida
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VCC VCC X Alto Z cdigo de identidad
de VH Las operaciones de lectura, si las direcciones son estables, la direccin ti
empo de acceso (TACC) es igual a la demora del CE de salida (tec). Los datos se
transfieren a la salida despus de una demora en el borde de cada de la OE (TOE).
DS11107L-pgina 5
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1.3 Modo de espera,
el modo de espera se define cuando el EC pin es alto (VIH) y un modo de programa
no est definido.
Cuando se cumplen estas condiciones, la corriente de alimentacin se baja de 20 mA
a 100 A.
1.4 Activacin de salida
Esta funcin elimina contencin de bus de microprocesador sistemas basados en mltiple
s dispositivos que pueden conducir el autobs. Las salidas a un estado de impedanc
ia alta cuando se cumple la siguiente condicin:
El OE y PGM los pasadores son altos.
1.5 Modo de borrado (U. V. Las versiones con Ventana
con ventana) productos ofrecen la capacidad de borrar la matriz de memoria.La me
moria se borra para matriz todos los 1's estado cuando es expuesto a la luz ultr
avioleta.Con el fin de asegurar la completa supresin, una dosis de 15 vatios por
segundo/cm2 es necesario.Esto significa que la ventana del dispositivo debe colo
carse dentro de una pulgada y directamente debajo de una lmpara ultravioleta ultr
a- con una longitud de onda de 2537 angstroms, intensidad de 12.000 W/cm2 durante
unos 20 minutos.
1.6 Modo de Programacin
El algoritmo ha sido desarrollado para mejorar la programacin tiempos de capacida
d en un entorno de produccin. Hasta diez 100 microsegundos se aplican pulsos hast
a que el byte es verificado. Sobreprogramacin No es necesaria. Un diagrama de flu
jo del algoritmo express se muestra en la Figura 1-3.
Aprendizaje tiene lugar cuando:
a) VCC es llevado a la tensin adecuada, b) VPP es llevado a la VH, c) la CE pin e
s baja, d) el OE pin es alta, y e) el pin PGM es baja.
Borrar desde el estado es " 1" en la matriz, la programacin de " 0" es necesario.
La direccin que se va a programar se establece a travs de las patillas A0-A12 y lo
s datos que se tiene que programar es cet- a los pines O0-O7. Cuando los datos y
la direccin son estu- diantes, la OE es alta, CE es baja y la baja de pulso en el
PGM programas de la lnea esa ubicacin.
DS11107L-pgina 6
1.7 Comprobar
despus de que la matriz se ha programado debe ser veri- ficado para asegurarse de
que todos los bits han sido correctamente han sido programadas.Este modo se act
iva cuando se cumplen todas las condiciones siguientes:
a) VCC est en el nivel apropiado, b) VPP es el correcto nivel VH, c) la lnea CE es
baja, d) el PGM es alta, y e) la lnea OE es baja.
1.8 Inhibicin
Cuando la programacin varios dispositivos en paralelo con dife- rentes datos, slo
CE o PGM necesitan estar bajo control independiente para cada dispositivo. Pulsa
ndo el CE o PGM lnea baja en un dispositivo en particular en relacin con el PGM o
CE baja lnea, dicho dispositivo se ha programado; todos los dems dispositivos con
CE o PGM en alto no se pro- han sido programadas con los datos, aunque la direcc
in y los datos estarn disponibles en sus patillas de entrada (es decir, cuando un
alto nivel est presente en la CE o PGM); y el dispositivo se inhibe de la program
acin.
1.9 Identidad Modo
de datos concretos es la salida que identifica al fabricante de Microchip Techno
logy Inc. y el tipo de dispositivo.entrar en este modo cuando la patilla A9 de V
H
(11,5 V a 12,5 V) .La CE y OElines debe ser a V IL.
A0 se utiliza para acceder a cualquiera de los dos no puede borrarse bytes cuyos
datos aparece en O0 a O7.
Pin de Entrada/Salida
Identidad H 0 O O O O O O O A0 e 7 6 5 4 3 2 1 0
Fabricante MVIL 0 0 1 0 1 0 0 1 Dispositivo 29 Type VIH 0 0 0 0 0 0 1 0 02
Cdigo sujeto a cambios
1996 Microchip Technology Inc.
FIGURA 1-3: PROGRAMACIN EXPRESS ALGORITMO
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Condiciones:
Tamb = 25 Oc 5 Oc = 6,5 VCC 0.25V VPP = 13,0 0,25 V
Programa de 100
Inicio
ADDR = Primera Ubicacin VCC = 6,5 V VPP = 13,0 V
X = 0
pulso
dispositivo ha pasado
1996 Microchip Technology Inc.
Incremento X
intento de verificacin Byte
no
Dispositivo No S X = 10? Ha fallado
el S?
No hay
incremento de
VCC = VPP = 4.5V, 5.5V
Todos S No bytes = original dispositivo ha fallado?
DS11107L-pgina 7
27C64
NOTAS:
DS11107L-pgina 8 1996 Microchip Technology Inc.
NOTAS:
1996 Microchip Technology Inc.
27C64
DS11107L-pgina 9
27C64
NOTAS:
DS11107L-pgina 10 1996 Microchip Technology Inc.
27C64
27C64 Sistema
de Identificacin del producto o para obtener informacin, por ejemplo, en la fijacin
de los precios o la entrega, por favor utilice los nmeros de referencia de la li
sta, y se refieren a la fbrica o la lista oficinas de ventas.
27C64 - 25 I /P Paquete: L = portadora de chip con gua de plstico P = plstico DIP (
600 mil) DE MODO QUE = plstico SOIC (300 mil)
Rango de temperatura:
Blanco = 0 OC a +70 Oc I = -40 OC a +85 Oc
Tiempo de acceso:
Dispositivo: 27C64 64K (8K x 8) CMOS EPROM
12 = 120 ns 15 = 150 ns 17 ns 20 = 170 = 200 ns 25 = 250 ns
1996 Microchip Technology Inc. DS11107L-pgina 11
MUNDIAL DE VENTAS Y SERVICIO
AMRICAS ASIA/PACFICO EUROPA
Oficina corporativa China Reino Unido
Microchip Technology Inc. Microchip Technology Arizona Microchip Technology Ltd.
2355 West Chandler Boulevard. 406 Unidad de Shanghai Golden Bridge. Unidad 6 El
Patio, Chandler, AZ 85224-6199 2077 Yan'an Road West, barrio Prado Banco Hongiao
, Furlong Carretera Tel: 602 786-7200 Fax: 602 786-7277 Shanghai, Repblica Popula
r de China Bourne End, Buckinghamshire SL8 5AJ Soporte Tcnico: 602 786-7627 Tel:
86 21 6275 5700 Tel: 44 1628 850303 Fax: 44 1628 850178 Web: http://www.microchi
p.com Fax: 011 86 21 6275 5060 Francia Hong Kong Atlanta Arizona Microchip Techn
ology SARL Microchip Technology Inc. Microchip Technology Zone Industrielle de l
a Bonde Azcar 500 Mill Road, Suite 200B RM 3801B, Torre 2 Rue du Buisson aux Frai
ses Atlanta, GA30350 Metroplaza 91300 Massy - Francia Tel: 770 640-0034 Fax: 770
640-0307 223 Hing Fong Road Tel: 33 1 69 53 63 20 Fax: 33 1 69 30 90 79
Boston Kwai Fong, N. T. Hong Kong Alemania
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hip Technology GmbH 5 Mount Royal Avenue La India Gustav-Heinemann -Ring 125 Mar
lborough, MA01752 Microchip Technology D-81739 Munich, Alemania Tel: 508 480-999
0 Fax: 508 480-8575 nO 6, herencia, Convento Carretera Tel: 49 89 627 144 0 Fax:
49 89 627 144 44
560 025 Chicago Bangalore India Italia
Microchip Technology Inc. Tel: 91 80 526 3148 Fax: 91 80 559 9840 Arizona Microc
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071 Fax: 168-708-1, Youngbo Bldg Planta 3 20041 Agrate Brianza
Dallas Samsung-Dong , Kangnam-Ku , Miln Italia Microchip Technology Inc. , Sel, Co
rea Tel: 39 39 6899939 Fax: 39 39 689 9883 14651 Dallas Parkway, Suite 816 Tel:
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chnology Intl. Inc. Tel: 972 991-7177 Fax: 972 991-8588 Microchip Technology Ben
ex S-1 6F Dayton Middle Road 200 3-18-20, Shin Yokohama Microchip Technology Inc
. #10-03 Centro Kohoku-Ku , Yokohama Suite 150 Singapur 222 188980 Kanagawa Japn
dos Prestigio Lugar Tel: 65 334 8870 Fax Fax: 65 334 8850 Tel: 81 45 471 6166 Fa
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7175 Fax: 886 2 545 0139 Tel: 714 263-1888 Fax: 714 263-1338
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