TRABALHO PARA APRESENTAO NO VIII PRMIO ALSTOM DE TECNOLOGIA METROFERROVIRIA.

AUTOR: ENG. JOS DONIZETE VENNCIO

AS VANTAGENS DO IGBT SOBRE O GTO NA TRAO

METROFERROVIARIA
O GTO
GTO (GATE TURN OFF), desligamento pelo GATE, um componente da
eletrnica de potencia onde acontece seu corte pelo GATE, enquanto todos
tiristores entra em corte (desliga) quando sua corrente cai a nveis mais baixo
que a corrente de manuteno, isto muitas vezes requer circuitos de
desligamento para fazer essa operao.
No GTO o desligamento feito pelo GATE com pulsos negativos de correntes
altas.
O GTO semelhante aos SCR, porm com geometria e dopagens diferentes
na regio do GATE onde isto vai diminuir o alto aquecimento em seu
desligamento, caso que danificaria o SCR.
Geralmente o desligamento do GTO realizado com a descarga de capacitor.
O GTO foi pouco utilizado por ter um baixo desempenho, pois foi criado na
dcada de 60, mas com o desenvolvimento da tecnologia de dispositivos
semicondutores pode se melhorar e aprimorar esse componente que til nos
dias de hoje com modelos que podem suportar altas tenses e altas correntes
nas faixas de 5000v e 4000 a, tendo muitas aplicaes em equipamentos de
potencia.

FUNCIONAMENTO DO GTO
GATE TURN OFF possui 4 camadas semicondutoras onde se iguala a famlia
dos tiristores, tem como principal caracterstica, entrar em conduo e bloquear
por controles no GATE, o sistema de disparo igual ao do SCR( retificador
controlado a silcio ) com polarizao direta quando se injeta corrente no
GATE, circulara corrente entre GATE e CATODO ( IGK ), a maioria desses
portadores dirige se a camada n semicondutora adjacente, visto que a camada
do GATE muito fina, onde esta atravessa a barreira de potencial onde so
atrados pelo anodo iniciando a criao da corrente andica, se a corrente
andica estiver acima da corrente de manuteno o GTO no precisar do
sinal de GATE para se manter em conduo.
Aplicando um potencial de polarizao reversa na juno CATODO GATE
ocorrera o desligamento do componente, pois portadores livres (lacunas) que
esto nas camadas do centro da estrutura do componente sero atradas para
o GATE fazendo com isso o restabelecimento da barreira de potencial da
juno.

Figura 1 Estrutura interna do GTO

EXISTEM ALGUNS FATORES QUE POSSIBILITAM O

FUNCIONAMENTO DO GTO.

Facilidade de retirada dos portadores pelo GATE com a utilizao de

dopantes com grande mobilidade

Sumio rpido dos portadores das camadas mais centrais, e o uso de

dopantes com nveis baixo de tempo na recombinao, onde ira implicar
no GTO uma maior queda na tenso em conduo se comparada ao
SCR de mesmo tamanho.

Na juno porta catodo tem capacidade de suportar tenses

reversas,e ter menos dopagem na camada de catodo.

Difere do SCR onde o GTO no tem grande capacidade para bloquear

tenses reversas, pode se ter dois modos para construir uma regio do
anodo, primeiro podemos usar apenas uma camada p+, como no
SCR, mas nesse caso o GTO ficar lento em comutao, pois haver
maior dificuldade na extrao dos portadores, mas mesmo assim ele
agentara tenses reversas em sua juno J3.

Uma outra tentativa introduzir dopantes n+ que invadam a regio p+ no

anodo mantendo contato com a regio intermediaria n e o anodo, onde
podem ocorrer curto circuito a juno J1 na polarizao reversa do GTO,
onde tornara seu desligamento mais rpido com a polarizao direta, se a

juno J3 esta formada por regies muito dopadas ela no ira suportar tenses
reversas altas.

PRINCIPAIS PARMETROS DO GTO

Os parmetros do GTO quase sempre deferncia de acordo com os
fabricantes dos componentes de eletrnica de potncia, mas sempre so
representados da mesma forma e significado.

VDRXM : Tenso de pico repetitiva de estado desligado, onde a

mxima tenso instantnea permitida no estado de desligado onde no
poder ser maior que DV/DT.

IT : Corrente ( RMS ) de conduo, o maior valor de RMS da corrente

que pode circular pelo GTO.

TS : Tempo de armazenamento.

TGQ : Tempo de desligamento onde TGQ = TS + TF.

TGT : Tempo entre a aplicao da corrente de GATE e tempo de disparo

a queda na tenso VAK.

IL : Corrente de disparo; a corrente do anodo para que o GTO entre em

estado de conduo quando a corrente no GATE desligada.

IH : Corrente de manuteno; a corrente no anodo onde mantm o

GTO em estado de conduo com corrente zero no GATE.

DV/DT : a mxima taxa de crescimento no anodo para catodo em

regime direto ( vak ).

VGRM : Nvel de tenso reversa de pico no GATE de forma repetitiva;

a mxima tenso que permite ser aplicada na juno catodo GATE .

DI/DT : a taxa de crescimento mxima que se pode aplicar no anodo.

I2T : Escala de capacidade de sobre-corrente no repetitiva em se

aplicando um pulso curto.

ITCM : Corrente de conduo repetitiva controlada, onde o valor

instantneo permitira o desligamento do GTO.

SINAL DO GATE PARA CHAVEAMENTO

Estando o GTO em estado de alto di/dt, ser preciso que no GATE tenha
um crescimento rpido, em nvel de valor de pico elevado, e dever ser
mantido num tempo que satisfaa.
(TW1), para que tenso VAK atinja o patamar de conduo direta,
mantendo a corrente de GATE neste perodo para atingir o estado ligado,
durante este intervalo existir uma quantidade grande de portadores nas
camadas semicondutoras centrais, onde a comutao (chaveamento) do GTO
acontecera nas retiradas desses portadores, e impossibilitara a chegada de
outros portadores das camadas semicondutoras do anodo e catodo, onde a
juno J2 se restabelece com a barreira de potencial, seu ganho baixo na
ordem de 5 a aproximadamente 10.

Grfico 1 forma de onda no GATE do GTO

O GTO E SUAS VANTAGENS

O GTO possui algumas vantagens sobre o SCR:

Elimina componentes de chaveamentos forados, onde barateia o

produto e contem menor peso e menos volume.

Diminui rudos eletromagnticos e acsticos por no possuir deformao

de comutao.

Desliga em tempo menor onde ocorrera uma freqncia maior no

chaveamento.
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Melhor capacidade eficaz aos equipamentos de potencia como

conversor.

Possui uma certa vantagem em relao ao transistor bipolar quando

utilizado em baixa potencia.

Maior barreira de potencial.

Alto ganho (corrente de anodo/corrente de GATE) na ordem de

aproximadamente 600 no estado ligado.

Pulso no GATE com baixa durao em condies de oscilaes onde o

GTO entra em grande saturao.

Os chamados circuitos amaciador tem como funo eliminar os

problemas que podem acontecer devido ao excesso dos valores de dv/dt
e di/dt.

O PROCESSO DE DESLIGAMENTO DO GTO

No processo de desligamento, onde ocorrer um aumento no
restabelecimento da barreira de potencial na polarizao reversa da juno,
poder ocorrer uma concentrao da corrente andica em reas pequenas e
um ajuntamento da potencia de dissipao, limitara o valor de aumento da
tenso, e impede o disparo por efeito dv/dt, e com isso diminuir o valor da
potncia reduzida, com corrente na carga no instante de desligamento o
capacitor ira se carregar, e uma pequena variao ocorrer na tenso, onde ir
ocorrer dv/dt pela capacitncia, no instante de conduo haver a descarga do
capacitor atravs do resistor num pequeno at para garantir outro
desligamento, situao essa essencial em grandes tenses e altas freqncias,
e a potencia gerada no capacitor ser dada pela formula 1.
PCAP = C.V.V/2.FS
Onde V a tenso de alimentao e FS a freqncia no chaveamento.

PROCESSO DE ENTRADA EM CONDUO DO GTO

Com valores limitados para di/dt ser menos critico para o GTO em
relao ao SCR devido ao fenmeno interdigital entre a regio es GATE e
catodo, e ampliar rpido a superfcie de conduo, com a potencia dissipada
ocorrer um crescimento da corrente, como teremos uma carga indutiva
necessitamos de um diodo de roda livre, e o tempo de desligamento quando o
mesmo estiver em conduo, em poucos instante o GTO estar conduzindo,
com a tenso muito grande produzir um pico de potncia no componente, com
a corrente reversa e a descarga do capacitor este fato devera ser agravado
devido ao uso do circuito amaciador para desligamento, ou seja o mesmo ter
interferncia no comportamento.

Figura 2 Acionamento de cargas indutivas pelo GTO e do circuito amaciador.

O IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
O IGBT aplicado em circuitos e sistemas de potncia elevadas, onde
componentes semicondutores tm que suportar tenses reversas de alto valor
e grandes correntes no momento de chaveamento, e alta freqncia de
comutao podemos citar como os inversores de freqncia, e filtros ativos de
grande potencia muito utilizado em eletrnica embarcada.
O IGBT tem como principal caracterstica a unio do transistor bipolar de
potencia com sua grande velocidade de comutao, e do MOSFET com sua
alta impedncia de entrada.

IGBT E SUA ESTRUTURA FSICA

Possui semelhana com a estrutura do transistor MOSFET, porm no IGBT as
regies P e N possui uma dupla difuso.

Figura 3 Estrutura das camadas Semicondutoras do IGBT

Figura 4 Estrutura fsica do IGBT

COMPARAO DE ESTRUTURA DO IGBT COM A DO MOSFET

O IGBT se difere do MOSFET por possuir uma camada de substrato p+
onde torna a regio fortemente dopada com dopante tipo p, onde esta camada
p+ ira incluir mais portadores positivos as chamadas lacunas na regio de
arraste igualando ao transistor bipolar PNP, o transistor bipolar de GATE
isolado por possuir alta velocidade de comutao so utilizado como chave,
onde localizam os estados ON STATE (conduzindo) , E OFF STATE
( cortado), sua construo se assemelha ao MOSFET, e funcionara como o
MOSFET de canal n conectado ao bipolar PNP.
Suas principais utilizaes so em equipamentos de potncia como
conversores de freqncia, inversores, essa sua caracterstica contribui o uso
em trao metroferroviria devido a sua boa performance se em alimentao
de motores de induo (gaiola de esquilo).
Proteo contra tenses reversas feita com ligao de diodos em
paralelo entre coletor e emissor, com isso pode se evitar danos devido
elevadas tenses reversas aplicadas ao dispositivo.

Figura 5 Estrutura do MOSFET

CARACTERSTICAS ESTTICAS DOS IGBT

Comando com fonte igualando se ao MOSFET (transistor de efeito de
campo metal oxido de silcio), em sua regio de trabalho o VGE ( tenso entre
e gate e emissor ) na faixa de 12v a 20 v, isto ir resultar uma tenso entre

coletor e emissor de ligamento (VCEON) menor, e ir reduzir as chamadas

perdas de conduo, possui coeficiente de temperatura positiva, onde ir
facilitar condies de ligaes paralelas.
Aplicando tenso entre GATE e emissor (VGE) o transistor bipolar de
GATE isolado comea a conduzir correntes em nvel positivo, quando retira se
tenso entre o GATE e o emissor o transistor bipolar de GATE isolado entra em
corte e ser bloqueado, e comea a suportar nveis de tenses reversas
negativas, e o tempo nas comutaes ser maior que nos transistor de efeito
de campo metal oxido de silcio, aceitando e se adaptando a boa utilizao em
trao metro / ferroviria onde se aplica altas tenses entre coletor e emissor.

CARACTERISTICAS DINMICAS DO IGBT

TD (ON ) : Retardo na entrada para conduo.
TR : Tempo de subida da corrente de coletor ( IC ).
TD ( OFF ) : Retardo em seu bloqueio.
TF : Tempo de descida da corrente de coletor ( IC )
Corrente de carga geralmente esta em aproximadamente em 20% de TOFF,
onde ira controlar e limitar o crescimento da freqncia em operao.

INVERSORES DE TENSO UTILIZANDO IGBT

Para os processos de montagem de filtros ativos de alta potencia em sistemas
de transmisso de energia eltrica (HVDC), geralmente esta se usando em
ritmo acelerado os IGBT na construo dos inversores de tenso/ freqncia e
filtros ativos devido a sua facilidade de operao em grandes freqncias de
comutao, o controle nas tenses ( pulsos ) nos GATEs so realizados
atravs de maquinas de estados finitos, circuitos lgicos programados ou
microprocessadores.

AS VANTAGENS DO IGBT NA SUA UTILIZAO EM TRAO

METROFERROVIARIA EM RELAO AO GTO.
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Tempo de comutao mais rpido

Impedncia de entrada maior
PWM (Modulao de Largura de Pulso)
Melhor adequao a montagem de Inversores de freqncia
Melhor controle aos motores de induo
Economia de Energia
Economia de mo de obra
Economia de material
Vida til longa
Melhor Acessibilidade
Melhor tempo de resposta

Devido as inmeras vantagens a engenharia metroferroviria mundial

vem utilizando cada vez mais o uso dos transistores bipolar de GATE isolado
(IGBT) nos projetos e construes e circuitos de trao eltrica.

Figura 6 Inversor de Freqncia Trifsico montado com IGBT

Figura 7 Componente IGBT

Figura 8 Esquema de Potncia de um Trem Unidade Eltrica constando Inversor de

Trao e Frenagem com IGBT

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