Contenido

TRIAC .................................................................................................................................................................. 2
DEFINICIN .................................................................................................................................................... 2
SMBOLO DEL TRIAC ....................................................................................................................................... 2
DESCRIPCION GENERAL .................................................................................................................................. 2
ESTRUCTURA .................................................................................................................................................. 3
CURVA CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE ............................................................................................. 4
MTODOS DE DISPARO .................................................................................................................................. 5
DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA ....................................................................................................... 7
DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA .......................................................................................................... 8
FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS ................................................................................................................. 8
DIAC .................................................................................................................................................................... 9
DEFINICIN .................................................................................................................................................... 9
ESTRUCTURA ................................................................................................................................................ 10
CURVA CARACTERSTICA .............................................................................................................................. 10
CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES ......................................................................................... 11
UJT .................................................................................................................................................................... 12
DEFINICIN .................................................................................................................................................. 12
SIMBOLO ...................................................................................................................................................... 12
DESCRIPCIN GENERAL ................................................................................................................................ 12
CIRCUITO EQUIVALENTE .............................................................................................................................. 12
CURVA CARACTERSTICAS ............................................................................................................................ 13
FUNCIONAMIENTO DE UN UJT .................................................................................................................... 13
APLICACIONES EN SISTEMAS MECATRONICOS ................................................................................................ 14
CONTROL DE UN MOTOR DE C.A. POLIFSICOS .......................................................................................... 15
GOBIERNO DE UN MOTOR CA CON TRIAC ............................................................................................... 15
VARIADOR DE TENSIN CON UN TRIAC ................................................................................................... 18
MDULOS DEPOTENCIA PARA CONTROL DE MOTORES.............................................................................. 18
SEMICONDUCTORES DE ALTA POTENCIA ................................................................................................ 19
MDULOS DE POTENCIA ......................................................................................................................... 20
SEMICONDUCTORES DE BAJA POTENCIA ................................................................................................ 20
FUENTES DE CONSULTA ................................................................................................................................... 21

TRIAC
DEFINICIN
El Triac (Triode for Alternative Current) es un
semiconductor, de la familia de los transistores. La
diferencia con el tiristor convencional es que ste es
unidireccional, es decir, funciona con corriente alterna
en el sentido de polarizacin con medio semiciclo, y el
Triac es bidireccional, funciona en los semiciclos
positivos y negativos. El TRIAC puede ser disparado
independientemente de la polarizacin de puerta, es
decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.
Entonces un tiristor o SCR, dar solo la mitad de voltaje a la carga, mientras que
el Triac ser todo el voltaje. De forma coloquial podra decirse que el Triac es un
switch que conmutar la corriente alterna a la carga. Su estructura interna se
asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en antiparalelo.

SMBOLO DEL TRIAC

En la Figura de la derecha se muestra el smbolo
esquemtico e identificacin de las terminales de un
Triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1)
pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (T2) y
Terminal Principal 1 (T1) respectivamente.

DESCRIPCION GENERAL
Cuando el Triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el Triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el Triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al
Triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el Triac puede entrar en conduccin
directa.
2

ESTRUCTURA
La estructura contiene seis capas como se
indica en la Figura de la izquierda, aunque
funciona siempre como un tiristor de cuatro
capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de
P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con
intensidad de puerta negativa. La complicacin
de su estructura lo hace ms delicado que un
tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para
soportar sobre intensidades. Se fabrican para
intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a
1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a
frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.
El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo,
este dispositivo es equivalente a dos "latchs"(transistores conectados con
realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el efecto de la seal de
entrada).

La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de un

Triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los dispositivos
conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose
cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin
completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el
breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero, hasta que se
alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a conducir,
suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada. Esto implica la prdida
de un pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las
que la corriente est en fase con la tensin, no supone ningn problema. En el
caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseo del circuito.

CURVA CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE

La Figura superior describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra

la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos
MT2 y MT1.
El punto VBD (tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de
una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece
con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de
la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla ms la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de
corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la
compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el
nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica
invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado
de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual
a la del III

MTODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una
compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden
con respecto al nodo 1.
El Triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante
la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito
de disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo ms comn (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin
P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de
electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la
cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de
compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y -. Parte
de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el
potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.

2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III (-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al
nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la
unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1
ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de
P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.

3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1 (Intensidad de
compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la
primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial
positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior,
es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en
conduccin.

4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la
tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de
compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la
descrita en el modo I (+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son
absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial
positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a
ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1
que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se
produce la entrada en conduccin.

Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el disparo del

TRIAC, pudindose elegir aquella que ms resulte adecuada para la aplicacin
concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes bsicas:
1.

Disparo por corriente continua,

2.

Disparo por corriente alterna.

DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua
aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la corriente de puerta.
Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de
disparo encargado de la funcin de control, que puede ser un simple interruptor
mecnico o un transistor trabajando en conmutacin.
Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrnicos
alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una
corriente a partir de una determinada seal de excitacin, que generalmente se
origina en un transductor de cualquier tipo.

DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un
transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente a partir de
la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta
adecuada y algn elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el
momento preciso.

FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS

La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el Triac y la carga se
representa en la Figura siguiente. La corriente promedio entregada a la carga
puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el Triac permanece
en el estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado
encendido, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo,
en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido,
la corriente promedio ser alta.

Un Triac no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado
del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media
onda que se logra con un SCR.
Las formas de onda de los Triacs son muy parecidas a las formas de onda de los
SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la
Figura de abajo se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga
como para el voltaje del Triac (a travs de los terminales principales) para dos
condiciones diferentes.

Las formas de onda muestran el apagado del Triac durante los primeros 30 de
cada semiciclo, durante estos 30 el Triac se comporta como un interruptor
abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a travs de las
terminales principales del Triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no
hay flujo de corriente a travs del Triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de
retardo de disparo.
Despus de transcurrido los 30, el Triac dispara y se vuelve como un interruptor
cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto
del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el Triac est encendido se
llama ngulo de conduccin.

DIAC
DEFINICIN
El DIAC (Diode Alternative Current, Figura) es un dispositivo
bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos
principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un
componente electrnico que est preparado para conducir en
los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina
bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o
de disparo.

El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de
tensin del Zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente
no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase.

ESTRUCTURA

CURVA CARACTERSTICA
La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

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En la curva caracterstica se observa que cuando:

5. +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto.
6. +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito.
Sus principales caractersticas son:

Tensin de disparo
Corriente de disparo
Tensin de simetra (ver grfico anterior)
Tensin de recuperacin
Disipacin de potencia (Los DACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)

CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del Triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.
La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito
representado en la Figura siguiente, en que la resistencia variable R carga el
condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC,
producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta
del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el
semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado
con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC
y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un
simple pero eficaz control de potencia.

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UJT
DEFINICIN
El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un
tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres
terminales denominados emisor ( ), base uno (
) y base dos (
). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales
, en la que se difunde una regin tipo P+, el
emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el
valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco.

SIMBOLO

DESCRIPCIN GENERAL
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se
indican como
y
respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para
formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo
n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este material tipo-p. El
tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente
contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia
mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est
fuertemente contaminado.

CIRCUITO EQUIVALENTE
El modelo equivalente representado en la figura siguiente est constituido por un
diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican
RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se
puede expresar como:

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En donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT. El modelo de
este dispositivo utilizando transistores se muestra tambin, cuya estructura es muy
similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la
cada de tensin en R1 es muy baja.

CURVA CARACTERSTICAS
Fijndose en la curva caracterstica del UJT se
puede
notar
que
cuando
el
voltaje
sobrepasa un valor
de ruptura,
el UJT presenta un fenmeno de modulacin
de resistencia que, al aumentar la corriente que
pasa por el dispositivo, la resistencia de esta
baja y por ello, tambin baja el voltaje en el
dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso
realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajacin.

FUNCIONAMIENTO DE UN UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grfica se
describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de
la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos
crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV),
ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres
regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de
saturacin, que se detallan a continuacin:

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Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la

tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente
de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en
el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

Donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo,
para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un
elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para
polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en
conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1
debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT
disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una
resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est
comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con
unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal
de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la
corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica
las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de
corte.

APLICACIONES EN SISTEMAS MECATRONICOS

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CONTROL DE UN MOTOR DE C.A. POLIFSICOS

GOBIERNO DE UN MOTOR CA CON TRIAC
En la Figura puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a.
mediante un Triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un
circuito de mando exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida
proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor
perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso
que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la tensin del nodo del
Triac de potencia. Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para
excitar al Triac principal que pasa al estado de conduccin provocando el arranque
del motor.
Se debe recordar que el Triac se desactiva automticamente cada vez que la
corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario
redisparar el Triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control
activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Se puede apreciar, que
entre las terminales de salida del Triac se sita una red RC cuya misin es
proteger al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se
puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems
cebados no deseados.
Es importante tener en cuenta que el Triac debe ir montado sobre un disipador de
calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se
refrigere adecuadamente.

DEFINICIN DE LOS PARMETROS DEL TRIAC

VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo

valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el Triac se dae.
IT (RMS) (Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se
da la temperatura en funcin de la corriente.

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ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la

corriente pico mxima que puede pasar a travs del Triac, en estado de
conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.
I2t (Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa
necesaria para la destruccin del componente.
PGM (Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin
instantnea mxima permitida en la compuerta.
IH (Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual
el Triac volver del estado de conduccin al estado de bloqueo.
dV/dt (velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo)
= designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el
nodo antes de que el Triac pase al estado de conduccin. Se da a una
temperatura de 100C y se mide en V/s.
ton (tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y
aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente
andica nominal.

PARAMETROS DEL TRIAC

VALORES MAXIMOS (2N6071A,B MOTOROLA)

CARACTERISTICAS ELECTRICAS (2N6071A,B MOTOROLA)

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VARIADOR DE TENSIN CON UN TRIAC

En el diagrama se ven dos opcionales, que dan lugar a distintas configuraciones.

1) No es requerido el Diac para que el Triac dispare. Se lo puede reemplazar por
un puente. En este caso se puede notar en bajas tensiones un parpadeo si se usa
el circuito para controlar la iluminacin de una lmpara.
2) Se deber usar indefectiblemente este opcional si se alimenta un motor o una
inductancia, como por ejemplo un transformador. Protege al Triac de los picos de
tensiones inducidas.
Cuando se vara el potencimetro desde cero, se mide la tensin sobre la carga,
se ver que aumenta muy lentamente desde 0,6 Volt CA, hasta que llega a cerca
de 30 Volt, en donde se dispara el DIAC y el TRIAC. Si se sigue variando, ahora
variar linealmente, hasta unos Volt menos que la tensin de lnea. Si se baja el
Pot lo har linealmente hasta cerca de cero, pudindose regular a muy baja
tensin.

MDULOS DEPOTENCIA PARA CONTROL DE MOTORES

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y
transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como
los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor
uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.

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El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes

requisitos:

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)

y otro de baja impedancia (conduccin).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea

potencia.

Ser
capaces
de
soportar
grandes
intensidades y altas tensiones cuando est en
estado de bloqueo, con pequeas cadas de
tensin entre sus electrodos, cuando est en
estado de conduccin. Ambas condiciones lo
capacitan para controlar grandes potencias.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un

estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor
frecuencia de funcionamiento habr una mayor
disipacin de potencia. Por tanto, la potencia
disipada depende de la frecuencia.
SEMICONDUCTORES DE ALTA POTENCIA
Dispositivo

Intensidad mxima

Rectificadores estndar o rpidos 50 a 4800 Amperios

Transistores de potencia

5 a 400 Amperios

Tiristores estndar o rpidos

40 a 2300 Amperios

GTO

300 a 3000 Amperios

Aplicaciones:

Traccin elctrica: troceadores y convertidores.

Industria:
o

Control de
asncronos.

motores

Inversores.

Caldeo inductivo.
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Rectificadores.

Etc.

MDULOS DE POTENCIA
Dispositivo

Intensidad mxima

Mdulos de transistores

5 a 600 A. 1600 V.

SCR / mdulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V.

Mdulos GTO

100 a 200 A. 1200 V.

IGBT

50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones:

Soldadura al arco.

Control de motores.

Sistema
de
alimentacin
ininterrumpida (SAI).

Traccin elctrica.

SEMICONDUCTORES DE BAJA POTENCIA

Dispositivo Intensidad mxima
SCR

0'8 a 40 A. 1200 V.

Triac

0'8 a 40 A. 800 V

Mosfet

2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones:

Control de motores.

Control de iluminacin.

aplicaciones domsticas.

Control numrico.

Cargadores de bateras.

Ordenadores, etc.

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FUENTES DE CONSULTA
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Principios de electrnica. Malvino. Quinta Edicin

Electrnica y Teora de Circuitos. Boylestad - Nashelsky. Quinta Edicin
http://www.alldatasheet.com
http://www.monografias.com/trabajos14/triac/triac.shtml#ixzz2vKj7gzZJ
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp
http://www.slideshare.net/miyavi2/savedfiles?s_title=prctica-2-potenciamonofasica&user_login=edgarmujica
8. http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html
9. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_uniuni%C3%B3n
10. http://www.ugr.es/~amroldan/enlaces/dispo_potencia/introd.htm#AE

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