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INSTITUTO DE EDUCACIN SUPERIOR TECNOLGICO PBLICO NUEVA ESPERANZA

MODULO PROFESIONAL: AUTOMATIZACIN DE SISTEMAS ELECTRCOS


INDUSTRIALES
UNIDAD DIDACTICA: ELECTRNICA DE POTENCIA
TEMA: CONOCIENDO AL TRANSISTOR
INTEGRANTES: MILLIAM VILLANUEVA CALVANAPN
FRANK CASANI GARCIA
ROSA GARCIA GARCIA
DOCENTE RESPONSABLE: ING. HERNAN ULLOA CASTRO



2014
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EL TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una
seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls
de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
El transistor es un nuevo componente utilizado en las prcticas de electrnica. Este es
un dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de
funciones de control en los circuitos electrnicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificacin, oscilacin, conmutacin
y la conversin de frecuencias.
Elementos de un transistor o transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su
labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la
equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su
labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
Ventajas de los transistores electrnicos
El consumo de energa es sensiblemente bajo.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.





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TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N
o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla
mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de
salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de
efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain).Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal
N.
Sus smbolos son los siguientes:








Canal N

Canal P

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Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls Bipolar Junction
Transistor) se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o
Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de
cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o
Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).
NPN:

El smbolo de un transistor NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
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que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
PNP :
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo.

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Identificacin de terminales
Para identificar el tipo de transistor (NPN o PNP) y la disposicin de sus terminales nos
basamos en las propiedades de la unin PN de ofrecer poca resistencia en polarizacin
directa y alta en polarizacin inversa.
Es fcil identificar la base, pues deber presentar baja resistencia respecto de los otros
dos terminales.



Adems, la unin base-colector tiene menor resistencia que la unin base-emisor, lo que
identifica los otros dos terminales.

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Comprobacin del estado del transistor
Deber tener:
Alta resistencia entre emisor y colector en ambos sentidos.
Alta resistencia en un sentido y baja en el otro para las uniones base-emisor y
base-colector.
Algunos polmetros poseen comprobador de transistores siendo capaces de medir su
ganancia (hfe) y de identificar sus terminales ya que, si no se conecta adecuadamente,
no mide ganancia alguna. Para ello disponen de dos filas de tres conexiones, una para
transistores PNP y otra para transistores NPN.
Regiones operativas del transistor
Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ
son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro
beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de colector=corriente de emisor= 0, (Ic=Ie= 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
=0).

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector=corriente de emisor=corriente mxima (Ic=Ie=I mxima).

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin de circuito
y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
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Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande (recordar que Ic
= * Ib).

EJEMPLO:

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EJEMPLO: Vamos a hacer el problema con un PNP.






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El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es
el contrario al de los electrones.
Para cambiar de uno a otro:
Cambiar el signo de las tensiones.
Cambiar el signo de las corrientes.

Despreciamos I
B
para hacer los clculos y cambiamos de sentido I
R1
y I
R2
para no andar
con negativos:
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Cambiamos los sentidos de I
B
, I
C
y I
E
para no andar con negativos:

Malla de salida:







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CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientfico y tecnolgico, dado su
amplia versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus
fundamentos fsicos son fundamentados en las bases de la mecnica cuntica,
aprovechando sus concepciones y formulaciones tericas es posible llevar a la prctica
elementos prcticos e innovadores como el transistor. La incursin de los transistores
sustituyo los tubos al vaco y permiti la reduccin de sistemas y diseos electrnicos,
siendo estos ms estables y de mayor rendimiento.
El estudio del efecto de transicin de niveles de energa y el espectro atmico fueron
decisivos en la formulacin terica del transistor, adems del estudio del tomo de la
mecnica cuntica y la fsica atmica, permitiendo aprovechar las propiedades
intrnsecas de los tomos de Germanio, fosforo entre otros, para el diseo de sistemas
basados en las reacciones atmicas entre ellos por sus electrones, perfeccionando este
proceso hasta llevarlo a lo que actualmente conocemos como transistores.
El funcionamiento de un transistor BJT ya sea NPN o PNP, depende de la polarizacin
que se le aplica en sus terminales, ya que una mala polarizacin podra hacer funcionar
mal todo el circuito en el que se le aplique y el usuario no podr tener los resultados
satisfactorios.

BIBLIOGRAFIA
http://www.monografias.com/trabajos71/transistor-bipolar/transistor-
bipolar2.shtml#ixzz3GHCV7SHG
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-aplicaciones/transistores-
bjt-y-aplicaciones.shtml#ixzz3GHcQyDKu
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-aplicaciones/transistores-bjt-y-
aplicaciones.shtml
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
https://www.youtube.com/watch?v=coi0oOxxo9Y
http://jarriako.es/Temas_ec/Eca_08a.htm
http://www.monografias.com/trabajos-pdf/transistores-aplicaciones/transistores-
aplicaciones.pdf