TD Elec Analog Imp PDF

TD Electronique Analogique 1A
TD 1 Diodes.
1.1. Polarisation des diodes.
Caractristiques des diodes : Vo=0.6V, Rf = 30, Is=0 et RR infinie
1. Calcul de Id et Vd pour :
a)Val = -5V
b) Val = 5V
2. Calcul de IR.
3. Calcul de IR.
4. Tracer la tension Vs sur le graphe de Ve (VCC = 5V, VeMAX = 10V, ve signal

sinusodal de frquence 10 Hz).
Vs
C. Dupaty - J.-M. Dutertre - http://www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html
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1.2. Redressement mono-alternance.

Ve = 10 sin(62,8.t) , VF = 0,7V.
R1(1)
R1(1)
R1
R1(2)
Calculer la frquence de Ve.
1k
D1
1N914
Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs des temps ou Ve=0.

Calculer IFmax.
Tracer en correspondance Ve, Vs, VR1, IF.
Tenir compte du seuil de la diode .
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1.3. Redressement mono-alternance avec dcalage de tension.

Ve = 10 sin(62,8.t) , VF = 0,7V
R1(1)
R1(1)
R1
R1(2)
1k
Calculer la frquence de Ve.

Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs des temps ou Ve=0.
D1
Calculer IFmax.
1N914
Tracer en correspondance Ve, Vs, VR1, IF.

V1
2V
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1.4. Production dune impulsion ngative.

Vemax = 5V, VCC = 5V , VF = 0,7V , f(Ve) = 500 Hz.
R1(1)
Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs de T .

Tracer en correspondance Ve, Vs .
R1
D1
1k
1N914
C1
C1(1)
C1(1)
(tenir compte du seuil de la diode et des valeurs de R1 et C1)
D1(A)
100nF
1.4. Production dune impulsion ngative - bis.
C1(1)
D1(K)
VF = 0,7V , f(Ve) = 500 Hz

C1(1)C1
Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs de T

Tracer en correspondance Ve, Vs
100nF
R1
1k
D1
(tenir compte du seuil de la diode et des valeurs de R1 et C1)
1N4004
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1.5. Commande dun relais.

SW1 reprsente un interrupteur command (un transistor
par exemple) lorsque Ve est ltat logique 1 SW1 est
L1
D1
1mH
ferm, et ouvert dans le cas contraire.
1N4004
SW1(B)
B1
12V
SW1(EN)
SW1(EN)
SW1
DSWITCH
SW1 change dtat en 1S.

L1 reprsente la bobine dun relais.
VF = 0,7V
f(Ve) = 100 Hz
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TD2 Le transistor MOS en DC.
2.1.
VDD = 3,3 V
Dimensionner le circuit ci contre afin d'obtenir une polarisation du

transistor telle que ID = 100 A et VD = 1 V.
RD
A quelle rgime de fonctionnement correspond cette polarisation ?
ID
D
On considre que la modulation de la longueur du canal est

ngligeable ( = 0) et on prend W=40m et L=1m (les
paramtres lectriques du transistor sont donns en annexe).
RS
VSS = -3,3 V
2.2.
Donner le potentiel de chacun des nuds et le courant circulant
VDD = 3,3 V
dans chacune des branches de ce circuit.

RG1
RD
On prend RG1 = RG2 = 5 M, RD = RS = 10 k, W = 30 m,

L = 1 m et = 0.
Expliquer le choix des valeurs de RG1 et RG2 .

RG2
RS
2.3.
Dimensionner le circuit ci-contre afin que le transistor fonctionne
VDD = 3,3 V
en saturation avec ID = 150 A et VD = 1,8 V.

On prend L = 10 m et on suppose = 0.
RG1
Choix de W : trouver l'expression ID = f( VSD ) la limite des

rgimes triodes et saturs, en dduire le choix de W.
RG2
RD
Quelle est la valeur maximale de RD assurant un fonctionnement

en saturation ?
2012
2.4.
Dimensionner le circuit ci-contre pour obtenir ID = 200 A. Donner la valeur
VDD = 3,3 V
de VD.
RD
On prend L = 2 m, W = 10 m et on considre = 0.
Rponse : VD = 1,1 V et RD = 11 k.
2.5.
Dimensionner ce circuit de faon avoir VD = 0,1 V.
VDD = 3,3 V
On prend W = 6 m et L = 1 m.
RD
Que vaut rDS, la rsistance drain source ce point de polarisation ?
Rponse : ID = 0,3 mA, RD = 11 k et rDS = 333.
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TD3 Le transistor MOS en amplification.
3.1. Montage de base.

On considre le montage amplificateur source commune ci-
VDD
contre (il s'agit ici d'un montage d'tude, nous verrons

ultrieurement une faon pratique de le raliser).
RD
La tension grille source instantane vGS s'crit sous la forme
iD
vGS
vGS = VGS + vgs , avec VGS terme continu de polarisation et vgs
vD
un terme variable petits signaux.
a. Point de polarisation.
On ne s'intresse ici qu'aux composantes continues des diffrents signaux.
Donner le rgime de fonctionnement du transistor pour un montage amplificateur, et prciser
les conditions de polarisation.
Exprimer ID et VD (avec = 0).
b. Courant de drain.
b.1. En considrant dsormais qu'un signal variable est ajout ( vGS = VGS + vgs ) exprimer iD
sous la forme de la somme d'un terme continu, d'un terme d'amplification et d'un terme
quadratique.
b.2. A quoi correspond le terme quadratique ? A quelle condition peut on crire iD sous la
forme iD ID + id ?
b.3. En dduire l'expression de gm = id / vgs la transconductance du transistor. Remarque ?
c. Gain en tension.
c.1. Exprimer vD sous la forme vD = VD + vd. En dduire l'expression du gain en tension petits
signaux Av = vd / vgs .
c.2. Tracer l'allure de vGS et vD pour un vgs triangulaire. Quelles sont les conditions de
fonctionnement respecter ?
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d. Sparation des analyses DC et petits signaux.

d.1. Retrouver l'expression du gain en tension petits signaux partir du schma quivalent
petits signaux du transistor.
d.2. Dans la pratique on trouve un gain en tension infrieur. Proposer une explication et
trouver une valeur plus prcise de Av.
e. Ecritures de la transconductance.
e.1. Rappeler l'expression de gm trouve prcdemment. Comment faire pour obtenir une
transconductance leve ? Inconvnients ?
e.2. Exprimer gm en fonction de ID, la comparer avec celle d'un transistor bipolaire.
e.3. Retrouver l'expression de gm en fonction de ID et de la tension effective Veff = VGS Vtn .
Quelle conclusion en tirer sur l'on compare la transconductance des bipolaires et des MOS ?
e.4. Quelles sont les principaux avantages des transistors MOS par rapport aux transistors
bipolaires ?
3.2. Dimensionnement.
On cherche dimensionner le montage prcdent (largeur du transistor, valeur de la rsistance
et polarisation) de faon obtenir un gain en tension en rgime petits signaux de 20 dB.
On fixe arbitrairement ID = 100 A, VD = 1,7 V et L = 2 m.
a. Dimensionnement.
On pourra dans un premier temps calculer RD puis gm avant d'en dduire VGS et W.
b. Linarit.
On considre un signal vgs de forme sinusodale tel que vgs = Vgs.sin(wt) .
On dfinit le taux de distorsion harmonique du second ordre comme tant le rapport de
l'amplitude de l'harmonique la pulsation 2w par l'amplitude du fondamental la pulsation w
exprim en pourcentages.
b.1. Exprimer le taux de distorsion harmonique du second ordre ( on rappelle la formule de
trigonomtrie bien connue cos(2) = 1 2.sin2 ).
b.2. Donner la valeur maximale acceptable de vgs pour avoir un taux de distorsion de 1% au
plus.
Rponses : RD = 16 k, gm = 625 A/V, VGS = 0,78 V, W = 22 m, vgsmax = 12,8 mV.
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3.3 Montage amplificateur source commune.

On considre le montage amplificateur source commune discret reprsent ci-dessous.
VDD
RD
RG
Cl
Cl
RL
vS
vE
On donne RG = 10 M, RD = 10 k, RL = 10 k, VDD = 15V, et CL suffisamment leves

pour tre considres comme des courts-circuits la frquence dutilisation.
Le transistor utilis est un composant discret tel que : Vtn = 1,5V, kn(W/L)= 0,35 mA/V2 et
VA=50 V.
Dterminer limpdance dentre de cet amplificateur, son gain en tension petits signaux, et
lamplitude maximale du signal dentre.
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TD4 Polarisation par sources de courant.

La ralisation de rsistances leves en technologie MOS est relativement coteuse en termes
de surface (cest aussi vrai pour les capacits) et par consquence en termes financiers. Aussi,
dans la mesure du possible leur utilisation est limite au maximum, tant que cela ninduit pas
une dgradation importante des performances. Aussi les mthodes de polarisation utilises en
conception intgre diffrent elles de celles vues prcdemment qui sont adaptes aux circuits
discrets ; elles sont bases sur l'utilisation de sources de courant.
4.1. Source de courant.

Le
VDD = 3,3 V
schma
ci-contre
prsente
la
structure de source de courant la plus

simple en technologie MOS.
R
Dans
les
premires
questions
on
rgime
de
considrera = 0.
IREF
I0
a.
Mn1
Mn2
VGS
V0
Quelle
est
le
fonctionnement du transistor Mn1 ?

Exprimer ID1, le courant de drain de
Mn1.
b. Quelle condition doit vrifier V0 pour que Mn2 fonctionne en saturation ? Exprimer ID2
dans ce cas.
c. Etablir une relation entre I0 et IREF. Quand parle-t-on de miroir ou de source de courant ?
d. Quel composant permet de fixer la valeur de IREF ? Donner l'expression de IREF en fonction
de VDD, R et VGS.
e. On ne nglige plus la modulation de longueur de canal ( 0 ).
Tracer I0 en fonction de V0 dans le cas ou Mn1 et Mn2 sont identiques. Que vaut Rout la
rsistance de sortie de la source de courant ? Proposer une faon d'augmenter la rsistance de
sortie d'une source de courant.
Quels sont les paramtres importants d'une source de courant de bonne qualit ?
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f. Dimensionnement.
Proposer un design permettant de raliser un miroir de courant tel que I0 = 100 A et
V0min = 0,3 V (on prendra arbitrairement L = 2 m).
4.2. Distribution des courants dans un circuit intgr.
VDD
Mp1
VDD = 3,3 V
Mp2
Mp3
IREF
In2
Ip2
RP
Mn1
Mn2
VSS = -3,3 V
Une fois qu'une rfrence de courant est gnre sur un circuit intgr, elle peut tre utilise
pour gnrer son tour plusieurs courants constants de polarisation en diffrentes parties du
design. La structure ci-dessus en prsente un exemple, elle permet de gnrer les courants Ip2
et In2.
Dimensionner ce circuit de faon avoir IREF = 20 A, Ip2 = 80 A et In2 = 40 A (on prendra
= 0). On prendra L = 2 m pour l'ensemble des transistors et on rglera le swing des sources
de faon avoir VDp2max = 3,1 V et VDn2min = -3,1 V.
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4.3. Miroirs de courant cascodes.

a. Miroir cascode.
Un montage cascode (cf. schma ci-contre)
VDD
permet d'augmenter la rsistance de sortie au

prix d'une rduction de la plage de tension
IREF
acceptable en sortie du miroir.
a.1. Calcul de la rsistance de sortie.
I0
Les transistors connects en diode Mn1 et Mn4

Mn4
Mn3
ayant une rsistance faible ( 1 / gm ) on fera

V0
Mn1
Mn2
l'hypothse pour le calcul de Rout que les grille

de Mn2 et Mn3 sont connectes la masse en
rgime petits signaux. Et toujours afin de
simplifier le calcul on ngligera le body effect
au niveau de Mn3.
Dessiner le schma quivalent petits signaux permettant de dterminer la rsistance de sortie,

la calculer.
a.2. En considrant que tous les transistors du cascode sont identiques trouver le potentiel de
la grille de Mn3. En dduire la condition de fonctionnement du miroir cascode. Conclusion ?
b. Cascode amlior.
Le
VDD
design
correspond
cascode
ci-contre
un
miroir
amlior.
Le
rapport des dimensions du
IREF
transistor
W/L = 1
Mn4
W/L = 1/4
(marqu
W/L=1/4) est le quart du
I0
Mn6
Mn4
rapport des dimensions de

Mn3
tous les autres transistors
W/L = 1
(marqus W/L=1).
V0
Mn2
Mn1
W/L = 1
W/L = 1
Mn5
W/L = 1
b.1. Par analogie avec le

montage cascode classique
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donner la rsistance de sortie de ce miroir.
b.2. Exprimer VGS4 la tension grille source du transistor Mn4 en fonction de VGS la tension
grille source de Mn1, Mn2 et Mn5 et de Vtn (on prendra = 0). En dduire VG6 et VG3 les
tensions de grille des transistors Mn6 et Mn3.
Quelle est le limitation du swing du montage cascode amlior propos ? Conclusion.
4.4. Miroirs Wilson.

VDD
VDD
IREF
IREF
I0
I0
Mn3
Mn4
Mn3
V0
Mn1
Mn2
V0
Mn1
( a ) - Wilson
Mn2
( b ) Wilson amlior
a. Retrouver des rsultats similaires au montage cascode dans le cas d'un miroir de Wilson.
b. Comparer les tension de drain de Mn1 et Mn2, qu'en dduire concernant IREF et I0 ?
c. Quelle amlioration est apporte par le montage ( b ) ?
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TD5 Montage amplificateur source commune intgr.

Les trois TD suivants sont consacrs l'tude des trois montages amplificateurs lmentaires
en technologie CMOS intgre.
Nous commenons par l'tude de l'amplificateur source commune. En technologie intgre
nous avons vu que l'on limite dans la mesure du possible l'utilisation de composants passifs ;
ici, la rsistante de charge ( cf. TD 2 ) est remplace par une source de courant. On parle alors
de charge active.
5.1.
VDD
VDD
VSG
Mp1
v2
Mp2
i
IREF
ve
Mn1
vs
ve
Mn1
vs
a. Mp1 et Mp2 forment un miroir de courant polaris par la source de courant IREF.
Tracer la caractristique i v2 de ce miroir. A quelle condition fonctionne il effectivement en
miroir de courant et quelle est alors sa rsistance de sortie ?
b. Caractristique de transfert vS vE.

Reporter la caractristique du miroir de courant dans le systme d'axes i vS. Tracer dans le
mme repre la caractristique i vS du transistor Mn1 pour plusieurs valeurs de vE.
En dduire la caractristique de transfert vS vE du montage amplificateur source commune
charge active.
c. Dessiner le schma quivalent petits signaux de ce montage et calculer le gain en tension
correspondant en fonction de gm1, r01 et r02.
En supposant que Mn1 et Mp2 aient la mme tension d'Early VA, exprimer Av en fonction de
VA, (W/L)Mn1 et de IREF.
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d. Dimensionnement.
Dimensionner le montage source commune afin d'obtenir un gain en tension de 40 dB. On
impose une mme longueur de grille L = 2 m pour tous les transistor, cette longueur
correspondant ( trs approximativement ) une tension d'Early VAde l'ordre de -20 V pour les
PMOS et NMOS, une intensit IREF = 20 A et une plage de fonctionnement pour vS
symtrique.
5.2.
VDD
Donner le gain global de ces deux
VDD
amplificateurs source commune cascads

en fonction de gm et r0. On considrera
que les sources de courant sont idales.
Mp1
Mn1
vs
ve
5.3.
On considre le montage amplificateur ci-contre. On a
VDD = VSS = 10 V,
RD = 15 k,
IPOL = 0,5 mA,
Vtn = 1,5V,
VDD
RG = 4,7 M,
kn(W/L) = 1 mA/V2,
et
RD
VA = 75 V. Calculer VOV, VGS, VG, VD et VS, ainsi que gm

et r0. Quelle est lamplitude maximale admissible au niveau
du drain du transistor assurant son maintien en saturation ?
Mn1
RG
IPOL
-VSS
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TD 6 Montage amplificateur grille commune intgr.

6.1.
VDD
VDD
VSG
Mp1
Mp2
Mn1
IREF
VPOL
Mn1
VPOL
vS
vS
vE
vE
Dans le montage grille commune, la grille du NMOS utilis en amplification est connecte
une tension de polarisation constante VPOL ; le nom de cette architecture provient du fait que
la grille est au potentiel nul en rgime petits signaux.
a. Dessiner le schma quivalent petits signaux de l'amplificateur grille commune et exprimer

Av, le gain en tension, en fonction de gm1, gmb1, r01 et r02.
b. Calculer la rsistance d'entre de ce montage ( on pourra ventuellement regrouper les deux
sources de courant pour simplifier le calcul ).
c. Comparer les caractristiques de l'amplificateur grille commune avec celles de

l'amplificateur source commune.
6.2.
a. En crivant gmb1 = .gm1 et en considrant r01=r02=|VA|/IREF montrer que pour l'amplificateur
prcdent on peut crire :
Av = ( 1 + ).VA/Veff1
et
Re = Veff1 / IREF( 1 + )
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b. Dimensionnement.
On prend |VA| = 50 V et = 0,2. Trouver les valeurs de Veff1, IREF et (W/L)1 permettant
d'obtenir un gain de 40 dB et une rsistance d'entre de 10 k.
Rponses : Veff1 = 0,6 V, IREF = 50 A, (W/L)1 = 1,58.
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TD 7 Amplificateur drain commun intgr Montage suiveur.
7.1.
VDD
VDD
VDD
IREF
vI
Mn1
vO
vI
Mn1
vO
IREF
Mn3
Mn2
a. Dessiner le schma quivalent petits signaux du montage amplificateur drain commun.

Afin de simplifier le schma prcdent montrer que l'on peut remplacer la source de courant
de c.e.m. gmb1vbs1 par une rsistance dont vous prciserez la valeur. En dduire l'expression du
gain en tension petits signaux.
b. En procdant de faon similaire calculer la rsistance de sortie du montage.
c. Quelle est l'utilit de l'amplificateur suiveur (drain commun) ?
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7.2. Amplificateur deux tages.
VDD
VDD
vo
vi
Mn1
Mn2
vo1
I
vi2
I
VSS
VSS
a. Exprimer le gain en tension vide de l'tage suiveur vo1/vi et sa rsistance de sortie Ro1 en
fonction de gm1 et (en considrera r01 la rsistance de sortie de Mn1 et celle de la source de
courant comme tant quasi infinies).
b. Exprimer le gain en tension de l'tage grille commune vo/vi2 et sa rsistance d'entre Ri2 en
fonction de gm2, et R ( en considrera r02 la rsistance de sortie de Mn2 et celle de la source
de courant comme tant quasi infinies ).
c. On relie vo1 et vi2. Calculer le gain global vo/vi.

d. Dimensionnement.
La polarisation continue du drain de Mn2 est fixe 0 V (on rappelle VDD=3,3 V).
Dterminer la valeur de la somme des tensions effectives de Mn1 et Mn2 permettant d'obtenir
un gain global de 25 V/V.
On choisira Veff1=Veff2 et I = 30 A. Calculer R et le rapport de dimension des transistors.
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TD 8 Paire diffrentielle.
VDD
8.1.
Soit la paire diffrentielle ci-contre,
telle que I0 = 400 A, RD = 2,5 k,
RD
et W/L = 25 (=0).
vD1
On considre quelle est soumise

une entre de mode commun :
vG1 = vG2 = vCM
RD
vD2
iD1
iD2
Mn1
Mn2
vG1
vG2
a. Que valent VOV et VGS ?

b. Calculer vS, iD1, iD2, vD1 et VD2
pour vCM = 1,6 V (vS tension des
I0
sources de Mn1 et Mn2).

c. Mme question pour vCM = 2,8 V.
d. Mme question pour vCM = 1,4 V.
e. Quelle est la valeur maximale de vCM assurant le maintien en saturation de Mn1 et Mn2 ?
f. La source de courant requiert une tension minimale ses bornes, V0min = 0,6 V, pour
fonctionner correctement. En dduire la valeur minimale pouvant tre prise par vCM.
La paire diffrentielle prcdente est maintenant alimente en mode diffrentiel tel que :
vG1 vG2 = vid
g. Pour quelle valeur de vid la totalit du courant de polarisation I0 passe-t-elle par la branche
de Mn1 ? Calculer les valeurs correspondantes de vD1 et vD2.
h. Pour quelle valeur de vid la totalit du courant de polarisation I0 passe-t-elle par la branche
de Mn2 ? Calculer les valeurs correspondantes de vD1 et vD2.
i. En dduire la plage de variation de la tension diffrentielle de sortie (vdiff = vD2 vD1).
8.2. On considre la paire diffrentielle charge active dont le schma est donn ci-aprs.
Elle est telle que (W/L)Mn1,Mn2 = 100 et (W/L)Mp1,Mp2 = 200 et I0 = 800 A. La source de
courant est implmente selon le modle le plus simple vu en cours.
On supposera que la tension dEarly est identique pour tous les transistors du
montage : VA = 20 V.
a. Calculer Gm et R0 (paramtres de lamplificateur de transconductance quivalent la
paire diffrentielle).
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b. En dduire le gain diffrentiel Ad.

c. Calculer le gain de mode commun Acm.
d. Donner le taux de rjection de mode commun de cet amplificateur diffrentiel.
VDD
Mp1
Mp2
vS
vG1
Mn1
Mn2
vG2
I0
8.3. Amplificateur oprationnel MOS deux tages.

VDD
VDD
Mp6
VDD
Mp5
Mp8
I0
v-
v+
Mp1
Mp2
CC
IREF
vs
Mn3
Mn4
Mn7
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On considre lamplificateur oprationnel CMOS deux tages dont le schma est donn
page prcdente.
Tous les transistors du circuit ont la mme longueur de grille L = 1 m, la mme tension
dEarly VA = 20 V, et sont polariss avec la mme tension doverdrive, VOV. On impose les
courants de polarisation suivant : I0 = 200 A et ID8 = 500 A.
On souhaite obtenir un gain de 72 dB.
a. Dessiner le schma quivalent basse frquence petits signaux de lamplificateur
oprationnel en modlisant chacun des deux tages lmentaires par un amplificateur
de transconductance. Exprimer le gain en tension Av = vs/vid en fonction de VA et VOV.
En dduire VOV et les dimensions de tous les transistors du montage.
b. Dterminer la plage de variation de la tension de mode commun VCM.
c. Dterminer la plage de variation de la tension de sortie vs.
d. Donner les valeurs des impdances dentre et de sortie.
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Annexe
Paramtres d'une technologie MOS 0,35m alimente en 3,3 volts.

Tension de seuil ( V ) Facteur de gain ( A/V2 )
NMOS
Vtn = 0,46
k'n = 175
PMOS
Vtp = -0,60
k'p = 58
Bibliographie
"Microelectronic Circuits", A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press. ( MIC GEN SEDR )
"Analysis and Design of Analog Integrated Circuits", P.R. Gray, P.J. Hurst, S.H. Lewis,
R.G. Meyer, John Wiley & Sons.
"Design of Analog CMOS Integrated Circuits", B. Razavi, McGraw-Hill.
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TD9 Amplificateur oprationnel.

9.1. Amplificateur dinstrumentation.
U1:A
V1
3
1
2
R1
R2
10k
10k
R4
TL082
10k
U2:A
2
R5
Ve
1
3
Vs
10k
TL082
U1:B R6
10k
6
7
5
10k
R7
V2
R3
TL082
10k
Les amplificateurs sont aliments entre Vcc et +Vcc.

Calculer VS = f(V1 V2)
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9.2. Multivibrateur astable.
+10v
R3
10k
8
U1:A
3
1
TL082
Vs
-10v
Vc
R1
10k
R2
10k
C1
100nF
Tracer Vs(t) et Vc1(t). On donne Vs(0) = 10V, Vc1(0) = -5V.

Calculer la priode T.
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9.3. Comparateur fentre.
+10v
Ve
R4
U1:B
8
10k
VS2
5
U1:B(-IP)
VS2
TL082
U2:A(-IP)
R5
1k
+10v
Ve
U2:A
VS1
3
1
VS1
R6
TL082
10k
U3
D
D
NOR_2
Tracer Vs1, Vs2 et D (signal numrique) en regard de Ve.
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9.4. Montage monostable.

-10v
U1:A
VE
Ve
VS
2
1
TL072
V+
+10v
R1
2.2k
R3
C1
1000nF
R2
1k
1k
D1
1N914
On donne Vsat = Vcc -1,5V et VF(D1) = 0,6V

On suppose Vs = +Vsat et Ve = 0 linstant initial, indiquer aprs la charge de C1, la valeur
de V+ et celle de VC1.
On place sur Ve une impulsion positive (0 10v) de dure 2 ms.
Tracer les chronogrammes de Ve, Vs, V+
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9.5. Gnrateur de fonctions.

R2
C1
100k
+12v
VS1
-12v
U1:A
U1:B
3
1
2
R1
100k
6
7
5
TL082
10k
R3
VS2
10n
TL082
-12v
+12v
Quel sont les modes de fonctionnement de U1A et de U1B, justifier ?

Tracer la caractristique de transfert VS1 = f(VS2) (on tiendra compte des tensions de
saturation des amplificateurs).
Donner la fonction de transfert VS2 = f(VS1)
Que devient cette relation si VS1 est constant ?
Complter les chronogrammes ( t = 0s, VS1 = -Vsat, VS2 = 0V)
Proposer une solution permettant de modifier le rapport cyclique de VS1
VS1(V)
10
t(us)
-10
VS2(V)
t(us)
-1
2012

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TD Electronique Analogique 1A

4. Tracer la tension Vs sur le graphe de Ve (VCC = 5V, VeMAX = 10V, ve signal

C. Dupaty - J.-M. Dutertre - http://www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html

1.2. Redressement mono-alternance.

Calculer la frquence de Ve.

Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs des temps ou Ve=0.

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1.3. Redressement mono-alternance avec dcalage de tension.

Calculer la frquence de Ve.

Tracer en correspondance Ve, Vs, VR1, IF.

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1.4. Production dune impulsion ngative.

Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs de T .

(tenir compte du seuil de la diode et des valeurs de R1 et C1)

1.4. Production dune impulsion ngative - bis.

VF = 0,7V , f(Ve) = 500 Hz

Indiquer sur le graphe de Ve les valeurs de T

(tenir compte du seuil de la diode et des valeurs de R1 et C1)

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1.5. Commande dun relais.

ferm, et ouvert dans le cas contraire.

SW1 change dtat en 1S.

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TD2 Le transistor MOS en DC.

Dimensionner le circuit ci contre afin d'obtenir une polarisation du

A quelle rgime de fonctionnement correspond cette polarisation ?

On considre que la modulation de la longueur du canal est

dans chacune des branches de ce circuit.

On prend RG1 = RG2 = 5 M, RD = RS = 10 k, W = 30 m,

Expliquer le choix des valeurs de RG1 et RG2 .

en saturation avec ID = 150 A et VD = 1,8 V.

Choix de W : trouver l'expression ID = f( VSD ) la limite des

Quelle est la valeur maximale de RD assurant un fonctionnement

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Que vaut rDS, la rsistance drain source ce point de polarisation ?

Rponse : ID = 0,3 mA, RD = 11 k et rDS = 333.

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TD3 Le transistor MOS en amplification.

3.1. Montage de base.

contre (il s'agit ici d'un montage d'tude, nous verrons

La tension grille source instantane vGS s'crit sous la forme

vGS = VGS + vgs , avec VGS terme continu de polarisation et vgs

un terme variable petits signaux.

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d. Sparation des analyses DC et petits signaux.

Rponses : RD = 16 k, gm = 625 A/V, VGS = 0,78 V, W = 22 m, vgsmax = 12,8 mV.

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3.3 Montage amplificateur source commune.

On donne RG = 10 M, RD = 10 k, RL = 10 k, VDD = 15V, et CL suffisamment leves

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TD4 Polarisation par sources de courant.

4.1. Source de courant.

structure de source de courant la plus

fonctionnement du transistor Mn1 ?

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4.2. Distribution des courants dans un circuit intgr.

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4.3. Miroirs de courant cascodes.

permet d'augmenter la rsistance de sortie au

acceptable en sortie du miroir.

a.1. Calcul de la rsistance de sortie.

Les transistors connects en diode Mn1 et Mn4

ayant une rsistance faible ( 1 / gm ) on fera