5.

Energia/Efeito Solar Fotovoltaico - Histria

A histria da energia fotovoltaica teve de esperar os grandes desenvolvimentos cientficos
da primeira metade do sculo XX, nomeadamente a explicao do efeito fotoeltrico por
Albert Einstein em 1905, o advento da mecnica quntica e, em particular, a teoria de
bandas e a fsica dos semicondutores, assim como as tcnicas de purificao e dopagem
associadas ao desenvolvimento do transstor de silcio.
Obtemos energia solar fotovoltaica atravs da converso da radiao solar em eletricidade
por meio de matrias denominados semicondutores podendo ser gerado mesmo em dias
nublados, efeito conhecido como fotovoltaico. Todavia com uma maior intensidade solar, a
produo ser maior.
Este efeito foi visto pela primeira vez em 1839 por Edmond Becquerel (Fsico Francs)
numa soluo de selnio. O jovem Becquerel conduzia experincias eletroqumicas quando,
por acaso, verificou que a exposio luz de elctrodos de platina ou de prata dava origem
ao efeito fotovoltaico.
Visto que a eficincia da clula de selnio no chegava a 1%, mas com a evoluo cientfica
do incio do sculo passado, principalmente com a explicao do efeito fotoeltrico por
Albert Einstein, a mecnica quntica e suas teorias de bandas de energia, fsica dos
semicondutores com os processos de dopagem, em 1954 foi anunciada a primeira clula
fotovoltaica usando silcio (com eficincia de 6%), desenvolvida pelos pesquisadores Calvin
Fuller (qumico), Gerald Pearson (fsico) e Daryl Chapin (engenheiro), todos do laboratrio
da Bell em Murray Hill, Nem Jersey, nos Estados Unidos da Amrica.
Fonte: Faculdade de Cincias da Universidade de Lisboa

5.1 Tecnologia Fotovoltaica - Fatos Histricos

- 1839 - Becquerel descobre o efeito fotovoltaico num eletrlito;
- 1876 - Adams descobre o efeito FV num semicondutor;
- 1930 - Shottky estabelece a teoria do efeito fotovoltaico;
- 1954 - Pearson, Fuller e Chapin - Primeira clula FV prtica (mono-Silcio);
- 1958 - Primeiras clulas FV para alimentar um satlite (Vanguard I);
- Dcada de 60 - aplicaes espaciais da tecnologia FV;
- Dcada de 70 - Lindmeyer et al. fazem desenvolvimentos importantes nas clulas FV,
incluindo a clula de Poly-Si;

- Final da dcada de 70 - aplicaes terrestres superam aplicaes espaciais da tecnologia

FV;
- Dcada de 80 - centrais fotovoltaicas piloto de mdio porte (dezenas a centenas de kWp)
instaladas na Europa e EUA
- Dcada de 90 - utilizao de tecnologia FV para eletrificao rural na maioria dos pases
em desenvolvimento;
- 1992 - incio das atividades do CEPEL na rea de energia fotovoltaica; convnio
CEPEL/NREL (US DoE) para eletrificao rural em vrios estados;
- 1995 - incio do trabalho conjunto do CEPEL com o MME/DNDE no PRODEEM;
- 1996 - Produo anual mundial de 80MWp de clulas fotovoltaicas.
Fonte: Faculdade de Cincias da Universidade de Lisboa
5.2 - Clulas Fotovoltaicas
A princpio, a tecnologia foi desenvolvida devido a busca, por empresas do setor de
telecomunicaes, de fontes de energia para sistemas instalados em localidades remotas.
Em seguida, a corrida espacial deu prosseguimento aos avanos nessa rea. A clula solar
era, e continua sendo, o meio mais adequado (menor custo e peso) para fornecer a
quantidade de energia necessria para longos perodos de permanncia no espao. Outro
uso espacial que impulsionou o desenvolvimento das clulas solares foi a necessidade de
energia para satlites.
A unidade bsica para a converso da energia solar para energia eltrica a clula solar
fotovoltaica. O efeito fotoeltrico, relatado por Edmond Becquerel em 1839, descreve o
aparecimento de uma diferena de potencial nos extremos de uma estrutura de material
semicondutora (clula fotovoltaica), quando submetida luz do Sol. Na figura 1 ilustrado o
esquema simplificado da estrutura fsica de uma clula solar fotovoltaica. As camadas
semicondutoras tipo N (Catodo) e P (Anodo) so as mesmas de um diodo. Se a juno PN
for exposta a ftons com energia, ocorrer a gerao de pares eltrons-lacuna. Se isto
acontecer na regio onde o campo eltrico diferente de zero, as cargas sero aceleradas,
gerando assim, uma corrente atravs da juno. Este aceleramento d origem a uma
diferena de potencial. Caso as duas extremidades da placa forem conectadas por um fio,
haver uma circulao de eltrons [9].
O interesse em aplicaes terrestres foi ampliado pela crise energtica de 1973. Porm,
para que fosse proveitosa a aplicao dessa tecnologia havia a necessidade de reduzir

substancialmente o custo de produo das clulas solares em relao s clulas usadas em

exploraes espaciais. Modicou-se, tambm, o perl das empresas envolvidas no setor.
Por exemplo, empresas de petrleo resolveram diversicar seus investimentos, englobando
a produo de energia a partir da radiao solar.

Figura 1: Estrutura fsica simplificada de uma clula fotovoltaica e efeito fotovoltaico.

Atualmente novos materiais vm sendo desenvolvidos a fim de se obter um maior
rendimento global das clulas. Embora as de Silcio Monocristalino apresentem maior
rendimento, em torno de 15% [9], elas so mais caras devido complexidade do processo
de fabricao.

5.2.1 Clula de Silcio Monocristalino

A clula de silcio Monocristalino historicamente a mais usada e comercializada como
conversor direto de energia solar em eletricidade e a tecnologia para a fabricao um
processo bsico. A fabricao da clula de comea na extrao do cristal de dixido de
silcio. Este material e desoxidado em grandes fornos, purificado e solidificado. Esse
processo atinge um grau de pureza de 98 a 99%, o que razoavelmente eficiente do ponto
de vista energtico.
O seu rendimento eltrico relativamente elevado (aproximadamente 16%, podendo subir
at cerca de 23% em laboratrio), mas as tcnicas utilizadas na sua produo so
complexas e caras.
Este silcio para funcionar como clula fotovoltaica necessita de outros dispositivos
semicondutores e de um grau de pureza de 99,9%. Alm do auto grau de pureza, o material
deve ter estrutura cristalina e baixa densidade de erros na rede. O processo para atingir
essas qualificaes chama-se Processo Szochralski ou tambm conhecido como mtodo
de puxamento de cristais.

Figura 2: Clula fotovoltaica Monocristalina

5.2.2 Clula de Silcio Policristalino

Silcio multicristalino (poly-Si): Aqui j no se usa o processo de Czochralski e as pastilhas
desse material so feitas a partir de uma mistura de diversos blocos de cristais de silcio
derretido e cuidadosamente resfriados e solidificados. Seu processo produtivo mais barato
que o do silcio monocristalino, porm sua eficincia menor, tendo uma clula 20% de
eficincia e um painel com eficincia aproximada de 15%.
So apenas 2% menos eficiente que as monocristalinas, porm, mais baratas por conta do
processo no ser to rigoroso.

Figura 3: Clula fotovoltaica Policristalina

5.3 Processo Szochralski

A metodologia utilizada na produo de materiais semicondutores, como o silcio, o
germnio e o arseneto de glio, de metais para os quais se pretende um elevado grau de
pureza qumica, como o paldio, a platina, a prata e o ouro, e de diversos sais e gemas
sintticas.

A designao do processo honra o cientista polaco Jan Czochralski, que descobriu o mtodo
em 1916, quando estudava a velocidade de cristalizao de alguns metais. a tcnica
utilizada em 90% dos casos para obter Silcio com pureza na ordem de 99,99% a
99,999999%. O processo consiste em derreter o Silcio Poli cristalino (pc-Si) num cadinho /
reator, sob atmosfera controlada e em temperatura na ordem de 1500C.
Nesse, adiciona-se elementos dopantes ou impurezas, com quantidades controladas e
necessrias para a formao de um material com caractersticas semicondutoras,
denominados de material tipo-N ou tipo-P. Processo Szochralski ou tambm conhecido
como mtodo de puxamento de cristais onde o silcio fundido com certo dopante que
podem ser Boro ou Fsforo, mas normalmente Boro por ser do tipo P. Os elementos
normalmente utilizados como dopantes para formao do material tipo-N (caractersticas
penta valente) o Fsforo (P), ou o Arsnio (As), ou o Antimnio (Sb), etc., e os elementos
dopantes para formao do material do tipo-P(caractersticas trivalentes) normalmente o
Boro (B), ou o Alumnio (Al), ou o Glio (Ga), etc.
Com o fragmento do cristal devidamente orientado e sobre rgido controle de temperatura,
vai se extraindo do material fundido um grande cilindro de silcio cristalino levemente
dopado. Aps corte e limpeza, deve-se introduzir impurezas do tipo N de modo a obter a
juno. Este processo feito atravs da difuso controlada onde as fatias de silcio so
expostas a vapor de fsforo em um forno onde a temperatura varia entre 800 a 1000C.
Fonte: http://pt.scribd.com/doc/43202307/Czochralski#scribd

6. Segurana e Confiabilidade em Sistemas Fotovoltaicos

Devido a fatores ambientais e geopolticos so enormes as perspectivas de crescimento da
gerao de energia pela converso direta da luz solar em eletricidade. Alguns pases como
a Alemanha tm investido pesadamente nesta forma de energia. As expectativas da
comunidade europeia para 2020 so de que 12% da energia eltrica gerada venham de
sistema fotovoltaico (SFV).
O crescimento da gerao de energia eltrica atravs de clulas fotovoltaicas depende do
aumento da eficincia do processo comparando-se a outras fontes de energia,
convencionais ou no. Para que estes ou mais ambiciosos objetivos sejam alcanados,
alm da eficincia, tambm a confiabilidade do sistema deve ser assegurada. SFVs devem
oferecer um perodo mnimo de aproximadamente 20 anos de operao contnua para
proporcionar o retorno dos seus investimentos. Para isso, os riscos de defeitos devem ser
minimizados com a utilizao de mo de obra especializada no projeto, instalao e
comissionamento de SFV.

Os SFVs podem ser isolados (autnomos) ou conectados rede eltrica. Como a conexo
rede das concessionrias no Brasil regulamentada, as empresas de energia devem ter a
segurana de que todo SFV esteja de acordo com as normas tcnicas brasileiras,
complementadas quando necessrio por recomendaes adicionais.
No Brasil, a gerao fotovoltaica, apesar da oferta de sol, sofre a concorrncia de outras
fontes de energia igualmente abundantes e atualmente muito mais eficientes. Mesmo assim,
a gerao fotovoltaica atrativa devido possibilidade de pulverizar os geradores solares
em pequenas unidades muito prximas s suas cargas, possibilitando a construo de
sistemas autnomos de gerao. Neste caso tambm os requisitos de confiabilidade e de
segurana precisam ser atendidos, talvez com maior exigncia.
Como em qualquer outro sistema eltrico, a qualidade dos materiais utilizados, a proteo
contra os efeitos de um incndio e a proteo contra sobretenses transitrias causadas por
descargas atmosfricas diretas ou indiretas so necessrias para assegurar a integridade e
funcionalidade do SFV.

Figura 4 - Painis ou mdulos de captao.

6.1 Eficincia
As diferentes formas de gerao de energia devem ser consideradas sob vrios aspectos:
desde a disponibilidade da fonte de energia, os custos ambientais do seu aproveitamento, a
eficincia do processo ao investimento inicial para sua implementao.
Estes vrios fatores no so independentes, mas, ao contrrio, tm forte relao entre si. A
reduo dos impactos ambientais pode aumentar os investimentos iniciais ou a
disponibilidade da fonte de energia pode compensar a menor eficincia do processo.

A fim de aumentar a diversificao das fontes de energia, vrios governos tm investido ou

subsidiado formas de gerao pouco competitivas no momento, mas com grande potencial
futuro, lembrando que o mapa energtico no esttico, mas profundamente dinmico.
O processo de gerao fotovoltaica apresenta eficincia entre 15% a 30%. Para aumentar
este valor tm-se trabalhado intensamente para a reduo das perdas existentes no
processo de fabricao das clulas solares e no mecanismo de converso da luz em
eletricidade.
A transformao da luz diretamente em calor, as perdas ticas pela formao de zonas de
sombra e reflexes e a resistncia interna dos semicondutores so as principais fontes de
perda existentes no processo de converso.

6.1.1 Proteo Passiva Contra Incndio

Para garantir a segurana das pessoas, as brigadas de incndio e companhias de seguro
tm recomendado uma clara identificao dos SFVs existentes em uma edificao. A
informao Cuidado - sistema fotovoltaico informa s brigadas de incndio ou bombeiros a
existncia desta forma de gerao e permite que as medidas necessrias sejam tomadas
durante um combate ao incndio.
importante, e pouco observado, que a penetrao dos condutores e das estruturas do
SFV externas edificao deve ser feita com espaos vedados contra a propagao do
fogo e seus componentes.

Foto 5 - Aplicao da proteo passiva na passagem de cabos em um SFV

6.1.2 Proteo Passiva Descargas Atmosfricas

Sistemas fotovoltaicos esto necessariamente expostos s descargas atmosfricas diretas
ou indiretas. A capacidade de gerao de eletricidade depende da rea de captao da luz

solar, por isso, quanto maior a capacidade do sistema, maior o nmero e/ou a rea dos
painis ou mdulos de captao e maior a sua exposio s descargas atmosfricas.
Em SFVs instalados em edificaes, o projeto do sistema de proteo contra descargas
atmosfricas (SPDA) deve levar em considerao a existncia do SFV para que este esteja
dentro do volume de proteo do subsistema de captao do SPDA para evitar que os
mdulos do SFV sejam atingidos. Entre as estruturas de sustentao do SFV, externos ou
em edificaes, deve ser considerada a distncia de segurana para impedir
centelhamentos entre os componentes metlicos do SPDA e do SFV.
As medidas contidas em um sistema de proteo contra descargas atmosfricas classe III
so normalmente suficientes para as caractersticas de um SFV.
Na elaborao do projeto do SPDA devem ser observados os seguintes pontos:

O sistema de aterramento do SFV deve ser interligado ao sistema de aterramento

principal da instalao;
Condutores de equipotencializao devem ser roteados em paralelo e os mais

prximos possveis dos cabos de corrente contnua;

Os condutores de sinal devem estar includos na filosofia de proteo.

6.1.3 Aterramento
Nos sistemas de gerao fotovoltaica o aterramento do lado AC do sistema sempre
realizado de acordo com as normas tcnicas existentes na maioria dos pases. O
aterramento do lado CC do sistema nem sempre realizado devido a divergncias de
conceito entre manter ou no a continuidade do fornecimento de energia em caso de uma
falta nesta parte do sistema. No Brasil, o aterramento do SFV deve atender totalmente s
prescries das normas tcnicas da ABNT.

6.1.4 Proteo Contra Surtos

O ponto inicial da proteo contra surtos do SFV a equipotencializao de todas as partes
condutoras do sistema. Este objetivo atingido com a conexo direta de todos os sistemas
metlicos normalmente no energizados e com a conexo feita por meio de dispositivos de
proteo contra surtos (DPS) dos condutores normalmente energizados.
O inversor de corrente a parte mais vulnervel do sistema, podendo ser danificado pelo
acoplamento de correntes de surto causadas pelas descargas atmosfricas. Esta
possibilidade pode ser reduzida pelo uso de medidas de proteo envolvendo o
aterramento, equipotencializao, utilizao de blindagem e roteamento de cabos. Embora
cada medida seja especfica, elas constituem um conjunto integrado dentro de um sistema

de proteo contra descargas atmosfricas. O princpio geral da proteo contra

sobretenses transitrias desviar as correntes de surto e reduzir o pico de tenso nos
terminais do equipamento a ser protegido pela alterao transitria do circuito eltrico
existente. Devem ser considerados quanto a sua origem e caminho todos os condutores
eltricos existentes, o que no significa que todos eles precisaro ser protegidos. Os DPS
devem ser instalados tanto no lado CC quanto no AC.
Nas redes AC devem-se proteger com DPS as trs fases, s quais o inversor conectado.
Na rede CC, os DPS devem ser utilizados nos condutores de corrente contnua entre os
mdulos e o inversor.
Para os sistemas de sinais, o DPS deve ser utilizado caso o inversor seja controlado por
algum sistema eletrnico atravs de condutores metlicos.

Tabela 1 Determinao do tipo de DPS

Para garantir a confiabilidade e segurana de um SFV, medidas especficas de proteo
devem ser aplicadas para manter a integridade das pessoas e dos equipamentos
relacionados ao SFV.
Estas prescries tero melhor resultado tcnico-econmico caso sejam desenvolvidas no
projeto do SFV e contem com a contribuio de profissionais especializados em cada uma
das medidas apresentadas, coordenados por um profissional especializado no projeto e
implantao de um sistema fotovoltaico de gerao de energia.