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DOCUMENTO DE PREDISEO.
Presentado a:
Ing. Edgar Mario Gustn
TABLA DE CONTENIDO
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Requerimientos.
Objetivos.
Especificaciones.
Diseo y justificacin del circuito seleccionado.
Caractersticas de elementos.
Caculos tericos.
Bibliografa.
1. REQUERIMIENTOS
La fuente regulada discreta debe tener las siguientes especificaciones:
2. OBJETIVOS
Disear una fuente regulada, que cumpla con las especificaciones dadas por el
usuario.
3. ESPECIFICACIONES
El usuario solicita una fuente de corriente regulada discreta completa, cuyos
valores de salida deben ser un voltaje equivalente a 9 voltios constantes y una
corriente de 400 miliamperios, a parte de ellos, el diseador debe tener en cuenta
las demandas de Proteccin contra corto circuito que incluye piloto de aviso de
corto-circuito y un piloto de aviso de Funcionamiento general.
Para poder satisfacer las necesidades de usuario es necesario en primera
instancia reducir los valores de voltaje de la seal de entrada a la fuente de poder
regulada para convertirla en una seal pulsante y convertirla en una seal
unipolar. Luego es necesario regular ese voltaje para que la seal de salida
presente la menor variacin posible (eliminacin o disminucin del rizado).
Bloque Pre-regulador
Est constituido por R5, R3, Q1 y Vz1 que a su vez conforman la fuente de
corriente I0:
I0=
Vz 1VBE 1
R3
(1)
I0 es la fuente de corriente constante que hace las veces del circuito Preregulador.
Bloque comparador.
Conformado por Q2 conocido como el elemento comparador, el cual travs
de la juntura emisora compara el voltaje muestreado V M con el voltaje de
referencia VR. Cualquier desbalance existente entre dos voltajes se aplica a
la juntura emisora de Q2, haciendo conducir en mayor o menor grado,
segn sea el caso, controlando as la inyeccin de corriente en la base del
transistor Q3 y por ende el voltaje de salida V0.
R7
0R1
D1
D2
D3
10A02
10A02
10A02
Bloque amplificador.
Conformado por Q3, el cual se encarga de amplificar el error o diferencia de
corriente entregado por el comparador (I 0-IE2) controlndose de esta forma
la inyeccin de corriente en el elemento de paso (Q4).
R5
0R1
R8
0R1
Q5
2N2222
D4
D5
5. CLCULO DE COMPONENTES
PARA VR:
Vo: -Vbe4-Vbe3+Vce2+VR
Vbe4=Vbe3=Vbe= 0.7v
Vr=Vo+2Vbe-Vce2
Vr= 9v+ 2(0.7)v- Vce2
Vr= 10.4- Vce2
Para el diodo Z1
Vin= Vz1- Vbe1+ Vec1+ Vbe3+ Vbe4+ Vo
Vin= Vz1+ Vec1+ Vo+ 0.7v
Vinmax= 20v
Vinmin= 16.5v
Iz1=(Vin-6.3v)/R5
(Vin-Vz1)/R >= Iz1
Supongamos Iz1= 12mA
R5<= (16.5v-6.3v)/12mA = 10.2v/12mA = 0.85K
Iz1*Vz1< Pz1(max)
Iz1< (1/6.3v)
Vm= ((R2+Rp2)/(R1+R2+Rp))Vo
Si llamamos a :
Rp: Rp1+ Rp2
R= R1+Rp1
R= R2+ Rp2
Vm= Vbe2+Vr= 0.7v+5.2v= 5.9v
R+R= Vo/Im
Im= 0,01(Ilmax)
Im=0.01(400mA)= 4mA
R+R= 9/4Ma = 2.25k
R=2.25k-R
R= (Vo/(Vbe2+Vr)-1)R
2.25k-R = (9V/(0.7V+5.2V)-1)R
R= 1.5k
R=2.25k-1.5k
R= 0.75k
R1+R2+Rp = R+R
R= R1+Rp1
R=R2+Rp2
2.25k= R1+R2+Rp
0.75k=R1+Rp1
1.5k= R2+Rp2
R1=0.2k
R2=1.2k
Rp1=0.55k
Rp2=0.3k
Rp= 0.85k
R4=(Vo-Vr)/I4 (optima)
Suponemos I4(optima)= 10mA
R4=(9v-5.2v)/10mA = 3.8v/10mA = 0.38k
Seleccin de transistores
Transistor Q1:
PQ1=Vcemax*Io
PQ1=(18.5v-(6.3v+9+0.7v))*0.5mA
PQ1=1.25watts
Transistor Q2:
PQ2= Vce2*Ie2max
Vce2= cte = Vo+2Vbe-Vr
PQ2= (Vo+2Vbe-Vr)*Io
=(9v+1.4v-5.2v)*0.5mA
=2.6watts
Transistor Q3:
PQ3=Vinmax-(Vo+Vbe)*Ilmax/hfe4
=18.5v-(9v+0.7v)400mA/4
=0.37watts
Vk=0.7v
Ik= 410mA
Rk= Vr/Ir = 0-7v/410mA = 1.7k
7. Bibliografa
BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis. Electrnica: Teora de circuitos
http//Wikipedia.org//.