UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL

NOMBRE: Byron Villagomez

NIVEL: Tercero
MATERIA: Electrnica
CONSULTA: Semiconductores
CONDENSADORES ELCTRICOS

Es un componente elctrico que tiene por misin la de almacenar electrones de forma temporal.
Despus de las resistencias son los elementos ms comunes en los circuitos electrnicos.
Los condensadores constan de dos placas metlicas, llamadas ARMADURAS, separadas por un
aislante llamado DIELCTRICO.

Si aplicamos tensin a las armaduras, stas se cargan de electricidad permaneciendo almacenada.

Decimos entonces que el condensador est cargado.
La cantidad de electricidad que puede almacenar un condensador depende de dos factores:
1. Del tamao de las placas: a mayor tamao, mayor capacidad.
2. Del espesor del dielctrico: a mayor espesor, mayor capacidad.

Los condensadores se miden en Faradios (F) , pudiendo encontrarse condensadores que se

miden en Microfaradios (F), Picofaradios (pF) y Nanofaradios (nf).
Qu aplicaciones tiene un condensador?

Para aplicaciones de descarga rpida, como un flash, en donde el condensador se

tiene que descargar a gran velocidad para generar la luz necesaria (algo que hace muy
fcilmente cuando se le conecta en paralelo un medio de baja resistencia)
Como Filtro, un condensador de gran valor se utiliza para eliminar el "rizado" que se
genera en el proceso de conversin de corriente alterna en corriente continua.
Para aislar etapas o reas de un circuito: Un condensador se comporta (idealmente)
como un cortocircuito para la seal alterna y como un circuito abierto para seales de
corriente continua, etc.

Smbolo del condensador

Existe un tipo de condensador que son de capacidad variable, que tienen como dielctrico el aire y
que estn construidas de forma que una de las placas est intercalada entre las otras. Se usan en
los circuitos para sintonizar emisoras de radio.

SEMICONDUCTORES

Existen materiales que son buenos conductores de la electricidad como la plata, el cobre, el aluminio,
etc. Tambin existen otros materiales que no permiten el paso de la corriente elctrica y que
llamamos aislantes, como el plstico, la goma, el vidrio, etc.
Los materiales semiconductores son aquellos que no pueden ser considerados ni conductores ni
aislantes. Su resistencia elctrico puede ser poca o mucha dependiendo de las condiciones a que sean
sometidos.
Normalmente se presentan en la naturaleza en forma de minerales cristalizados.
El nombre de semiconductor se aplica a un gran nmero de minerales y compuestos qumicos, siendo los ms representativos el
Germanio y el Silicio.
Los electrones que giran alrededor del tomo estn sometidos a dos fuerzas: una de atraccin del ncleo (fuerza de Coulomb) y otra
hacia fuera al girar a cierta velocidad alrededor del ncleo (fuerza Centrfuga).
Fcoul Fuerza de Coulomb

Fcent = m V 2 /R

Fcent Fuerza Centrfuga

R = radio de la orbita

Cuando un tomo se calienta, al suministrarle energa, se aumenta la velocidad de sus electrones, y por lo tanto su fuerza
centrfuga. Cuando la fuerza centrfuga resulta mayor que la fuerza de Coulomb el electrn se desprende de su orbita en direccin
contraria al campo y queda un hueco, que es el espacio vaco que queda al escapar un electrn. A la energa necesaria para que
esto ocurra se le llama Energa de Ionizacin.
Un electrn ligado es aquel que est en orbita y para que se libere hay que darle la Energa de Ionizacin. Los primeros electrones
que se escapan son los electrones de valencia, al darle energa.
Tanto el GERMANIO como el SILICIO son del grupo 4B con cuatro electrones de valencia (tetravalente) y los tomos unidos entre
s por enlace covalente. Queda rodeado por una estructura de ocho electrones.
La estructura queda por lo tanto como sta.

Al suministrarle energa (E) y aumentar la temperatura, esto supone un aumento de la velocidad de los electrones. Cuando llega un
punto en que la fuerza centrifuga es mayor que la fuerza de Coulomb el electrn salta de su orbita. Cuando un electrn se calienta y
se libera ya comienza a ser conductor el semiconductor. Los electrones se mueven en direccin contraria al campo (E).
Para que un electrn salte a una capa del mismo nivel no necesita energa y van movindose los electrones dejando huecos.

Y as sucesivamente se va
moviendo
los
electrones
ocupando los huecos y dejando
a su vez otro hueco.

Hay por lo tanto dos movimientos de electrones:

1. De los electrones libres que se desprenden y se mueven libremente por el semiconductor.
2. De los electrones ligados que se mueven por los huecos que han dejado los electrones libres al desprenderse.
n = densidad de electrones libres a la temperatura de trabajo, es decir, el nmero de electrones libres por unidad de volumen
(cm2)
p = densidad de huecos o el nmero de huecos por unidad de volumen (cm 2).
Si n = p se dice que es un semiconductor puro o intrnseco.
El primer problema que se tiene es que se necesita una temperatura muy elevada y no es rentable. Por ello se pens en la manera
de hacerlo sin tener una temperatura tan elevada y es aadiendo impureza, o lo que es lo mismo, dopndolo, pero controladamente
para obtener la respuesta que se desee.
SEMICONDUCTORES POSITIVOS (de tipo P)
Cuando al Silicio o al Germanio se le dopa con un elemento del grupo III como el Boro, el Aluminio, el Galio,etc., que tienen tres
electrones de valencia, se produce una red en cuyo interior faltan tantos electrones como tomos del elemento aadidos, formando
de este modo un cuerpo cargado positivamente, es decir un conductor electro-positivo, tipo P.
Al someterlo a un campo elctrico ya comienzan a circular los electrones ligados por los huecos.
Como n < p se dice que es un semiconductor de tipo P.
A los semiconductores dopados se le dicen que son impuros extrnsecos. En este caso se dice que tiene impurezas aceptoras, ya que
faltan electrones para el enlace covalente.
SEMICONDUCTORES NEGATIVOS (de tipo N)

Si, en lugar de doparlo con un elemento del grupo III, se le dopa con un elemento del grupo V, como el Fsforo, el Arsnico, o el
Antimonio, que tienen cinco electrones de valencia, se produce una red con tantos electrones sobrantes como tomos hemos
aadido del elemento del grupo V.
Ahora los electrones sobrantes ya se mueven en direccin contraria al campo sometido.
Como n > p se dice que es un semiconductor de tipo N.
A los semiconductores dopados se le dicen que son impuros extrnsecos. En este caso se dice que tiene impurezas donadoras, ya
que sobran electrones en el enlace covalente.

TRANSISTOR
En el ao 1942, los fsicos norteamericanos Bardeen, Brattain y Shockley investigando con semiconductores, descubrieron el
transistor. Debido a la gran importancia de dicho descubrimiento, se les concedi en 1956 el Premio Nbel de Fsica.

Exteriormente est formado por un caparazn o cpsula que puede tener diferentes formas, del que salen tres patillas metlicas,
o mas tcnicamente dicho, tres electrodos o terminales y en algunos casos solamente dos ya que el tercer terminal lo forman el
recubrimiento metlico de la cpsula.

Internamente, el transistor es un componente semiconductor formado por un cristal que contiene una regin P entre dos regiones
N (transistor NPN), o una regin N entre dos regiones P (transistor PNP).

La diferencia que hay entre un transistor PNP y otro NPN radica en la polaridad de sus electrodos.

Polaridad de los electrodos

Smbolo del transistor NPN

Smbolo del transistor PNP

Cada una de estas regiones semiconductoras tiene una conexin. La regin central se llama base (B) y las otras emisor (E) y
colector (C).

APLICACIONES
La primera consecuencia del descubrimiento del transistor, fue que los aparatos electrnicos pudieron hacerse mucho mas
pequeos, al ocupar el transistor un volumen mucho menor que las vlvulas electrnicas anteriormente empleadas.

Se redujo tambin mucho el consumo de corriente, porque las vlvulas necesitaban calentamiento y el transistor no.
El transistor puede emplearse como interruptor y como amplificador.

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando le aplicamos una corriente a la base y como interruptor ABIERTO
cuando no le aplicamos corriente a sta.
EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
Los fsicos que descubrieron el transistor se dieron cuenta que mediante la variacin de una corriente dbil aplica a la base
podan gobernar otra mucho mas intensa entre colector y emisor.
Esto significa que pequeas corrientes elctricas pueden ser amplificadas, o lo que es lo mismo, que seales dbiles pueden
transformarse en otras suficientemente fuertes.
La intensidad que atraviesa el emisor es igual a la intensidad que pasa por el colector ms la intensidad que pasa por la base.
IE=IC+ IB

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

Quizs el modo de trabajar de un transistor puedes fcilmente comprenderlo con un ejemplo ms fcil que podramos llamar: el
transistor hidrulico
Por la tubera O llega presin de agua y puede seguir dos caminos:
1. Por C que no puede pasar ya que se lo impide el tapn.

2. Por B que al estar cerrada la llave L tampoco puede pasar.

Por lo tanto por la tubera E no sale agua y podemos decir que el transistor est bloqueado.
Si abrimos un poco la llave L comienza a salir agua por el tubo B y sta empuja la palanca que unida al tapn permite el paso de
agua por la tubera C.
Por la tubera E ahora sale el agua que pasa por C ms el agua que pasa por B.
Esta figura muestra como si abrimos ms la llave de paso L por la tubera B sale ms agua y por lo tanto empuja mas fuerte a la
palanca y abre completamente el paso por la tubera C.

Como se puede comprobar nos encontramos con tres situaciones:

1. Est totalmente cerrada: no circula agua.
2. Cuando esta algo abierta, pero no lo suficiente para que el tapn este abierto del todo: Se puede regular el caudal por C
abriendo mas o menos la llave L.

3. Cuando se abre L lo suficiente para que este el tapn totalmente abierto y por C pasa prcticamente todo el caudal, ya que lo
que pasa por B es despreciable frente a lo que pasa por C.
Esto mismo es lo que tenemos en los transistores elctricos, cambiando caudal de agua por corriente:
1. Por la base no se le suministra corriente: transistor no deja conducir entre colector y emisor.
2. Por la base se le suministra una pequea corriente: Se puede controlar el paso de corriente entre el colector y el emisor. La
corriente que pasa entre colector y emisor es mucho mayor que la corriente que le suministramos a la base.
3. Se le suministra suficiente corriente a la base para que circula la mximo corriente entre colector y emisor, se dice que el
transistor est saturado y la corriente que se le suministra a la base es la necesaria para producir la saturacin del transistor.

Cuando trabaja como interruptor el transistor trabaja en corte y en saturacin, mientras que cuando trabaja como amplificador
trabaja con corrientes en la base menores para controlar la corriente entre colector y emisor.

TRANSISTOR DARLINGTON
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente. Est compuesto internamente por dos transistores de la forma que muestra la
figura siguiente:

El transistor comn con la identificacin de las patillas

El transistor Darlington con la identificacin de las patillas

y su estructura interna
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es
igual a beta por la corriente de base).

Entonces:
- Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x IB1 (1),
- Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la
corriente de base del transistor T2. Entonces IE1 = IB2 (3)
Utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3)
IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la
ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se
multiplican).

Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (b = 100) conectados como un

transistor Darlington y se utilizara la formula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x
1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la
ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con
corrientes muy pequeas.
Muy importante: la cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington
es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer
transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7
voltios).
DIODO ZENER
Es un tipo especial de diodo que diferencia del funcionamiento de los diodos comunes,
como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin
directa y polarizacin inversa) el diodo Zener siempre se utiliza en polarizacin inversa,
en donde la corriente desea circular en contra de la flecha que representa el mismo
diodo.

Smbolo del diodo zener

(A - nodo K - ctodo)
En este caso analizaremos el diodo Zener, pero no como un elemento ideal, si no como
un elemento real y debemos tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo

inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero
de muy poco valor.

Analizando la curva del diodo zener vemos que en el lugar donde se marca como regin
operativa, la corriente (Ir, en la lnea vertical inferior) puede variar en un amplio
margen, de pero el voltaje (Vz) cambia muy poco. Se mantiene aproximadamente en 5.6
V. (para un diodo zener de 5.6 V)
Aplicaciones del diodo Zener? La principal aplicacin que se le da al diodo Zener es la
de regulador.
Qu hace un regulador con Zener? Un regulador con zener ideal mantiene un voltaje
fijo predeterminado a su salida, sin importar si vara el voltaje en la fuente de
alimentacin y sin importar como vare la carga que se desea alimentar con este
regulador.
Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo
zener), el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son
ideales y lo normal es que la tensin de salida disminuya conforme la carga va
aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente.
Para poder saber si una fuente de voltaje es de buena calidad se utiliza la siguiente
frmula:
Porcentaje de regulacin =
V (sin carga) - V (carga total) / V (carga total) * 100 %
A menor valor de porcentaje de regulacin, mejor calidad de fuente.
DIODO
Es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en
cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio.
Constan de dos partes una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura
tambin llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el germanio y
de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Smbolo del diodo ( A - nodo K - ctodo)

El diodo se puede puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa: Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la
flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el
diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.
Diodo en polarizacin directa
Polarizacin inversa: Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o se del ctodo al nodo. En este caso la
corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.
Diodo en polarizacin inversa

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, sto quiere decir
que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos),
tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa.
Aplicaciones del diodo: Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de la ms
comunes es el proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua
(C.C.). En este caso se utiliza el diodo como rectificador

TIRISTOR
El SCR y la corriente continua:
Rectificador controlado de silicio, estos elementos semiconductores son muy utilizados
para controlar la cantidad de potencia que se entrega a una carga, donde:
- A = nodo
- C = ctodo, tambin representado por la letra K
- G = compuerta o gate
Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su

compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este
conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa
Si no existe corriente en la compuerta el tristor no conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as.
Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que
por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o
de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG
(voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.

Como se puede ver el SCR , tiene dos estados:

1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
El SCR y la corriente Alterna
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso
de la figura es un bombillo o foco
La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc.
El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin
en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede
verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de
alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el
tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el valor
de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el desfase que
hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el SCR se active en
diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo negativo de la seal. y deje
de conducir.

TERMISORES:
Se llama as a los semiconductores que son sensibles a los cambios de temperatura, o
mejor, a aquellos en que las variaciones tienen, frente a la composicin, un gran valor.
Los materiales ms usados son xidos de Cobalto (CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio
(MgO), Manganeso (MnO), Nquel (NiO) y Titanio (TiO). Se utilizan en forma de bola,
disco o varilla, indicando con esto la forma en que se separa el material base del
termisor. En el de bola se aplica la mezcla de xido en forma viscosa entre dos hilos
paralelos de Platino con una pequea gotita, aproximadamente 1 mm. de dimetro y por
y por coccin queda sujeta a los hilos. Cuando se usan en forma de discos o varillas se
preparan por sintetizado. Sus aplicaciones son para medir la temperatura, medidas de
vaco y en los circuitos de comunicaciones como reguladores de tensin y limitadores
de volumen.

VARISTORES

Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de

alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o
ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA.
Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al
igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero adems
pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.
Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro
valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera
los componentes sensibles del circuito.
Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio)
CARACTERISTICAS
Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil
del componente correcto para una aplicacin especfica.
Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente.
Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que
ocurre.

Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.

Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de
circuitera en conmutacin digital.
Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva
El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del
impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se
permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva.
Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente
desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que
la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10%
como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del
propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que
utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.
Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que
estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas
garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada
por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
La amplitud de la corriente.
El voltaje correspondiente al pico de corriente.
La duracin del impulso.

El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100%
y 50% del pico de corriente.
La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia
generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la
norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico
en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien
sinusoidal.
Esta curva es definida por el el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor
medio (t2) como el mostrado en la Fig.1.

Fig. 1

El clculo de energa durante la aplicacin de tal impulso viene dado por la frmula:
E = Vpeak x Ipeak x t2 x K
donde:
Ipeak = corriente de pico
Vpeak = voltaje a la corriente de pico

K es un constante que depende de t2, cuando t1 va de 8 a 10 microsegundos;

ver Tabla 1.

t2 (microsegundos)
20
50
100
1000
Tabla 1

K
1
1.2
1.3
1.4

La energa mxima no representa entonces la calidad del varistor, pero puede ser un
indicio valioso cuando comparamos diversas series de componentes que tienen el
mismo voltaje.
La energa mxima indicada por los fabricantes es vlida para un impulso estndar de
duracin entre10 y 1000 microsegundos, que dan como maxima variacin de voltaje un
10 % para 1 mA.

Cuando se aplican ms de un impulso, recurriremos a las tabla que a tal efecto nos
proporcionan los fabricantes.
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Caractersticas tpica V/I de un varistor de ZnO
La relacin entre la tensin y corriente en un varistor viene dada por:
V = C x Ib
Donde:
V es el voltaje
C es el voltaje del varistor para una corriente de 1 A.
I es la corriente actual que atraviesa el varistor.
b es la tangente del ngulo que forma la curva con la horizontal. Este parmetro
depende del material con que est fabricado el varistor; en el caso del ZnO su valor es ?
= 0.035
Ejemplo:
Supongamos una varistor con un valor de C = 230 V. a 1 A. y b = 0.035 (ZnO)
Entonces:V = C x Ib
Para una I =10-3 A
V = 230 x(10-3 ) 0.035 = 180 V
Y para una I =102 A
V = 230 x(102 ) 0.035 = 270 V

LIMITACION DE TRANSITORIOS DE TENSION CON VARISTORES DE ZnO

En la Fig.2 el voltaje de alimentacin Vi es derivado por la resistencia R (p. ej. la
resistencia de lnea) y el varistor (-U) seleccionado para la aplicacin.

Fig. 2
VI =VR +VO
VI =R x I + C x Ib
Si la tensin de alimentacin vara una cantidad DVI la variacin de corriente ser de
DI y la tensin de alimentacin podr expresarse como:
(VI + DVI )=R x (I + DI) + C x (I+DI)b

Dado el valor pequeo de b (0.03 a 0.05), es evidente que la modificacin de C x Ib ser

muy pequea comparada a la variacin de R x I cuando VI aumente a VI + DVI .
Un aumento grande de VI conduce a un aumento grande de VR y un aumento pequeo
de VO
FOTORRESISTENCIA.
Componente de un circuito cuya resistencia disminuye sensiblemente al ser expuesto a
la luz mientras que cuando permanece en la oscuridad total presenta una resistencia muy
elevada. Tambin recibe el nombre de resistencia dependiente de la luz (LDR).
Es un dispositivo fotodetector que modifica su resistencia elctrica al ser expuesto a la
energa luminosa. As, por ejemplo, cuando el nivel de iluminacin es de 1.000 lux, la
resistencia puede ser de 130 ohmios, pero cuando el nivel de iluminacin disminuye
hasta 50 lux, su resistencia puede ser de 2,4 kiloohmios.
Estn compuestos, generalmente, por una base de sulfuro de cadmio debidamente
encapsulado y con una cubierta de resina transparente y aislante, de tal forma que
cuando los fotones inciden sobre la superficie de dicho material, imprimen a los
electrones suficiente energa como para elevar su conductividad.

Comercialmente tienen muchas formas, pero bsicamente constan de un cuerpo de

forma circular y de dos hilos metlicos que sirven de elementos de unin al circuito. Las
fotorresistencias se utilizan como detectores de luminosidad, por ejemplo en el sistema
de alumbrado pblico. En funcin de la cantidad de luz que incide sobre estos sensores
se puede o no activar un rel, con lo que se regula el encendido.

EL FOTODIODO
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina). Esta

corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de
fuga.
Luz incidente

Sentido de la corriente generada

El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en
electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo
un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.
Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el
sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto
sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal.

La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad
de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el
colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del
transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.