Presentación Fundamentos de Materiales

s
ial
e
M
at
er
FUNDAMENTOS DE MATERIALES
Ing. Luis Marcelo L
opez L
opez
Gr
up
o
de
Universidad Politecnica Salesiana, sede Cuenca

Ingeniera Mecanica Automotriz
Grupo de Investigaci
on en Materiales -- GIMA
Andescon 2012
GIMA (UPS)
Fundamentos de materiales
1 / 68
ial
e
Introduccion
M
at
er
En el desarrollo profesional se debe tomar desiciones importantes y fundamentales en la eleccion de materiales que se deben incorporar a un dise
no
y/o utilizar en un determinado elemento mecanico de manera que puedan ser
procesados y transformados con la finalidad de cumplir ciertas propiedades
requeridas para un determinado uso.
Se debe considerar:
de
La compatibilidad con los demas elementos de ensamble
up
o
Economico
Facil de reciclar
Gr
Comprender su comportamiento ante los efectos del medio donde

cumpla su funcion
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ial
e
Introduccion
M
at
er
En este contexto se pretende que el estudiante conozca [1]:

Los materiales disponibles en nuestro sector industrial y fuera del mismo.
de
Comprender el comportamiento y potencial que presentan cada uno de

ellos.
Gr
up
o
Entender los efectos del entorno donde funcionan para tener un concepto
claro del espectro de los materiales.
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ial
e
Tetaedro de la ciencia de materiales
Tetaedro
M
at
Gr
up
o
de
la ingeniera de materiales se
fundamenta en la relacion entre propiedades - estructura procesamiento - desempe
no, y
dise
na o proyecta la estructura
de un material para conseguir
un conjunto predeterminado de
propiedades.
er
Ciencia de materiales
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Gr
up
o
de
M
at
er
Desempeo/costo
ial
e
Tetaedro de la ciencia de materiales
Composicin
Sintesis y procesamiento
Micro-estructura
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ial
e
De acuerdo a su estructura y propiedades:
Clasificacion de los materiales
er
Los materiales se clasifican en cinco grandes grupos presentados en la

tabla 1 y 2:
de
up
o
- Cer
amicos
SiO2 , NaO2
PROPIEDADES
Alta conductividad electrica
Moldeable, maquinable
Se aplica tratamientos termicos
Opticamente
u
til, aislante termico,
punto de fuson elevado, convierten sonido en electricidad
M
at
MATERIAL
- Metales
cobre, hierro, plomo
bronce, aluminio, etc
Gr
- Polmeros
Termoestables
Termoplasticos
Elast
omeros
Electricamente aislante y resistente a

la humedad, facil conformado
Cuadro 1 : Clasificaci
on de materiales seg
un su estructura y propiedades. [1],[2]
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ial
e
PROPIEDADES
er
MATERIAL
- Semiconductores
Silicio
GaAs
- Compuestos
Matrices polimericas
Matrices metalicas
Matrices ceramicas
up
o
de
M
at
Comportamiento electrico u
nico
Convierte se
nales electricas en luz
Relaci
on resistencia - peso
Relaci
on dureza - impacto
Relaci
on de costos
Comportamiento con la corrosion
Gr
Cuadro 2 : Clasificaci
on de materiales seg
un su estructura y propiedades. [1],[2]
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Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
De acuerdo a su funcionalidad
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ial
e
De acuerdo a su micro-estructura
Amorfos: La disposici
on de los atomos no tienen orden de largo alcance.
Cristalinos: Tienen una estructura cristalina definida o una combinacion

como los policristalinos, semicristalinos.
Gr
up
o
de
M
at
er
Micro-estructura
GIMA (UPS)
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er
ial
e
Estructura atomica
Gr
up
o
de
M
at
Se estudia la estructura atomica de la materia, los enlaces entre atomos

y las moleculas para determinar las caractersticas y propiedades de un
material. Ademas de comprender que al cambiar la estructura se puede
obtener otros parametros fsicos particulares que reponden a una necesidad
o uso determinado y ayuda a entender porque responden bien a ciertos tipos
de procesos de manufactura y mal o nada a otros.
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ial
e
Estructura atomica
er
Estructura at
omica
Gr
up
o
de
M
at
Unidad estructural fundamental
Atomo
de la materia
El nucleo del
atomo esta compuesto con carga positiva y neuProtones y neutrones
tra
Al n
ucleo esta rodeado por un
n
umero suficientes de cargas
Electrones
negativas
El n
umero de electrones y protones son iguales e identifican el n
umero at
omico
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e
Estructura atomica
Estructura del
atomo
er
Estructura seg
un Bohr
M
at
Estructura atmica
Neutrn
Electrn
Protn
Gr
up
o
de
Nucleo
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e
Estructura electronica del atomo
M
at
er
Los electrones ocupan diferentes niveles de energa dentro del atomo, cada
electron posee una energa partcular, no existen dos electrones con la misma
energa.
N
umeros cu
anticos
up
o
de
El nivel de energa que corresponde cada electr

on esta determinado por los
tres primeros n
umeros cuanticos:
N
umero cuantico principal
N
umero cuantico azimutal y magnetico
N
umero cuantico de espn
Gr
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ial
e
N
umero cu
antico principal n= 1,2,3,4,5,.. que correspoden las letras
K,L,M,N,... respectivamente.
N
umero cu
antico azimutal asignado l = 0,1,2,3, n-1 ; si n = 2
entonces existen dos acimutales l=0 y l=1 donde: s para l=0 ; d para
l=2 ; p para l=3 ; f para l=4. El n
umero cu
antico magn
etico mi da
el n
umero de niveles de energa u orbitales para cada n
umero cuantico
acimutal.
de
M
at
er
up
o
N
umero cu
antico de espn m se asignan los valores de + 12 y 21 para
representar los distintos giros que seg
un el principio de Pauli no puede
haber mas de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital.
Gr
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er
ial
e
Al n
umero cuantico principal n se asignan los valores enteros 1,2,3,4,5,.....
que se refieren a cada capa cuantica, tambien se les asigana una letra K, L,
M, ..... respectivamente.
M
at
Niveles de energa
n=3
n=2
Gr
up
o
de
n=1
Ing. Luis Lpez
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M
at
er
ial
e
5 6
Gr
up
o
de
1 2 3
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e
Sodio
Gr
up
o
de
M
at
er
N
umeros cu
anticos
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up
o
de
M
at
er
ial
e
Gr
Para los once electrones del sodio se tiene:

1s2 2s 2 2p6 3s1
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ial
e
Enlaces atomicos
M
at
er
Existen cuatro enlaces importantes mediante los atomos se enlazan o unen

formando solidos. En tres de los cuatro mecanismos, el enlace se consigue
cuando los atomos llenan sus niveles externos s y p.
Enlace ionico
up
o
Enlace covalente
de
Enlace metalico
Gr
Enlaces de Van der Waals
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ial
e
Enlaces atomicos
El enlace met
alico
M
at
electrones
Gr
up
o
de
Los elementos metalicos tienen electronegatividad baja lo

que ceden sus electrones para formar un mar de electrones que se asocian con varios
n
ucleos atomicos cargados positivamente por lo que se mantienen unidos mediante una
atracci
on mutua a los electrones.
er
tomos
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Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Enlaces atomicos
La carga positiva de los n

ucleos at
omicos se unen por la mutua atracci
on a
la carga negativa de los electrones.
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ial
e
Enlaces atomicos
tomo de hidrogeno
tomo de carbono
M
at
Gr
up
o
de
El enlace covalente entre dos

atomos se origina cuando estos comparten electrones que
completan su capa de valencia.
Aunque los enlaces son muy
fuertes los materiales enlazados de esta manera por lo general tienen pobre ductibilidad
y mala conductividad electrica
y termica, para que se mueva
el electr
on debe romperse el
enlace.
er
El enlace covalente
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er
ial
e
Enlaces atomicos
Gr
up
o
Comparten los electrones

y llenan sus orbitales sp
de
M
at
Enlaces covalentes
Los enlaces covalentes

son direccionales
El silicio con valencia cuatro debe formar

cuatro enlaces covalentes
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Enlaces atomicos
ial
e
Jjkk
er
Molecula del agua
Gr
up
o
de
M
at
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ial
e
Enlaces atomicos
M
at
Gr
up
o
de
La atraccion electrostatica entre atomos de diferente carga

electrica genera un tipo de enlace conocido como enlace ionico. Es necesario que para que
pueda darse dicho enlace uno
de los atomos pueda ceder electrones y por el contrario el otro
pueda ganar electrones, es decir, se produce la uni
on entre
atomos que pasan a ser cationes y aniones.
er
El enlace i
onico
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Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Enlaces atomicos
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ial
e
Enlaces atomicos
Enlaces de Van der Waals
er
M
at
Van der Waals
Gr
up
o
de
Unen moleculas o grupos de

atomos mediante una atraccion electrostatica debil. Muchos plasticos, ceramicos, agua
y otras moleculas estan polarizadas de manera permanente,
algunas porciones positivamente y otras negativamente que
hace que se atraigan mutuamente.
Unin de la molculas de Agua
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Jjkk
Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Enlaces atomicos
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er
ial
e
Enlaces atomicos
M
at
Enlaces mixtos
Gr
up
o
de
En la mayor parte de los materiales, el enlace entre atomos es la mezcla

de dos o mas tipos. Por ejemplo, el hierro esta enlazado mediante una
combinacion de enlaces metalicos y covalentes, lo que impide que los atomos
se empaqueten tan eficientemente como pudieramos esperar.
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er
ial
e
Enlaces atomicos
M
at
Energa de enlace y espaciamiento interat

omico
Gr
up
o
de
Espaciamiento inter
atomico. La distancia de equilibrio entre atomos se
debe a un equilibrio entre fuerzas de repulsion y de atracci
on. El espaciamiento
de equilibrio ocurre cuando la energa total del par de atomos llega a un
mnimo o cuando ya ninguna fuerza neta act
ua, sea para atraer o repeler los
atomos.
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Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Energa de enlace y espaciamiento interat

omico
Enlaces atomicos
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ial
e
Enlaces atomicos
M
at
er
Propiedades que se relacionan con la energa de enlace y el espaciamiento interat

omico
de
M
odulo de elasticidad: Se relaciona directamente con la fuerza aplicada y la distancia interatomica, se puede observar en graficas de
fuerza-distancia y energa-distancia.
Gr
up
o
Coeficiente de expansi
on t
ermica: Determina cuanto se expandira o
se contraera un material al modificar la temperatura que esta relacionado
con la fuerza de los enlaces at
omicos.
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ial
e
Organizacion atomica
er
Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales,

entonces existen tres niveles de arreglo at
omico:
M
at
Sin orden. No tienen orden y llenan de manera aleatoria un espacio

como los gases. Ejm: arg
on.
de
Orden de corto alcance. Se extiende solo a los vecinos mas cercanos

de dicho atomo. Ejm: agua.
Gr
up
o
Orden de largo alcance. Los atomos muestran un orden mostrando

un patron repetitivo, regular en forma de rejilla o red. La red difiere
de un material a otro tanto en tama
no como forma dependiendo del
tama
no de los atomos y del tipo de enlace entre ellos. Ejm: metales,
ceramicos, polmeros.
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M
at
er
ial
e
Arreglo at
omico
Corto alcance
Gr
up
o
de
Sin orden
Largo alcance
Red cristalina
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ial
e
Celdas unitarias
Gr
up
o
de
M
at
er
La celda unitaria es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando

las caractersticas generales de toda la red.
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ial
e
Par
ametro de red
Gr
up
o
de
M
at
er
Los parametros de red describen el tama

no y la forma de la celda unitaria,
incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los angulos
entre sus costados.
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ial
e
Redes de Bravais
Gr
up
o
de
M
at
er
Los catorce tipos de redes de bravais agrupados en siete sistemas cristalinos.
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ial
e
Gr
up
o
de
M
at
er
Redes c
ubicas
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er
ial
e
Determine el n
umero de puntos de red o atomos por celda en los sistemas
cristalinos c
ubicos:
M
at
C
ubica simple
puntos de red
celda unitaria
Gr
up
o
de
= (8 esquinas) 18 = 1 atomo
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ial
e
M
at
= (8 esquinas) 18 + 1(centro) = 2 atomos
Gr
up
o
de
puntos de red
celda unitaria
er
C
ubica centrada en el cuerpo BCC
o CC
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ial
e
M
at
= (8 esquinas) 18 + 6(caras) 12 = 4 atomos
Gr
up
o
de
puntos de red
celda unitaria
er
C
ubica centrada en las caras FCC
o CCC
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er
ial
e
M
at
Radio at
omico comparado con el par
ametro de red
Gr
up
o
de
Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los atomos

estan en contacto continuo son las direcciones compactas, se utilizan para
calcular la relacion entre el tama
no aparente del atomo y el tama
no de la
celda unitaria.
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ial
e
Determine la relaci
on entre radio at
omico y el parametro de red en las
estructuras CS, CC, CCC cuando existe un atomo en cada punto de red.
M
at
er
C
ubica simple
Gr
up
o
de
a0 = 2r
a = 2R
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ial
e
4r
Gr
up
o
de
M
at
a0 =
er
C
ubica centrada en el cuerpo
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GIMA (UPS)
44 / 68
ial
e
4r
Gr
up
o
de
M
at
er
a0 =
C
ubica centrada en las caras
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GIMA (UPS)
45 / 68
ial
e
er
N
umero de coordinaci
on
M
at
El n
umero de coordinacion es el n
umero de atomos tocando un atomo en
particular, o el n
umero de vecinos mas proximos para ese atomo en particular.
6
8
up
o
12
de
Nmero de coordinacin
Gr
FCC
CS
BCC
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ial
e
er
Factor de empaquetamiento
de
M
at
El factor de empaque o fraccion de empaquetamiento atomico es la fraccion

de espacio ocupados por atomos, suponiendo que los atomos son esferas
duras.
up
o
La expresion general par el factor de empaquetamiento es:

(N
umero de
atomos/celda)(Volumen del a
tomo)
Volumen de la celda
Gr
Factor de empaquetamiento =
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a0 en funci
on
de r
atomos
por celda
N
umero de
coordinaci
on
Factor de
empaquetamiento
CS
a0 = 2r
0.52
0.68
12
0.74
12
0.74
FCC
a0 =
up
o
a0 = 2r
c0 = 1.633 a0
Gr
Hexagonal
compacta
de
BCC
4r
3
4r
M
at
Estructura
er
ial
e
Caractersticas de cristales metalicos comunes
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ial
e
M
at
er
Densidad
up
o
La expresion general es:
de
La densidad teorica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades

de la estructura cristalina.
(
atomos/celda)(masa at
omica del a
tomo)
(volumen de la celda)(n
umero de avogadro)
Gr
Densidad =
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ial
e
La estructura hexagonal compacta
Gr
up
o
de
M
at
er
Una forma especial de la red hexagonal, se muestra en la figura. La celda

unitaria es el prisma sesgado, que se muestra por separado, tiene un punto
de red por celda en cada esquina y asociado a dos atomos cada punto.
Red hexagonal compacta
GIMA (UPS)
Celda unitaria
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er
ial
e
M
at
Transformaciones alotr
opicas o polim
orficas
Gr
up
o
de
Los materiales que pueden tener mas de una estructura cristalina se llaman
alotr
opicos o polim
orficos. El termino alotropa por lo general se reserva
para este comportamiento a materiales puros, en tanto que el polimorfismo
es un termino mas general.
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Trabajo en Clases
ial
e
Ejercicio 1
M
at
er
El Mn- tiene una estructura c

ubica con a0 = 0.8931 nm y una densidad de
7.47 g/cm3 . El Mn- tiene una estructura c
ubica distinta con a0 = 0.6326
3
nm y una densidad de 7.26 g/cm . El peso atomico del manganeso es de
54.938 g/mol y el radio at
omico es de 0.112 nm.
de
Determine el porcentaje de cambio en volumen que ocurrira si el Mn-

se transforma en Mn-.
Ejercicio 2
Gr
up
o
La densidad del torio, que tiene una estructura CCC y un atomo por punto
de red es de 11.72 g/cm3 . El peso atomico del torio es de 232 g/mol. Calcule:
el parametro de red
el radio atomico
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52 / 68
Puntos en la celda unitaria
ial
e
Coordenadas de los puntos
Gr
up
o
de
M
at
er
La distancia se mide en funcion del n

umero de parametros de red que habra
que moverse en cada una de las coordenadas x, y y z para pasar desde el
origen hasta el punto en cuesti
on.
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53 / 68
ial
e
Direcciones, ndices de Miller
er
Direcciones en la celda unitaria
M
at
Ciertas direcciones son importantes especialmente en los metales donde

los atomos estan mas estrechos. Se utilizan los ndices de Miller con
una notacion abreviada para estas direcciones. A continuacion se indica el
procedimiento para determinar los ndices:
de
Se utiliza el sistema de coordenadas dextr

ogiro.
up
o
Se resta las coordenadas del punto inicial de las del punto final de cada
eje.
Reducir las fracciones y los resultados presentarlos en enteros.
Gr
Encierre los n
umeros en corchetes [ ]. Si se obtiene un n
umero
negativo, representelo con una barra sobre el n
umero.
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ial
e
Direcciones
Gr
up
o
de
M
at
er
Direcciones en la celda unitaria
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55 / 68
ial
e
Direcciones
Direcciones en la celda
unitaria
Gr
up
o
de
M
at
er
Resoluci
on
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ial
e
Densidad lineal
er
La densidad lineal es el n
umero de puntos de red por unidad de longitud a
lo largo de una direccion.
M
at
Donde:
# de distancias de repetici
on
distancia de repetici
on
de
Densidad lineal =
Ejemplo:
up
o
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion

[110] en una celda unitaria, entonces:
2 distancias
on
de repetici
2a0
Gr
Densidad lineal =
2
0,51125
= 3,91puntos de red/nm
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57 / 68
Fraccion de empaquetamiento
ial
e
La fracci
on de empaquetamiento es la fracci
on verdaderamente cubierta
por los atomos en una direcci
on.
M
at
er
Donde:
Fraccion de empaquetamiento = (densidad lineal)(#de atomos en la direcci

on)(radio at
omico)
de
Ejemplo:
Gr
up
o
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion

[110] en una celda unitaria CCC, entonces:
r = 2a0 /4 = 0,12781nm
F. empaquetamiento = (densidad lineal)(2)(r )
F. empaquetamiento = (3,91)(2)(0,1278)
F. empaquetamiento = 1,0
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58 / 68
Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Densidad lineal y fraccion de empaquetamiento
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GIMA (UPS)
59 / 68
ial
e
Planos en la celda unitaria
M
at
er
Algunos planos son muy significativos; en los metales las deformaciones se dan
por aquellos planos de atomos que estan empaquetados mas estrechamente.
Se utiliza los ndices de Miller para su notaci
on, con el siguiente procedimiento:
de
Identifique los puntos de intersecci

on con los ejes x,y,z. Si el plano
pasa por el origen, el sistema de coordenadas debera de moverse.
Tome los recprocos de estas intersecciones.
up
o
Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros.
Gr
Encierre los n
umeros resultantes entre parentesis ( ), los n
umeros
negativos se representan con una barra sobre los mismos.
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GIMA (UPS)
60 / 68
ial
e
Planos en la celda unitaria

Ejemplo:
er
Resoluci
on
Gr
up
o
de
M
at
Determine los planos
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GIMA (UPS)
61 / 68
ial
e
Densidad Planar y fraccion de empaquetamiento
M
at
er
La densidad planar es el n
umero de atomos por unidad de superficie cuyo
centro esta sobre el plano; la fracci
on de empaquetamiento es el area
sobre dicho plano cubierta por dichos atomos.
de
Densidad planar =
atomos por cara
area de la cara
area de los
atomos por cara
area de la cara
Gr
up
o
Fracci
on de empaquetamiento =
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GIMA (UPS)
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Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
M
at
er
ial
e
El sistema coordenado utiliza cuatro ejes (a1 , a2 , a3 y c) en vez de tres, el eje

a3 es redundante. Los ndices encontrados en los tres ejes se les representa
con las letras (hkl) donde los valores que representan a los cuatro ejes
(hkil) se representan de la siguiente manera:
up
o
k = 13 (2k h)
Ejes coordenados
de
h = 13 (2h k)
i = 13 (h + k)
Gr
l = l0
Por razones de consistencia hay que asegurarse de que h + K = i

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Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
Gr
up
o
de
M
at
er
ial
e
Resoluci
on
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ial
e
Planos basales, comportamiento isotropico, anisotropico y

distancia interplanar
er
Los planos basales son faciles de encontrar en la celda unitaria HC,

son planos que se pueden apilar y construir una celda.
M
at
Un material es anisotr
opico si el valor de sus propiedades depende de
la direccion cristalografica a lo largo que se mide la propiedad.
de
Si los valores de las propiedades son identicos en todas las direcciones,

entonces el cristal es isotr
opico.
Gr
up
o
La distancia entre dos planos de atomos paralelos adyacentes con los

mismos ndices de Miller se conoce como distancia interplanar dhkl .
La distancia interplanar en materiales c
ubicos esta dada por la
ecuacion general:
a
dhkl =
2
h + k2 + l2
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Sitios intersticiales
er
ial
e
En cualquiera de las estructuras cristalinas que han sido descritas, existen

peque
nos huecos entre los atomos de la red en los cuales se pueden colocar
atomos mas peque
nos . Estos espacios se conocen como sitios intersticiales.
M
at
C
ubico con n
umero de coordinacion de ocho, ocurre en las estructuras
CS.
Octa
edrico con n
umero de coordinaci
on de seis.
Gr
up
o
de
Tetra
edricos con n
umero de coordinaci
on de cuatro.
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Trabajo en Clases
ial
e
Ejercicio 1
M
at
er
Esboce los planos y direcciones siguientes dentro de una celda unitaria

hexagonal: [2110]; [1121]; [1010]; (1210); (1122); (1230).
Ejercicio 2
up
o
de
Determine la distancia de repeticion, la densidad lineal, y la fraccion de

empaquetamiento del litio CC, que tiene un parametro dered de 0.35089
nm, en las direcciones [100], [110], y [111]. Cual de estas direcciones es
compacta?
Ejercicio 3
Gr
El UO2 tiene la estructura del cloruro de sodio, de la blenda de zinc o de la

fluorita? En funcion de la respuesta determine: (a) El parametro de red. (b)
La densidad. (c) el factor de empaquetamiento.
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M
at
Donald Askeland.
Ciencia e ingeniera de los materiales.
PWS Publishing Company, 1998.
er
ial
e
Referencias I
Gr
up
o
de
Mikell Groover.
Fundamentos de manufactura moderna.
McGraw-Hill, 2007.
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