EI Tema 1.introduccion

E.T.S.
de Ingenieros Industriales
Electrnica Industrial, 4 curso
Tema 1
Introduccin a la electrnica
Roberto Sarmiento
4 - Ingeniero Industrial
UNIVERSIDAD DE LAS PALMAS DE GRAN CANARIA

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros
Industriales
ndice
1.1. Evolucin tecnolgica
1.2. Metodologas de diseo
1.3. Factores econmicos
1.4. Aplicaciones
ULPGC
Electrnica Industrial - 4 ETSII
Roberto Sarmiento y Sebastin Lpez
E.T.S. de Ingenieros Industriales
Objetivos
1.
2.
3.
4.
5.
Mostrar la evolucin de la tecnologa electrnica

Comprender que nueva tecnologa conlleva nuevas
herramientas y tcnicas
Conocer las nuevas tendencias en el diseo electrnico
Conocer los factores econmicos que influyen en el
desarrollo de sistemas electrnicos
Conocer las aplicaciones de la tecnologa electrnica
ULPGC

1958: primer circuito integrado
Construido por Jack Kilby en Texas Instruments (Premio Nobel en
2000, 42 aos despus y a los 77 aos)
El circuito tena un transistor, un condensador y una resistencia
2003
Microprocesador Intel Pentium 4 (55 millones de transistores)
512 Mbit DRAM (> 500 millones de transistores)
2005:
1700 millones de transistores en un chip!
Crecimiento continuado del 53% en los ltimos 45 aos

Ninguna otra tecnologa ha crecido tanto durante tanto tiempo
Factor clave: miniaturizacin de los transistores

Ms pequeo ms barato, ms rpido, menos potencia!
Est teniendo efectos revolucionarios en la sociedad
1957: primer rectificador controlado de silicio (SCR) desarrollado

por la General Electric
ULPGC

1018 transistores fabricados en 2003
100 millones para cada persona del planeta
Global Semiconductor Billings

(Billions of US$)
200
150
100
50
0
1982
1984
1986
1988
1990
1992
1994
1996
1998
2000
2002
Year
ULPGC

1947: William Shockley, Walter Brattain, and John Bardeen
inventan el transistor bipolar de punta. Por ello recibieron el
Premio Novel de Fsica en 1956.
El material que utilizaron era Germanio
ULPGC

1958: J. Kilby de Texas Instrument inventa el primer
circuito integrado, tambien usando Germanio.
En 1959 Robert Noyce (fundador

de Intel) realizar el primer circuito
integrado de Silicio usando
deposicin de vapor. En ese
momento estaba en Fairchild
Semiconductor.
ULPGC

En 1965, Gordon Moore not que el nmero de
transistores por chip se doblaba cada 18 o 24 meses
Entonces hizo una prediccin sobre la tecnologa de
semiconductores en la cual afirmaba que su
efectividad se duplicaba cada 18 meses
ULPGC
1975
1974
1973
1972
1971
1970
1969
1968
1967
1966
1965
1964
1963
1962
1961
1960
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1959
LOG2 OF THE NUMBER OF

COMPONENTS PER INTEGRATED FUNCTION
Ley de
Moore
Electronics, April 19, 1965.

8

Evolucin de la complejidad
100000000
0.07 m
16.000.000
10000000
4.000.000
Capacidad (Kbit/chip)
Memoria humana
DNA humano
64.000.000
0.1 m
1.000.000
1000000
0.13 m
0.18-0.25 m
256.000
100000
64.000
16.000
10000
4.000
1000
1.000
256
0.35-0.4 m
0.5-0.6 m
0.7-0.8 m
Libro
1.0-1.2 m
1.6-2.4 m
100
64
Enciclopedia
2h CD audio
Pgina de libro
10
1980
1983
1986
1989
1992
1995
1998
2001
2004
2007
2010
Ao
ULPGC

Nmero de
transistores
Crecimiento = 2x en 1.96 aos!

K
1000 millones
transistores
1,000,000
100,000
10,000
1,000
i486
i386
80286
100
10
Pentium III
Pentium II
Pentium Pro
Pentium
8086
Source: Intel
Courtesy, Intel
1
1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010
Projected
ULPGC
10

100
Die size (mm)
Tamao
del chip
10
8080
8008
4004
Courtesy, Intel
8086
8085
1
1970
286
386
P6
486 Pentium proc
Crece el ~7% por ao

~2X en 10 aos
1980
1990
Year
2000
2010
El
El tamao
tamao del
del chip
chip crece
crece un
un 14%
14% para
para ajustarse
ajustarse aa la
la Ley
Ley de Moore
ULPGC
11

4004
20.000 tr.
80386
300.000 tr.
ULPGC
Pentium Pro
6.000.000 tr.
12

Obleas de Silicio (wafers)
ULPGC
13

100
P6
Pentium proc
Power (Watts)
Disipacin
de potencia
10
8086 286
1
8008
4004
486
386
8085
8080
0.1
1971
1974
1978
1985
1992
2000
Year
La
La potencia
potencia consumida
consumida por
por los
los procesadores
procesadores no
no para
para de
de crecer
crecer
ULPGC
Electrnica
Industrial
- 4 ETSII
Courtesy,
Intel
14

Disipacin
de potencia
100000
18KW
5KW
1.5KW
500W
Power (Watts)
10000
1000
Pentium proc
100
286 486
8086 386
8085
8080
8008
1 4004
10
0.1
1971 1974 1978 1985 1992 2000 2004 2008
Year
La
La potencia
potencia disipada
disipada ser
ser prohibitiva
prohibitiva
ULPGC
15

Intel VP Patrick Gelsinger (ISSCC 2001)
If scaling continues at present pace, by 2005, high speed processors
would have power density of nuclear reactor, by 2010, a rocket nozzle,
and by 2015, surface of sun
Al da siguiente
las acciones de
Intel bajaron un
8%
10000
Power Density (W/cm2)
Business as
usual will not
work in the
future.
1000
Nuclear
Reactor
100
8086
Hot Plate
10 4004
P6
8008 8085
Pentium proc
386
286
486
8080
1
1970
ULPGC
Rocket
Nozzle
1980
1990
Year
2000
2010
16

Semiconductor Industry Association forecast
Intl. Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)
ULPGC
17

Los transistores de seal y
circuitos integrados base de
la moderna poca
computacional pueden
considerarse como una 1
revolucin tecnolgica.
Ahora, los conjuntos de
semiconductores de alta
potencia emergentes
prometen una 2 revolucin:
La electrnica de potencia jugar un rol crtico en el empleo eficiente
de la energa y en la automatizacin industrial global en este siglo
ULPGC
18

Por qu se escala?
La tecnologa se reduce en factores de 0,7 cada

generacin
Con cada generacin se pueden integrar 2x funciones por chip
el precio del chip no se incrementa significativamente, por lo que
el coste de las funciones decrece en factores de 2x
Pero
cmo disear chips con nmero de funciones creciente?
el nmero de ingenieros no se multiplica dos veces cada ao!
Por lo tanto, hay una necesidad de mtodos de diseo

ms eficientes
Explotar los diferentes niveles de abstraccin
ULPGC
19
100,000
100,000,000
10,000
10,000,000
Logic Tr./Chip
Complexity
Logic Transistor per Chip
1,000
1,000,000
10,000
10,000,000
Tr./Staff Month.
100
100,000
Productivity
(K) Trans./Staff - Mo.
gap
(M)
1,000
1,000,000
58%/Yr. compounded
Complexity growth rate
10,00010
100
100,000
1,0001
10
10,000
x
0.1
100
x x
x x
0.01
10
1
1,000
21%/Yr. compound
Productivity growth rate
0.1
100
0.01
10
2009
2007
2005
2003
2001
1999
1997
1995
1993
1991
1989
1987
1985
1981
1983
0.001
1
Source: Sematech
La complejidad sobrepasa la capacidad de diseo

ULPGC
20
10

Niveles de
abstraccin
SYSTEM
MODULE
+
GATE
CIRCUIT
DEVICE
G
S
n+
ULPGC
D
n+
21

Tendencias
en el diseo
ULPGC
22
11

Precio de venta Stotal
Stotal =
Ctotal
1 m
m = margen de beneficios
Ctotal = Coste total
Coste de ingeniera no recursiva (NRE)
Costes recursivos
Costes fijos
ULPGC
23

NRE
Costes de ingeniera
Depende del tamao del equipo de trabajo
Debe incluir costes de entrenamiento (training) y
amortizacin de equipos (ordenadores)
Herramientas CAD:
Digital front end: $10K
Analog front end: $100K
Digital back end: $1M
Fabricacin de prototipos
Coste de las mscaras: $500k 1M (proceso de
130 nm)
Test y encapsulado
ULPGC
24
12

Costes recursivos
Fabricacin
Coste de las obleas/(Chips por oblea * Yield)
Coste de las obleas: $500 - $3000
Chips por oblea:
r2
2r
N =
2A
A
Yield: Y = e-AD
Para A pequea, Y 1, coste proporcional al rea
Para A muy grande, Y 0, el coste aumenta exponencialmente
Encapsulado de cada uno de los chips a vender

Test de cada uno de los chips a vender
ULPGC
25

Costes fijos
Documentacin
Marketing y publicidad
Anlisis del yield
ULPGC
26
13

Time to market (TTM)
V = Ventas totales del producto
2W = Vida del producto
R = Retraso en la introduccin del producto en el
mercado
Ventas
Prdidas en las
ganancias
Prdidas =
V R (3W R )
2W
Tiempo
R
W
Vida del producto = 2W
ULPGC

Time to market (TTM)
Vest
B1
B2
Prdidas
Prdidas %
25
225
11%
188,9
36,1
16,0%
25
225
22%
155,6
69,4
30,9%
25
225
33%
125,0
100,0
44,4%
25
225
44%
97,2
127,8
56,8%
100
900
11%
755,6
144,4
16,0%
100
900
22%
622,2
277,8
30,9%
100
900
33%
500,0
400,0
44,4%
100
900
44%
388,9
511,1
56,8%
200
1800
11%
1511,1
288,9
16,0%
200
1800
22%
1244,4
555,6
30,9%
200
1800
33%
1000,0
800,0
44,4%
200
1800
44%
777,8
1022,2
56,8%
(Todas las cifras en M$)
ULPGC
14
1.4. Aplicaciones
Las aplicaciones son prcticamente infinitas y se
extienden a casi todos los aspectos de la vida
Automatizacin industrial
Automocin
Generacin de energa elctrica
Energas renovables (energa
elica, fotovoltaica, etc.)
Transmisin y distribucin de
energa
Fuentes de alimentacin
Domtica
ULPGC
Medicina
Tecnologas de la
informacin
Electrnica de consumo
Transporte de
pasajeros/mercancas
Comunicaciones
Aeroespacial
etc. etc.
29
1.4. Aplicaciones
En casi todas las aplicaciones los microprocesadores y las
comunicaciones estn presentes
ULPGC
30
15

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Electrnica Industrial - 4 ETSII

Roberto Sarmiento y Sebastin Lpez

E.T.S. de Ingenieros Industriales

Electrnica Industrial, 4 curso

Mostrar la evolucin de la tecnologa electrnica

Electrnica Industrial - 4 ETSII

1.1. Evolucin tecnolgica

Crecimiento continuado del 53% en los ltimos 45 aos

Factor clave: miniaturizacin de los transistores

1957: primer rectificador controlado de silicio (SCR) desarrollado

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1.1. Evolucin tecnolgica

Global Semiconductor Billings

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1.1. Evolucin tecnolgica

El material que utilizaron era Germanio

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1.1. Evolucin tecnolgica

En 1959 Robert Noyce (fundador

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1.1. Evolucin tecnolgica

Electrnica Industrial - 4 ETSII

LOG2 OF THE NUMBER OF

Electronics, April 19, 1965.

Roberto Sarmiento y Sebastin Lpez

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Electrnica Industrial, 4 curso

1.1. Evolucin tecnolgica

Electrnica Industrial - 4 ETSII

1.1. Evolucin tecnolgica

Crecimiento = 2x en 1.96 aos!

Electrnica Industrial - 4 ETSII

Roberto Sarmiento y Sebastin Lpez

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Electrnica Industrial, 4 curso

1.1. Evolucin tecnolgica

Die size (mm)

Crece el ~7% por ao

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1.1. Evolucin tecnolgica

Electrnica Industrial - 4 ETSII

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Power Density (W/cm2)