Eletrnica Bsica

Aula 02 Diodos
Professor: Vladimir Homobono Soares
E-mail: eng.vladhomobono@gmail.com

Introduo
O fato de se poder dopar diversas regies de
um mesmo material semicondutor com
diferentes impurezas possibilita a fabricao
de uma grande variedade de dispositivos
eletrnicos.
Num semicondutor contendo uma regio do
tipo P e uma regio do tipo N separados por
uma fina camada de transio, formada o que
se chama de juno p-n.
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Introduo
Formao dos diodos:
Um pedao de SC, tanto tipo N quanto tipo P, no
tem muito mais utilidade do que como resistor
A juno PN
diodos e transistores
O nome diodo vem da contrao de dois (di)
eletrodos (odos)

Camada de depleo
No lado N os eltrons repelem-se em todas as
direes, inclusive alguns eltrons so
lanados atravs da juno PN
recombina-se com uma lacuna e deixa de ser
eltron livre e passa a ser um eltron de
valncia
Na verdade temos a gerao de um on
positivo no lado P e um on negativo no lado
N.
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Diodos
O diodo um dispositivo de 2
terminais
O diodo ideal conduz
somente em uma direo

Caractersticas do Diodo
Regio de Conduo

A tenso atravs do diodo 0 V

A corrente infinita
A resistncia direta RF = VF / IF
O diodo age como um curto-circuito

Regio de no-conduo

Toda tenso est no Diodo

A corrente 0 A
A resistncia reversa RR = VR / IR
O diodo age como um circuitoaberto

Materiais Semicondutores
Materiais
comumente
desenvolvimento
de
semicondutores

utilizados
no
dispositivos

Silcio (Si)
Germnio (Ge)
Arsenieto de glio (GaAs)

Dopagem
As caractersticas eltricas do silcio e do
germnio so aprimoradas pela adio de
materiais num processo chamado dopagem.
Existem
dois
tipos
para
materiais
semicondutores
Tipo N (excesso de eltrons)
Tipo P (excesso de buracos)

Juno P-N
Um lado do cristal feito de silcio ou germnio pode
ser dopado como um material do tipo P e o outro lado
com um material do tipo N separados por uma fina
camada chamada de regio de depleo para efetuar a
juno.
Juno P-N

Juno P-N
Na juno p-n o excesso de eltrons
na banda de conduo na regio do
tipo N so atrados pelo excesso de
buracos na regio do tipo P.
Os eltrons no material do tipo N
migra atravs da juno para o
material do tipo P. (Fluxo de
eltrons)
A migrao de eltrons resulta em
uma carga negativa no lado tipo P
da juno e uma carga positiva no
lado tipo N da juno.

O resultado a formao de uma

regio de depleo na juno.

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Condies de Operao do Diodo

Um diodo possui trs condies de operao:
Sem Polarizao.
Polarizao direta.
Polarizao Reversa.

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11

Condies de Operao do Diodo

Sem Polarizao
Nenhuma tenso externa aplicada: VD = 0 V.
Nenhuma corrente est fluindo: ID = 0 A.
Somente uma modest regio de depleo existe.

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Condies de Operao do Diodo

Polarizao Reversa

Tenso externa aplicada atravs da juno P-N em

uma polaridade oposta do material tipo P e do tipo N

A tenso
reversa
causa
um
alargamento na regio de depleo.
Os eltrons no material do tipo N so
atraidos diretamente para o terminal
positivo da fonte de tenso.
Os buracos no material tipo P so
atraidos diretamente para o terminal
negativo da fonte de tenso.
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Condies de Operao do Diodo

Polarizao Direta

Tenso externa aplicada atravs da juno P-N a

mesma polaridade do material tipo P e do tipo N

A tenso direta causa um estreitamento

na regio de depleo.
Os eltrons e os buracos tendem se
direcionar para a regio de depleo.
Os eltrons e os buracos tm energia
suficiente para atravessar toda juno
P-N.
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Caractersticas do Diodo Real

Note as condies
para
regies
sem
polarizao,
com
polarizao reversa e
com
polarizao
direta.
Corrente de diodo:
kVTkD

I D I s e 1

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Portadores Majoritrios e Minoritrios

Existem dois tipos de corrente atravs do diodo:
Por Portadores Majoritrios:
Em um material do tipo N so eltrons.
Em um material do tipo P so os buracos.
Por Portadores Minoritrios:
Em um material do tipo N so buracos.
Em um material do tipo P so eltrons.
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Regio Zener
A regio zener est na regio da regio
de polarizao reversa do diodo.

A um certo ponto, a tenso de

polarizao reversa to alta que o
diodo quebra e a corrente reversa
aumenta dramaticamente.
O valor mximo da voltagem reversa
que no ir levar o diodo regio zener
chamado de tenso inversa de pico ou
tenso de pico reversa.
A tenso que causa a entrada do diodo a operar na regio zener
chamado tenso zener (VZ).

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Tenso de Polarizao Direta

O ponto em que o diodo muda de sem polarizao para a
condio de polarizao direta ocorre quando os eletrns
e os buracos tem energia suficiente para atravessar a
juno P-N. Essa energia causada por uma tenso
externa aplicada atravs do diodo.
A

tenso

de

polarizao

direta

requerida

para

um:

Diodo de Arsenieto de Glio 1.2 V

Diodo de Silicone 0.7 V
Diodo de Germnio 0.3 V

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Efeito de Temperatura
Com o aumento da temperatura adiciona energia
ao diodo.
Reduz a tenso de polarizao direta para conduo de
polarizao direta.
Aumenta a quantidade da corrente reversa na condio
de polarizao reversa.
Aumenta a tenso de polarizao reversa de avalanche.

Diodos de germnio so mais sensveis

variaes de temperatura que os diodos de silcio
ou arsenieto de glio.
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Nveis de Resistncia
Semicondutores reagem de formas diferentes
para correntes DC e AC.
Existem trs tipos de resistncia:
Resistncia DC (esttico).
Resistncia AC (dynamic).
Resistncia Mdia AC.

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Resistncia DC (esttica)
Para uma tenso DC
especfica VD, o diodo tem
uma corrente especfica ID e
uma resistncia especfica
R D.
VD
RD
ID

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Resistncia AC (dinmica)
Na regio de polarizao direta:
rd

26 mV
rB
ID

A resistncia depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.

A tenso atravs do diodo praticamente constante (26 mV p/ 25C).

rB tipicamente entre 0,1 para dispositivos de alta potncia 2

para baixa potncia. Em alguns casos rB pode ser ignorado.

rd

Na regio de polarizao reversa:

A resistncia, idealmente, infinita. Assim o diodo age como aberto.

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Resistncia AC (dinmica)
rav

Vd
Id

pt. to pt.

A resistncia AC pode ser

calculada
usando
os
valores da corrente e da
voltagem para dois pontos
na curva caracterstica do
diodo.
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Circuito Equivalente do Diodo

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Capacitncia do Diodo

Na polarizao reversa, a camada de depleo muito grande. A forte

polaridade positiva e negativa do diodo cria capacitncia, CT. A quantidade
de capacitncia depende da tenso reversa aplicada.
Na polarizao direta de armazenamento de capacitncia ou capacitncia de
difuso (CD) existe com o aumento da tenso do diodo.
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Tempo de Recuperao Reversa (trr)

Tempo de Recuperao Reversa o tempo requerido
para um diodo parar de conduzir e modificado de
polarizao direta para polarizao reversa.

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Especificaes dos Diodos

Escolher um bom diodo entre os diferentes tipos
requer analisar as seguintes especificaes:
1. Tenso Direta (VF) em um valor especfico de corrente e temperatura.
2. Corrente direta mxima (IF) em um valor especfico de temperatura.
3. Saturao de corrente reversa (IR) em um valor especfico de tenso e
temperatura.
4. Tenso reversa, PIV or PRV or V(BR), em um valor especfico de
temperatura.
5. Mxima potncia de dissipao em um valor especfico de temperatura.
6. Nveis de capacitncia.

7. Tempo de recuperao reversa, trr

8. Faixa de operao da temperatura.
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Smbolo e Encapsulamento do Diodo

O anodo abreviado por A

O catodo abreviado por K
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Teste de um Diodo

Checagem do Diodo.
Ohmmetro.
Traando a Curva.

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Diodo Checker
Muitos multimetros digitais tem uma funo
para checar o funcionamento do diodo fora de
um circuito.

Um diodo normal possui tenso direta, para:

Arsenito de glio 1,2 V
Diodo de silicone 0,7 V
Diodo de Germanio 0.3 V
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Ohmmetro
Um ohmmetro ajusta uma baixa resistncia
para utilizar como teste em um diodo fora do
circuito.

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Traando a Curva
Traar a curva caractersitica do diodo em teste para
comparar com suas especficaes mostradas no data
sheet.

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Outros Tipos de Diodos

Diodo Zener.
Diodo Emissor de Luz (LED Light-emitting
diode).
Arranjo de diodos.

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Diodo Zener
Um diodo zener opera na
polarizao reversa na tenso
Zener(VZ).

A tenso zener comum est

entre 1,8 V e 200 V.

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Diodo Emissor de Luz (LED)

Um LED emite fotons quando existe uma polarizao
direta.
Geralmente a emisso na regio do infravermelho
ou no espectro vsivel.
A tenso de polarizao direta , usualmente, na faixa
de 2 V e 3 V.

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Arranjo de Diodos
Multiplos diodos
podem ser
encapsulados juntos
em um circuito
integrado (CI).

Common Anode

Common Cathode

Existe uma grande

possibilidade no
arranjo dependente
do tipo de CI.
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