MOSFETs

Os MOSFETs ou Transistores de Efeito de Campo MOS (Metal-Oxide Semiconductor) so

dispositivos da famlia dos semicondutores com o smbolo e estrutura mostrados na figura 1.

Figura 1

Esses transistores operam de modo similar aos transistores de efeito de campo de juno (JFET)
exceto pelo fato de que o eletrodo de comporta (gate) totalmente isolado do canal por uma
microscpica camada de xido de metal (da o seu nome). Quando uma tenso aplicada ao
eletrodo de comporta (gate ou g) ela controla o fluxo de corrente entre o dreno (d) e a fonte (s).
Existem famlias de tipos de baixas potncias, indicados para aplicaes de udio e RF enquanto
que existem tipos de alta potncia indicados para aplicaes em baixas freqncias e controle. Os
tipos de alta potncia ou MOSFETs (Power MOSFETs) so projetados para controlar intensas sob
tenses que chegam a mais de 1000 V.
Aspecto fsico de um MOSFET

O que testar
O teste mais simples feito com o multmetro ou provador de continuidade e permite detectar
apenas quando o componente est em curto. Testes mais completos podem ser feitos com circuitos
simples de simulao ou ainda com o osciloscpio com a ajuda do gerador de funes.e circuitos de
simples de teste.
Instrumentos Usados
Multmetro ou provador de continuidade
Circuito de teste
Traador de curvas e osciloscpio
O Teste
1.Multmetro ou provador de continuidade
O que se faz neste caso medir a resistncia entre os diversos terminais do componente. Um
componente em curto pode ser facilmente descoberto com esse teste. Evidentemente, somente no
caso de haver curto que detectamos um componente ruim. Se o problema no for curto-circuito
ento outros testes devem ser realizados.
Procedimento
a)Coloque o multmetro numa escala intermediria de resistncias (ohms x 10 ou ohms x 100 para
os analgicos 2000/20 000 ohms para os digitais). Para os analgicos preciso zerar antes de usar.
No caso do provador de continuidade, prepare o instrumento para uso.

b)Retire o MOSFET de potncia do circuito e identifique os terminais (na verdade, o teste dado
tambm pode servir para fazer a identificao dos terminais).
c)Mea a resistncia de forma combinada entre todos os terminais.
A figura abaixo mostra como realizar o teste:

Teste do Mosfet com multmetro analgico

Importante
Esses componentes, assim como os JFETs so extremamentes sensveis a descargas estticas (ESD).
Um simples toque nos seus terminais, havendo carga acumulado no seu corpo, pode causar sua
queima. Nunca segure o componente pelos terminais ao fazer os testes.
Interpretao dos Resultados
Se as resistncias lidas forem as indicadas na figura ento, com certeza o componente est bom (o
teste no revela se o componente est aberto). No entanto, uma resistncia anormalmente baixa
numa medida em que o correto seria uma resistncia elevada ou infinita indica fuga ou curto.
2.Usando um circuito de teste
Uma forma simples de se testar de maneira dinmica um transistor de efeito de campo de potncia
a que faz uso de um circuito de teste. Na figura 4 mostramos um circuito simples que pode ser
usado para essa finalidade.

Figura 4
Esse circuito testa MOSFETs de canal N com correntes de dreno a partir de 500 mA. Para
MOSFETs de canal P basta inverter a polaridade da alimentao e de todos os componentes
polarizados do circuito. A lmpada vai determinar a corrente de teste, observando-se que existem
tipos de potncia em que est especificada uma corrente mnima de dreno para que ele opere
satisfatoriamente. Essa corrente vai determinar as caractersticas mnimas da lmpada que deve ser
usada no provador.
Procedimento
a)Identifique os terminais do transistor MOSFET de potncia em teste e coloque-o no circuito de
prova mostrado na figura.

b) Ligue a alimentao do circuito. No ser preciso dotar o transistor de radiador de calor, pois a
corrente de teste pequena em relao sua capacidade de dissipao .
c) Observe o que acontece com a lmpada indicadora e depois aperte o interruptor S1.
Interpretao dos Resultados
Se a lmpada acender to logo a alimentao do circuito seja estabelecida, ento o MOSFET de
potncia se encontra em curto. Um brilho fraco nessas condies indica que o transistor tem fugas.
Se a lmpada no acender aperte S1. Se acender agora, ento o MOSFET de potncia se encontra
bom. Se a lmpada no acender, ento isso indica que o transistor se encontra aberto.
3.Osciloscpio e Traador de Curvas
Podemos simular o funcionamento dinmico do MOSFET de potncia, inclusive observando suas
caractersticas montando o circuito de teste mostrado na figura 5.

Figura 5
Conforme podemos ver, o circuito o mesmo usado no caso dos MOSFETs comuns.
Procedimento
a ) Monte o circuito de prova indicado.
b) Ajuste o osciloscpio para visualizar o sinal conforme mostrado na figura. Veja que o
sincronismo H deve ser colocado na posio externa (EXT , X/Y ou A/B) e o ganho de acordo com
as tenses do circuito.
c) Ligue o circuito, refazendo os ajustes dos dois instrumentos para melhor visualizao da imagem.
Na figura 6 mostramos a curva que deve ser visualizada no osciloscpio.

Figura 6

Interpretao da Prova
Se a curva visualizada estiver de acordo com o esperado, ento o MOSFET se encontra em bom
estado. caso contrrio, podemos esperar que existe algum problema com o componente.