Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados
UJT y PUT. Usando los circuitos diseados disparar un tiristor que activa una carga.
Fundamento teo rico
TRANSISTOR UNI UNIN UJT
Patillaje del UJT Circuito Equivalente del UJT n= RB1 / RB1+RB2 => 0,65 0,55
VK= VBB / (RB2+RB1)* RB1 El diodo conducir cuando VK sea " 60%(+0,7V de VBB Circuito de aplicacin Oscilador de relajacin
T=(RV*R)*C (VBB-Vv) / Iv < RV+R< (VBB-Vp)/Ip Cuando el UJT llega a la tensin de Vp se hace negativa su resistencia interna en la barra de Silicio, se cortocircuita E y B1 y entonces al quedar en paralelo con el condensador este puede descargarse. Al descargarse el condensador y superar por abajo la tensin de Valle el UJT deja de conducir y vuelve a cargarse el condensador y as sucesivamente. Podemos variar el tiempo de carga del condensador con el circuito RC haciendo la R variable.
UJT 2n264 ESTRUCTURA
Su estructura consiste en una barra de silicio tipo N ligeramente dopada que tiene dos terminales B y B llamados bases y una barra de aluminio fundida en la 1 2 Superficie opuesta formando una juntura PN. La barra de aluminio est ms cerca de B que a B. 2 1 La resistencia interna R B1 vara con I . R E B1
puede variar desde 5K hasta 50 cuando I vara de 0a50 E A.
A) Regin de corte B) Regin de resistencia negativa C) Regin de Saturacin V P = Voltaje de pico V V = Voltaje de valle I V = Corriente de valle I P = Corriente de pico. El UJT se usa como oscilador de relajacin (dientes de sierra) y como dispositivo de disparo de SCR.
GENERADOR DE DIENTES DE SIERRA
l condensador al alcanzar el voltaje de pico V P hace conducir el UJT y el condensador se descarga entonces hasta la tensin V que hace entrar el UJT a V Corte volvindose a cargar el condensador a V y repitindose el ciclo se genera la P onda correspondiente.
Es un transistor Unijuntura Programable. Esto es, que se pueden controlar R , _, V prOmedio de R , R , y V P B1 B2 BB BB. ESTRUCTURA EL PUT
La curva caracterstica del PUT esigual a la del UJT. V = _ V +V = _ V +V p BB D BB AG V=V +0,7 (silicio) p G Ejemplo: Encuentre R B1 y V BB para un PUT de silicio si se ha determinado que _ = 0,8, V=10,3 y R p B2 = 5k Las aplicaciones del PUT son similares ala del UJT. Oscilador de relajacin
1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado,
2. El informe debe contener todos los datos tcnicos del UJT, PUT, valores de los componentes utilizados, as como los grficos obtenidos en la experiencia.
TIRISTOR (BT151) STATIC CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP. MAX. UNIT I GT Gate trigger current - 2 15 mA I L Latching current - 10 40 mA V T Holding current - 7 20 V V GT Gate trigger voltaje - 0.6 105 V I D Off-state leakage current - 0.1 0.5 mA PUT (2N6027 T= 25C) ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT I P Peak current - 0.7 1.0 mA V T Offset Voltage 0.2 0.7 1.6 V I V Valley Current 70 150 - mA I GAO Gate to Anode Leak Current - 1.0 10 nAdc I GKS Gate to Cathode leakage Current - 50 50 nAdc V F Forward Volatage - 0.8 1.5 V V O Peak Output voltaje 6.0 11 - V t r Pulse Voltage Rise Time - 40 80 ns
UJT 2N2646 ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT n Intrinsic stand off ratio 0.56 - 0.75 - R BBO Interbase Resistance V B2B1= 3 4.7 - 9.1 K V EB1 SAT Emitter Saturation Voltage - - 2.5 V I B2 MOD Modulated Interbase Current - 15 - V I EO Emitter Revers Current - - 12 uA V BR Base 1 Emitter breakdown Voltage 30 - - V I V Valley Current 4 - - mA I P Peak Current - - 5 uA
Grafica mostrada por el Osciloscopio en el Circuito del UJT
Circuito PUT armado combinando resistencias para obtener la grafica
3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de C en ambos circuitos? La lmpara enciende ms rpido y tiende a ser ms estable debido a la a que disminuye del Rp y el t1 que son parmetros para el la carga del tiristor
4. Segn su opinin cul de los circuitos integrados de disparo es el recomendable Por qu?
El que pudimos experimentar fue el circuito con el UJT y podramos recomendarlo por la facilidad en su uso e implementacin
5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera que cambios se podran hacer para mejorarlo.
Las dificultades surgieron cuando no se encontraban las resistencias adecuadas para el circuito, ya que los clculos de estos dependan de los parmetros de los transistores monounion (UJT-PUT).
Observaciones y Conclusiones
El valor del potencimetro (Rp) disminuye pues el valor de ngulo de disparo tambin disminuye, es decir el voltaje pico (Vp) se alcanza ms rpido
El tiempo de carga (t1) disminuye levemente al aumentar la Capacitancia
El tiempo de descarga (t2) aumenta pues este depende del R1*C y el R1 queda constante.
Se not la facilidad de armar el circuito UJT y la dificultad para armar el PUT
Se pueden usar curvas para facilitar el clculo de las resistencias para cada serie de PUT y UJT
Al aumentar la resistencia en el potencimetro se aumenta la frecuencia y periodo en el osciloscopio hacindose y se hace grande la imagen