INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA
MODULO PROFESIONAL: AUTOMATIZACIN DE SISTEMAS ELECTRCOS
INDUSTRIALES UNIDAD DIDACTICA: ELECTRNICA DE POTENCIA TEMA: CONOCIENDO AL TRANSISTOR INTEGRANTES: MILLIAM VILLANUEVA CALVANAPN FRANK CASANI GARCIA ROSA GARCIA GARCIA DOCENTE RESPONSABLE: ING. HERNAN ULLOA CASTRO
2014 INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA
EL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros. El transistor es un nuevo componente utilizado en las prcticas de electrnica. Este es un dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de funciones de control en los circuitos electrnicos. Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificacin, oscilacin, conmutacin y la conversin de frecuencias. Elementos de un transistor o transistores El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP. EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas. Ventajas de los transistores electrnicos El consumo de energa es sensiblemente bajo. El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco. Una vida larga til (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.
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TIPOS DE TRANSISTORES Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:
Canal N
Canal P
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Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls Bipolar Junction Transistor) se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). NPN:
El smbolo de un transistor NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. PNP : El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
El smbolo de un transistor PNP Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
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Identificacin de terminales Para identificar el tipo de transistor (NPN o PNP) y la disposicin de sus terminales nos basamos en las propiedades de la unin PN de ofrecer poca resistencia en polarizacin directa y alta en polarizacin inversa. Es fcil identificar la base, pues deber presentar baja resistencia respecto de los otros dos terminales.
Adems, la unin base-colector tiene menor resistencia que la unin base-emisor, lo que identifica los otros dos terminales.
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Comprobacin del estado del transistor Deber tener: Alta resistencia entre emisor y colector en ambos sentidos. Alta resistencia en un sentido y baja en el otro para las uniones base-emisor y base-colector. Algunos polmetros poseen comprobador de transistores siendo capaces de medir su ganancia (hfe) y de identificar sus terminales ya que, si no se conecta adecuadamente, no mide ganancia alguna. Para ello disponen de dos filas de tres conexiones, una para transistores PNP y otra para transistores NPN. Regiones operativas del transistor Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:
Corriente de colector=corriente de emisor= 0, (Ic=Ie= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector=corriente de emisor=corriente mxima (Ic=Ie=I mxima).
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin de circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande (recordar que Ic = * Ib).
EJEMPLO:
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EJEMPLO: Vamos a hacer el problema con un PNP.
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El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es el contrario al de los electrones. Para cambiar de uno a otro: Cambiar el signo de las tensiones. Cambiar el signo de las corrientes.
Despreciamos I B para hacer los clculos y cambiamos de sentido I R1 y I R2 para no andar con negativos: INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA
Cambiamos los sentidos de I B , I C y I E para no andar con negativos:
Malla de salida:
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CONCLUSIONES El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientfico y tecnolgico, dado su amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus fundamentos fsicos son fundamentados en las bases de la mecnica cuntica, aprovechando sus concepciones y formulaciones tericas es posible llevar a la prctica elementos prcticos e innovadores como el transistor. La incursin de los transistores sustituyo los tubos al vaco y permiti la reduccin de sistemas y diseos electrnicos, siendo estos ms estables y de mayor rendimiento. El estudio del efecto de transicin de niveles de energa y el espectro atmico fueron decisivos en la formulacin terica del transistor, adems del estudio del tomo de la mecnica cuntica y la fsica atmica, permitiendo aprovechar las propiedades intrnsecas de los tomos de Germanio, fosforo entre otros, para el diseo de sistemas basados en las reacciones atmicas entre ellos por sus electrones, perfeccionando este proceso hasta llevarlo a lo que actualmente conocemos como transistores. El funcionamiento de un transistor BJT ya sea NPN o PNP, depende de la polarizacin que se le aplica en sus terminales, ya que una mala polarizacin podra hacer funcionar mal todo el circuito en el que se le aplique y el usuario no podr tener los resultados satisfactorios.