Transistor

es

ALUMNO: DILFOR ZEVALLOS ZARATE

CARRERA: ING. DE SISTEMAS

Transistores
El
transistor
es
un
dispositivo
electrnico
semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
"transistor" es la contraccin en ingls de transfer
resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se encuentran prcticamente en todos los aparatos
domsticos de uso diario: radios, televisores,
grabadoras, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavadoras, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos,
reproductores mp3, telfonos celulares, etc.

TIPOS DE TRANSITORES

Transistor de unin unipolar o de efecto

de campo
El transistor de unin unipolar, tambin llamado
de efecto de campo de unin (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la
prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre s,
se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensin positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con
polarizacin cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensin de
estrangulamiento, cesa la conduccin en el
canal.

 El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que

controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta
impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante
una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el
que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica
y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor
Los fototransistores son
sensibles a la radiacin
electromagntica
en
frecuencias cercanas a la
de la luz visible; debido a
esto su flujo de corriente
puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un
transistor normal, slo
que puede trabajar de 2
maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente

de base (IB) (modo comn).
Como fototransistor, cuando la luz que incide
en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de
iluminacin).

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de
punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947
por J. Bardeen y W. Brattain.
Consta
de
una
base
de
germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de
cobre, sobre la que se apoyan,
muy
juntas,
dos
puntas
metlicas que constituyen el
emisor y el colector. La corriente
de base es capaz de modular la
resistencia que se "ve" en el
colector, de ah el nombre de
"transfer resistor".

 Se basa en efectos de superficie, poco conocidos

en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.

1.Transistor ndp6030pl
(MOSFET)

CARACTERISTICAS
Los valores mximos absolutos TC = 25 C a
menos que se indique lo contrario
Smbolo de los parmetros NDP6030PL
NDB6030PL unidades
VDSS drenaje-fuente de tensin -30 V
VGSS puerta-fuente de tensin - Continuo 16 V
Identificacin Consumo de corriente - continua
-30 A

CARACTERSTICAS TRMICAS
RqJC Resistencia trmica, conexin a Caso 2 C /
W
RqJA Resistencia trmica, Junction-a-ambiente
62.5 C / W
NDP6030PL Rev.B1
Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5
V
RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
Crticos de los parmetros elctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas

CARACTERISTIC
AS MOSFET

2.Transistor J201 Low Noise

N-Channel JFET

Popular Fairchild JFET transistor

para los pedales de guitarra y
preamplificadores en un caso de
TO-92.Compatible con RoHS.

CARACTERISTICA
S JFET

3.Transistor 2N3055-3

CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Mxima disipacin de potencia continua
colector del transistor (Pc): 117W
Limite el colector DC-base (Ucb): 110V
Lmite de colector-emisor del transistor de
tensin (Uce): 100V
Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 7V
Mxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 15A
Temperatura lmite de unin pn (Tj): 200C
Frecuencia de corte de la relacin de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf: Esttica coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor comn
(Hfe), min/max: 20/70
Fabricante: KELTRON
Caso: TO3

4.Transistor
2n6099

CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Mxima disipacin de potencia continua
colector del transistor (Pc): 75W
Limite el colector DC-base (Ucb): 70V
Lmite de colector-emisor del transistor de
tensin (Uce): 60V
Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 8V
Mxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 10A
Temperatura lmite de unin pn (Tj): 150C
Frecuencia de corte de la relacin de
transferencia corriente del transistor (Ft):
800KHz
Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf: Esttica coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor comn
(Hfe), min/max: 20/80
Fabricante: STI
Caso: TO220

5.Transistor
mc140

CARACTERISTICAS
Material: Si
La estructura de transistor: npn
Mxima disipacin de potencia continua
colector del transistor (Pc): 3.5W
Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
Lmite de colector-emisor del transistor de
tensin (Uce): 40V
Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 5V
Mxima corriente continua de colector del
transistor (Ic max): 1A
Temperatura lmite de unin pn (Tj): 150C
Frecuencia de corte de la relacin de
transferencia corriente del transistor (Ft):
60MHz
Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf:
25
Esttica coeficiente de transferencia de
corriente en el circuito con emisor comn
(Hfe), min/max: 40/300
Fabricante: PHO
Caso: TO126