Construccin de un transistor

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor
pnp. La polarizacin de cd es necesaria para establecer la regin de operacin
apropiada para la amplificacin de ca. La capa del emisor est muy dopada, la
base ligeramente, y el colector slo un poco dopado. Los grosores de las capas
externas son mucho mayores que las del material tipo p o n emparedado.
La abreviatura BJT (de bipolar junction transistor) se suele aplicar a este
dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que huecos y
electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material opuestamente
polarizado. Si se emplea slo un portador (electrn o hueco), se considera que un
dispositivo unipolar.
Operacin del transistor
La operacin del transistor npn es exactamente la misma con los roles de los
electrones y huecos intercambiados. La unin p-n de un transistor se polariza en
inversa en tanto que la otra se polariza en directa. En la figura 3.5 se aplicaron
ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp, con los flujos de portadores
mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Una gran cantidad de portadores
mayoritarios se difundir a travs de la unin pn polarizada en directa hacia el
material tipo n.
Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si
fuera un

Configuracin den base comn
La terminologa en base comn se deriva del hecho de que la base es comn
tanto para la entrada como para la salida de la configuracin. Adems, la base por
lo general es la terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra. Recuerde que
la flecha en el smbolo del diodo defina la direccin de conduccin de corriente
convencional. Para el transistor:
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo.
Observe en cada caso que

, y tambin que la polarizacin aplicada

(fuentes de voltaje) es tal como para establecer corriente en la direccin indicada
en cada rama. Es decir, compare la direccin de I
E
con la polaridad de V
EE
con
cada configuracin y la direccin de I
C
con la polaridad de V
CC
. En la regin activa
la unin base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unin colector-base se
polariza en inversa. Las curvas indican con claridad que una primera aproximacin
a la relacin de I
E
e I
C
en la regin activa est dada por

Como su nombre lo dice, la regin de corte se define como aquella donde la
corriente en el colector es de 0 A, como lo revela la figura 3.8. Adems:
En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en inversa.
La regin de saturacin se define como aquella regin de las caractersticas a la
izquierda de V
CB
=0. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar
con claridad el cambio dramtico de las caractersticas en esta regin. Observe el
incremento exponencial de la corriente del colector al incrementarse el voltaje V
CB

hacia 0 V.
En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se polarizan
en directa.
Alfa ()
En el modo cd los niveles de I
C
e I
E
originados por los portadores mayoritarios
estn relacionados por una cantidad llamada alfa definida por la siguiente
ecuacin:

donde I
C
e I
E
son los niveles de corriente en el punto de operacin.
La configuracin de transistor que ms frecuentemente se encuentra aparece en
la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se llama configuracin en emisor
comnporque el emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de
entrada y salida (en este caso es comn para las terminales base y colector). De
nueva cuenta se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir
plenamente el comportamiento de la configuracin en emisor comn: uno para el
circuito de entrada o de base-emisory uno para el circuito de salida o de colector-
emisor. Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin
convencional real.
Aun cuando la configuracin del transistor cambi, las relaciones de corriente
previamente desarrolladas para la configuracin en base comn siguen siendo
vlidas. Es decir

.
En la regin activa de un amplificador en emisor comn, la unin base-emisor se
polariza en directa en tanto que la unin colector-base est en inversa.
Beta ()
En el modo de cd los niveles de I e IB estn relacionados por una cantidad
llamada betay definida por la siguiente ecuacin:

donde I
C
e I
E
se determinan en un punto de operacin particular en las
caractersticas.

Configuracin del colector comn
La tercera y ltima configuracin del transistor es la configuracin en colector
comn, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones de la corriente y notacin de
voltaje correctas. La configuracin en colector comn se utiliza sobre todo para
igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base comn y en
emisor comn. Una configuracin de circuito en colector comn aparece en la
figura 3.21 con el resistor de carga conectado desde el emisor a tierra. Observe
que el colector est unido a tierra aun cuando transistor est conectado del mismo
modo que en la configuracin en emisor comn.
Lmites de operacin
Para cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que
garantizar que no se excedan las capacidades nominales mximas y que la seal
de salida exhiba distorsin mnima. Dicha regin se defini para las caractersticas
del transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen en una
hoja de especificaciones del transistor descrita en la seccin 3.9. Algunos de los
lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del
colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente
continua en el colector) y el voltaje mximo del colector al emisor. El nivel mximo
de disipacin lo define la siguiente ecuacin:

Hojas de especificaciones de los transistores
Como la hoja de especificaciones es el vnculo de comunicacin entre el fabricante
y el usuario, es de particular importancia que la informacin provista se reconozca
e interprete correctamente. Aun cuando no se incluyeron todos los parmetros, un
gran nmero de ellos son conocidos. La informacin proporcionada como figura
3.23 se tom directamente de la publicacin Small-Signal Transistors, FETs, and
Diodes preparada por Motorola Inc. La mayora de las hojas de especificaciones
se dividen en valores nominales mximos, caractersticas trmicas y
caractersticas. Las caractersticas elctricas se dividen a su vez en caractersticas
de encendido, apagado y de seal pequea. Las caractersticas encendido y
apagado se refieren a lmites de cd, en tanto que las de seal pequea incluyen
los parmetros de importancia para la operacin de ca.
Del mismo modo que con los diodos, hay tres rutas que podemos seguir para
verificar un transistor: podemos usar un trazador de curvas, un medidor digital, o
bien un ohmmetro.