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MOSFET
Lucas Modesto da Costa

Instituto de Fsica - DFGE - USP
12 de dezembro de 2008
1 / 36

Introducao
Transistores
Descoberta
Tipos de Transistores
MOSFET
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Circuitos Integrados
Introducao
2 / 36
Transistores
Introducao
Transistores
Descoberta
MOSFET
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
3 / 36
Descoberta
Introducao
Transistores
Descoberta
MOSFET
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Princpio basico
proposto na decada
de 30 por Lilienfeld e Heil;
Bell Telephone em 1947 por Brattain e Bardeen;
Propriedades de superfcie de germanio

com contatos metalicos
retificadores;
as
Em Dezembro do mesmo ano, anunciam o transistor, porem
eram bem frageis;
primeiras versoes
W. Shockley em 1948 publica um trabalho teorico

propondo o
transistor de juncao;
Premio
Nobel em 1956 para Shockley, Brattain e Bardeen.
4 / 36
Introducao
Transistores
Descoberta
MOSFET
Metodos
de Producao
divididos em:
Basicamente, os transistores estao
1.
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistor bipolar de juncao:

controle a partir da corrente de entrada
pnp;
npn;
2.
Transistor de efeito de campo:

de entrada
controle a partir da tensao
juncao;
metal-semicondutor;
porta isolada.
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MOSFET
Introducao
Transistores
Descoberta
MOSFET
Metodos
de Producao
O que significa essa palavra?
MOS - Metal-Oxide-Semicondutor;
FET - Field Effect Transistor.
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Uso de terminais eletricos,

sendo substitudo por polisilcio.
Terminal porta isolado do semicondutor por uma camada de um
oxido
do proprio
semicondutor (SiO2 ).
de entrada gera um campo num capacitor, formado
A tensao
pelo contato metalico

da porta e pelo semicondutor do canal,
separados por uma camada isolante.
Alta impedancia
de entrada.
6 / 36

Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Metodos
de Producao
7 / 36
Metodos
de Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
convencional;
Difusao
Fotoresitencia;
a vacuo.
Evaporacao
Resultados
Experimentais
Fotolitografia;
ionica;
Implantacao
Corrosao;
Epitaxia;
Deposicao;
Termica.
Oxidacao
8 / 36
- Preparando o substrato
Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Substrato p
9 / 36
- Adicao
do isolante
Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
xido (SiO2)
Resultados
Experimentais
10 / 36
- Fotolitografia
Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Luz Ultravioleta
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Mscara
p
Resina
Fotoresistiva
11 / 36
- Difusao
de impurezas
Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
n+
p
12 / 36
- Contatos metalicos
Producao
Introducao
Metodos
de Producao
Metodos
de Producao
Fonte
Como Funciona?
Ponte
Dreno
SiO2
Resultados
Experimentais
n+
n+
Camada de
inverso
13 / 36

Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
Como Funciona?
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
14 / 36
Para VP < 0 e VF D = 0
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
F
n
P
+
D
n
Acumulacao
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
15 / 36
Para 0 < VP < VC e VF D = 0
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
F
n
P
+
D
n
Deplecao
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
16 / 36
Para VP > VC e VF D = 0
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
F
n
P
+
D
n
Inversao
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
17 / 36
Para VP > VC e VF D < VP VC
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
F
n
P
+
D
n
p
Trodo
Regiao
2
VF D
ox W
(VP VC ) VF D
Id =
LTox
2
18 / 36
Para VP > VC e VF D = VP VC
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
F
n
D
n
p
trodo - saturacao
Transicao
pinch-off (pincamento)
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
19 / 36
Para VP > VC e VF D > VP VC
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
F
n
P
+
D
n
p
de Saturacao
Regiao
ox W
(VP VC )2
Id =
2LTox
20 / 36
Capacitor
Introducao
Queda do Potencial:
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
no isolante (Vi );
no semicondutor (Vs ).
V = Vi + Vs
Cargas no capacitor:
na superfcie do metal (Qm );

na superfcie do semicondutor (Qs ).
Q = Qs = Qm > 0
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
21 / 36
Capacitor
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Q
,
Vi =
Ci
A
Ci = i
d
Qs = Q = eNa LA
Comprimento da camada l
l=
2s Vs
eNa
1/2
em funcao
de l
Tensao
eNa 2
eNa d
l+
l
V =
i
2s
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
l. Quando V > Vc , teremos

Gerada a camada de deplecao
crescimento da carga de inversao.

22 / 36
Crtica
Tensao
Introducao
Crtica no caso ideal:

Tensao
Metodos
de Producao
Qd
Vc =
+ 2F
Ci
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
Crtica no caso geral:

Tensao
Vc =
Qd
Qo x
+ 2F + ms
Ci
Ci
trabalho ;
Funcao
maxima;
Qd carga de deplecao
crtica, deve-se fazer a
Para obter uma pequena tensao
capacitancia
Ci maior possvel.
23 / 36

Esquema de ligacao
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
ID RS
bbbbbbbbbbbb
aaaaaaaaaaaa
aaaaaaaaaaaa
bbbbbbbbbbbb
RD
ID
L
bbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbb
aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa
aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa
bbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbbb
a a a a a a a a a a a a a a a a a a
a a a a a a a a a a a a a a a a a
DZ
L
Z=0
Z=L
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
24 / 36

Condutividade do eletron
Introducao
VG V (z)
Eox =
Tox
ox
[VG V (z)]
c (z) = ox Eox (z) =
Tox
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
de corrente:
Condicao
ox
{[VG V (z)] VP }, seVG V (z) > VP
m (z) =
Tox
m (z) = 0,
seVG V (z) VP
Condutancia:
G(z) =
m (z)W
z
25 / 36

Condutividade do eletron
Introducao
Pela Lei de Ohm:
Metodos
de Producao
V
Id = G(z)V = m (z)W
z
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
Integrando sobre a largura do canal:
Id
ox W
=
LTox
VD
[VG V (z) VP ]dV
VS
Finalmente:
2
ox W
2
1
Id =
(VG VP ) (VD VS ) 2 VD VS
LTox
26 / 36
Tipos de MOSFET
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Para VP < 0 e
VF D = 0
Para
0 < VP < VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D = 0
Para VP > VC e
VF D < VP VC
Para VP > VC e
VF D = VP VC
Para VP > VC e
VF D > VP VC
Capacitor
Crtica
Tensao
Esquema de ligacao
Condutividade do
eletron
Condutividade do
eletron
Tipos de MOSFET
Resultados
Experimentais
27 / 36

Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Resultados
Experimentais
Dispositivos
Resultados Experimentais
28 / 36
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Resultados
Experimentais
Comprimento L = 12, 7m;

Largura W = 127m;
Espessura Tox = 1000A;

de pinch-off 2V .
Tensao
Dispositivo fabricado com 5ohm cm silcio tipo p.
Dispositivos
29 / 36
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Resultados
Experimentais
Dispositivos
30 / 36
Dispositivos
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Resultados
Experimentais
Dispositivos
2200 transistores por polegada
quadrada;
a saturacao;
Corrente apos
de ShockFalha da condicao
ley;
Multiplicacao
dos
Carregadores de alto campo;
Equilbrio termico
entre os terminais.
31 / 36

Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistores por
processador
Agradecimentos
32 / 36
Introducao
Metodos
de Producao
Formado por transistores, diodos, resistores e capacitores;

Fabricados na mesma pastilha de semicondutor e interligados
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistores por
por filmes metalicos;

1958, Jack Kilby produz o primeiro circuito integrado ganhando o
nobel de fsica no ano 2000.
Lei de Moore.
processador
Agradecimentos
Tipos de CI:
Analogicos:
amplificadores, reguladores de voltagem e chaves.
Digitais: microprocessadores e memorias
Sobre as memorias
Atualmente usa-se transistores do tipo MOSFET, no qual o capacitor

carregado representa o bit 1 e o descarregado representa o bit 0.
33 / 36
Introducao
Metodos
de Producao
O mais novo processador da Intel usa um composto com hafnio

como elemento isolante.
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistores por
processador
Agradecimentos
34 / 36
Transistores por processador
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistores por
processador
Agradecimentos
Intel 4004
Intel 80286
Intel 80486
Pentium III
AMD K7
Core 2 Duo
Cell
GT200
2 300
134 000
1 200 000
9 500 000
22 000 000
291 000 000
241 000 000
1 400 000 000
1971
1982
1989
1999
1999
2006
2006
2008
Intel
Intel
Intel
Intel
AMD
Intel
Sony/IBM/Toshiba
NVIDIA
35 / 36
Agradecimentos
Introducao
Metodos
de Producao
Como Funciona?
Resultados
Experimentais
Transistores por
processador
Agradecimentos
OBRIGADO A TODOS
36 / 36

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Propriedades de superfcie de germanio

W. Shockley em 1948 publica um trabalho teorico

Transistor bipolar de juncao:

Transistor de efeito de campo:

O que significa essa palavra?

Uso de terminais eletricos,

pelo contato metalico

Para 0 < VP < VC e VF D = 0

Para VP > VC e VF D < VP VC

Para VP > VC e VF D > VP VC

na superfcie do metal (Qm );

l. Quando V > Vc , teremos

crescimento da carga de inversao.

Crtica no caso ideal:

Crtica no caso geral:

Pela Lei de Ohm:

Integrando sobre a largura do canal:

[VG V (z) VP ]dV

Comprimento L = 12, 7m;

Espessura Tox = 1000A;

2200 transistores por polegada

Formado por transistores, diodos, resistores e capacitores;

por filmes metalicos;

Digitais: microprocessadores e memorias

Atualmente usa-se transistores do tipo MOSFET, no qual o capacitor

O mais novo processador da Intel usa um composto com hafnio

Transistores por processador

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