Caractersticas de los Diodos.

Las caractersticas especificaciones de los elementos semiconductores son

proporcionados normalmente por los fabricantes en dos formas: Una es una
descripcin muy breve del dispositivo la cual permite una revisin muy rpida
de los elementos disponibles en unas pocas pginas; la segunda hace un
examen completo del dispositivo, donde se incluyen grficas, aplicaciones,
caractersticas tcnicas, etc.
A continuacin nombraremos algunas de las especificaciones ms importantes
a tener en cuenta para una buena operacin de estos elementos:

PIV = Voltaje Inverso Pico o Voltaje Inverso de Ruptura: Es el mximo

Voltaje Pico o de alterna que se le puede aplicar a un diodo cuando est
polarizado inversamente.

I f ( MAX ) = Forward Current o Corriente Directa.

V f ( MAX) =Forward Voltaje Drop o Voltaje de Cada Directo: Es la cada
de tensin que produce la resistencia interna del diodo cuando est polarizado
directamente para el silicio = 0.7V, y para el Germanio = 0.3V.

I R (MAX ) = Reverse Leakage Current o Corriente Inversa de escape o

de saturacin: Es la que circula a travs del diodo cuando esta polarizado
inversamente.

V R =Rupture voltaje o voltaje de Ruptura: Es el mximo valor de voltaje

que se le debe aplicar al diodo para no daarlo as sea en polarizacin directa o
inversa.

Curva Caracterstica del Diodo

En la figura se representa esquemticamente las curvas caractersticas de los
diodos semiconductores de Silicio y Germanio donde podemos observar el
comportamiento de la corriente y el voltaje cuando est polarizado directa o
inversamente.
Resumen
1. En polarizacin directa solamente son necesarias unas pocas centsimas de
voltaje para originar aumentos de corriente considerables

2. En polarizacin inversa corrientes muy significantes se originan por cambios

grandes del voltaje hasta el punto en el cual se alcanza el valor del voltaje de
ruptura.
3. Tan pronto se sobrepasa el voltaje de ruptura, la corriente se incrementa
considerablemente en polarizacin inversa hasta alcanzar el punto ce mxima
disipacin de potencia la cual es destructiva para el diodo.

4. Ya sea en polarizacin directa o inversa el diodo se daa si se sobrepasa el

valor de mxima disipacin de potencia

Circuitos Equivalentes.
Un modelo es la representacin de un dispositivo que puede ser en forma
matemtica o grfica, la cual describe su comportamiento frente a ciertas
condiciones establecidas; y el diodo puede ser representado en estas formas.

Existen 3 modelos utilizados comnmente para representar el comportamiento

del diodo:
1. Primera aproximacin (el diodo ideal).
Con base en la curva caracterstica del diodo, la cual describe una curva
exponencial creciente se aproxima a una vertical que pasa por el origen
de coordenadas cartesianas. Esta primera aproximacin es muy
importante y til pues permite considerar al diodo como un interruptor
Neto, el cual en el momento de encontrarse en la zona de conduccin
puede ser considerado como un corto circuito puro.

Curva caracterstica del diodo Primera aproximacin

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose

dependiendo si esta en polarizacin inversa o directa respectivamente.

2. Segunda aproximacin
En ste segundo caso se tiene en cuenta la cada de voltaje en el diodo
que dependiendo si es de Silicio o de Germanio puede ser de 0,7V o 0,3V
respectivamente. Se aplica la misma consideracin anterior

aproximando la exponencial a una vertical iniciando en 0,7 V por el eje X

(este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, si fuera de
germanio se tomara el valor de 0,3 V).

Curva caracterstica del diodo Segunda aproximacin

Polarizacin directa
Polarizacin inversa

La segunda aproximacin es una de las ms recomendadas a la hora de

realizar clculos para diseos y anlisis de circuitos utilizando diodos.

3. Tercera aproximacin.
En sta tercera aproximacin se tiene en cuenta no solamente la cada
de tensin en el diodo sino tambin el valor de resistencia ofrecida por

ste dispositivo a la hora de encontrarse en la zona de conduccin. La

curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

Curva caracterstica del diodo Tercera aproximacin

El anlisis es muy semejante a los casos anteriores, presentndose la

diferencia significativa cuando el diodo se encuentra polarizado directamente:

Observemos que en sta tercera aproximacin realmente no es muy utilizada

debido a que el error que se comete, con respecto a la segunda aproximacin,
es mnimo, prcticamente despreciable. Por tal razn para efectos prcticos se
recomienda utilizar la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en
algn caso especial en el cual sea requerido.

CONCLUSIONES

El cambio de las terminales de medicin del multimetro hace que el

diodo se polarice inversamente, ya que al seleccionar resistencia hmica
en el multimetro,este funciona como una fuente DC o de batera (en
realidad es una batera interna la que se conecta en el circuito) y hace
posible la comprobacin del estado del diodo.

En la polarizacin inversa del diodo, el multimetro (digital) no marca

nada, es como que si se est midiendo un circuito abierto.

Comparando los resultados de la tabla 1 se llega a la conclusin de que

el diodo de germanio es el que menos voltaje necesita para cada
corriente, al contrario el silicio necesita mas voltaje para alcanzar la
misma corriente que el diodo de germanio.

Para ambos diodos en polarizacin inversa no hay paso de corriente o

sea que la corriente es 0A, lo que significa que las teoras estudiadas
estn correctas y el diodo se puede considerar como un circuito abierto
en ese momento.

Bibliografa

http://datateca.unad.edu.co/contenidos/203532/exelearning/Modulo/leccin_4dio
dos_de_silicio_y_germnio.html

https://www.academia.edu/7277748/CARACTER
%C3%8DSTICAS_DE_LOS_DIODOS_SEMICONDUCTORES

http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/caracteristicasdiodos.htm

https://www.academia.edu/7851766/Informe_de_laboratorio_electronica_CARAC
TERISTICAS_DEL_DIODO