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ABSTRACT
In this work, we present our first results in the elaboration and characterization of thin film
solar cells based on oxide semiconductors: Schottky junction Titan oxide (Ti3O5) and Aluminium
(Al), The titan oxide films (p) were elaborated by vacuum evaporation.
We show results of the measurements done on our titan oxide films and the spectral quantum
efficiency response of the obtained solar cell. Finally we present the theoretical interpretation of
the observed facts.
EXPERIMENTO :
Para la elaboracin de una pelcula semiconductora de oxido de titanio (TixOy) se parte de la
evaporacin de oxido de titanio (TiO2) granular de grado q.p., obtenindose pelculas [5] de un
espesor promedio de 1 a 4 mm.
Las mejores uniones fotovoltaicas (Ti3O5 /Al), se elaboraron a partir de muestras de (Ti3O5) sobre
substratos de aluminio, sobre las cuales se evapor como contacto una pelcula semitransparente
(0,1 mm) de fierro (Fe), por donde penetra la luz a la unin (Figura 1).
Figura 2: Espectro de difraccin de rayos x (Ctodo de Cobre), de una muestra de Oxido de titanio
elaborado por el mtodo de evaporacin al vaco. /S. Petrick/FC/UNI
DISCUSIN DE RESULTADOS
EFICIENCIA CUANTICA: Union Ti3O5/ Al
Como es usual en este tipo de anlisis [1,4], la evaluacin del espectro de eficiencia cuntica se
realiza desde los rangos de energa mas bajos, encontrndose as para la muestra indicada (27A2)
una primera contribucin a la fotocorriente de la muestra a partir de 1,399 eV, cuya eficiencia
cuntica h1 es dada por la expresin:
h1 = 2,3 x 10-4 (hn - 1,399)3
Esta contribucin, valida en el rango de 1,399 eV hasta aproximadamente 1,83 eV, se identifica
como producto de la fotoactivacin de electrones en el metal (Aluminio) y la inmediata traslacin
al semiconductor Ti3O5 del hueco residual por un efecto tnel clsico. Cabe mencionar, que
antes de producirse la evaporacin de la pelcula de Ti3O5, el substrato de aluminio esta expuesto
al aire, producindose por tanto una pequea capa intermedia aislante de oxido de aluminio, lo
que justifica el efecto tnel observado. En la figura 4 se indica esta primera contribucin (1) a la
fotocorriente
Figura 4: Diagrama energtico de la celda solar de Unin Schottky Al / Ti3O5. Muestra 27A2, con
los datos de energa (en eV) encontrados por el mtodo de fotocorriente espectral [5].
Una segunda contribucin a h, es encontrada en el rango de energa 1,83 eV a 2,27 eV, de signo
contrario a la contribucin anterior y que se deja cuantificar segn la relacin :
h2 = - 4,76 x 10-4 (hn - 1,831)2
Esta contribucin a la fotocorriente se identifica con una activacin de electrones del lado del
semiconductor Ti3O5 (Proceso 2) y su inmediato aniquilamiento en la zona del empalme, debido al
pozo de potencial ah presente. El punto de partida de los electrones generados debera estar en
ese caso aproximadamente a 0,44 eV sobre el borde de la banda de valencia del Ti3O5, lo cual se
puede explicar con la presencia de estados interbanda en la zona cercana a la interfase, como se
indica en la figura 4.
Esta ultima aseveracin se justifica tambin por el hecho de la presencia en el semiconductor Ti3O5
de niveles interbanda a una energa de activacin 0,35 eV por arriba del borde de la banda de
valencia, determinada por las medidas de conductividad elctrica.