31/03/2015

SemicondutorWikipdia,aenciclopdialivre

Semicondutor
Origem:Wikipdia,aenciclopdialivre.

Semicondutoressoslidosgeralmentecristalinosdecondutividadeeltricaintermediriaentre
condutoreseisolantes.Ossemicondutoressoemmuitopontossemelhantesaosmateriaiscermicos,
podendoserconsideradoscomoumasubclassedacermica.
Seuempregoimportantenafabricaodecomponenteseletrnicostaiscomodiodos,transstorese
outrosdediversosgrausdecomplexidadetecnolgica,microprocessadores,enanocircuitosusadosem
nanotecnologia.Portantoatualmenteoelementosemicondutorprimordialnaindstriaeletrnicae
confecodeseuscomponentes.

ndice
1Introduo
2Histria
3SemicondutoresIntrnsecos
4SemicondutoresExtrnsecos
5DistribuioQunticadosEletres
6MecanismosdeConduo
7SemicondutoresCompostos
8Vertambm
9Referncias

Introduo
Deumamaneirageral,semicondutoressoslidosnosquaistemperaturade0K(zeroKelvin)ou
(273,15C)seuseltronspreenchemtodososestadosdisponveisnabandadevalncia.
Umfactoconhecidonafsicadoestadoslidoqueacondutividadeeltricadevidasomenteaos
eltronsembandasparcialmentecheias.Portantoacondutividadedossemicondutorestemperatura
ambientecausadapelaexcitaodeunspoucoseltronsdabandadevalnciaparaabandade
conduo.Aquantidadedeenergianecessriaparatirarumeltrondabandadevalnciae'libertlo'na
bandadeconduoquedeterminaseumslidoserumcondutor,semicondutorouisolante.Paraum
semicondutor,peladefinioestaenergiaabaixodos4.5eV(eltronvolt),paraisolantesestaenergia
apartirdessevalor.Noscondutoresexistemsemprebandasdeenergiasemipreenchidas,portantono
existeumaquantidademnimadeenergianecessriaparase'libertar'seuseltrons.
Nossemicondutoresacondutividadenocausadaapenaspeloseltronsqueconseguirampularparaa
bandadeconduo.Osburacostambmchamadosdelacunasqueelesdeixaramnabandadeconduo
tambmdocontribuioimportante.Toimportantequeesteburacossotratadoscomopartculas
normaiscomcargapositiva,opostadoeltron,e

Histria
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MichaelFaraday,em1833,apercebeusedequearesistnciadoSulfidodePratadesciacoma
temperatura,oefeitocontrrioaoesperadocomoutrosmateriais.1
Em1874,Braundescobriuoefeitosemicondutoremalgunssulfetosmetlicos.Osprimeiroselementos
estudadosforamosulfetodechumboeosulfetodeferro.Em1878e1879DavidE.Hughesiniciou
pesquisasnoefeitosemicondutor,aprincpiocomocuriosidade,poisfoipercebidoaoacasopelo
cientista.
EmboraHughesnoconhecesseotrabalhodeJamesClerkMaxwell,descobriuumamaneiradeemitir
ondaseletromagnticasapartirdesemicondutores.Emfunodesuasexperinciasacabouporinventar
odetectoreletromagnticoporefeitosemicondutivo,odiodo.
Em1929,WalterSchottky,confirmouexperimentalmenteaexistnciadeumabarreiradepotncial
numajunoMetalSemicondutor.1(Heterojuno,diododeSchottky)

SemicondutoresIntrnsecos
Ossemicondutoresso,quandointrnsecos,(semdopagem,apenascomtomosdosemicondutorbase),
atemperaturasmuitobaixas,excelentesisolantes,pois,possuemnasuacomposiotipicamenteum
elementooucombinaodeelementosquelhesconfiramumaestruturacovalentecomtodosos
orbitaiseletrnicosligantesdetodosostomossemprecompletos.Nohportalportadoresdecarga
eltricaestruturalmentelivresquandopuros.QuimicamenteviveishossemicondutoresdogrupoIV
(vertabelaperidica),comoosdegermnicoou,comvantagenstemperaturaambiente,osdesilcio
dogrupoIIIV,comdestaqueparaoarsenetodeglio,nitretodeglio,sulfetodecdmio,arsenetode
ndio,ecertamenteoutroscomestequiometriasmaissofisticadas.Oselementosnocompostodevem
aparecersempredispostosemestruturacristalinasemfalhasouimperfeies,oquejustificaoemprego
detcnicasdeproduoelaboradaseespecialmentedesenvolvidasparagarantirtalsimetria.
Paraestetipodematerialtemperaturade0K,abandadevalnciaestcompletamentepreenchidaea
deconduovazia,logo,mesmoquandoaplicadoumcampoeltricoaomaterial,noexistecorrente
eltrica.
Paratemperaturasdiferentesdozeroabsoluto,oseletresdabandadevalnciatmenergiasuficiente
paratransitaremparaabandadeconduo.Quandoistoocorre,geraseumportadordecargaoposta
doeletrooburaco(lacuna).Estefenmenoaconteceparaumacertatemperaturacomumritmo,
chamadoRitmodeGeraoTrmica.QueemequilibriotermodinmicoigualaoRitmode
Recombinao,queofenmenocontrrio,ondeumeletrolibertaenergiaeregressabandade
valncia.
Adensidadedeeletres(n)eburacos(p)nestesmateriais,soiguaise,aumacertatemperatura,
designadadensidadeintrnsecadomaterial.
Algunsvalorestpicos:
Semicondutor
Si

1.02x1016

Ge

2.33x1019

GaAs

2.1x1012

Semicondutores
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SemicondutorIntrinseco
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Extrnsecos
Osmateriaissemicondutorespodemsertratadosquimicamente
dediferentesmaneirasdeformaaalteraremassuas
caracteristicas.Acombinaodesemicondutorescomdiferentes
tiposdedopagensfazemergirpropriedadeseltricasno
observveisquandoseparados,propriedadesmuitoteis
sobretudonocontrolodecorrenteseltricas.
Adopagemfeitautilizandoseelementosdiferentesdosque
integramaredesemicondutora,usualmenteoselementosda
colunaIII(parasemicondutorestipoP)oudacolunaV(para
semicondutorestipoN).contudotambmcomumoemprego
deelementosdeoutrascolunas,inclusoacolunaIV,tantoparaa
obtenodesemicondutoresdotipoPcomodotipoN.

SiliciodopadocomFsforo

Casootipodeimpurezasdopantessejadadora,isto,temeletresdevalncia"dispostos"asairemda
suaorbital,otipodosemicondutorN.Istoacontecepoisosemicondutorvaiterumexcessodeeletres
faceaonmerodeburacos(cargasportadorasdesinalcontrrioaodoseletres).Oexcessodeeletres
ocorredevidoproximidadedabandadeenergiamaisaltadaimpurezabandadeconduodo
semicondutor.Quandoomaterialdopanteadicionado,esteaportaseuseltronsmaisfracamente
ligadosaostomosdosemicondutor.Estetipodeagentedopantetambmconhecidocomomaterial
doadorjquecedeumdeseuseltronsaosemicondutor.OpropsitodadopagemtipoNodeproduzir
abundnciadeeltronslivresnomaterial
Anlogamenteocorrecasoaimpurezasejaaceitador,isto,comasorbitaissemipreenchidas,capazes
deaceitareletres.Irnestecasoocorrerumexcessodeburacosfaceaonmerodeeletres,poisparte
destesemvezdeserecombinaremcomosburacos,foramaceitadospelasimpurezas.Nestecasotipo
P.OpropsitodadopagemtipoPcriarabundnciadelacunas.Porexemplo,umaimpureza
trivalentedeixaumaligaocovalenteincompleta,fazendoque,umdostomosvizinhoscedalheum
eltroncompletandoassimassuasquatroligaes.Assimosdopantescriamaslacunas.Cadalacuna
estassociadacomumonprximocarregadonegativamente,
portantoosemicondutormantmseeletricamenteneutro.Entretantoquandocadalacunasemovepela
rede,umprtondotomosituadonaposiodalacunasev"exposto"elogosevequilibradoporum
eltron.Porestarazoumalacunacomportasecomoumacargapositiva.Quandoumnmerosuficiente
deaceitadoresdecargasoadicionados,aslacunassuperamamplamenteaexcitaotrmicados
eltrons.Assim,aslacunassoosportadoresmajoritrios,enquantooseltronssoosportadores
minoritriosnosmateriaistipoP.
Ossemicondutores(nodegenerados)tipoNtmoniveldeFermimaisprximodabandadeconduo,
enquantoqueostipoP,tmoniveldeFermimaisprximodabandadevalncia

DistribuioQunticadosEletres
Oseletresenquantoparticulasqunticasobedecemadoispostulados.
PrincipiodeExclusodePauli
PrincipiodaIndiscernibilidade
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Comotal,possveldescreveradistribuiodeeletrespelosestadosquanticosdeenergiaW
disponiveisatravsdafunodeFermiDirac.
,
Com aenergiadoestadoqunticoaconsiderar,
constantedeBoltzmann.

,aenergiadeFermi, ,atemperaturae ,a

Estafunocomcontradominiode0a1,indicaograudepreenchimentoquelaenergiaporpartedos
eletres.
EnergiadeFermidefinesecomo:

Afunodedensidadede
estadosdeenergia2nabanda
deconduodadapela
expresso:

DiagramadeBandas

com,

Onde, ,aconstantedePlanck,
conduo.

,amassaeficazdoeletro,

,energiamnimadabandade

Adensidadeemvolumedeeletresrelacionasecomoprodutodestasduasfunes,aprimeiraindicaa
probabilidadedeencontrarumeletronumcertoestadoqunticoeasegunda,adensidadedeestadosa
umacertaenergia.Ento:

MecanismosdeConduo
Tantoeletrescomoburacossoresponsveispelomovimentodecargas.Noprocessodemovimento
destasparticulasnumsemicondutor,naausnciadeforasexteriores,consideraseummovimento
aleatrio,sendoovalordevelocidademdiadestasparticulasnulo,logonoexistecorrenteeltrica.
Masquandoaplicadoumcampoeltrico,apareceumafora,quealteraocomportamentocintico

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daspartculas,ficandoseagoracomummovimentonocompletamentealeatrio,massimorientadono
sentidodaslinhasdocampoeltrico,nocasodosburacos,ouorientadonosentidooposto,nocasodos
eletres.
Definindomobilidadedoseletrescomo
paraacondutividadedosemicondutor.

Com omdulodacargadoeletroe

emobilidadedosburacoscomo

,temseumaformula

asdensidadesdeeletresedeburacosrespetivamente.

SemicondutoresCompostos
Existemvriostiposdesemicondutorescompostos,binrios,ternriosequaternrios.
OssemicondutoresbinriosmaisusuaissogeralmentefeitoscomdoiselementosdogrupoIV,oucomo
combinaoentredoiselementosdosgruposIIIeV,ouIIeVI.
Osternriosobtmseatravsdacombinaodedoisbinrioscomumelementoemcomum,eosoutros
doispertencendoaomesmogrupodaTabelaPeridica.Respeitandoafrmula:
com entre0e1equetemsignificadodeconcentraorelativado
elemento.
Porsuavez,oscompostosquaternrios,sofeitosapartirdacombinaode4compostosbinrios.De
maneiraanlogaaosternrios:

Asaplicaesdossemicondutorescompostossovariadas,taiscomoemLASEReoutrosdispositivos
optoeletrnicos.

Vertambm
Condutor
Diodo
Isolante
LED
Transistor
JunoPN
EfeitodeHall
Termstor
AWikipdiapossuioportal:

Referncias
BAPTISTA,FERNANDES,PEREIRA,PAISANA,Antnio,Carlos,Jorge,
Jos.FundamentosdeEletrnica.[S.l.]:LIDEL,2012.p.26.
ISBN9789727578726

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PortaldeFsica

AWikipdiapossuioportal:
Portaldeeletrnica
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1. LidiaukasiakeAndrzejJakubowski(2010).Historyof
Semiconductors
(http://www.nit.eu/czasopisma/JTIT/2010/1/3.pdf).Visitadoem30/12/2014.
2. BartJ.VanZeghbroeck(1996).Carrierdensityandthefermienergy
(http://ecee.colorado.edu/~bart/book/carriers.htm).Visitadoem12/2014.
Obtidade"http://pt.wikipedia.org/w/index.php?title=Semicondutor&oldid=41644600"
Categorias: Componenteseletrnicos Semicondutores Eletromagnetismo
Estapginafoimodificadapelaltimavez(s)00h47minde20demarode2015.
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