En 1965, Gordon Moore enunci una ley que, durante 50

aos, ha sido uno de los pilares fundamentales de la

electrnica: la ley de Moore. En qu consiste esta ley?
Sigue siendo vlida? Cul es el futuro del desarrollo de
circuitos integrados?
En eventos como el CES, celebrado hace unos das en Las Vegas, o elComputex,
que se celebra en el mes de junio en Taiwan, los fabricantes de dispositivos
electrnicos nos suelen sorprender con sus nuevos productos, sus grandes anuncios
y, por supuesto, sus grandes proyectos de I+D. A nadie le sorprende ver dispositivos
cada vez ms potentes que, adems, son extremadamente pequeos y nos ofrecen
gran autonoma; unas caractersticas que siempre suelen derivar en una de las
grandes discusiones vinculadas al mundo de la electrnica: los lmites de la ley de
Moore.
Fabricantes como Samsung han desarrollado nuevos chips que han cambiado por
completo los procesos de fabricacin de los circuitos integrados, procesadores como
los nuevos Intel Haswell, contienen 1.400 millones de transistores en un pequeo
dado de apenas 177 milmetros cuadrados y donde cada transistor apenas mide 22
nanometros; grandes saltos tecnolgicos que apuntan a que, quizs, pronto diremos
adis a uno de los ms importantes postulados del mundo de la electrnica.
La ley de Moore es un postulado que se enunci en el ao 1965 y que, desde
entonces, se ha venido cumpliendo; una ley que se suele citar mucho cuando se
lanzan nuevos microprocesadores al mercado y que vale la pena conocer en
profundidad:
La complejidad de los componentes se ha multiplicado aproximadamente por 2
cada ao. A corto plazo, se puede esperar que esta tasa se mantenga o incluso
que aumente. A largo plazo, la tasa de crecimiento es menos predecible, aunque
no hay razn para creer que no permanecer constante por lo menos durante
otros 10 aos. Es decir, en 1975 el nmero de componentes en cada circuito
integrado de bajo coste ser de 65.000. Creo que un circuito tan grande puede
construirse en una nica oblea de silicio.
Gordon Moore, el gran visionario
El responsable del enunciado de esta ley fue Gordon Moore en un artculo para la
revista Electronics que se public el 19 de abril de 1965. Moore, uno de los 8
traidores que fundaron Fairchild Semiconductor, enunci este postulado
basndose en sus propias observaciones y en la evolucin que vea dentro de la
cadena de produccin de Fairchild. Su extrapolacin era muy interesante: cada ao
se duplicaba el nmero de transistores que formaban parte de un circuito integrado,
por tanto, aumentaba la capacidad de los mismos.

Gordon Moore y Robert Noyce en Intel en 1970 Imagen: Intel
Quiz nos pueda parecer una observacin sin mucha importancia, pero cabe destacar
que Gordon Moore (que luego se unira a Robert Noyce para fundar Intel en 1968)
la hizo seis aos antes del desarrollo del primer microprocesador. De hecho, su
intencin por aquel entonces era demostrar que el transistor sera un componente
fundamental para los dispositivos electrnicos y validar as el modelo de negocio de
Fairchild.
Aunque formulada de manera emprica, la ley de Moore se convirti en un modelo
perfectamente validado por la industria. El nmero de transistores por unidad de
superficie se duplicaba e iba llegando una nueva tecnologa (con mayor escala de
integracin) que dejaba obsoleta la anterior. El ritmo, al inicio, fue vertiginoso pero,
en 1975, Gordon Moore tuvo que reajustar su propia ley para cambiar el factor del
tiempo y ajustarlo a 2 aos porque la industria no avanzaba tan rpidamente.
Desde el ajuste de 1975, la ley de Moore ha seguido siendo el patrn de referencia
dentro del desarrollo de circuitos integrados pero, evidentemente, el aumento de
la escala de integracin (reduccin del tamao de transistores) implica muchsimos
retos para los fabricantes. Los procesadores Intel Haswell estn compuestos por
1.400 millones de transistores de apenas 22 nanometros de tamao cada uno; la
tecnologa de 22 nanometros es, prcticamente, la gran barrera del silicio y nos
acercamos a un terreno en el que este material podra presentar inestabilidades si
seguimos aumentando la escala de integracin.
Los lmites del silicio se acercan
Acercarnos a los lmites del silicio puede ser un gran problema. Si bien las
proyecciones realizadas por Gordon Moore se vienen cumpliendo, prcticamente,
desde su enunciado en 1965, los lmites del silicio han comenzado a ralentizar la
evolucin de la tecnologa. Segn las estimaciones del ITRS (International
Technology Roadmap for Semiconductors), el aumento de la escala de integracin
y, por tanto, la evolucin de los chips se est produciendo, desde 2010, cada 3 aos
y si bien la capacidad de los chips ha seguido aumentando, en gran medida, ha sido
as gracias al uso de tecnologas con mltiples cores (ncleos).

Oblea de silicio. Imagen: UCL Engineering
Aunque hayamos salvado, hasta ahora, los lmites fsicos del silicio, es un escenario
que se acerca irremediablemente. Durante la ltima LinuxCon, Linus
Torvalds habl, precisamente, de la ley de Moore y su posible fin; un gran reto para
que el tal vez la industria no est preparada pero que, de manera inevitable, llegar
quizs en los prximos 10 15 aos.
En el ao 2005, el propio Gordon Moore afirm en una entrevista que su
enunciado tendra validez durante unos 10 15 aos ms; por tanto, podramos
tocar techo entre 2015 y 2020, al menos, en cuanto al silicio se
refiere. Llegaremos a un punto en el que si bajamos ms el tamao de los
transistores, estos dejarn de funcionar y dejarn de comportarse como se
espera.
Nuevos materiales y procesos de fabricacin
El cambio de ciclo se acerca y la industria lleva tiempo preparndose para ello. El
fin de la ley de Moore no implica el colapso de nuestra tecnologa pero s traer
consigo cambios en los materiales utilizados para el desarrollo de componentes
electrnicos y, evidentemente, a los procesos de fabricacin de chips.
Proyectos de investigacin como los de Samsung y la Universidad de California-Los
ngeles (UCLA) hace tiempo que trabajan en memorias flash extremadamente
pequeas que se puedan desarrollar a partir de transistores de 10 nanometros. Para
llegar al lmite de los 10 nanometros y, por tanto, superar la gran barrera actual de
los 22, el proyecto ha puesto el foco en un nuevo material: el grafeno.
Quizs an sea pronto para afirmar que el grafeno sustituir al silicio, pero es
cierto que se ha postulado como un perfecto complemento que permite estabilizar
el silicio cuando se superan sus barreras fsicas. Adems, tambin se estn
realizando mltiples investigaciones que giran alrededor del grafeno y el desarrollo
de una nueva generacin de chips de este material que permitan trabajar a muy alta
frecuencia.
Adems de la inclusin de nuevos materiales, los procesos de fabricacin tambin
cambiarn. Evidentemente, el reto es grande pero son muchas las empresas que ya
han puesto en marcha estos cambios y, por ejemplo, Samsung o Matrix
Semiconductor llevan tiempo trabajando en sus chips tridimensionales que
permiten aumentar la escala de integracin sin cambiar sustancialmente los procesos
actuales de fotolitografa.

Transistor de grafeno de Samsung. Imagen: Samsung.
La consultora McKinsey public recientemente un informe, precisamente,
analizando el impacto del fin de la ley de Moore en la industria de los circuitos
integrados. Desde su perspectiva, McKinsey predice una transicin que pasar
primero por los cambios en los procesos de fabricacin con el objetivo de alargar la
vida del silicio. Un cambio que no se estima como rentable para los fabricantes y
que podra derivar en el fin de la ley de Moore para el ao 2018 y, quizs, el
arranque de una nueva era en la electrnica.
Es impresionante cmo un enunciado, formulado hace casi 50 aos, ha sido capaz de
marcar la tecnologa que hoy en da conocemos; una ley basada en la observacin
que, quizs, est viviendo sus ltimos aos.