Cuestionario de Electrnica

Transistores

Tema:

CUESTIONARIO DE ELECTRNICA 2
Objetivo:
Resolver el cuestionario sobre transistores, para rendirla prueba final
Resea terica:
La prueba es personal y constar de 4 preguntas tericas y 2
diagramas o grficas de referencia.
Cada pregunta terica contestada correctamente tiene el
valor de 1.5 puntos.
Cada diagrama o grfica correctamente tiene el valor de 1.5
puntos.
Cada pregunta en blanco o anulada tiene el valor de 0.0 puntos.
La respuesta a cualquier pregunta queda anulada por cualquier
tachn o uso de corrector y no tiene valor.
Pregunta contestada parcialmente tiene valor parcial.
Pregunta general contestada incorrectamente tiene un valor
negativo de -0.25 puntos.
El tiempo de la prueba ser de 60 minutos.
Los estudiantes quedaran suspendidos de la prueba tras dos llamadas
de atencin.
Solo se necesita un esferogrfico azul o negro para realizar la prueba.
Los materiales son de uso personal, por lo que queda prohibido el uso
comn de los mismos, estudiantes sorprendidos usando material
comn, tendrn un -1.0 puntos en su prueba.

La prueba estar basada en un tema nico, y las preguntas sern

contestadas y validas nicamente si son referentes al tema indicado.
Para cada tipo de transistor, responder a las siguientes preguntas. Dibujar
los diagramas indicados.
Preguntas:
1. Estructura y Simbologa del transistor
2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa
3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad
4. Encapsulado del transistor
5. Aplicaciones del transistor
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en alguna de
sus aplicaciones.
Transistores:
1.
2.
3.
4.

Transistores Bipolares BJT

Transistores de efecto de campo de unin JFET
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada IGFET
Transistor de efecto de campo MOS MOSFET

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Transistores

Transistores Bipolares BJT

1. Estructura y Simbologa del transistor
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener
una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p,
en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p
con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando
de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector.
Cada una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las
corrientes. Estos terminales se representan por la inicial del nombre
de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector).

Fig. 1 Tipos y smbolos de transistores bipolares. a) Transistor NPN. b)

Transistor PNP
2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa
Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unin
entre las zonas de emisor y base (que denominaremos a partir de
ahora unin de emisor JE) y otra unin entre las zonas de base y
colector (de que denominaremos unin de colector JC), cada una de
las cuales puede ser polarizada en las dos formas en directa e
inversa. As, desde el punto de vista global del dispositivo tenemos
cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de
polarizacin de las dos uniones. Si polarizamos las dos uniones en
directa, diremos que el transistor est trabajando en la zona de
saturacin. En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en
directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el
transistor est en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor
se polariza en inversa y la unin de colector en directa, el transistor
se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las mencionadas
en primer lugar son las ms interesantes desde el punto de vista del
funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona
puramente terica y sin inters prctico.

3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad

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Transistores

La Figura muestra las curvas caractersticas de un bipolar tpico. Observe

que la curva caracterstica de la entrada (iB en funcin de vBE) es similar a
la curva caracterstica en polarizacin directa de la unin pn. Las curvas
caractersticas de salida muestran que la corriente de colector es
independiente de la tensin colector-emisor vCE, mientras vCE sea mayor
de unos 0,2 V.
Supongamos que vCE es mayor que vBE, de manera que la unin del
colector est polarizada en inversa. En estas condiciones, los electrones
no pueden cruzar del colector a la base. As, el nmero de electrones que
fluyen hacia la base viene dado por la tensin que se aplica a la unin
del emisor. Por tanto, en una primera aproximacin, el nmero de
electrones que entran en el colector depende slo del grado de
polarizacin directa de la unin del emisor, y es independiente del grado
de polarizacin inversa de la unin del colector. Para 0,2<VCE<VBE, la
unin del colector se halla polarizada en directa, pero slo por unas
pocas dcimas de voltio: no lo suficiente como para causar una corriente
directa significativa.

4. Encapsulado del transistor

- El TO-92: Para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin
de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado.

- El TO-18: Es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que

indica que la patita ms cercana es el emisor

- El TO-39: tiene el mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande,

pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para
efectos de disipacin de calor.

- El TO-126: En aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o

no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en ser este
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Transistores

utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el

centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante

- El TO-220: Debe disipar potencia algo menor que con el

encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica
aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo debidamente
aislado.

- El TO-3: En transistores de gran potencia. Se usan principalmente

en amplificadores de alta potencia, instrumentos de medicin,
aplicaciones militares, inversores, o muchos circuitos que requieren
de una buena disipacin de calor. Est fabricado de metal y es muy
normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera
en calor. Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del
transistor, pues este estara conectado directamente con el colector
del transistor. Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva
de aislante y a la vez de buen conductor trmico.

El emisor y la base se encuentran ligeramente a un lado y si se pone

el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el
emisor y la derecha la base.
5. Aplicaciones del transistor
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se
encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas,
emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin,
actuando
de
interruptores
(control
de
rels, fuentes de
alimentacin
conmutadas,
control
de
lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.
EL AMPLIFICADOR DE SEALES ALTERNAS
El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse
para procesar la informacin que contienen. Por ejemplo: una guitarra
elctrica. El movimiento de una cuerda metlica en el interior de un
campo magntico (creado por los captadores o pastillas) provoca una
pequea variacin de tensin entre dos terminales de una bobina.
Para que esa dbil seal pueda llegar a los odos de todo un auditorio,
es evidente que se necesita una amplificacin. La seal producida por
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Transistores

la pastilla de la guitarra viaja por un par de terminales hasta el

amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea seal,
que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la
potencia que se desee.
El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio
transistor bipolar.

Circuito con un transistor bipolar.

1. Slo amplifica la parte positiva de la seal: Cuando

que 0,7 V Q pasa al estado de corte, con lo que

es menor

2. Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que

0,7 V, ya que la seal de entrada ha de polarizar en directa la
unin BE y llevar el transistor a la RAN.
Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas
mayores de 0,7 V. Por lo tanto no es capaz de amplificar seales de
alterna.

Transistores de efecto de campo de unin JFET

1. Estructura y Simbologa del transistor
El transistor de efecto de campo de unin, tambin denominado JFET
(iniciales de su nombre en ingls Junction Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales. La corriente fluye entre los
terminales de drenador y surtidor, y est controlada por la tensin
aplicada entre el terminal de puerta y el de surtidor. Hay dos tipos de
JFET: el de canal N y el de canal P. Sus estructuras fsicas simplificadas
y sus smbolos se representan en la figura

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Transistores

Estructura fsica y smbolo del JFET. a) De canal N. b) De canal P

2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. La terminal de drenaje se polariza directamente con respecto
al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza inversamente
con respecto a la fuente (-V gg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el
canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador
(drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el
canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET.
3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas
caractersticas del transistor JFET. Las curvas caractersticas tpicas
para estos transistores se encuentran en la imagen, ntese que se
distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y
la zona de saturacin.
Ntese, en la figura, que conforme VDS aumenta desde cero, se
alcanza un punto de ruptura en cada curva, ms all del cual la
corriente de drenaje se incrementa muy poco a medida que VDS
continua aumentando. El estrechamiento se produce en este valor de
la tensin drenaje a fuente. Los valores de estrechamiento de la
figura 5 estn conectados con una curva roja que separa la regin
ohmica de la regin activa. Conforme VDS continua aumentando ms
all del punto de estrechamiento, se alcanza un punto donde la
tensin entre drenaje y fuente se vuelve tan grande que se
produce ruptura por avalancha. En el punto de ruptura, iD aumenta lo
suficiente, con incrementos insignificantes en VDS. Esta ruptura se
produce en la terminal de drenaje de la unin compuerta-canal. Por
tanto, se produce avalancha cuando la tensin drenaje-compuerta,
VDG, excede la tensin de ruptura (para VGS=0v), para la unin pn.
En este punto, la caracterstica iD-VDS exhibe la peculiar forma
mostrada a la derecha de la figura

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Transistores

4. Encapsulado del transistor

Cpsula TO-3. Se utiliza
para transistores de gran
potencia, que siempre suelen
llevar
un
radiador
de
aluminio que ayuda a disipar
la potencia que se genera en
l.
Arriba a la izquierda vemos
su distribucin de terminales,
observando que el colector
es el chasis del transistor.
Ntese
que
los
otros
terminales no estn a la
misma distancia de los dos
agujeros.
A la derecha vemos la forma
de
colocarlo
sobre
un
radiador, con sus tornillos y
la mica aislante. La funcin
de la mica es la de aislante
elctrico y a la vez conductor
trmico. De esta forma, el
colector del transistor no
est en contacto elctrico
con el radiador.

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Transistores

Cpsula TO-220. Se utiliza

para transistores de menos
potencia, para reguladores
de tensin en fuentes de
alimentacin y para tiristores
y triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un
radiador de aluminio, aunque
a veces no es necesario, si la
potencia que van a disipar es
reducida.
Abajo vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sujeccin. Se suele
colocar una mica aislante
entre el transistor y el
radiador,
as
como
un
separador de plstico para el
tornillo, ya que la parte
metlica est conectada al
terminal central y a veces no
interesa
que
entre
en
contacto elctrico con el
radiador.
Cpsula TO-126. Se utiliza
en transistores de potencia
reducida, a los que no resulta
generalmente
necesario
colocarles
radiador.
Arriba a la izquierda vemos la
asignacin de terminales de
un transistor BJT y de un
Tiristor.
Abajo vemos dos transistores
que tienen esta cpsula
colocados sobre pequeos
radiadores de aluminio y
fijados
con
su
tornillo
correspondiente.
Cpsula TO-92. Es muy
utilizada en transistores de
pequea
seal.
En el centro vemos la
asignacin de terminales en
algunos
modelos
de
transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos transistores
de este tipo montados sobre
una
placa
de
circuito
impreso. Ntese la indicacin
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Transistores

"TR5" de la serigrafa, que

indica que en ese lugar va
montado
el
transistor
nmero 5 del circuito, de
acuerdo
al
esquema
elctrnico.
Cpsula TO-18. Se utiliza
en transistores de pequea
seal.
Su
cuerpo
est
formado por una carcasa
metlica
que
tiene
un
saliente
que
indica
el
terminal del Emisor.
Cpsula
miniatura.
Se
utiliza en transistores de
pequea seal. Al igual que
el anterior, tienen un tamao
bastante pequeo.

5. Aplicaciones del transistor

El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores
analgicos, multiplexores, control automtico de ganancia "CAG" en
receptores de radio, amplificadores de pequea seal en receptores
de radio y TV, troceadores o choppers, etc. En la figura, se muestra
un ejemplo de interruptor analgico con un JFET.
Si a este circuito se le aplica una tensin VGS=0, el transistor entrar
en saturacin y se comportar como un interruptor cerrado. Por otro
lado, si la tensin aplicada es VGS=VGS(apag), el transistor se pondr
en corte y actuar como un interruptor abierto.
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.
Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar
nicamente en dos estados, corte y saturacin.

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Transistores

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada IGFET

1. Estructura y Simbologa del transistor
El transistor de efecto campo de puerta aislada (IGFET) difiere
delJFET por la adicin de una capa de dixido de silicio sobre el JFET y
luego una capa de nitruro de silicio. El resultado es un dispositivo que
tiene una impedancia de entrada an mayor. El objetivo de la
impedancia de entrada extremadamente alta es permitir al
amplificador mostrar alguna seal de salida, con un mnimo de
"carga" o de interferencia en la fuente de seal de entrada.

2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa

El D-MOSFET puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de
empobrecimiento o el modo enriquecimiento, por ello tambin se conoce
como MOSFET de empobrecimiento/enriquecimiento. Como la compuerta
est aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o un
voltaje negativo. El MOSFET de canal n opera en el modo de
empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a
fuente, y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje
positivo de compuerta a fuente. Estos dispositivos en general se operan
en el modo de empobrecimiento.
Modo de empobrecimiento.
Imagnese la compuerta como la placa de un capacitor de placas

paralelas y el canal como la otra placa. La capa aislante de bixido de

silicio es el dielctrico. Con un voltaje negativo en la compuerta, las
cargas negativas en sta repelen los electrones de conduccin
provenientes del canal y dejan a los iones positivos en su lugar. Por esto,
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Transistores

el canal n se queda sin algunos de sus electrones, por lo que disminuye

la conductividad del canal. Mientras ms grande es el voltaje negativo en
la compuerta, ms grande es el empobrecimiento de electrones en el
canal n. Con una voltaje de compuerta a fuente suficientemente
negativo, VGS(corte), el canal se empobrece totalmente y la corriente en
el drenaje es cero. El modo de empobrecimiento se ilustra en la figura 837(a). Al igual que el JFET de canal n, el D-MOSFET de canal n conduce
corriente en el drenaje con voltajes de compuerta a fuente entre
VGS(corte) y cero. Adems, el D-MOSFET conduce con valores de VGS
por encima de cero.
Modo de enriquecimiento

Con un voltaje positivo en la compuerta, ms electrones de

conduccin son atrados hacia el canal, por lo que la conductividad de
ste se enriquece (incrementa), como ilustra la figura 8-37(b).
3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad

4. Encapsulado del transistor

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Transistores

5. Aplicaciones del transistor

Los IGBT tienen aplicaciones crecientes en potencias intermedias,
como por ejemplo propulsores de motores de CD y CA, fuentes de
corrientes, relevadores de estado slido, y contactores. A medida que
los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en
el comercio aumentan (hasta 6500V y 2400A), estn encontrando
aplicaciones donde se usan los BJT y los MOSFET convencionales
principalmente como interruptores llegando a sustituirlos.
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.

En la figura 9-12 se muestra un D-MOSFET de canal n en fuente comn

polarizado en cero con una fuente de ca acoplada capacitivamente a la
compuerta. sta se encuentra a aproximadamente 0 V de ca y la
terminal fuente est a tierra, as que VGS=0 V.

Transistor de efecto de campo MOS MOSFET

1. Estructura y Simbologa del transistor
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que utilizan uncampo elctrico para crear
una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen
dos
tipos
de
transistores MOS: MOSFET de
canal
N
o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden
ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion

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Fig. 8.2

Transistores

Transistor MOS de acumulacin de canal P. a) Estructura fsica.

b) Smbolo.

Su smbolo se diferencia del anterior por el sentido de la flecha del

terminal B. En este caso, va en el sentido del canal P hacia el sustrato
N.
2. Comportamiento del transistor en corriente directa e inversa
El transistor MOS en continua
Cuando las tensiones aplicadas en los terminales del transistor MOS
varen muy lentamente, las corrientes por los condensadores sern
muy pequeas y stos podrn ignorarse. En este caso, el transistor
MOS se comporta como una fuente dependiente conectada entre
drenador y surtidor controlada por las tensiones aplicadas a sus
terminales. Obsrvese entonces que la corriente de puerta iG es nula,
as como tambin lo es la corriente de sustrato. En este caso, el
circuito equivalente de la figura 8.5 se reduce a una fuente de
corriente entre drenador y surtidor, cuyo valor depende de la tensin
vGS. Por esto, se dice que el MOS es un dispositivo controlado por
tensin, no por corriente, como era el caso del transistor bipolar.

Fig. 8.5 Modelo del transistor MOS de canal N

3. Curvas caractersticas del transistor, segn su polaridad
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Cuestionario de Electrnica

Transistores

En la figura 8.6 se representan las curvas caractersticas de un

transistor MOS de canal N. Para cada valor de vGS hay una curva de
la corriente de drenador en funcin de la tensin entre drenador y
surtidor. Para vGS menor o igual a VT las curvas coinciden con el eje
de abscisas: la corriente de drenador es nula. A medida que vGS
aumenta por encima de VT la corriente va creciendo.

Fig. 8.6 a) Curvas caractersticas de drenador de un transistor MOS de canal N.

b) Curva de transferencia en la regin de saturacin

4. Encapsulado del transistor

En algunos casos nos encontramos con Mosfet SMD con encapsulado
SOT-223 o TO-261AA cuyo nmero indicado en el encapsulado son 2
letras y 3 nmeros como por ejemplo LL014 o FL016, para poder
ubicar su hoja de datos debemos agregarle el prefijo IR
Cuando el encapsulado es DPAK o D2PAK traen en el encapsulado el
nmero de identificacin completo y en algunos se le agrega el prefijo
IR.
Cuando el encapsulado es SOIC-8 verificamos el logo para determinar
quin es el fabricante; si es International Rectifier le agregamos el
prefijo IRF, si es VISHAY se le agrega el prefijo SI. El nmero de partes
es de 4 dgitos.

5. Aplicaciones del transistor

Digitales
Al bloquear efectivamente el flujo de la corriente directa (CD)
por el canal, los transistores MOSFET reducen el consumo de
energa y permiten las impedancias grandes, lo que, a su vez,
tiene como resultado una alta capacidad de diseminacin. Los
diseadores utilizan este aislamiento de la compuerta y el
canal para mejorar el desempeo.
Analgicos
Como los transistores MOSFET pueden operarse a voltajes de
corriente de puerta cero as como tambin a voltajes de
drenaje-fuente, son dispositivos de intercambio ideales.
Adems, se pueden grabar sobre un chip de silicona para que
acten como resistores de precisin y como capacitores, con lo
que se puede hacer circuitos anlogos completos en un solo
chip.
Como interruptores
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Cuestionario de Electrnica

Transistores

Los voltajes de transmisin aplicados a la terminal de

compuerta de un transistor MOSFET pueden utilizarse para
encender o apagar dichos transistores. La velocidad de
funcionamiento de los interruptores tambin puede conducirse
y permitir el paso de corrientes altas y bajas. Este control de
los MOSFET los hace ms efectivos como interruptores en
comparacin con los transistores de empalme bipolares.
6. Diagrama de funcionamiento bsico del transistor, basada en
alguna de sus aplicaciones.
El MOS como transistor de paso
Considrese el circuito de la figura 8.21 en el que se supone un
transistor de acumulacin de canal N. En este circuito el transistor
MOS acta como un interruptor. Cuando la tensin que se aplica a la
puerta es nula, el transistor est en corte y equivale a un circuito
abierto. Cuando dicha tensin toma un valor elevado (nivel alto) el
transistor equivale a una pequea resistencia, RDS(on), que conecta
los circuitos 1 y 2.

Fig. 8.21 El transistor MOS de canal N actuando como transistor de

paso
Para que el transistor de paso se aproxime a un interruptor ideal se
requiere que RDS(on) sea pequea, por lo que se necesita el mayor
valor posible para vGS.

Conclusin:
Mediante la realizacin de este cuestionario se pudo comprender de
mejor manera la estructura, el funcionamiento y la curva caracterstica
de los diferentes tipos de transistores
Bibliografa:
1. Llus Prat Vias, Circuitos y dispositivos electrnicos.
2. Allan R. Hambley, Electrnica - 2da Edicin.

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