Etudes et Modlisation du Gnrateur

Photovoltaque deux diodes

1.2.3

M.Serraoui1, M.Sellam2, H.Mabrouk3

Dpartement dElectrotechnique, Universit de BCHAR
BP. 417, BCHAR (08000), ALGRIE
serrmed@gmail.com
mabsel12@gmail.com
mabrouk.enp10@yahoo.fr

Rsume Lnergie photovoltaque est une source d'nergie trs

renouvelable, elle est propre ambiant et amical avec lenvironnent.
Le gnrateur de PV, compose ensemble des cellules
photovoltaques relies en srie et parallle, une cellule
photovoltaque convertit l'nergie dans les photons de lumire en
lectricit laide dun phnomne photo-lectrique qui a trouv
dans certains types de matriaux de semi-conducteur tels que le
silicium et le slnium. La description mathmatique des
caractristiques courant-tension pour les cellules photovoltaques
sont gnralement reprsentes par une quation non-linaire, qui
est difficile rsoudre par des mthodes analytiques. Dans cet
tude nous allons faire une simulation et une comparaison entre
dfrent approches pour modeler le gnrateur photovoltaque.
Mots clefs Photovoltaque, semi-conducteur, simple diode model,
double diode mode.

I. INTRODUCTION
Les gisements des nergies fossiles et fissiles, ne
reprsentent plus que quelques dizaines dannes mme selon
les scenarios les plus extrmes, ou au mieux un peu plus dun
sicle pour le cas du charbon [1].
Il est vident que la dynamique nergtique du 21eme sicle
rassemblera de nouveaux acteurs issus du secteur des nergies
renouvelables assurant ainsi un dveloppement durable.
Lnergie olienne, solaire, thermique et gothermique,
marmotrice, hydrolectrique. Parmi ces diffrents moyens de
gnrer de llectricit, lnergie solaire photovoltaque est la
plus lgante [2]
Lnergie solaire photovoltaque provient de la
transformation directe dune partie du rayonnement solaire en
nergie lectrique. Cette conversion dnergie seffectue par
le biais dune cellule dite photovoltaque (PV) [3]. Une cellule
PV est ralise laide dun matriau semi-conducteur
(silicium). Sa ralisation est comparable une diode
classique. La cellule est compose de deux diffrentes
couches. La couche suprieure est dope N et la couche
infrieure est dope P crant ainsi une jonction PN. Cette
jonction PN cre une barrire de potentiel [4]
En pratique, la conversion d'nergie lumineuse en nergie
lectrique n'est pas totale. Diffrentes pertes viennent
influencer le rendement dune cellule. Elles sont dans la
plupart des cas dues la nature du matriau et la technologie
utilise [5]

Dans la littrature beaucoup travaux dans Le domaine des

systmes photovoltaque ncessite un model numrique du
gnrateur photovoltaque, donc il est trs utile d'avoir un
modle
prcis. Beaucoup d'articles sur la matire de
modlisation des panneaux PV ont t dits. [6]-[7]-[8]-[9].
Dans cet tude nous allons faire une simulation et une
comparaison entre dfrent approches pour modeler le
gnrateur photovoltaque. Trois model dfrrent sont choisi
pour cette tude, un model simple a une diode sans rsistance
shunt, un model a une diode avec rsistance shunt, et un
model a deux diodes avec rsistance shunt.
Nous choisissons le module de SOLAREX MSX60 comme
une rfrence de comparaison, les rsultats obtenus sont
compars aux rsultats exprimentaux offres par le
constructeur.
Dans la courbe, trois points importants dterminent
lexactitude de chaque model sont : le point de circuit ouvert,
le point court-circuit et le pont de puissance maximal. La
simulation se faire laide de linterface matlab Simulink.
II. LA CELLULE PV
La cellule PV est le plus petit lment dune installation
photovoltaque. Elle est compose de matriaux semiconducteurs et transforme directement lnergie lumineuse en
nergie lectrique [10]

Fig. 1 Coupe dune cellule photovoltaque

Le fonctionnement de la cellule PV est bas sur un

phnomne physique appel leffet photovoltaque, a t
dcouvert par E. Becquerel en 1839 Fig.1.

Quand un photon de lumire, dnergie suffisante, heurte

un atome sur la partie ngative de cette diode, il excite un
lectron et larrache de sa structure molculaire, crant ainsi
un lectron libre sur cette partie. Une photopile est fabrique
de manire ce que cet lectron libre ne puisse se recombiner
facilement avec un atome charge positive, avant quil nait
accompli un travail utile en passant dans un circuit extrieur.
Comme une pile chimique, la cellule photovoltaque produira
de llectricit courant continu, mais son nergie produite
sera fonction principalement de la lumire reue par la
photopile.
A. Cellule photovoltaque idale
Gnralement une cellule photovoltaque idale peut tre
dcrite de manire simple comme une source de courant qui
produit un courant I proportionnel la puissance lumineuse
incidente, en parallle avec une diode [11], comme montre sur
la fig.2.

I$  I$ >

I$ 

(1)

Ou I est le photo-courent est proportionnel la puissance

lumineuse incidente [12]
 

      

(2)

Ou I est le courent de court circuit de la cellule solaire

sous la condition de test normalise (STC 25C 1000w/m).
k  Coefficient de temprature courant de court-circuit. T Est la
temprature de cellule, T ! est la temprature de rfrence
25C, E est lirradiante solaire, E ! est lirradiante de
rfrence 1000w/m.
I# Est le courent de diode qui peut tre exprime par
lquation de shocly [13].
'

I#  I$ %e

()*
/
+,-.

 11

I(JK L
L
> 7
CM
,+ - -EFG

(4)

O..
()P.
1
QR ,+-. 7@

(5)

B. Le module PV
Un module PV est un ensemble de ST cellules solaires en
sries et SU cellules solaire en parallle interconnectes et
compltement
protges
contre
lenvironnement.
Gnralement il contient galement des protections pour
protger les cellules PV dun fonctionnement qui peut tre
destructif.
Pour N$ cellules en sries et NW cellules en parallles on
aura l quitation (7)

Fig. 2 Schma lectrique dune cellule solaire idale

    

DEFG

C9 e

Ou EN est nergie ncessaire pour le passage dun lectron

libre entre les bandes de valence et de conduction du semiconducteur utilis dans la cellule (band gap energy) [9]. I$ Est
le courant de saturation invers de la cellule solaire sous la
temprature de rfrence et le rayonnement solaire de
rfrence, est donn par la relation suivante

I  NW

Daprs le schma quivalent lquation suivant est donne

(la loi des nuds)

NW X

O..

()P.
1
QR ,+-. 7@

E
I  k  >T  T ! C
E ! 

Y'

DEFG

/ e

I(JK L
L
> 7
C1
,+ - -EFG

(
)
QR *
+,-.

Ze

 1[ (7)

III. MODELISATION DE GENERATEUR PHOTOVOLTAQUE

Pour trouver le modle du gnrateur photovoltaque, il
faut tout dabord retrouver le circuit lectrique quivalent
cette source. De nombreux modles mathmatiques, ont t
dvelopps pour reprsenter leur comportement trs fortement
non linaire qui rsulte de celui des jonctions semiconductrices qui sont la base de leurs ralisations. On
rencontre dans la littrature plusieurs modles du gnrateur
photovoltaque qui diffrent entre eux parla procdure et le
nombre de paramtres intervenants dans le calcul de la
tension et du courant finals du gnrateur photovoltaque. [15]
On prsentera trois modles du GPV savoir
Modle une diode sans rsistance parallle.
Modle une diode avec rsistance parallle.
Modle deux diodes avec rsistance parallle.

(3)

Ou I$ est le courant de fuit de la diode, A le facteur

didalit de la diode, etk est le constant de Boltzmann
est
la
charge
lmentaire
(k  1.38 10789 :/<),q
dlectron >q  1.6107@A BC, T est la temprature ambiant.
[14]

A. Model une diode sans rsistance shunt.

Cest le plus simple model on ajouter une rsistance
R $ comme montre sur la fig. Pour tenir compte les chutes de
tension dans les contacts ohmique entre les bornes de
gnrateur photovoltaque et les zones P et N, et pour
exprimer le courant de fuite, [15]

La rsistance srie caractrise les pertes par effets Joule de

la rsistance propre du semi-conducteur et les pertes travers
les grilles de collectes et les mauvais contactes ohmiques de la
cellule.
Les contacts semi-conducteur lectrodes rsistance
leve abaissent apprciablement la tension et le courant de
sortie ce qui va limiter le rendement de conversion.
Le courant gnr par le module est donn par la loi de
Kirchhoff :
    
(8)
    T %]

SU X

gff

I  NW

^_hf
%
1
 ib dcef 7@

Y%

^>_I`ab C
cdef

 11

E
I  k  >T  T ! C
E ! 

1 ]

^kl
L
L
>
7 CY
dc e e

%]

^>_I`ab C
cdef

(9)

 11(10)

Fig. 4 Schma lectrique dune cellule solaire a une diode avec rsistance
shunt

C. Model deux diodes avec Calcule des paramtres

Le module photovoltaque est reprsent par son schma
lectrique quivalent Fig.5. qui se compose dune source de
courant modlisent le flux lumineux, les pertes sont modlis
par deux rsistances, une rsistance shunt R $m , une rsistance
srie R $ et deux diodes pour la polarisation de la cellule et le
phnomne de la recombinaison des porteurs minoritaires
[15]
Cette diode supplmentaire quivalente les effets
chimiques de recombinaison des lectrons.
Le courant gnr par le module est donn par la loi de
Kirchhoff
nogpb
     L   r 
(14)
pq

    T@ %]

^>_I`ab C
cLdef

 11  T8 %]
(15)

^>_I`ab C
crdef

 11 

nogpb
pq

Fig. 3 Schma lectrique dune cellule solaire a une diode sans rsistance
shunt

B. Model aune diode avec rsistance shunt

Cest le modle le plus cit dans la littrature, le module
photovoltaque est caractris par son schma lectrique
quivalent Fig.4. qui se compose dune source de courant qui
modlise la conversion du flux lumineux en nergie
lectrique, une rsistance shunt R $m est une consquence de
ltat de le long de la priphrie de la surface de la cellule,
une rsistance srie R $ reprsentant les diverses rsistances de
contacte et de connexions, une diode en parallle qui modlise
jonction PN [16]
Le courant gnr par le module est donn par la loi de
Kirchhoff
nogpb
     L 
(11)
pq

    T %]

NW Z

^>_I`ab C
cdef

 11 

nogpb
pq

(12)

E
I  k  >T  T ! C
E ! 
K L
L
^>_I`ab C
T 9 %I(J
> 7
C1
[%
1 e ,+ - -EFG %] cdef  11
T !

I  NW

'

I

()P.
/
QR ,+-.

1

iq
nogpb
ib

pq

(13)

Fig.5 Schma lectrique dune cellule solaire deux diodes avec rsistance
shunt.

IV. SIMULATION ET RESULTATS

Les modles dveloppe dans cette tude permet de tenir
compte de linfluence de la temprature et de lensoleillement
ils sont implmente sous linterface Matlab Simulink fig.6; il
a comme paramtres dentre : lensoleillement, la
temprature et limpdance total du lensemble Boost charge.
Pour tudiera linfluence de la temprature et de
lensoleillement sur la caractristique courant tension (I-V)
dun Module MSX60 de SOLAREX. Pour obtenir ces
diffrentes caractristiques, un balayage de la tension des
panneaux de 0 a Vco a t effectu.

Fig.6 schma block du module photovoltaque

TABLEAU 1
LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU PANNEAU PHOTOVOLTAQUE
SOLAREX MSX 60

Fig.7Schma block dtale du module photovoltaque

La puissance maximale

60 W

La tension de circuit ouvert (vwx)

21.1V

La tension oprationnelle a z{|}

Le courent oprationnel a z{|}

Coefficient de temprature courant de courtcircuit
Coefficient de temprature de tension de
circuit ouvert
Coefficient de temprature de puissance
(NOCT)

3.8A
17.3 V
3.46 A

A. Effet densoleillement.
Nous prsentons ci-dessous la caractristique I-V et P-V
dun module photovoltaque pour une temprature T donn
25C et pour diffrentes niveau densoleillement.

0.065A/K

Model a une diode avec resistance shunt

70

100 w/m2

80mV/K

200 w/m2

60

400 w/m2
600 w/m2

0.5%/K

Puissance (W)

Le courent de court-circuit (yx)

800 w/m2

50

1000 w/m2
40

30

20

10

2.5

7.5

10

12.5

Voltage (V)

15

17.5

20

25

Model a une diode avec resistance shunt

100 w/m2
200 w/m2
400 w/m2
600 w/m2
800 w/m2
1000 w/m2

3.5
3

Courant (W)

22.5

2.5
2
1.5
1
0.5
0
0

Fig. 4 caractristique I-V exprimental de module MSX60

10

Voltage (V)

15

20

25

Fig. 8 Les caractristiques I-V et P-V pour le model a une diode sans
rsistance shunt sous une temprature constant 25C et dfrant niveau
densoleillement

Model a deux diode avec resistance shunt

Model a une diode sans resistance shunt

80

100 w/m2

60

200 w/m2

70

50

400 w/m2

60

600 w/m2
40

800 w/m2

30

1000 w/m2

20

Puissance (W)

Puissance (W)

70

0 C
25 C
50 C
75 C
100 C
125 C

50

40

30

20

10

10

0
0

2.5

Model a deux diodes avec resistance shunt

7.5

10

12.5

Voltage (V)

15

17.5

20

22.5

25

Courant (A)

Courant (A)

400 w/m2
2

600 w/m

800 w/m2

1000 w/m

1.5

0 C
25 C
50 C
75 C
100 C
125 C

1.5

0.5

0.5

2.5

7.5

10

12.5

15

17.5

20

22.5

25

Fig.9 Les caractristiques I-V et P-V pour le model a deux diodes avec
rsistance shunt sous une temprature constant 25C et dfrant niveau
densoleillement

Model a une diode sans resistance shunt

100 w/m2
200 w/m2
400 w/m2
2

40
30

20

25

0 C
25 C
50 C
75 C
100 C
125 C

600 w/m

800 w/m2
1000 w/m2

60

50

40

30

20

10

20

10

15

20

25

Voltage (V)

10

Model a une diode avec resistance shunt

4.5

0
0

15

Model a une diode avec resistance shunt

80

Puissance (w)

Puissance (W)

50

10

Fig.11 Les caractristiques I-V et P-V pour le model a une diode sans
rsistance shunt sous un ensoleillement constant 1000w/m et dfrant
temprature

70

60

Voltage (V)

Voltage (V)

70

25

Model a une diode sans resistance shunt

2.5

0
0

20

3.5

200 w/m2

2.5

15

100 w/m2

10

Voltage (V)
4.5

3.5

2.5

7.5

10

12.5

15

17.5

20

Voltage (V)
Model a une diode sans resistance shunt

22.5

25

3.5

200 w/m2
400 w/m2

600 w/m2

2.5

800 w/m2

0 C
25 C
50 C
75 C
100 C
125 C

2.5

1.5

1000 w/m
1.5

0.5

10

15

20

25

Voltage (V)

0.5

10

15

20

25

Voltage (V)

Fig.10Les caractristiques I-V et P-V pour le model a une diode avec

rsistance shunt sous une temprature constant 25C et dfrant niveau
densoleillement

B. Effet de temprature
Nous prsentons ci-dessous la caractristique I-V et P-V
dun module photovoltaque pour un niveau densoleillement
E donn 1000 w/m et pour diffrentes dgre de tempratures

Fig.12 Les caractristiques I-V et P-V pour le model a une diode avec
rsistance shunt sous un ensoleillement constant 1000w/m et dfrant degr
de temprature
80

Model a deux diodes avec resistance shunt

70

Puissance (W)

Courant (A)

Courant (A)

100 w/m2
3.5

60
50
40
30
20
10
0
0

10

Voltage (V)

15

20

25

Model a deux diodes avec resistance shunt

4.5

[3]

Puissance (W)

3.5

[4]

3
2.5

0 C
25 C
50 C
75 C
100 C
125 C

2
1.5
1
0.5
0
0

[5]

10

15

20

25

Voltage (V)

Fig.13 Les caractristiques I-V et P-V pour le model a deux diode avec
rsistance shunt sous un ensoleillement constant 1000w/m et dfrant degr
de temprature

Nous remarquons que le courant dbite par la cellule est

proportionnel lensoleillement que la tension des panneaux
est inversement proportionnelle la temprature.
Laugmentation densoleillement (flux lumineux) se traduit
par un dplacement de la caractristique I= f (V) suivant laxe
des courants.
Lcroissement du courant de court-circuit est beaucoup
plus important que celui de la tension circuit ouvert tant
donn que le courant de court-circuit est une fonction linaire
de lclairement,

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

TABLEAU II
LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES MODELES DE
PANNEAUPHOTOVOLTAQUE

Modle real MSX60

Modle simple.
Modle une diode
Modle deux diodes

 A

3.8
3.8
3.8
3.8

v~ V

21.1
22.1
22.4
20.2

z W

60
63.3
65.1
60

v~U V

17
17.80
18.05
16.96

~U A

3.50
3.56
3.61
3.53

V. CONCLUSION
Dans ce travail, nous avons prsent trois approchespour la
modlisation des modles lectriques du panneau
photovoltaque.
Nous
allons
choisi
le
module
photovoltaqueindustrielle MSX60 de SOLAREX pour la
Validation des modles qui rgissent le fonctionnement
lectrique des panneaux solaires.
Nous constatons que Le courant dbite par le module
photovoltaque est proportionnel lensoleillement tandis que
la tension des panneaux est inversement proportionnelle la
temprature.
Le modle une diode offre un bon compromis entre
simplicit et prcision.Le modle avec deux diodes est plus
compliquer mais plus prcise notamment dans le
fonctionnement nominal.
VI. REFERENCES
[1]

[2]

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[11]

[12]

[13]
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