INSTITUTO TECNOLGICO DE CAMPECHE

DIODOS Y TRANSISTORES

Alumno: Contreras Zapata Xayra Alexander

Grupo: MS4

Materia: Principios Elctricos y Aplicaciones Digitales

Profesor: Ing. Jonathan H. Ortz Arjona

San Francisco de Campeche, Camp., a 9 de Junio de 2014.

CONTENIDO

Temas

Pgina

Introduccin

Diodos:

-Principios y Conceptos

- Funciones

- Simbologa

- Tipos de diodo

12

-Usos en los sistemas de cmputo

19

Transistores

20

-Principios y conceptos

20

-Funcin

22

-Simbologa

23

-Tipos

24

-Usos en los sistemas de cmputo

28

Conclusiones

29

Bibliografa

30

INTRODUCCIN
1

En este trabajo se pretende realizar una pequea investigacin acerca de los tipos
de diodos y transistores que existen, sus caractersticas, funcionamiento,
simbologa, etc.
Como sabemos los diodos son un componente elctrico de dos terminales que
permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un mismo sentido.
Aunque se debe de aclarar que todos los trminos que se usan, se refieren al diodo
semiconductor ya que es el que se usa ms actualmente.
En la actualidad los diodos son fabricados a partir de la unin de dos materiales
semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, un diodo de tipo N y otro de
tipo P, y a sta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin
con el resto del circuito.
Se har referencia a los transistores, que son dispositivos electrnicos
semiconductores, los cuales cumplen funciones de amplificadores, osciladores o
rectificadores.
Hoy en da, podemos encontrarlos, prcticamente, en todos los artculos
domsticos, tales como radios, televisores, lavadoras, microondas, computadoras,
lmparas, celulares, etc.

DIODOS
2

Principios y Conceptos
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad
en un solo sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la direccin en la cual
puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de la vlvula o tubo de
vaco y al principio los diodos fueron llamados realmente vlvulas.

La curva caracterstica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta

diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por
encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele llamar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso
inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

Siendo el diodo el dispositivo electrnico ms sencillo que se presenta, desempea

un papel muy importante en los sistemas electrnicos. Con sus caractersticas, que
son muy similares a la de un interruptor sencillo, aparece en una amplia variedad
de aplicaciones, que van desde la ms sencillas a las ms complejas. Adems de
3

los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas importantes se

encontrarn en las hojas de especificaciones y tambin se estudiarn con objeto de
asegurar una compresin de la terminologa que se utiliza, aparte de demostrar la
riqueza de la informacin que los fabricantes suelen proporcionar.

As entonces, lo que se considera como el diodo ideal, es un dispositivo con dos

terminales, que tiene el smbolo y caractersticas que se muestran en la figura
anterior. De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la
flecha del smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por
establecer corriente en direccin opuesta.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un

diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente

entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto,
se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una
corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose

como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V
se aplican al diodo.

Se ha de aclarar que todos estos conceptos se aplican al diodo semiconductor, ya

que es el ms comn en la actualidad. ste se forma con slo juntar los materiales
P y N. En el momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los
huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de
portadores en la regin cercana en la unin. A esta regin de iones positivos y
negativos descubiertos, se le llama regin de agotamiento, debido al agotamiento
de portadores de esta regin.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a

travs de sus terminales permite tres posibilidades: sin polarizacin, polarizacin
directa y polarizacin inversa, Cada una es una condicin que dar como resultado
que el usuario deber comprender con claridad para que el dispositivo se aplique
en forma efectiva.

Sin Polarizacin Aplicada (VD = 0V)

Bajo condiciones sin polarizacin, cualquiera de los portadores minoritarios
(huecos) en el material tipo N que se encuentren dentro de la regin de
agotamiento, pasarn directamente al material tipo P. Mientras ms cercano se
encuentre el portador minoritario a la unin, mayor ser la atraccin de la capa de
iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos en la regin de
agotamiento del material tipo N. Con la idea de que surjan anlisis futuros, se
supone que todos los portadores minoritarios del material tipo N que se localizan en
la regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al
6

material tipo P. Se puede considerar que algo similar pasa con los portadores
minoritarios (electrones) del material tipo P.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo N deben sobreponerse a

las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo N, y a la
capa de iones negativos en el material tipo P, con el fin de migrar hacia el rea
localizada ms all de rea de agotamiento del material tipo P. Sin embargo, en el
material tipo N el nmero de portadores mayoritarios es tan grande que
invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios (huecos) del
material tipo P.

Si se examina con cuidado la figura que se mostr anteriormente, se observar que

las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en
cualquier direccin es igual a cero. Esta cancelacin de los vectores se indica por
medio de las lneas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de
huecos se dibuj en una escala mayor que el flujo de los electrones con objeto de
demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para
la cancelacin del flujo, y que los niveles de dopado para cada material pueden dar
como resultado u flujo de portadores desigual de electrones y huecos. En resumen:
en ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0V)

Si un potencial externo de V volts se aplica a travs de la unin P-N de tal forma
que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo N y la terminal
negativa est conectada con el material tipo P como se muestra en la siguiente
figura, el nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo N
7

se incrementar debido al gran nmero de electrones libres atrados por el

potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el nmero de iones
negativos se incrementar en el material tipo P. El efecto neto, por tanto, es una
ampliacin de la regin de agotamiento. Dicha ampliacin establecer una barrera
de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios,
adems de una reduccin efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero.

Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin

de agotamiento no cambiarn y dan como resultado vectores de flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado.

A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llama

corriente de saturacin inversa. sta es rara vez mayor que unos cuantos
microamperes, con excepcin de los dispositivos de alta potencia. El trmino
saturacin proviene del hecho de que alcanza su mximo nivel con rapidez y no
cambia de manera significativa con el incremento del potencial de polarizacin
inversa.

Condicin de Polarizacin Directa (VD > 0V)

Una condicin de polarizacin directa o encendido se establece al aplicar el
potencial positivo al material tipo P y el potencial negativo al material tipo N. Por
tanto para mayor referencia: Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa
cuando se ha establecido la asociacin tipo P y positivo, y tipo N y negativo.

La aplicacin de un potencial de polarizacin directa V D presionar los electrones

en el material tipo N y los huecos en el material tipo P para que se recombinen con
los iones cercanos a la unin y reducir el ancho de la regin de agotamiento. El
flujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo P al material tipo N no
ha cambiado en magnitud, pero la reduccin en el ancho de la regin de
agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a travs de la
unin. Ahora, un electrn del material tipo N observa una barrera muy reducida en
la unin, debido a la pequea regin de agotamiento y a una fuerte atraccin del
potencial positivo aplicado al material tipo P. Mientras se incremente en magnitud la
polarizacin aplicada, la regin de agotamiento continuar disminuyendo su
anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a travs de la unin, lo que
da como resultado un incremento exponencial en la corriente.

Curva Caracterstica. Cada de tensin en directa.

La electricidad utiliza una pequea energa para poder pasar a travs del diodo, de
forma similar a como una persona empuja una puerta venciendo un muelle. Esto
significa que hay un pequeo voltaje a travs de un diodo conduciendo, este voltaje
es llamado cada de voltaje o tensin en directa y es de unos 0.7 V para todos los
diodos normales fabricados de silicio. La cada de voltaje en directa de un diodo es
casi constante cualquiera que sea la corriente que pase a travs de l por lo que
tiene una caracterstica muy pronunciada (grfica corriente voltaje).

10

Tensin inversa
Cuando una tensin o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo ideal, este no
conduce corriente, pero todos los diodos reales presentan una fuga de corriente
muy pequea de unos pocos A o menos. Esto puede ignorarse o despreciarse en
la mayora de los circuitos porque ser mucho ms pequea que la corriente que
fluye en sentido directo. Sin embargo, todos los diodos tiene un mximo voltaje o
tensin inversa (usualmente %0 V o ms) y si esta se excede el diodo fallar y
dejar pasar una gran corriente en direccin inversa, esto es llamada ruptura.

Conexin y soldadura
Los diodos deben conectarse de la forma correcta, el diagrama puede ser
etiquetado como (+) para el nodo y (-) para el ctodo. El ctodo es marcado por
una lnea pintada sobre el cuerpo del diodo. Los diodos estn rotulados con su
cdigo en una pequea impresin.

Funciones del diodo

Dependiendo del tipo de diodo que se refiere, ste cumple con diferentes
funciones, entre las cuales estn:
Los diodos de seal de uso general se emplean en funciones de tratamiento de la
seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital
formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes.

Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que

deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 MHz.
11

Los diodos estabilizadores se emplean, para producir una tensin entre sus
extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa.
Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta
la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un
determinado nivel.

Dentro de los diodos especiales, estn comprendidos los diodos varicap (diodos
tnel y diodos LED), los cuales se emplean en etapas de sintona de receptores de
radio y TV:

Simbologa
Smbolo

Descripcin
Diodo,

Smbolo
rectificador

Smbolo genrico

Descripcin
Diodo,

rectificador

Smbolo genrico
Diodo

Diodo, rectificador

Smbolo genrico

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo zener

Diodo Pin

Diodo Pin

12

zener

Diodo Tunel

Diodo Tunel
Diodo

Diodo rectificador tunel

Snap

Diodo de recuperacin de
paso

Diodo varicap / Varactor

Diodo varicap / Varactor

Diodo varicap / Varactor

Diodo de voltaje variable

Diodo Schottky

Diodo Schottky

Diodo

supresor

de

tensin
Diodo

Diodo

supresor

de

tensin
de

corriente

constante

sensible

la

temperatura
Diodo

Diodo emisor lser

sensible

al

magnetismo

Foto-diodo

Foto-diodo

Diodo

Foto-diodo bidireccional

de

ctodo

comn

Foto-diodo
comn

13

de

ctodo

Diodo emisor de luz Diodo emisor de luz -

LED

LED

Bicolor, depende de la
polaridad

Display

de

LED,

segmentos

Display

de

LED,

alfanumrico
5x7 (letra A de ejemplo)

Diodo de rotura NPN

Diodo de rotura PNP

Puente

Triodo PNPN

Puente

de

Graetz

rectificador

de

doble onda con 4 diodos

Puente
Puente

de

Graetz

rectificador

de

doble onda con 4 diodos

Puente
Puente

de

rectificador

Diodos de seal.Los diodos de seal son usados en los circuitos para procesar informacin (seales
elctricas), por lo que solo son requeridos para pasar pequeas corrientes de hasta
100 mA.

Un diodo de seal de uso general, tal como el 1N4148 est hecho de silicio y tiene

14

de

doble onda con 4 diodos

Tipos de diodo

una cada de tensin directa de 0.7 V.

Graetz

Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una cada de tensin directa ms
baja de 0.2 V, y esto lo hace conveniente para usar en circuitos de radio como
detectores los cuales extraen la sea de audio desde la dbil seal de radio.

Para uso general, donde la media de la cada de tensin directa es menos

importante, los diodos de silicio son mejores porque son menos fcilmente daados
cuando se sueldan, tienen una ms baja resistencia cuando conducen, y tienen
muy baja corriente de prdida cuando se les aplica un voltaje en inversa.

Diodos Rectificadores (grandes corrientes)

Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentacin para convertir la
corriente alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como
rectificacin. Tambin son usados en circuitos en los cuales han de pasar grandes
corrientes a travs del diodo. Todos los diodos rectificadores estn hechos de silicio
y por lo tanto tiene una cada de tensin directa de 0.7 V.

Puentes rectificadores
Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un rectificador y convertir
la AC en DC. El puente rectificador es una de ellas y est disponible en
encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes
rectificadores se clasifican por su mxima corriente y mxima tensin inversa.
Tienen cuatro pines o terminales: los dos de salida DC son rotulados con + y -, los
de entrada AC estn rotulados con el smbolo ~.

Diodos Zener
Los diodos zener se usan para mantener un voltaje fijo, Estn diseados para
trabajar de una forma confiable y no destructiva dentro de su zona de ruptura de
15

manera que pueden ser utilizados en inversa para mantener bastante fijo el voltaje
entre sus terminales.

Se pueden distinguir dos tipos de diodos comunes por su cdigo y su tensin

inversa la cual est rotulada en el diodo. Los cdigos para diodos zener suelen ser
BZX o BZY. Su tensin inversa de ruptura est grabada con una V en el lugar del
punto decimal, as por ejemplo 4V7 significa 4.7 V.

Los diodos zener estn clasificados por su tensin de ruptura y su mxima

potencia:
-

El mnimo voltaje o tensin de ruptura disponible es 2.4 V.

Los rangos de potencia ms comunes estn entre 400mW y 1.3W.

Diodos emisores de luz

El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo
de instrumentos ha contribuido a generar el muy considerable inters que hoy en
da existe respecto a las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma
apropiada. En la actualidad, los dos tipos que se utilizan con ms frecuencia para
llevar a cabo esta funcin son el Diodo Emisor de Luz (LED) y la pantalla de cristal
lquido (LCD).

Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz
visible cuando se energiza. En cualquier unin P-N con polarizacin directa existe,
dentro de la estructura y en forma primaria cerca de la unin, una recombinacin de
huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa que posee un
electrn libre se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N de
semiconductor, parte de esta energa se emite como calor y otra parte en forma de
fotones, En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma de calor
16

y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de

galio o fosfuro de Galio, el nmero de fotones de energa de luz emitida es
suficiente para crear una fuente de luz muy visible. Al proceso de emisin de luz
mediante

la

aplicacin

de

una

fuente

de

energa

elctrica

se

llama

electroluminiscencia.

Diodo Avalancha
Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el
voltaje de ruptura. Elctricamente son similares a los diodos Zener, pero funciona
bajo toro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico
inverso que atraviesa la unin P-N produce una onda de ionizacin, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha estn diseados para
operar en un voltaje inverso definido son que se destruya. La diferencia entre el
diodo avalancha y el diodo zener, es que el ancho del canal del primero excede la
libre asociacin de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en
el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen coeficientes de
temperatura de polaridades opuestas.

Diodo de Cristal
Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal
afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una
parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos
cristal tienen una gran aplicacin en el radio galeno, Los diodos de cristal estn
obsoletos, pero pueden conseguirse todava algunos fabricantes.

Diodo Tnel o Esaki

17

Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al
efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos
estados, Debido a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos,
pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud
y en entorno con radiacin alta.

Diodo Trmico
Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para
monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoelctricos. stos se hacen de semiconductores, y aunque ellos
no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de
portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

Fotodiodos
Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores
estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos
tiene la funcin de ser sensibles a la luz, por lo que estn empacados en materiales
que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo ms sensible
a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celda solares, en fotometra o en
comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como
un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones, Estos arreglos no deben
confundirse con los dispositivos de carga acoplada.

Diodo Schottky
18

El diodo Schottky est construido de un metal a un contacto de semiconductor.

Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos PN. Su tensin de
ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace
tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un transistor.

Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque su

corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky
son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de
almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayora
de los dems diodos. Tienden a tener una capacidad de unin mucho ms baja que
los diodos PN que funcionan como interruptores veloces y se usan para circuitos de
alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.

Uso del diodo en los sistemas de cmputo

Entre las muchas aplicaciones en que se usan los diodos destacan:
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en paralelo
Doblador de tensin
Estabilizador Zener
LED
Limitador
Circuito fijador
Multiplicador de tensin
Divisor de tensin

19

TRANSISTORES
Principios y Conceptos
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P
y una tipo N. Al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo
transistor PNP.

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los

dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
20

corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como

actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia,
controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un
circuito cerrado

En resumen, un transistor es un componente que tiene, bsicamente dos

funciones:
-

Dejar pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea seal de

mando.
Funciona como un elemento amplificador de seales.

Requisitos de la estructura de un transistor

La concentracin de portadores en la regin del colector debe ser baja para

poder obtener una alta tensin de breakdown de avalancha de la unin de
colector, es decir, que la resistividad de la regin del colector debe ser alta.

La concentracin de portadores en la regin de la base debe ser alta en

comparacin con la del colector, para estar seguros de que la regin de
carga espacial se extiende principalmente en la regin del colector; es decir,
que la resistividad de la regin de base debe ser inferior a la de la regin de
colector.

La concentracin de portadores en la regin del emisor debe ser altsima en

comparacin con la regin de la base para obtener una alta eficiencia de
inyeccin; es decir, la resistividad de la regin del emisor debe ser bastante
inferior a la de la regin de la base.

21

La anchura de la regin de la base debe ser pequea en comparacin con la

longitud de difusin de los portadores minoritarios para que haya una alta
eficiencia de transporte.

La movilidad de los portadores minoritarios en la regin de la base debe ser

alta para que pueda haber una alta eficiencia de transporte.

La unin de emisor debe estar directamente polarizada.

Funciones del transistor

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser usados para
amplificar la pequea corriente de sala de un circuito integrado lgico de tal forma
que pueda manejar una bombilla u otro dispositivo de mucha corriente.

Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima corriente, o
encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador
(siempre conduciendo corriente). La cantidad amplificada de corriente es llamada
ganancia de corriente.

Ciertos transistores estn construidos de tal manera, que funcionan mejor como
conmutadores, y otros como amplificadores. Sin embargo, en caso de necesidad,
la mayora de los transistores se pueden usar tanto para conmutar como para
amplificar.

A pesar de todo, en la mayor parte de los casos esto repercute desfavorablemente

en los resultados. Por esta razn, los transistores se clasifican, en general, en
amplificadores o conmutadores, pero no suelen hacer las dos funciones.
22

No es, por tanto, el transistor en s el que decide si tiene que conmutar o amplificar,
sino el circuito de control, es decir, el dispositivo que controla el transistor y que
determina que funcione de una u otra manera.

Simbologa
Smbolo

Descripcin

Smbolo

Transistor
Se

Descripcin

NPN

puede

encontrar

representado con o sin

Transistor PNP

crculo
Smbolo genrico
Transistor

NPN

Representacin sin crculo

Transistor
colector

PNP
unido

Transistor

PNP

Actualizacin del smbolo

con
a

la

Transistor tunel

cubierta

Transistor UJT-N Uniunin

23

Transistor
Uniunin

UJT-P

Transistor

Fototransistor

multiemisor

NPN

Transistor de avalancha
NPN

Transistor Schottky NPN

Transistor JFET, canal N

Transistor JFET, canal P

Transistor JFET, canal N

Transistor JFET, canal P

Transistor JFET, canal N

Transistor JFET, canal P

PUT,

Transistor

Uniunin

Darlington

programable

NPN

Transistor Darlington NPN

Transistor Sziklay

24

Tipos de transistor
Hay dos tipos de transistores estndar, NPN y PNP, con diferentes smbolos de
circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor usado
para construir el transistor. La mayora de los transistores usados hoy son NPN
porque este es el tipo ms fcil de construir usando silicio.

Transistor NPN
Una estructura NPN funcionar de forma anloga a la estructura PNP. Tambin en
este caso tenemos dos uniones PN, esta vez separadas por una fina regin de tipo
P. Como en el transistor PNP, la primera unin, el emisor, est directamente
polarizada, y la segunda, el colector, inversamente.
Sin embargo, existen dos diferencias importantes que hay que recordar.
En primer lugar, las tensiones de trabajo sern opuestas a las del transistor PNP.
El emisor de tipo N debe estar polarizado negativamente respecto a la base de tipo
P para funcionar directamente, y el colector, siempre respeto a la base,
positivamente, para funcionar inversamente.
En segundo lugar, ahora el emisor de tipo N inyectar electrones en la base de tipo
P y estos electrones se convertirn en portadores minoritarios y se difundirn a
travs de la regin de base hasta que el campo elctrico, producido por el potencial
positivo, los arrastre a lo largo de la unin de colector.
En general, los transistores de tipo NPN pueden funcionar ms rpidamente, es
decir, que pueden ponerse en funcionamiento o en corte ms rpidamente que los
PNP.
Si a esto se le une el hecho de que el coste de fabricacin de los transistores NPN
es menor, se entiende porqu los transistores de tipo NPN se usan ms que los
PNP.

25

Transistor PNP
En el tipo PNP, la primera regin polarizada positivamente recibe el nombre
de emisor, porque emite o inyecta lagunas a lo largo de la unin directamente
polarizada en la regin central de tipo N. La fina regin central de tipo N se
llama base; la segunda regin de tipo P se llama colector. Est polarizada
negativamente para recoger las lagunas que provienen de la regin central a travs
de la segunda unin polarizada inversamente.

La primera unin, entre emisor y base, se llama unin de emisor, y la segunda,

entre base y colector, unin de colector. Ya hemos visto que es necesario que la
concentracin de lagunas en el emisor de tipo P sea mayor que la concentracin de
electrones en la base de tipo N; la regin de emisor est mucho ms dopada que la
regin de base. Veremos ms adelante que la regin de colector es deseable que
est menos dopada que la regin de base.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser

26

regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo

que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Transistores basados en sus procesos de fabricacin:

1. Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase
y consista en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeo
bloque de germanio llamado base. El material de la base poda ser de
tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado
aproximadamente.

causa

de

la

dificultad

de

controlar

las

caractersticas de este frgil dispositivo, ahora se le considera obsoleto.

2. Transistor de unin por crecimiento: Los cristales de esta clase se
obtienen por un proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de
silicio fundidos de manera que presenten uniones muy poco separadas
embebidas en la pastilla.El material de impureza se cambia durante el
crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son
cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unin se
pueden subdividir en tipos de unin de crecimiento, unin de alineacin y
de campo interno. El transistor del ltimo tipo es un dispositivo de unin
de alineacin en que la concentracin de impurezas que est contenida
dentro de una cierta regin de la base a fin de mejorar el
comportamiento en alta frecuencia del transistor.

27

3. Transistor de unin difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar

en un margen ms amplio de frecuencias y el proceso de fabricacin ha
facilitado el uso de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la
capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unin difusa se
pueden subdividir en tipos de difusin nica (hometaxial), doble difusin,
doble difusin planar y triple difusin planar.
4. Transistores epitaxiales: Estos transistores de unin se obtienen por el
proceso de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos
fotolitogrficos que se utilizan para definir las regiones de emisor y de
base durante el crecimiento. Las unidades se pueden subdividir en
transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay).
5. Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de
unin (JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta
1958 no se construy el primer transistor prctico de efecto de campo.
Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal,
de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En
cada extremo de la barra se establece un contacto hmico, que
representa un transistor de efecto de campo tipo N en su forma ms
sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N
(desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente
entre s, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama
surtidor y el otro drenado. Si se aplica una tensin positiva entre el
drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una
corriente. Esta corriente es la ms importante en un dispositivo de efecto
de campo y se le denomina corriente de drenador con polarizacin cero
(IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado
tensin de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en el canal.

28

Uso del transistor en los sistemas de cmputo

Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de
los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte,
la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas vlvulas de
vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos.

29

CONCLUSIONES
Los diodos semiconductores son los ms comunes actualmente, y son un
componente elctrico de dos terminales, los cuales permiten que circule la corriente
elctrica a travs de l pero en un solo sentido.

La flecha del smbolo del diodo indica la direccin en la cual fluye la corriente
elctrica.
Se clasifican en diodos NP y PN, los cuales se forman de la siguiente manera: se
unen los dos materiales y los electrones as como los huecos en la regin de la
unin se combinan, esto da como consecuencia una falta de portadores en la
regin cercana a la unin (regin de agotamiento). Esto trae como consecuencia
que los electrones de la zona N pasan a la zona P (dependiendo del diodo) y los
huecos de la zona P pasan a la N, es decir, uno de los electrones que pasa por la
unin, se recombina con un hueco apareciendo as una carga negativa y al pasar el
hueco de una zona a otra, se provoca un defecto de carga positiva en una de las
zonas, con lo que tambin aparece una carga negativa.
Los transistores son aquellos elementos que han facilitado el diseo de circuitos
electrnicos de tamao reducido. Tienen dos funciones, dejar pasar o cortar
seales elctricas, o amplifica las seales.
Actualmente, los podemos encontrar en los artculos de la vida diaria, tales como
televisores, computadoras, celulares, lmparas, etc. Dividindose en transistores
PNP y NPN.

30

BIBLIOGRAFA

Electrnica Teora de Circuitos Boylestad Robert L., 6 Edicin, Editorial Pearson

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php
http://www.simbologia-electronica.com/simbolos-electricos-electronicos/simbolosdiodos.htm
http://www.reocities.com/Paris/villa/4896/capit3/cap3_gral.htm
http://funcion-de-transistores.blogspot.mx/

31