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Conceitos
Montagem de circuitos simples, familiarizao com os instrumentos de medida,
dispositivos hmicos e no-hmicos.
Introduo
A resistncia (R) de um dispositivo eletrnico definida pela relao V R I , onde
V a diferena de potencial entre os bornes do dispositivo e I a corrente passando por ele.
Quando a resistncia constante, esta relao a Lei de Ohm. Dispositivos que obedecem
Lei de Ohm, como os resistores, so ditos hmicos (ou lineares). Outros dispositivos, tais como
o diodo, apresentam resistncia eltrica dependente do potencial aplicado. Estes dispositivos
so ditos no-lineares (ou no-hmicos).
Resistores so dispositivos condutores, de resistncia especificada, utilizados em
circuitos eltricos para controlar a corrente ou para transformar a energia eltrica em calor. Os
tipos de resistor mais usados so os resistores de carvo, resistores de filme metlico e carvo
e resistores de fio (nquel-cromo) enrolado, que diferem quanto ao elemento de resistncia.
(Tarefa: faa uma pesquisa sobre a construo de cada tipo de resistor).
Existem vrios tipos de diodos. Os mais comuns so fabricados com silcio cristalino,
como o diodo a ser estudado neste experimento. O silcio um semicondutor, termo que
identifica o nvel de condutividade para diferenci-lo dos metais e dos isolantes. A
condutividade dos metais ordens de grandeza maior do que a dos semicondutores. J os
isolantes apresentam resistividades vrias ordens de grandeza maiores que as dos
semicondutores. Entretanto, a caracterizao de um material semicondutor no dada apenas
pela sua condutividade. A caracterstica fundamental de um semicondutor possuir o que
chamamos de banda proibida, que uma regio (em energia) que os eltrons no podem
ocupar. Isto permite criarmos uma barreira de potencial para os eltrons (como a juno p-n)
ao unirmos dois semicondutores com diferentes nveis de dopagem (outra caracterstica dos
semicondutores). O estudo detalhado deste tema est alm dos propsitos deste
experimento.
A barreira de potencial fica localizada no interior do dispositivo, e os eltrons precisam
ultrapassar esta barreira para que a corrente possa passar. Podemos imaginar os eltrons
como sendo carros, e uma montanha como sendo a barreira de potencial. fcil descer a
serra, mas energia extra necessria para subir. No diodo, h um sentido direto de passagem
fcil de corrente e um sentido inverso que bloqueia a corrente.
Na verdade a situao bem mais complicada e envolve a conduo de dois tipos de
portadores: os eltrons e os buracos. No caso do diodo, ao polarizarmos no sentido direto ele
conduz corrente de maneira exponencial em funo da tenso aplicada. Para altas
polarizaes, a expresso para a corrente da forma:
(1)
I = Io exp(qV/kT)
(a)
(b)
(a)
(b)
Figura 2. Circuitos para medida de Rx.
(a)
(b)
Figura 3. Circuitos para caracterizao do diodo.
(c)
5. Varie a tenso da fonte para obter tenso no diodo entre 0 e 0,75 Volts, e mea a corrente e
a tenso no diodo. Obtenha ~ 15 pontos de corrente versus tenso. Ateno: MUITO CUIDADO
para no danificar os multmetros ao utilizar o diodo no sentido direto. Sempre comece as
medidas a partir das maiores escalas. No ultrapasse 300 mA de corrente.
6. Monte o circuito (b) da figura acima, de polarizao reversa do diodo. Anote ~4 valores de
tenso entre 0 e 5 Volts.
7. Monte o circuito (c) da figura acima, de polarizao reversa do diodo. Utilize o multmetro
na menor escala de corrente (600 A).
8. Varie a tenso no diodo entre 0 e 15 Volts, e mea a corrente correspondente. Obtenha ~ 10
pontos de corrente versus tenso.
Bibliografia
Halliday D.; Renick R.; Walker, J. Fundamentos de Fsica vol. 3.
Burian Jr., Y; Lyra, A.C.C. Circuitos Eltricos.
Gussow M., Eletricidade Bsica.
Lima Jr., A.W., Eletricidade e Eletrnica Bsica.