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O nmero de discordncias que podem ser bloqueadas por um obstculo depender

do tipo de barreira, da relao de orientao entre o plano de deslizamento e as
caractersticas estruturais da barreira, do material e da temperatura. O colapso da barreira
pode ocorrer atravs de deslizamento em um novo plano, escalagem de discordncias
contornando a barreira, ou pela gerao de tenses suficientemente grandes capazes de
produzir uma trinca.
4.4.2.10 Outras consideraes sobre discordncias
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de
deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos. Com o aumento da
temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias,
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas.
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias
formando uma atmosfera de impurezas.
A densidade das discordncias depende da orientao cristalogrfica, pois o
cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade atmica.
As discordncias geram lacunas, como tambm influem nos processos de difuso, e a
sua formao contribui para a deformao plstica dos materiais.
4.5

Defeitos superficiais
Os cristais tambm apresentam defeitos em duas dimenses que se estendem ao

longo de sua estrutura, formando superfcies que so denominadas de imperfeies de

superfcie ou fronteiras. Os principais tipos de defeitos cristalinos nessa categoria so:
superfcies livres, contornos de gro, falhas de empilhamento e maclas.
a) Superfcies livres
As dimenses exteriores do material representam superfcies onde o cristal termina
rapidamente, ou seja, a superfcie externa o trmino da estrutura cristalina (Figura 4.31).
Entretanto, os tomos da superfcie no so completamente comparveis aos do interior do
cristal, pois possuem vizinhos de apenas um lado; portanto, tm energia mais alta que os
tomos internos e esto ligados a estes mais fragilmente (tomos fora da posio de
equilbrio).

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A Tabela 4.2 lista os valores da energia de superfcie de alguns metais. A energia

superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2.

Superfcie
externa

Figura 4.31 tomos da superfcie do cristal.

Tabela 4.2 Energia de superfcie de alguns metais.

Energia de superfcie
Material
(mJ/m2)
1100
Alumnio
1400
Ouro
1750
Cobre
2100
Ferro (CCC)
Ferro (CFC)
2200
2100
Platina
Tungstnio
2800
Magnsio
1200
Alumina (Al2O3)
2500 a 3000
Fonte: Padilha (2000)
b) Contornos de gro
Durante a solidificao do material, vrios ncleos slidos surgem no interior do
lquido. Em uma fase seguinte, denominada de crescimento, esses ncleos crescem e se
juntam, formando nestas juntas, uma regio conhecida como contorno de gro. Como os
diversos gros formados no apresentam a mesma orientao cristalogrfica, o encontro
dos mesmos cria superfcies de contato dentro do cristal, formadas por tomos
desordenados (Figura 4.32).

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Lquido
Ncleo

b
Contorno
de gro
Gro

Figura 4.32 Formao de contornos de gros.

A estrutura de muitos materiais cermicos e metlicos consiste de muitos gros
(Figura 4.33).

Contorno
de gro
Gro

Figura 4.33 Estrutura mostrando os gros e seus contornos.

Um gro uma poro do material, na qual todos os tomos esto arranjados
segundo um nico modelo e uma nica orientao, caracterizada pela clula unitria;

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entretanto, a orientao do arranjo de tomos, ou a estrutura cristalina, diferente para

cada gro.
Um contorno de gro a superfcie que separa os gros individuais, e uma zona de
transio restringida onde os tomos no esto apropriadamente espaados, ou seja, uma
zona entre gros, a qual no est alinhada com nenhum dos gros; isto causa, nessas zonas,
o surgimento de regies de compresso em algumas reas e de regies de trao em outras.
Portanto, os tomos ao longo do contorno tm uma energia mais elevada que aqueles
do interior do gro, conforme pode ser observado na Tabela 4.3.
Tabela 4.3 Energia de contorno de alguns metais.
Energia de contorno
Material
(mJ/m2)
Alumnio
600
Ouro
400
Cobre
530
Ferro (CCC)
800
Ferro (CFC)
790
Platina
780
Tungstnio
1070
Alumina (Al2O3)
1900
Fonte: Padilha (2000)
A forma do gro controlada pela presena dos gros circunvizinhos; o tamanho de
gro controlado pela composio e pela taxa de cristalizao ou solidificao.
importante o conhecimento do tamanho de gro de um material policristalino, visto
que o nmero de gros tem papel significativo em muitas propriedades dos materiais,
especialmente na resistncia mecnica; logo, um mtodo de controlar as propriedades de
um material controlando o tamanho dos gros que o formam.
Pela reduo do tamanho de gro, o nmero de gros crescer e, conseqentemente,
haver um aumento da quantidade de reas de contornos de gro:
Em baixas temperaturas, at a metade da temperatura de fuso, os contornos de gros

aumentam a resistncia do material por meio da limitao do movimento de

discordncias, ou seja, o movimento de uma discordncia fica restringido, pois logo
encontrar um contorno de gro que a travar.
Em temperaturas acima de cerca da metade do ponto de fuso, a deformao pode

ocorrer por deslizamento ao longo dos contornos de gro. Isto se torna mais
proeminente com o aumento da temperatura e com a diminuio da taxa de deformao,

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assim como em fluncia (o mecanismo de deformao plstica nestas temperaturas o

de fratura intergranular); este mecanismo um dos responsveis pela diminuio da
resistncia mecnica do material em temperaturas elevadas.
A equao de Hall-Petch relaciona o tamanho de gros com o limite de escoamento
do material (ASKELAND & PHUL, 2003):

y = o + KD 1 2
onde y o limite de escoamento, D o dimetro mdio dos gros, e o e K so constantes
do material.

Tamanho de gro

A padronizao do tamanho de gro pode ser feita por meio do nmero de tamanho
de gro da ASTM, que determinado pela equao:

N = 2 n 1
onde n o nmero inteiro definido como o nmero do tamanho de gro da ASTM, N o
nmero de gros por polegada quadrada, em um material polido, atacado quimicamente e
observado com o aumento de 100X.
Um nmero do tamanho de gro elevado indica muitos gros ou um tamanho de gro
pequeno, que correlacionado com alto limite de escoamento para metais. A Tabela 4.4
apresenta a padronizao do tamanho de gro cristalino segundo a ASTM, cuja ilustrao
encontra-se na Figura 4.34.

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Tabela 4.4 Padronizao do tamanho de gro segundo a ASTM.

Quantidade mdia de gros
Nmero do tamanho de gro
(N)
Dimetro de gro
2
2
(n)
mdio (mm)
por mm x 1 por pol x 100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

16
32
64
128
256
512
1024
2048
4096
8200

1
2
4
8
16
32
64
128
256
512

0,75
0,50
0,35
0,25
0,18
0,125
0,062
0,044
0,032
0,022

Figura 4.34 Ilustrao esquemtica do tamanho de gro segundo a ASTM.

A microscopia tica uma tcnica usada para revelar detalhes microestruturais que
necessitam de amplificaes menores que 2000 vezes, como os contornos de gro. A
Figura 4.35 mostra uma micrografia de um ao inoxidvel austentico.

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Figura 4.35 Micrografia de um ao austentico.

Nos contornos de gro h um empacotamento atmico menos eficiente e uma energia
mais elevada, como tambm ocorre o favorecimento da nucleao de novas fases
(segregao), o favorecimento a difuso e a ancoragem do movimento das discordncias.

Contornos de pequeno ngulo

Uma subestrutura definida pode existir dentro dos gros envolvidos por contornos de
gro de alta energia. Os contornos dessa subestrutura so denominados de contornos de
pequeno ngulo, porque a diferena de orientao entre esses contornos (desorientao)
pequena (da ordem de apenas uns poucos minutos de arco ou, no mximo, uns poucos
graus).
Um contorno de pequeno ngulo formado pelo alinhamento de discordncias;
portanto, um arranjo de discordncias que produz uma desorientao entre cristais
adjacentes, conforme mostra a Figura 4.36.

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Figura 4.36 Desenho esquemtico da formao de um contorno de pequeno ngulo

(DIETER, 1982).
Como a energia superficial dos contornos de pequeno ngulo menor que a do
contorno de gro regular, eles no so eficazes como um bloqueador de discordncias e,
tambm, so menos atacados quimicamente do que os contornos de gros.
A situao mais simples o caso do contorno de empilhamento de discordncias em
aresta, denominado contorno inclinado (tilt boundary), mostrado na Figura 4.36, onde se
verifica:
A pequena diferena entre os gros indicada pelo ngulo ;
Os dois cristais se juntam formando um contorno de pequeno ngulo;
Ao longo do contorno os tomos ajustam suas posies por uma deformao localizada

para produzir uma suave transio de um gro para outro; entretanto, uma deformao
elstica no pode acomodar todo o desarranjo, de maneira que alguns planos de tomos
devem terminar no contorno.
Onde um plano de tomos termina existe uma discordncia em cunha; portanto,

contornos de pequeno ngulo podem ser considerados como um arranjo de

discordncias em cunha.
A relao entre e o espaamento das discordncias dada por

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= 2 tan 1

b
b

2D D

onde b o tamanho do vetor de Burgers da discordncia.

Um contorno de pequeno ngulo formado por discordncias em hlice denominado
de contorno torcido (twist boundary).
Contornos de pequeno ngulo podem ser formados de vrias maneiras: durante o
crescimento do cristal, durante deformao em fluncia a alta temperatura, ou como
resultado de uma transformao de fase.
Um dos mtodos mais comuns para produzir uma rede de subestruturas pela
introduo de pequenos graus de deformao (de cerca de 1 a 10% de pr-deformao)
seguida de um tratamento de recozimento para rearranjar as discordncias em contornos de
subgro. A quantidade de deformao e a temperatura devem ser baixas o bastante para
evitar a formao de novos gros por recristalizao. Esse processo chamado de
recristalizao localizada ou poligonizao.
O termo poligonizao foi usado originalmente para descrever a situao que ocorre
quando um cristal dobrado com um raio de curvatura relativamente pequeno e depois
recozido. O dobramento produz um excessivo nmero de discordncias de mesmo sinal.
Estas discordncias ficam distribudas nos planos de dobramento, como mostra a Figura
4.37-a. Quando o cristal aquecido elas se agrupam em configurao de mais baixa
energia, como as de um contorno de pequeno ngulo, onde envolvido o processo de
escalagem. A estrutura resultante uma rede de aspecto poligonal de contornos de pequeno
ngulo, mostrada na Figura 4.37-b.

Figura 4.37 Movimento de discordncias para produzir poligonizao

(DIETER, 1982).
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c) Falha de empilhamento
So defeitos superficiais que ocorrem em metais CFC e HC e representam um erro
na seqncia regular de empilhamento de planos compactos.
Nos

metais

CFC

seqncia

de

empilhamento

regular

produzida

...ABCABCABC..., e nos metais HC a seqncia regular ...ABABAB...; entretanto, estas

seqncias podem ser localmente alteradas por deformao plstica e aglomerado de
defeitos puntiformes criados por irradiao do material por partculas pesadas de alta
energia ou tmpera, dando origem aos defeitos de empilhamento, mostrados a seguir:
CFC:

...ABCABABC...
Defeito de empilhamento: Na poro indicada da
seqncia, um plano A aparece onde um plano C
deveria estar normalmente localizado.

HC:

...ABABBAB...
Defeito de empilhamento: Na poro indicada da
seqncia, um plano B aparece onde um plano A deveria
estar normalmente localizado.

A energia associada falha de empilhamento fornecida na Tabela 4.5, para alguns

materiais.
Tabela 4.5 Energia de falha de empilhamento para alguns materiais.
Energia de falha de
Material
Estrutura
empilhamento
(mJ/m2)
Tungstnio
CCC
1860
Molibdnio
CCC
1450
Tntalo
CCC
942
Nibio
CCC
537
Nquel
CFC
220
Alumnio
CFC
163
Cobre
CFC
62
Ouro
CFC
50
Prata
CFC
22
Ao AISI 304L
CFC
19
Lato (30%Zn)
CFC
12
Zinco
HC
140
Magnsio
HC
125
Cdmio
HC
175
Fonte: Padilha (2000)

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d) Maclas
Ocorrem quando parte da rede cristalina deformada, de modo a formar uma
imagem especular da parte no deformada (Figura 4.38).

Macla

Planos de espelho
(contornos de macla)
Figura 4.38 Plano de macla.
O plano cristalogrfico de simetria entre as regies deformada e no deformada
chamado de plano de maclao ou contorno de macla.
As maclas podem ser produzidas em certos materiais metlicos, a partir de tenses
mecnicas ou trmicas oriundas de processos de deformao ou tratamento trmico, pela
produo de uma fora de cisalhamento atuando ao longo do contorno de macla, causando
a mudana de posio dos tomos.
Esses defeitos ocorrem durante a deformao ou tratamento trmico de certos
materiais metlicos.
Os contornos de macla interferem com o processo de deslizamento e,
conseqentemente, aumentam a resistncia do material.
Tambm ocorrem em alguns materiais cermicos (zircnia monoclnica e silicato de
clcio).
Em funo da alta energia associada, os contornos de gro so mais eficazes no
bloqueio de discordncias do que falhas de empilhamento ou contornos de maclas,
conforme comparao feita na Tabela 4.6.

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Tabela 4.6 Quadro comparativo das energias associadas aos defeitos superficiais
Imperfeio superficial
Falha de empilhamento
Contorno de macla
Contorno de gro

Energia de superfcie (J/m2)

Alumnio Cobre Platina
Ferro
200
75
95
120
45
195
190
625
645
1000
780

A Figura 4.39 refere-se a uma micrografia obtida por microscopia tica de um ao

inoxidvel duplex envelhecido, onde vrias maclas podem ser observadas.

Macla

Figura 4.39 Micrografia onde vrias maclas so visveis (LOPES, 2006).

4.6

Defeitos volumtricos ou de massa

Os materiais slidos apresentam outros tipos de defeitos que so muito maiores do

que aqueles que foram estudados at aqui, tais como poros, trincas, incluses e outras
fases.
Estes defeitos so normalmente introduzidos durantes as etapas de processamento do
material e/ou na fabricao do componente. As figuras subseqentes ilustram alguns
defeitos volumtricos.
a) Incluses
So impurezas estranhas ao material, tais como xidos e sulfetos, dentre outros. A
Figura 4.40 mostra incluses como observadas no microscpio.

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Figura 4.40 Micrografia apresentando incluses.

b) Precipitados
So aglomerados de partculas cuja composio difere da matriz (Figura 4.41).
Precipitados

Fase austenita

Precipitados

Fase ferrita

Figura 4.41 Micrografias tica e eletrnica de varredura de uma amostra de ao

inoxidvel duplex envelhecido (LOPES, 2006)
c) Fases
Forma-se devido presena de impurezas ou elementos de liga, e ocorrem quando o
limite de solubilidade ultrapassado (Figura 4.41).

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d) Porosidade
Origina-se devido presena ou formao de gases. Por exemplo, a superfcie de
material puro durante o seu processamento por metalurgia do p (Figura 4.42).

Figura 4.42 Micrografia mostrando regies de porosidade.

4.7 Referncias bibliogrficas
ASKELAND, Donald R.; PHUL, Pradeep P. The science and engineering of materials.
4.ed. California: Brooks/Cole-Thomson Learning, 2003.
DIETER, G.E. Metalurgia mecnica. 2a Ed. Rio de Janeiro: Ed. Guanabara Dois, 1981.
CALLISTER JR., William D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5.ed.
Rio de Janeiro: LTC, 2002.
CARAM JR., Rubens. Estrutura e propriedades dos materiais. Apostilha de aula.
Campinas: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP), 2000.
FREIRE, J.M. Materiais de construo mecnica: Fundamentos de tecnologia mecnica.
Rio de Janeiro: Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A., 1983.
LOPES, Jorge Tefilo de Barros. Influncia da presena de fases frgeis e da temperatura
nas propriedades de propagao de trinca por fadiga do ao inoxidvel duplex UNS
S31803. Campinas: Faculdade de Engenharia Mecnica, Universidade Estadual de
Campinas, 2006. 155p. Tese (Doutorado).
PADILHA, Angelo F. Materiais de engenharia: microestrutura e propriedades. Curitiba:
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SMITH, William F. Princpios de cincia e engenharia de materiais. 3.d. New York:
McGraw-Hill, 1998.
VAN VLACK, L.H. Princpios de cincia dos materiais. 3.d. So Paulo: Edgard Blcher,
1977.

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