ESCOLA BAHIANA DE CINCIA E TECNOLOGIA

Disciplina: Eletrnica Geral

Professor: Lourival Filho

Transformadores

Introduo.
O transformador um dispositivo que converte a energia eltrica de um nvel de tenso
e corrente a outro. O transformador est baseado no principio de que a energia eltrica
se pode transportar de uma bobina para outra por meio de induo eletromagntica.
A bobina em que aplicamos a tenso alternada que queremos transformar chamada de
enrolamento primrio e a bobina onde se obtm a tenso alternada j transformada
chamada de enrolamento secundrio.
1o- Funces do transformador.
1.1- Reduo de tenso
1.2Amplificao de tenso.
2o-Estrutura bsica e smbolos.

3o-Testes e defeitos em transformadores.

3.1-Teste de Continuidade .
Verificao com multmetro (analgico ou digital) se est bom, aberto e em curto.

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Os testes so feitos nos dois plos do primrio , bem como, no secundrio e os

resultados devem ser interpretados da seguinte forma:
a) R = Baixas (50 a 1000) Transformador bom.
b) R = >1000 a - Aberto.
c) R = Prximo de zero ou zero = Curto.
Obs: Com o multmetro digital, usa-se a escala de continuidade (diodo)
3.2 Teste de Isolamento.
Teste efetivado para se verificar se o transformador est com o seu isolamento em
perfeito estado.

O teste feito tocando com uma das ponteiras(qualquer uma) em um dos fios que
existem no primrio e no secundrio, e com a outra na carcaa do transformador ,
conforme visto acima.
Interpretao:
R = transformador Bom.
Valores diferentes de infinito indicam que est havendo vazamento de corrente.
3.3- Identificao dos enrolamentos.

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3.3.1 Teste no primrio.

Com o neutro(zero) identificado multmetro na escala X1, toca-se com uma das
ponteiras nele (qualquer uma) a outra ponteira toca-se nos outros fios, um de cada vez
aquele que apresentar o maior valor o terminal de 220 V o menor o terminal de
110Volts.
3.3.2 Teste no secundrio.
Observamos neste teste o seguinte:
Quando colocamos as ponteiras, uma na CT (Terminal central) e a outra em qualquer
um dos outros dois plos obtemos no multmetro escala X1, um valor em torno de 1.
Este teste indica onde est a CT.
Por outro lado quando conectamos os outros dois plos que no seja a CT o valor no
multmetro apresenta um valor prximo em torno de 2 o que indica que estes so os
plos de sada de tenso e no a CT.

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Diodos.
Antes de entrarmos no assunto propriamente dito, necessrio fazermos algumas
consideraes sobre o material de que so feitos alguns importantssimos componentes
eletrnicos, tais como: diodos e transistores entre outros; este material conhecido
como semicondutor.
1o-Materiais Semicondutores.
Existem na natureza materiais que podem conduzir a corrente eltrica com facilidade: os
metais-Ex: cobre, alumnio, ferro etc.
Materiais que no permitem a passagem da corrente eltrica, pois o portador de
carga(eltrons), no tem mobilidade neles.So os isolantes. Ex.: mica, borracha,vidro
plsticos etc.
Em um grupo intermedirio, situado entre condutores e os isolantes esto os
semicondutores, que no so nem bons condutores e nem chega a ser isolantes.
Destacamos entre os semicondutores, pois sero alvos deste estudo o silcio(Si) e o
germnio(Ge). Existem outros elementos semicondutores tambm importantes para
eletrnica
So eles o selnio(Se), o Glio(Ga) etc.
As principal caracterstica que interessa no caso do Silcio e do Germnio que estes
elementos possuem tomos com 4 eltrons na sua ltima camada e que eles se dispe
numa estrutura geomtrica e ordenada.
O silcio e o germnio formam cristais onde os tomos se unem compartilhando os
eltrons da ltima camada.
Sabemos da qumica que os tomos de diversos elementos tm uma tendncia natural
em obter o equilbrio, quando sua ltima camada adquire o nmero mximo de 8
eltrons.
Desta forma formam, tanto o silcio quanto o germnio formam cristais quando os seus
tomos um ao lado do outro compartilham os eltrons havendo sempre 8 deles em torno
de cada ncleo, o que resulta num equilbrio bastante estvel para estes materiais.
Veja Fig.1, a seguir:

Figura 1

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Nesta forma cristalina de grande pureza o silcio e o germnio no servem para

elaborao de dispositivos eletrnicos, mas a situao muda quando adicionamos certas
impurezasao material.
Estas impurezas consistem em tomos de algum elemento qumico que tenha na sua
ltima camada um numero diferente de 4 eltrons, e que sejam agregados a estrutura do
Germnio ou/e do silcio em propores extremamente pequenas da ordem de partes por
milho (ppm).
No nosso exemplo utilizaremos o silcio com as duas possibilidades de adio.
a)Elementos com tomos de 5 eltrons na ltima camada;
b)Elementos com tomos dotados de 3 eltrons na ltima camada.
No primeiro caso, mostrado na figura 2, a adio e utilizando o elemento arsnio (As).
Como os tomos vizinhos s podem compartilhar 8 eltrons na formao da estrutura
cristalina, sobrar um que no tendo a que se ligar, adquire mobilidade no material, e
por isso pode servir como portador de carga.

Figura 2
O resultado que a resistividade ou capacidade de conduzir a corrente se altera e o
semicondutor no caso o silcio fica, o que se chama dopado e se torna bom condutor
da corrente eltrica.
Como o transporte das cargas feito nos materiais pelos eltrons que sobram ou
eltrons livres que so cargas negativas, o material semicondutor obtido desta forma,
pela adio deste tipo de impureza, recebe o nome de Semicondutor do tipo N (Nnegativo).
Na segunda possibilidade, agregamos ao cristal de silcio uma impureza, que contm 3
eltrons na sua ltima camada, no caso o ndio (In) obtendo-se ento uma estrutura
conforme mostrada na Figura 3.

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Figura 3.
Observa-se que, no local em que se encontra o tomo de ndio no existem 8 eltrons
para serem compartilhados de modo que sobra uma vaga, que chamamos de lacuna.
Esta lacuna tambm funciona com portador de carga, pois os eltrons que queiram se
movimentar atravs do material podem saltarde lacuna para lacuna encontrando assim
um percurso com pouca resistncia.
Como os portadores de carga neste caso so lacunas, e a falta de eltrons corresponde ao
predomnio de uma carga positiva, dizemos que o material semicondutor assim obtido
do tipo P (P de positivo).
Podemos formar materiais semicondutores do tipo P e N tanto com os elementos como
o silcio e o germnio, como com alguns outros encontrados em diversas aplicaes na
eletr nica.
2o Junes PN.
Um importante dispositivo eletrnico obtido quando juntamos dois materiais
semicondutores de tipos diferentes formando entre eles uma juno semicondutora.
A juno semicondutora parte importante de diversos dispositivos como os diodos,
transistores, SCRs, circuitos intergrados, etc. Por este motivo, entender o seu
comportamento muito importante.
Supondo que tenhamos dois pedaos de materiais semicondutores, um do tipo P e o
outro do tipo N, se unimos os dois de modo a estarem num contato muito prximo,
formam uma juno, conforme se mostra na Figura 4, na sequncia.

Figura 4.
Esta juno apresenta propriedades muito importantes. Analisemos inicialmente o
ocorre na prpria juno.
No local da juno os eltrons que esto em excesso no material N e podem
movimentar-se procuram as lacunas, que esto tambm presentes no local da juno, no

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lado do material P, preenchendo-as. O resultado e que estas cargas se neutralizam e ao

mesmo tempo aparece uma certa tenso entre os dois materiais(P e N).
Esta tenso que aparece na juno consiste numa verdadeira barreira que precisa ser
vencida para que possamos fazer circular a corrente entre os dois materiais. Esta
barreira chamada de Barreira de potencial ou ainda Tenso de Limiar ou ainda Tenso
de Conduo.
Para o Germnio esta tenso de 0,2 Volts e para o Silcio de 0,7 Volts.

A estrutura indicada, com os dois materiais semicondutores P e N, forma um

componente eletrnico com propriedades eltricas bastante interessantes e que
chamado de diodo
(semicondutor).
3o Diodos.
Diodo um semicondutor formado por dois materiais de caractersticas eltricas
opostas, separados por uma rea sem carga (vazia) chamada de juno. Esta juno
que d a caracterstica do diodo.
Normalmente os diodos so feitos de cristais dopados de silcio e do germnio.

Figura 5.
Smbolo:

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Diodos Diversos:

3.1-Especificaces dos Diodos

As especificaes dos Diodos comuns so feitas em funo da corrente mxima que
podem conduzir no sentido direto, abreviado por If( o f de forward=direto), e pela
tenso mxima que podem suportar no sentido inverso, abreviada por Vr
(reverse=Inverso) e ainda segundo cdigos, da seguinte forma:
1N Cdigo americano (uma Juno);
1S Cdigo Japons;
AO = BA Cdigo europeu.

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3.2- Polarizao dos Diodos.

3.2.1-Polarizao Direta. Para polarizar um diodo ligamos o anodo ao plo positivo da
bateria, enquanto o catodo ligado ao plo negativo da mesma. Ocorre uma repulso
tanto dos portadores de carga da parte N se afastando do plo negativo da bateria, como
dos portadores de carga da parte P se afastando do plo positivo da bateria. Convergem,
tanto os portadores de N como os portadores de P, para a regio da juno.
Temos ento na regio da juno uma recombinao, j que os eltrons que chegam
passam a ocupar as lacunas que tambm so empurradaspara esta regio. O resultado
que este fenmeno abre caminho para novas cargas, tanto em P como em N, fazendo
com que as estas se dirijam para regio da juno, num processo contnuo o que
significa a circulao de uma corrente.
Esta corrente intensa, o que quer dizer que um diodo polarizado desta maneira, ou
seja, de forma direta deixa passa corrente com facilidade. Na figura 6, podemos
visualizar melhor este fenmeno.

Figura 6
3.2.2 Polarizao Inversa.-Quando invertemos a polaridade da bateria, em relao aos
semicondutores, ou seja, plo positivo da bateria ligado ao catodo (N) e o plo negativo.
Da bateria ligada ao anodo(P), o que ocorre uma atrao dos portadores de carga de N
para o plo positivo da bateria e dos portadores de P para o plo negativo da
mesma.Ocorre ento um afastamento dos portadores de N e de P da juno. O resultado
que em lugar de termos uma aproximao das cargas na regio da juno temos um o
seu afastamento, com um aumento da barreira de potencial que impede a circulao de
qualquer corrente.O material polarizado desta forma, ou seja, inversa, no deixa passar a
corrente. Veja na figura 7, como ocorre esta situao:

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Figura 7

4o Tipos de Diodos.
4.1-Diodos de silcio uso geral:- so aqueles usados em circuitos lgicos, circuitos de
proteo de transistores, polarizao etc. So fabricados para o trabalho com correntes
de pequena intensidade de no mximo 200mA e tenses que no ultrapassam 100V.
Simbologia:

Um dos diodos mais populares deste grupo o de referncia 1N4148

4.2- Diodos Retificadores.- sua funo de retificar corrente de AC para DC
pulsante.So destinada a conduo de correntes intensas e tambm operam com tenses
inversas elevadas que podem chegar 1000v ou 1200 no sentido inverso Conduzem
correntes diretas de at 1 A.
Simbologia:

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Diodos Diversos

Diodo srie IN400C

Aplicao: Uso geral em retificao de correntes e tenses.

Uma srie muito importante destes diodos a formada pelos IN4000C que comea com
o 1N4001.
Tipos
VR (tenso maxima Inverso)
IN4001
50V
IN4002
100V
IN4003
200V
IN4004
400V
IN4005
600V
IN4006
800V
IN4007
1000V
Leitura do Cdigo 1N400C
1N=cdigo americano diodo retificador de 1 juno;
C= nmeros de 1 a 7 que nos mostra a tenso mxima quando o diodo est polarizado
Inversamente=Vr = 100 a 1000V
4.3-Diodos emissores de luz Led (Light emiting diodes).-Estes diodos polarizados de
forma direta emitem luz monocromtica quando a corrente circula pela sua juno.

Cores disponveis: Amarelo, verde vermelho, laranja e azul.

Aplicaes: Controles remotos, Monitores, Indicativo de funcionamento dos
dispositivos em um Pc etc.
Tenso de funcionamento: Leds vermelhos 1,6V demais de 1,8 a 2,1V

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Indicaes de identificao- os Leds mais comuns so indicados por tipos de fabrica,

tais como as siglas TIL(TIL221 etc) da Texas Instruments, CQV (da Phillips) ou
LD(Icotron).
4.4-Fotodiodos.-so aqueles que estando polarizado inversamente a sua resistncia
hmica funo da incidncia da luz na sua juno. O resultado que se obtm a
circulao de corrente dependente da intensidade de luz incidente

Caractersticas: sensibilidade luz incidente, velocidade com que reagem as variaes

da intensidade da luz incidente.
Aplicaes: Leitura de cdigos de barras, cartes perfurados, leitura tica dos CD
Roms, e ainda, recepo da luz modulada de um laser via fibra tica.
Como extenso desta propriedade dos diodos de serem sensveis luz tambm temos os
fotodiodos sensveis a radiao nuclear que tambm atuam com polarizao inversa. O
seu smbolo igual ao dos fotodiodos e o seu aspecto igual ao tipo quadrado visto
acima em aspectos, utilizando em sua janela central a mica.
4.5- Varicap. um diodo duplo que quando polarizado inversamente apresenta uma
capacitncia a qual depende da tenso aplicada.

Aplicaes: Sintonia eletrnica de rdios Am, Fm e TV.

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4.6- Diodo Zener.- polarizado inversamente mantm a tenso do circuito constante,

mesmo que a corrente varie, ou seja, ele funciona como regulador de tenso em um
circuito.
Obs: polarizado diretamente funciona como um diodo comum.

Aplicaes: em fontes de alimentao para manter a tenso estvel e constante, alm de

estarem presentes em outras aplicaes em que se necessita tenso fixa.
Cdigo de identificao.
Uma srie de diodos que se emprega muito em projetos e aparelhos comerciais a
BZX79C da Phillips Components, formada por diodos de 400mA.
Nesta srie a tenso do diodo dada pelo prprio tipo.
Ex.:
BZX79C2V1-onde 2V1 corresponde a 2,1 V(oV substitu a virgula).
BZX79C12V- corresponde a um diodo de 12 V
5o-Retificao de corrente utilizando-se diodos.
Nas pginas anteriores j vimos como se comportam os semicondutores na sua estrutura
quando polarizamos o material P unido ao material N, formando uma juno
metalrgica.
Chamada de juno PN.
Vamos agora ver em uma linguagem prtica como isto se processa.
5.1-Polarizao do diodo.- na prtica dizemos que polarizar um componente impor
aos seus terminais potenciais ou DDP pr-definida.
5.1.1-Polarizao direta.- aquela em que o anodo (A) est mais positivo que o
catodo(K).

Nessa condio dizemos que o diodo conduz e que est diretamente polarizado ou
ainda, ON.
A tenso entre A e K idealmente est zero, porm isto no acontece na prtica, sendo
que para diodos de silcio esta tenso valer 0,7V e para diodos de germnio valer
0,2V.Esta tenso denominada de tenso de limiar ou tenso de conduo representada

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por VL. O diodo ento ser representado no esquema por uma fonte de tenso de valor
VL

5.1.2- Polarizao Inversa.-nessa condio o anodo (A) estar menos positivo que o
catodo(K) e o componente no permitir a passagem da corrente. Na realidade passa
pelo componente uma pequena corrente, da ordem de nA (nanoampre) que
desprezvel.

o componente ser representado no esquema, como um circuito aberto.

5.2-Transformadores / Tomada Central( CT-center tape).

Aqui vamos ter uma noo simples de funcionamento de um transformador.
Podemos dizer que o transformador um componente que possui quatro, ou mais
terminais, cuja funo alterar o valor do pico de uma tenso alternada, e ainda adaptar
a tenso alternada da rede para nveis predeterminados que iro alimentar um
retificador.
Representao:

:
O transformador constitudas por duas bobinas enroladas chamadas de primrio e
secundrio em um ncleo comum a ambas.Quando aplicada uma corrente alternada no
enrolamento primrio aparece em torno de sua bobina um campo magntico, cujas
linhas de fora se expandem e contraem na mesma freqncia da corrente.
O resultado que, cada vez que estas linhas de fora cortam as espiras do enrolamento
secundrio este induzido e uma tenso aparece em seus terminais.
A tenso tem a polaridade dada pelo movimento das linhas de fora de modo que ela
tambm se inverte na mesma freqncia da corrente do enrolamento primrio.
Chega-se a concluso que a tenso alternada do enrolamento secundrio do
transformador
Tem a mesma freqncia que a aplicada no enrolamento primrio. Observe figura acima
que tanto no primrio como no secundrio os sinais (+) e (-) esto nos mesmos plos.

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Importante: Quando a sinalizao do secundrio for igual ao correspondente do

primrio dizemos que o secundrio est em fase com o primrio quando a sinalizao
dos plos estiverem diferentes nos plos correspondentes, dizemos que o secundrio
est com fase invertida
Esta inverso de fase pode ser conseguida com um transformador que tenha
enrolamento duplo ou dotado de uma tomada central (CT=center tape)
5.3 Retificadores.
Os retificadores so circuitos que transformam as tenses e correntes alternadas em
tenses e correntes contnuas.
Existem trs tipos de retificadores conforme a forma de onda da tenso oferecida na
sada e o circuito de cada um.So eles:
1. Retificador de meia onda-RMO;
2. Retificador de onda completa com tomada central (Center tape)-ROCT;
3. Retificador de onda completa em ponte-ROCP.
5.3.1-Retificador de meia onda-RMO.
Em primeiro lugar vamos visualizar de uma forma geral como entra e como sai a
corrente
Nesse tipo de retificador.

Vamos agora as explicaes:

O circuito abaixo composto por um transformador comum um diodo e uma carga.
Circuito:

5.3.1.1-Semi-ciclo positivo-SCP
Observe nesse caso, que o ponto mais positivo do circuito est ligado ao anodo (A) do
diodo e este conduz.

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5.3.1.2-Semiciclo negativo-SCN.
Nesse semiciclo temos a inverso da polaridade da tenso de entrada ocasionando um
potencial negativo no anodo(A) do diodo em relao ao seu catodo(K), o que ocasiona
sua no conduo, ou seja, no h passagem de corrente, representado por um circuito
aberto.
Veja a figura a seguir:

5.3.1.3-Anlise da corrente de entrada e sada em relao aos ciclos.

Observe que confere com a figura inicial do item 5.3.1.

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Obs: a)Como vimos este tipo de retificador s permite aproveitar apenas a metade dos
semiciclos da corrente alternada sendo por isso um processo de pouco rendimento;
aproximadamente 30% da corrente alternada que entra aproveitada.
b) bom ainda observar que a corrente que sai geradas nos semiciclos positivos, se bem
que circule em um sentido nico, no uma corrente contnua pura. Ela formada por
pulsos.Este tipo de corrente chamada de Corrente contnua pulsante com a
freqncia de 60 ciclos /seg.

5.3.2 Retificador de Onda Completa com Tomada Central-ROCT.

Na figura a seguir visualizamos como entra e sai a correntes neste tipo de retificador.

Vamos as explicaes:
Este circuito apresenta dois diodos (D1 e D2) e uma tomada central (CT) de inverso de
fase.
Circuito:

5.3.2.1-Semi-ciclo positivo-SCP:

Nesse semiciclo observe que o anodo(A) do diodo D1 est ligado ao plo positivo do
secundrio do transformador e, portanto conduz. O diodo D2, no mesmo circuito neste
semiciclo est ligado a um plo negativo e neste caso abre, no conduz.
5.3.2.2- Semi-ciclo negativo-SCN.

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Neste semiciclo a tomada central inverte a fase do transformador para que o diodo D2
seja ligado a um terminal positivo e possa conduzir(observe a figura)Com esta inverso
os semiciclos negativos inverte e se tornam positivos.A inverso da fase simultnea
com a troca do semiciclo e faz com que sejam aproveitadas as ondas negativas do
semiciclo. Ao serem aproveitadas e tendo agora um s sentido no tem lgica falar em
positivo ou negativo. Estas ondas so incorporadas quelas aproveitadas no SCP
melhorando o rendimento do retificador e melhorando a qualidade da corrente
retificada.
Resumindo, neste semi-ciclo D2 estando com o seu anodo (A) ligado a um plo positivo
conduz; D1 tendo o seu anodo ligado a um plo negativo Abre.
5.3.2.3Anlise da corrente de entrada e sada em relao aos semi-ciclos.

.
Observe as ondas geradas no Semi-ciclo positivo-SCP e as ondas geradas no semi-ciclo
negativo-SCN estas ultima aproveitando as ondas negativas e invertendo-as.Observe
ainda que os espaos entre as ondas geradas no SCP devido ao corte das ondas
negativas, como visto no RMO, agora podem ser preenchidos por aquelas obtidas no
SCN quando estas ondas so recompostas. S que agora em um s sentido.Veja acima o
tipo de onda final que se obtm utilizando-se este tipo de retificador.
Observe ainda, que neste caso a distncia entre as ondas so menores (tem uma
freqncia maior, ou seja, 120 ciclos/seg.)do que no caso anterior RMO. Neste processo

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melhora-se a qualidade da onda, bem como o rendimento, (69% no caso) com o

aproveitamento das ondas negativas.Mesmo assim ainda no temos uma corrente
retificada 100% pura.Continuamos obtendo o que se chama uma corrente retificada
pulsante.
5.3.2-Retificador de Onda Completa em Ponte.-ROCP.
Na figura abaixo se visualiza, como nos outros tipos, como entra e como sai neste tipo
de retificador.

Explicaes:
Neste tipo, temos um retificador comum que utiliza para retificao uma ponte
retificadora, que um componente eletrnico com quatro diodos internos dispostos de
tal maneira a colocar dois diodos por ciclo ligados via seus anodos(A) ao plo positivo
do secundrio do transformador .Desta forma nos semiciclos positivo SCN- temos dois
diodos conduzindo e no semiciclo negativo os outros dois tambm conduzem. Neste
processo por termos 4 diodos obtemos um rendimento melhor que o ROCT ( cerca de
80%). Antes de prosseguirmos com as explicaes de funcionamento deste sistema,
mostramos nas figuras abaixo o aspecto, simbologia e esquema de uma ponte
retificadora.
Simbologia:

Circuito:

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5.3.2.1- Semiciclo Positivo-SCP

No esquema abaixo observamos que neste semiciclo positivo os diodos D1e D2
polarizam diretamente e neste caso conduzem corrente os outros dois D3 e D4
polarizados inversamente, abrem.

5.3.2.2.- Semiciclo negativo- SCN.

Nesse semiciclo (esquema abaixo) observa-se que os diodos D3 e D4 que polarizam
diretamente (veja que eles esto ligados com o positivo do secundrio) e neste caso eles
agora que conduzem a corrente aproveitando o semiciclo negativo( como em ROCT).
Os outros dois D1 e D2, abrem.

O esquema de entrada e sada das ondas anlogo ao visto para o Retificador de Onda
Completa com Tomada. Neste processo tambm so aproveitadas as ondas de natureza
negativa obtendo-se um rendimento maior devido ao numero maior de diodos.Vale
salientar que ainda neste processo a corrente obtida ainda no 100% pura.A corrente
retificada pulsante com freqncia de 120ciclos /seg.
Observamos que para se obter uma corrente realmente retificada a mesma tem ainda de
passar por outros processos.

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6o Medio e testes em Diodos.

6.1- Testes em Diodos em geral

Leitura

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Condio

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Sentido direto Baixa

Sentido Inverso Alta

Bom

Sentido direto e inverso-baixo(prximo ou = a zero)

Curto

Sentido direto e inverso-Alto (prximo ou = )

Aberto

Sentido Inverso abaixo de 10

Fugas

6.2 Testes em diodos duplos-Varicap

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Nos testes feitos diodo por diodo (D1 e D2 Direta ou inversamente), pode-se seguir a
tabela de defeitos acima. Se um dos diodos apresentar os defeitos acima o varicap est
estragado

6.3-Testes em Pontes Retificadoras:

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Nos testes feitos, diodo por diodo (D1, D2, D3 e D4 Direta ou inversamente), pode-se
seguir a tabela de defeitos, acima. Se um dos diodos apresentar os defeitos constantes da
tabela acima, a ponte retificadora est estragada.

Resistores
1o)Funo: Reduzir de maneira controlada, a intensidade da corrente oferecendo-lhe uma
oposio ou resistncia ou ainda, para fazer cair tenso em um circuito a um valor mais
conveniente a uma determinada aplicao.O resistor ainda tem a funo de atuar em certos
casos, com resistncia para aquecimento.
2o)Caractriscas de Identificao:
Resistncia nominal- o valor que vem de fbrica no corpo do resistor, em Ohms -
Usam-se ainda os mltiplos do ohm, a saber:
O K-Quiloohm=1000 ex:4700 = 4,7K =4k7 (onde o k substitui a virgula.).
OM-Megaohm =1000000=1000k ex: 2.700.000 =2,7M ou ento 2M7.
Potncia de dissipao- Pd=E x I, em Watts W.
Tolerncia: em % sobre o valor da resistncia nominal.
3o)Simbologia Geral:

4o)Aspectos;

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5o)Tipos e Classificaes:
Os resistores podem ser classificados de acordo com a sua maneira de atuar em :
Lineares-aqueles que a sua Fixos
resistncia funo da
tenso e da corrente que
incide sobre ele. Variam de
forma
diretamente Variveis
proporcional com a corrente
e a tenso.
No-Lineares-aqueles que a
sua resistncia varia de
acordo com a influncia da
luz, temperatura e tenso que
ele est submetido.
Especiais- utilizados
placas
me
microcomputadores.

1-Filme de carbono.
2-Filme metlico.
3-Resistor de fio.
1-Potencimetro.
2-Ajustvel(Trimpot).

LDR (Fotoresistores)
PTC
NTC
VDR

nas DIP
dos SIP

5.1Resistores Lineares Fixos: so aqueles que no se pode mudar o valor de sua

resistncia, especificada no seu corpo e que vem de fbrica.
Simbologia:

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5.1.1Filme de carbono- este tipo vem com o valor da resistncia indicada por quatro(4)
faixas coloridas em seu corpo.So usados geralmente nos circuitos onde se exige do
resistor uma potencia de dissipao de calor inferior a 5W, e uma tolerncia hmica
varivel entre 5 e 20% no seu valor hmico.

Aspecto

Para resistores com 4 faixas de cores.

A 1a e a 2a faixas correspondem a algarismos significativos de 0-9.
A 3a faixa corresponde quantidade de zeros que vem aps os algarismos significativos.
A 4a faixa nos indica a tolerncia em %.
Na sequencia a tabela de cores para leitura dos capacitores.

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Observaes: Se no houver no resistor a 4a faixa(tolerncia) considerar a mesma como

20%.
5.1.2.Filme metlico so resistores de preciso com pouca tolerncia (faixa de tolerncia
estreita).So utilizados onde existe pouco espao na placa de CI e necessita-se de alta
preciso, ou seja, pequenos aparelhos eletrnicos: Telefone celular, videocassete etc. So
fabricados com ligas especial para supriras seguintes necessidades: a)rudos eltricos
provocados pelo resistor de carbono; e resistncia hmica muito estreita. A limitao destes
resistores est na impossibilidade de se obter valores maiores que 1M.

Estes resistores, quanto ao seu aspecto fsico so semelhantes aos de filme carbono,
porm apresenta cinco faixas de cores.
A leitura feita da seguinte forma; a primeira faixa de cor ser aquela que ficar mais
prxima da extremidade do resistor, a partir da 1a faixa conta-se 1,2,3 e 4 faixas sendo a
5a e ltima aquela que mantm um espaamento maior do que o espaamento entre as
outras.

Na seqncia, tabela para leitura dos resistores de Filme metlico:

Professor: Lourival

Pgina 31

5.1.3.Resistores de Fio: no apresentam faixas de cores, j vm com os valores de resistncia,

potncia de dissipao e tolerncia exibidos no seu corpo.Esses resistores suportam altas
potencias de calor e so usados nos circuitos eletrnicos onde se exige do resistor uma
potencia de dissipaode calor alta, at 400W.

5.2Resistores Lineares Variveis: so aqueles que sua resistncia pode ser mudada de
acordo com a necessidade do circuito.
Podem ser:
5.2.1.Potencimetro-so usados para diversas funes, como por exemplo; para controle de
volume, tonalidade, sensibilidade em rdios, amplificadores etc permitindo um ajuste a
qualquer momento das caractersticas desejadas.

Simbologia /Aspecto
5.2.2.Ajustvel(Trimpot)- so usados quando se deseja um ajuste nico, ou seja, somente em
um determinado momento, levando o aparelho a um comportamento que deve ser

Professor: Lourival

Pgina 32

definitivo.Este ajuste pode ser refeito sempre que necessrio, mas o trimpot fica normalmente
dentro do aparelho.exemplo de uso: controle do leitor tico do CD Rom.

Simbologia/Aspecto

6o)Testes e estados dos resitores Lineares( fixos e variveis);

6.1Resitores Fixos:
Procedimentos: para fazer medies em resitores em geral devemos fazer o seguinte:
A escala usada a escala de resistncia em Ohms (linha superior do multiteste).
No multiteste analgico encontramos na escala seletora indicada por , os valores
X1, X10, X100, X1K e X10K. A seleo da escala vai depender da resistncia do resistor a
ser medido. O valor hmico ser obtido lendo o numero indicado na linha superior do visor
do multiteste multiplicado pelo numero da escala seletora; assim vejamos:
O resistor no tem polaridade, portanto o uso das ponteiras pode ser em qualquer extremo dos
resistores.
No Escala seletora
Multiplicar por:
X1
1
X10
10
X100
100
X1k
1000
X10K
10.000

6.1.1-Resistor bom- quando no teste o valor encontrado igual(dentro da tolerncia), ao valor

constante da especificao do resistor.
Exemplo:

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6.1.2 Resistor Alterado-quando na medio do resistor com o multiteste, o valor encontrado

apresenta resultados diferente (geralmente acima) daquele constante na especificao do
resisistor.
Exemplo:

6.1.3-Resistor Aberto- na medio com o multiteste o ponteiro vai para o valor .

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Pgina 34

6.2 Resistores Variveis:

As regras para a medio com o multiteste, tanto para o potencimetro quanto para o trimpot
so as mesmas.
Com os ponteiros colocados em 1 3 se obtem o valor total da resistncia (constante no
corpo do resistor).
Com os ponteiros do multiteste em 2-3 se obtem o valor varivel do centro para
direita(aumenta ou diminui dependendo do resistor)
Com os ponteiros do multiteste em 1-2se obtem o valor varivel do centro para
esquerda.
No caso do potencimetro- com as ponteiras do multiteste conectadas se gira o eixo e vai se
observando o aumento ou a diminuio da resistncia . Se o ponteiro for variando aos saltos
o resistor est com problemas de oxidao entre outros, na trilha. A observncia dos defeitos
so semelhantes quelas vistas nos resistores acima.

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Pgina 35

No Trimpot- se ajusta a resistncia utilizando-se uma chave de fenda, no rasgo

no mesmo.

existente

7o Resistores No-lineares: so resistores cujo o valor hmico no linear, e sua

resistncias variam dependendo de determinados fatores:
a)Tenso;
b) Luz;
c) Temperatura.
7.1-LDR-so resistores que apresentam resistncia mxima na ausncia de luz (no escuro),
apresentando resistncias baixas com a presena da luz.obs.: na ausncia da luz chega a
atingir 1M.
Aspecto

Simbologia

Aplicaes do LDR:
Estes resistores so utilizados em:
a) Controle automtico de brilho e contraste de tv;
b) Detector de chama;
c) Abertura automtica de portas etc.
Testes com multmetro.
Conectam-se os ponteiros do multmetro aos terminais do resistor; aproximando-se e
afastando uma fonte de luz(lmpada) medida que a intensidade luminosa aumenta
observa-se que o ponteiro do multmetro vai baixando a resistncia, ou seja, se desloca
diminuindo resistncia.

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Pgina 36

No caso contrrio (afastando-se a fonte luminosa ) a resistncia vai aumentando no

multmetro
Performance do resistor.
Utilizando-se uma lmpada um anteparo, liga-se os ponteiros do multmetro. Vai se
colocando e retirando o anteparo entre a lmpada e o LDR. Dever haver grandes
variaes no resistor, e que devero ser mostradas atravs do ponteiro do multmetro. Se
no houver estas variaes claro(sem anteparo) escuro (com anteparo), o resistor
LDRdever estar defeituoso.
7.2 PTC-so resistores aumentam a resistncia com o aumento da temperatura.
Aspecto:

Simbologia:

Aplicaes do PTC:
a) Desmagnetizao automtica de cinescpio dos tvs cores;
b) Proteo contra superaquecimento de motores eltricos;
c) Sensor para controle de nvel de lquidos etc.
Defeito: quando submetido ao teste com o multmetro no apresenta a variao de resistncia
com a variao da temperatura.
7.3 NTC- com um aumento da temperatura provoca uma diminuio na sua resistncia.
Aspecto:

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Pgina 37

Simbologia:

Aplicaes do NTC:
a)Medida de temperatura em radiadores de automveis;
b)Controle automtico de potncia em transmissores de udio;
Compensao de temperatura em circuitos transistorizados etc.
Teste com o multiteste:
a) Conectam-se as ponteiras do multiteste ao NTC e procede-se da seguinte forma:
b) Com o contato com os o dedos nos terminais j se pode observar a diminuio da
resistncia, no multiteste;
c) Aproximando-se um ferro de solda do NTC, observamos de uma melhor maneira a
diminuio da resistncia no visor do multmetro.
d) Defeito se com os testes acima no se observar nenhuma variao o NTC est com
defeito.
7.4 VDR-(resistor dependente da tenso)-Quando a tenso aumenta a resistncia deste resistor
diminui.
Aspecto:

Simbologia:

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Pgina 38

8o Resistores Especiais:
Esses resistores (utilizados na placa me dos Pcs), atualmente so usados para
substituir seqncias de resistores de carbono em placas.
Os tipos So a) DIP (Dual-In-Line Package)
b) SIP.(Single- In Package)
Os resistores SIP e DIP pertencem a uma gerao mais nova de resistores e contm um grupo
ou rede de resistores, em lugar de um, sendo designados por formatos, como RMxx, RNxx ou
RPxx.

8.1-Resistores DIP:

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Pgina 39

O valor constante do corpo do resistor refere-se ao valor individual de cado resistor e

os testes so efetuados individualmente.
Leitura: Os valores da resistncia esto escritos no corpo do resistor nos dois primeiros
nmeros (xx) e o terceiro digito representa:
Se for numero indica a quantidade de zeros a serem acrescidos ao dois primeiro nmeros;
Se for K = K = numerox1000;
Se for M=M= numero x 1.000.000.
Ex: no caso acima o DIP 20K isto quer dizer que cada resistor da rede tem 20K =20000

Teste com o multiteste no DIP:

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Pgina 40

O resistor DIP deve ser medido de forma paralela, conforme vemos na ilustrao
acima.
O pino de uma coluna deve coincidir com o mesmo pino da outra coluna.Se o resistor DIP
possui 10 pinos, por exemplo, o pino 1 est ligado ao pino 10, o pino 2 ao 9, e o 3 ao 8 e
assim sucessivamente. O valor hmico dever ser o mesmo em todos os pinos (1 e 10), (2 e
9), (3 e 8), (4 e 7), (5 e 6) e dever ser de 20K para este DIP.
8.2-Resistores SIP:

Teste com o multiteste no SIP:

No resistor SIP, como pode-se observa h um ponto comum para a rede de resistores,
contidos nele. A ponta de teste de cor preta deve ser colocada neste ponto, e com
ponteira vermelha ir tocando os outros pontos.

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Pgina 41

9o Associao de Resistores:
Clculos com resistores: O resistor que substitui outros associados chamado de resistor
equivalente- Req.
9.1- Associao em srie- a corrente percorre um s caminho.

Neste caso o resistor equivalente Req dado pela frmula:

Req = R1 + R2 + R3 .....Rn.
9.2Associao em paralelo - a corrente tem vrios caminhos a percorrer.

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Pgina 42

9.2.1- Primeiro caso-n resistores iguais:

A frmula utilizada : Req =R/n
onde R=Valor de cada resistor :
n= no de resistores envolvidos (R1=R2=R3=Rn).
9.2.2- Segundo caso-Dois(2) resistores diferentes:
A frmula utilizada : Req = R1 x R2/R1 + R2
9.2.3- Terceiro caso- n resistores(acima de 2) diferentes:
A frmula utilizada : 1/Req = 1/R1 + 1/R2 +1/R3 ......+ 1/Rn
9.2.4- Mix Resistores em srie e em paralelo
Neste caso resolve-se primeiro o esquema paralelo, e depois procede-se os clculos
como se o esquema fosse em srie.

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Pgina 43

Eletrnica

Transistores.
Transistor (transference resistor) um componente constitudo de uma pastilha
monocristalina de material semicondutor (Germnio ou Silcio) com regies dopadas
com impurezas do tipo N e do Tipo P. Os transistores dependendo do fim a que se
destina, pode funcionar como:
a) Amplificador de corrente;
b) Amplificador de sinal;
c) Chave eletrnica..
Tradicionalmente os transistores se dividem em dois(2) grupos: a saber:
1.Bipolares;
2.Unipolares ou de efeito de campo.

1o-Bipolares so aqueles formados por trs (3) regies semicondutoras de

polaridades alternadas existindo entre elas duas junes.As regies recebem os nomes
de emissor (E), Base (B), e coletor (C). Baseiam o seu funcionamento com
alimentao de corrente na base.
Smbolo:
Aspecto:

Podemos obter a estrutura indicada de duas formas diferentes, o que leva a dividir os
transistores bipolares, quanto a sua estrutura em dois tipos: Tipo NPN e o tipo PNP.
Veja as figuras na seqncia:

Esquema interno dos tipos NPN e PNP.

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1.1 Base , Coletor e Emissor.

Vamos agora entender o que Base , coletor e emissor.
Base- a parte que controla a passagem da corrente;quando a base est
energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no h
sinal no existe essa conduo. A base esquematicamente o centro do
transistor.
Coletor uma das extremidades do transistor; nele que entra a corrente a ser
controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou
propriedade do transistor conhecido como (beta) e diferente em cada modelo
de transistor.
Emissor- a outra extremidade; por onde sai a corrente que foi controlada.
1.2 Consideraes gerais e Polarizao de transistores.
1.2.1Consideraes gerais.
Para efeito de um estudo inicial vamos tomar como exemplo uma estrutura NPN, ou
seja, um transistor NPN..
Cada uma das junes do transistor se comporta como um diodo, mas quando aplicamos
tenses no dispositivo de determinada maneira e as duas junes podem entrar em ao
ao mesmo tempo, o comportamento da estrutura passa a ser mais complexo do que
simplesmente dois diodos ligados juntos.Para que tenhamos a ao diferenciada destas
junes, vamos partir da situao em que o transistor seja alimentado com fontes
externas de determinadas polaridades e caractersticas. Em suma, para que o transistor
funcione, precisamos polariza-lo convenientemente.
1.2.2Polarizao de transistores.
Inicialmente vamos fazer uma polarizao que nos permite apenas estudar o seu
funcionamento. Na prtica existem outras maneiras de polarizar os transistores.
Tomando o nosso transistor NPN como exemplo, para polariza-lo ligamos uma bateria
de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1)
atravs de um potencimetro na base do transistor. Veja a figura, na seqncia:

Vejamos o que acontece: partimos inicialmente da condio em que o cursor do

potencimetro est todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tenso aplicada
base do transistor Zero (0).Nestas condies, a juno que existe entre a base e o
emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, no tem polarizao

Professor: Lourival

Pgina 45

alguma e nenhuma corrente pode fluir.A corrente de base ( Ib) do transistor

zero(0).
Da mesma forma , nestas condies a corrente entre o coletor e o emissor do
transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 nula. Veja a figura a seguir:

Movimentando gradualmente o cursor do potencimetro no sentido de aumentar a

tenso aplicada base do transistor, vemos que nada ocorre de anormal at atingirmos o
ponto em que a barreira de potencial da juno emissor-base do transistor
vencida.(0,2 V para o germnio e aproximadamente 0,7V para o silcio).Com uma
tenso desta ordem, comea a circular uma pequena corrente entre a base e o
emissor. Esta corrente entretanto tem um efeito interessante sobre o transistor: uma
corrente tambm comea a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente varia
proporcionalmente com a corrente de base.
Veja a figura, na seqncia:

medida que movimentamos mais o potencimetro no sentido de aumentar a

corrente de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na
mesma proporo.
Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA,
dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes,
ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base

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Pgina 46

A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor entretanto no se

mantm em toda a faixa possvel de valores.
Existe um ponto em que um aumento de corrente de base no provoca mais um
aumento na corrente de coletor que ento se estabiliza. Dizemos que chegamos ao
ponto de saturao, ou seja, o transistor satura Abaixo o grfico que mostra este
fenmeno.

Observe ento que existe um trecho linear deste grfico que denominado de Curva
caracterstica do transistor.
Na figura a seguir temos o funcionamento de um transistor PNP. Observa-se que a
nica diferena se o mesmo fosse utilizado no exemplo dado acima, est no sentido de
circulao das correntes e portanto na polaridade das baterias usadas.
Observe nas figuras a seguir essas orientaes das correntes em um transistor NPN e
PNP.

No NPN:
Corrente de base-= Ib>> sentido horrio.
Corrente de coletor=Ic>Sentido anti-horrio.
No PNP:
Corrente de base=Ib>>sentido anti-horrio.
Corrente de coletor.=Ic.sentido horrio.
Para finalizarmos o assunto, observamos o seguinte:
a) Quando Ib = 0 Ic = 0 . O transistor no funciona, e neste caso se diz que ele
funciona como uma chave aberta ou representa-se por:
b) Ib =Cresce Ic= cresce na mesma proporo.

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Pgina 47

d)Ib = atinge um determinado valor, (ponto de saturao) e a partir dai mesmo que
aumentemos Ib Ic= se mantm constante

2o Transistores na Prtica.

Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operar apenas corrente

de baixa intensidade, sendo por isso quase todos iguais nas principais caractersticas.
No entanto, com o passar do tempo ocorreram muitos avanos nos processos de
fabricao,
que levaram os fabricantes a produzirem uma enorme quantidade de tipos ,capazes de
operar com pequenas intensidades de corrente mas tambm com correntes altas; o
mesmo ocorreu com as tenses e at mesmo com a velocidade.
Existem hoje, em termos de tipos de transistores mais de um milho, o que requer
manuais de consultas volumosos quando se quer escolher um determinado tipo.
Assim para facilitar o estudo de transistor na prtica necessrio que se divida estes
dispositivos em famlias em que as caractersticas principais se mantm.
Para outras caractersticas, as diferenas so normalmente fornecidas pelos fabricantes
em forma de folhas de dados chamadas de datasheets. Abaixo um desses tipos de
datasheets da Motorola.

Constam desses datasheets o aspecto fsico da famlia, cdigos de identificao, dados

de corrente , tenses coletor-emissor, freqncias, material de que so feitos , curvas
caractersticas, identificao dos terminais etc
De uma forma geral, na prtica apenas algumas centenas podem ser considerados
principaise possudo-se um bom manual e um bom conhecimento se consegue
encontrar sempre um capaz de substituir tipos considerados difceis.

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Pgina 48

2.1- Transistores de uso geral.-so transistores destinados a gerar ou amplificar sinais

de
pequena
intensidade
e
de
freqncia
relativamente
baixa.

Especificao

Definio

Descrio

Observaes

Material

Pequenas
pastilhas

Silcio
Germnio

A maioria dos
transistores atuais
de silcio.

Aspecto externo Envlucros

Tipo
do contedo
semicondutor
Tipos
terminais

Plsticos
Metais
NPN e PNP

de 3 terminais

Ic- corrente de
coletor .
VCEO- tenso
entre o coletor e
o emissor com a
base desligada
.
fT freqncia
mxima
ou
freqncia
de
transio
Aplicaes

Base(B)
Identificao deve
Coletor(C)
ser feita pelo tipo
Emissor(E)
e varia bastante
Icmax=corrente Varia entre:
de
coletor 20mA e 500mA
mxima.
VCEOmx
Varia entre:
tenses
10V e 80V.
mximas
de
operao
FTmxVaria entre 1 e
freqncia
200Mhz
mxima que o
transistor pode
operar.
Uso
geral
udio

Os tipos mais comuns desses transistores so:BC548, BC558, BC107, 2SB75,

OC74,

2N2222, 2N107 etc.

2.2-Transistores de Potncia- so transistores destinados a operar com correntes
intensas mais ainda com sinais de baixas freqncias.

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Pgina 49

ou

Especificaes Definies
Material

Pastilhas
diversos
tamanhos
Envlucros

Aspecto
externo

Tipo
do Contedo
semicondutor
Tipos
terminais

Descrio

Observaes

de Silcio
Plsticos
Metais

Tendem
a
aquecer(altas
correntes)
usam
envlucros
que
permitem
a
montagem em um
dissipador(radiador)
de
calor.(figura
acima)

NPN e PNP

de Geralmente
terminais

3 Base(B)
Identificao deve
Coletor(C)
ser feita pelo tipo e
Emissor(E) varia bastante
Ic- corrente de Icmax=corrente Mxima =
coletor .
de
coletor 15A
mxima.
VCEO- tenso VCEOmx
Varia entre:

Professor: Lourival

Pgina 50

entre o coletor tenses

e o emissor mximas
com a base operao
desligada.
fT freqncia
mxima
ou
freqncia de
transio
Aplicao

20V e 100V.
de

fTmxVaria
freqncia
entre100khz
mxima que o 40Mhz
transistor pode
operar.
Amplificadores
udio

de

Os tipos mais comuns desses transistores so:TIP31, TIP32, 2N3055. BD135,

BD136, AD142, BU205 etc.
2.3 Transistores de RF (Radiofreqncia)-so transistores destinados a amplificar
ou gerar sinais de freqncias elevadas, mais com pequenas intensidades de
correntes.

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Pgina 51

Especificaes

Definies

Material

Pastilhas
pequenos
tamanhos

Descrio
de Silcio
Germnio
*Arseneto de
Glio(GaAS)

Aspecto externo Envlucros

Tipo
do Contedo
semicondutor
Tipos
terminais

Observaes

Plsticos
Metais
NPN e PNP

de Geralmente
3
terminais.Alguns
apresentam
4
terminais. O 4o
terminal ligado

prpria
carcaa
do transistor, de
metal, e que
serve
de
blindagem*( ver
figura acima)
Ic- corrente de Icmax=corrente
coletor .
de
coletor
mxima.
VCEO- tenso VCEOmx
entre o coletor e tenses mximas
o emissor com a de operao
base desligada.

Base(B)
Coletor(C)
Emissor(E)
*Blindagem

fT

Chegam at a

freqncia fTmx-

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Em
sua
maioria.
Pouco usados.
*Os GaAs j
esto
sendo
usados
para
fabricao de
transistores e
so capazes de
gerar
(amplificar)
sinais
em
milhares
de
Mhz.

Mxima
200mA

Identificao
deve ser feita
pelo tipo e
varia bastante

Varia entre:
10V e 30V.

Pgina 52

mxima
freqncia
transio

ou freqncia
1500Mhz
de mxima que o
transistor pode
operar.

Aplicao

Seletores de TV
de
UHF
e
outras
aplicaes
semelhantes.

Os tipos mais comuns desses transistores so: os BD494, BF254, 2N2218 etc.
2.4 Classificao quanto potncia de Dissipao
Ainda se costuma classificar os transistores quanto a sua potencia de dissipao;
nessa classificao os transistores podem ser:
a) Baixa potencia-ex: BC548;
b) Mdia potencia-ex: BD137, BD135, BD139
c) Alta potencia-ex TIP120 , TIP121, TIP122, ZN3055, BU205 etc

3o Cdigos, Tipos e Identificaes de terminais.

Para usar um transistor fundamental que saibamos para que serve um determinado tipo
e tambm como identificar os seus terminais.
3.1-Procedncia Americana- usam na sua codificao a sigla 2N para diferenciar
dos diodos que usam 1N..Esta sigla 2N vem seguida de um numero que
corresponde ao modelo, porm no serve para informar que tipo de transistor temos;
se de uso geral ou udio, de potencia ou RF, se NPN ou PNP, se de silcio ou
germnio.Para os transistores, com indicao 2N necessrio consultar um manual,
disquetes CD Rom fornecidos pelos fabricantes; ou ainda tentar encontrar essas
informaes na Internet.Na figura abaixo temos alguns exemplos com indicaes
dos terminais:

Professor: Lourival

Pgina 53

3.2Procedncia Europia -para esses transistores, o prprio tipo do transistor j

fornece muitas informaes sobre o que ele .
Assim, para a primeira letra j temos informaes do material usado em sua
fabricao:
A = Germnio;
B = Silcio.
Para a segunda letra temos
(udio),Potencia ou RF:
C = Uso geral ou udio;
D = Potncia;
F = RF.

informaes se

o transistor de uso geral

Os transistores para aplicaes profissionais possuem uma terceira

indicativa.Para os comuns temos um numero.Damos a seguir alguns exemplos:
BC548 Transistor NPN de uso geral, de baixa potencia ou udio.
BD136 - Transistor PNP de potncia;
BF254 - Transistor NPN de RF.

letra

Veja que esta maneira de indicar os tipos ainda no diz se ele NPN ou PNP. O
manual ainda necessrio para identificar os terminais.
Na figura a seguir, mostramos alguns transistores de procedncia europia com a
identificao dos terminais.

3.3Procedncia Japonesa- Utilizam a sigla 1S o restante das informaes idntica ao

Americano, ou seja, tem que consultar o manual.

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Pgina 54

4o Exemplos de siglas de alguns fabricantes .

a) Siemmes-BC, BCX,BCU, BD, BF, BFN, BFR, BS, BU, BUW, BCY.
b) Texas- 2N, 3N(MOSFETT), TIS, IN, MN, NP.
c)Motorola- 2N, NJ, MIE, MTN, TIP.
d) Philco- AO, BO, BD, PA, PB, PC, PE.
e) Hitachi-2SA, 2SD.
5o Invlucros dos transistores bipolares caractersticas identificadoras.
Certos transistores de germnio, utilizados em circuitos de radio freqncia- R.F.,
possuem um quarto terminal, identificado pela letra S de shield (blindagem).Esse
terminal encontra-se conectado internamente ao invlucro metlico(TO-7) e, quando
ligado massa, atua como proteo contra campos eletro magnticos. Exemplos deste
tipo so: TO-71, TO 72, AF116, AF117.Veja a figura a seguir:

Para identificar o terminal S, na ausncia de informaes, basta verificar via teste de

continuidade, qual dos quatro terminais tem R= 0 em relao carcaa metlica.
Nos transistores de potncia com invlucro plstico,TO126 por exemplo, o coletor
normalmente o terminal do centro.
Para o BD139, BD140 etc., o coletor est ligado eletricamente uma lmina
metlica que existe em uma de suas faces. Veja a figura a seguir:

Professor: Lourival

Pgina 55

BD 135
J no SOT-93, TIP 30, tip31 etc., existe uma ala metlica a qual tambm est
conectado o coletor.Figura acima.
Em ambos os casos, a identificao do coletor feita verificando-se qual dos
terminais apresenta uma resistncia nula( R=0) em relao a lmina ou ala
metlica, via teste de continuidade.
Os transistores de potncia com invlucro metlico (TO-3, TO-66 por exemplo),
possuem apenas dois terminais tpicos: emissor (E) e base (B), como indicador. O
terceiro terminal (coletor) o prprio invlucro metlico.Veja figura abaixo:

Professor: Lourival

Pgina 56

6o Configurao de transistores em circuitos.

6.1- Emissor comum.
Nesse caso o sinal entra, entre a base e o emissor e sai entre, o emissor e o coletor.
Como o emissor o elemento comum na entrada e na sada este tipo de
configurao chamada de Emissor comum.

No esquema emissor comum a fase do sinal de sada invertida em relao fase

do sinal de entrada , tem como caractersticas principais elevados ganhos de
tenso e de corrente. a mais comum e tambm a que produz maior ganho de
potncia.
6.2- Coletor comum.

Professor: Lourival

Pgina 57

Nesta configurao o sinal aplicado entre a base e o coletor e retirado entre o

emissor e o coletor.O coletor ento o elemento comum entrada e sada do sinal e
a configurao por isso recebe o nome de coletor comum.

A fase do sinal de sada, nesta configurao a mesma do sinal de entrada, ou

seja , no h inverso de fase.Tem como caractersticas um ganho de corrente
muito alto, o que quer dizer que pequenas variaes da corrente de base provocam
variaes muito maiores da corrente do coletor, e ainda um ganho de tenso no
to elevado como no emissor comum. Apresenta tambm, um ganho de potncia
no muito alto.
Obs.: Esta configurao tambm chamada de seguidor de emissor.
6.3-Base comum.
Nesta configurao o sinal aplicado entre o emissor e a base e retirado entre a base
e o coletor. Como vemos , a base o elemento comum, o que acarreta a denominao
dada configurao de base comum

No h inverso de fase para o sinal amplificado.Como caractersticas temos que

nesta configurao temos um bom ganho de tenso, mas o ganho de corrente
inferior unidade..No geral obtemos ento um ganho de potncia menor que o da
configurao de emissor comum, porm maior do que o da configurao de
coletor comum.
7o-Transistores Darlington.
um tipo de estrutura de transistor, constitudo por dois transistores (T1 e T2), dois
resistores (R1 e R2) e um diodo (D1), contidos em uma nica pastilha de silcio e
interligados de modo a formar um transistor de potncia com elevado ganho de
corrente contnua C.C.
Os invlucros dos transistores Darlington podem ser do tipo metlico (TO-3 por
exemplo) ou do tipo plstico (TO126). Como ocorre com os transistores bipolares.
7.1-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington NPN.
Estrutura Interna.

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Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington NPN (ver figura acima) T1 e T2 so NPN e o anodo de D1

est conectado ao emissor de T2.

7.2-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington PNP.

Estrutura Interna.

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Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington PNP (ver figura), T1 eT2 so PNP e o anodo de D1

est ligado ao coletor de T2.
Para as duas estruturas NPN e PNP o valor de R2 praticamente insensvel s
variaes de temperatura e das tenses aplicadas ao componente. Dependendo do
fabricante, o seu valor est compreendido entre 50-200.
Por outro lado, o valor de R1 varia tanto com a temperatura como com as tenses
aplicadas no transistor. Os valores especificados pelos fabricantes vo desde alguns
quiloohms at dezenas de quiloohms.
7.3-Aplicaes dos transistores Darlington.
So inmeras as aplicaes desses componentes. Entre elas, destacamos as seguintes:
Amplificadores de potncia de udio;
Ignies eletrnicas;
Reguladores de tenso para fontes de alimentao;
Controle de motores C.C.;
Controle de solenides.

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8o-Polarizao, sentido da corrente e nomenclatura de transistores bipolares.

Ib Sentido horrio;
Ic = sentido anti-horrio;
Ie = Sentido anti-horrio

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Ib Sentido anti- horrio;

Ic = sentido horrio;
Ie = Sentido horrio
8.1-Nomenclaturas:
Ib = Corrente de base;
Ic = Corrente de coletor;
Ie = Corrente de emissor;
Rb = Resistor de base;
Rc = Resistor de coletor;
Re = Resistor de emissor;
Vbe = tenso base/emissor.
Vce = Tenso coletor/emissor;
Vcb = Tenso coletor/base.

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