EJERCICIOS RESUELTOS

TEMA 4. EL TRANSISTOR
1. En el circuito de la figura, suponiendo que el MOSFET posee unas caractersticas de salida
como las dadas en la figura:
a) Representar la recta de carga sobre dichas caractersticas, sealar el punto de trabajo Q
y los valores de IDQ y VDSQ.
b) Si se desea VDS= 25 V, cunto debe valer VGG?
ID(mA)

VDD=40V

50
VGS=20V

RD=1,14k

40

18V

16V

30
G

14V

20

VGG=14V

12V
10V

10

8V
6V
4V

10

20

VDS(V)

30

40

50

a) Recta de carga:
VDD= IDRD + VDS 40= ID1,14 + VDS
Puntos de corte con los ejes: VDS= 0 ID= 40/1,14= 35 mA
ID= 0 VDS= 40 V
De la interseccin Q de la curva VGS= 14 V con la recta de carga: VDS 17 V y ID 21 mA
b) Dado que la recta de carga no cambia, VDS= 25 V Q VGS= VGG 10,5 V

ID(mA)

50
VGS=20V
18V

40
35

16V

30

14V

21

20

12V

10

VGS=10,5V
10V
8V
6V
4V

10

17

20 25 30

40

VDS(V)

50

2. El transistor de la siguiente figura es un NMOS de acumulacin.

VDD = 25V
RD = 1 k
Vo
Q

VG

Las curvas de salida de este transistor son las siguientes:

ID [mA]
VGS=8V

36

VGS=7V

25

VGS=6V

16

VGS=5V

VGS=4V
VGS2V

4
2

10

14

18

22

26 V [V]
DS

a) Escribir las ecuaciones de entrada y salida del circuito, indicando sobre el mismo cada
parmetro utilizado.
b) Escribir la ecuacin de la recta de carga y dibujarla sobre las curvas de salida.
c) Dibujar la caracterstica de transferencia para una VDS de 15 V, e indicar sobre ella las zonas
correspondientes a cada regin de funcionamiento.
d) A partir de la recta de carga determinar el valor de ID y VDS para VGS = 5 V. Indicar en qu
regin de funcionamiento est el transistor.
e) Valor de VG a partir del cual Q entra en zona hmica. Valores de ID y VDS para VG = 7 V.
f)

La lnea de puntos, qu regiones delimita? Indicar cul es cada una de ellas en las curvas
de salida.

g) Indicar para cada una de las regiones que separa la lnea de puntos la relacin que hay entre
las tensiones VDS, VGS y VT.
h) A partir de las curvas, calcular el valor de la constante de transconductancia k.
i)

Explicar brevemente el procedimiento a seguir para el anlisis y clculo de los parmetros

del transistor NMOS de la figura.

a) VG = VGS

25 V = 1 k ID + Vo = ID + VDS
b) 25 = ID + VDS 1 = ID/25+VDS/25

(Ecuacin del tipo x/a + y/b = 1, es decir, que la recta corta al eje y en el punto x = a y al
eje x en el punto y = b)
c) De las curvas de salida vemos que VDS=15 V corresponde a valores en la regin de saturacin.
Observando, en las curvas azules, los valores de la corriente de saturacin, vemos que:
Cuando VGS = 4 V ID = 4 mA = 22 = (42)2 Punto a
VGS = 5 V ID = 9 mA = 32 = (52)2 Punto b
VGS = 6 V ID = 16 mA = 42 = (62)2 Punto c
VGS = 7 V ID = 25 mA = 52 = (72)2 Punto d
VGS = 8 V ID = 36 mA = 62 = (82)2 Punto e
De aqu se ve claramente que, como ID = k (VGSVT)2 k = 1 mA/V2, VT = 2 V Punto o
IDSAT [mA]

ID [mA]

36

VGS=6V

16

VGS=5V

VGS=4V
VGS2V

o
1 2 3 4 5 6 7 8

VGS=7V

25

VGS=8V

36

VGS [V]

10

14

18

22

26 V [V]
DS

d) En las curvas de salida, observando el punto P, obtenemos:

ID = 9 mA, VDS 15,5 V (en saturacin, porque est por debajo de la curva lmite)
ID [mA]
VGS=8V

36

Recta de carga

VGS=7V

25

VGS=6V

16

VGS=5V
VGS=4V
VGS2V

4
2

10

14

18

22

26 V [V]
DS

e) Ver curvas de salida, punto R:

VGS 6,5 V
ID 20,5 mA
VDS 4,5 V

ID [mA]
VGS=8V

36

Recta de carga

VGS=7V

25

R
VGS=6V

16

VGS=5V

VGS=4V
VGS2V

4
2

f)

10

14

18

22

26 V [V]
DS

Regiones hmica (izquierda) y saturacin (derecha)

Zona hmica
Zona de Saturacin

ID [mA]

VGS=8V

36

VGS=7V

25

VGS=6V

16

VGS=5V

VGS=4V
VGS2V

4
2

10

14

18

22

26 V [V]
DS

g) hmica: VDS < VGS VT

Saturacin: VDS > VGS VT
h) Escogemos un valor de VGS en la zona de saturacin sobre la recta de carga. Por ejemplo,
utilizando el punto P obtenemos:
VGS = 5 V ID = 9 mA en saturacin ID = k(VGSVT)2
9 = k(5 2) k = 1 mA/V

i)

Si VGS < VT corte ID = 0, VDS = VDD = 25 V

Si VGS > VT, suponemos saturacin ID = k(VGS VT), VDS = 25 ID
Si VDS > VGS VT, suposicin correcta. Si no, est en hmica

3. En el circuito de la figura el MOSFET tiene VT= 2 V y k = 2 mA / V2. Calcular:

a) Valor de VGG para el cual comienza a conducir el transistor.
b) Valor de VGG para que el transistor entre en zona hmica.
VGG se conecta a los 24 V de alimentacin del transistor.
VGG
Calcular:
c) Valor de VGS.
800K
d) Valor de ID.
e) Valor de Vo.

24V

1K
D
VVo

Aplicamos Thvenin a la izquierda del terminal de puerta G:

RTH

800K
V GG

G
V TH

G
VTH

200K

VTH VGG

S
200K

V
200
GG
800 200
5

RTH 200//800

200 800
160K
200 800

El circuito equivalente queda:

24V
24V

Por ser

IG= 0:

VGS VTH

VGG
5

ID
1K
D

RTH

VVoo=VDS

G
V TH

S
IG=0

VGS

a) MOSFET entre corte y conduccin (ON/OFF) VGS= VT= 2 V. Entonces:

V
VGS 2 GG VGG 10V
5
b) MOSFET entre saturacin y hmica:
VDS VGS VT
2
2
ID kVDS
2VDS

2
ID k(VGS VT )

(1)

Ecuacin malla de salida:

24= ID1+VDS (2)
2
De (1) y (2) se obtiene: 2VDS +VDS-24= 0 VDS= 3,22 V (La VDS negativa no es vlida)
Entonces: VGS= VDS+VT= 3,22 + 2= 5,22 V
V
VGS 5,22 GG VGG 26,1V
Por lo que:
5
En resumen:
VGG 10 V MOSFET en zona de corte (OFF)
10 V VGG 26,1 V MOSFET en zona de saturacin (ON)
VGG 26,1 V MOSFET en zona hmica (ON)

c)

VGG= 24V. Del apartado anterior se sabe que el MOSFET est en saturacin.
V
24
VGS GG 4,8V
5
5

d)

ID k(VGS VT )2 2(4,8 2)2 15,68 mA

e) De la malla de salida se deduce:
Vo 24 15,68 1 8,32V
Comprobacin de MOSFET en zona de saturacin:
VDS= Vo= 8,32 V > VGS- VT= 4,8 - 2= 2,8 V MOSFET en saturacin

4. En el circuito de la figura, Q es un MOSFET de acumulacin canal N con VT = 1 V y k = 1 mA/V2.

Calcular:

a) Valor de R para el cual comienza a conducir el transistor.

b) Valor de R para el cual Vo = 6 V.
c) Valor de R para que el transistor entre en la zona hmica.
a) CIRCUITO EQUIVALENTE INICIAL:

Durante los clculos trabajaremos con voltajes en V,

resistencias en y corrientes en A. Entonces, como VDD =
20 V, R1 = 200 k = 2105 , de la malla GS:
VGG = VTH = I R1 = VDD R1 /(R+R1) = 20 2105 /(R+2105)

RG = RTH = R||R1 = RR1/(R+R1) = 2105 R/(R+2105)

CIRCUITO EQUIVALENTE FINAL:

Del circuito de malla GS: VGGIGRGVGS = 0 VGS = VGG (porque IG = 0)

Q conduce cuando VGS VT comenzar a conducir en el caso de igualdad:
VGS = VGG = VT 20 V 2105 /(R +2105 ) = 1 V R = 3,8106 = 3,8 M
b) Tenemos Vo = VDS como dato Analizando la malla DS: VDDIDRDVDS = VDDIDRDVo = 0
(VDDVo)/RD = ID ID = (20 V6 V)/2000 = 7/1000 A = 7 mA

Como ID 0 Q no est en corte, sino en conduccin Q en saturacin o en hmica.

Suponemos, por ejemplo, Q en saturacin:
ID = k(VGSVT)2 podemos despejar VGS (7/1000) A = (1/1000) A/V2 (VGS1 V)2 7 =
(VGS1)2 7 = VGS2 2VGS + 1 VGS2 2VGS 6 = 0 Ecuacin de 2 grado (VGS en V)
2 soluciones:
VGS,1,2

(2) (2)2 4.1.(6) 2 28

VGS,1 3,65[V]

2.1
2

VGS,2 1,65[V]

VGS 0 Elegimos el resultado positivo VGS = 3,65 V

Verificamos si este resultado cumple la condicin de saturacin:
VDS = Vo = 6 V VGS VT = 3,65 V 1 V = 2,65 V Se cumple VDS VGS VT La suposicin
de que Q est en estado de saturacin es correcta.
Ahora calculamos R de la ecuacin de malla de entrada (malla GS):
VGG = VGS = 3,65 V = 20 V 2105 /(R +2105 ) R = 895900 = 895,9 k
c) En la zona lmite hmica/saturacin se cumplen las siguientes igualdades:
ID k(VGS VT )2
2
2
2
2
ID k VDS 1/1000 [A / V ].VDS VDS /1000
VDS VGS VT

De la malla DS podemos obtener ID = (VDDVDS)/RD = (20 V VDS)/2000 = VDS2/1000

Ecuacin de segundo grado, con VDS en V:
(20 VDS)/2000 = VDS2/1000 VDS2 + 0,5 VDS10 = 0
VDS,1,2

0,5 0,52 4.1.(10) 0,5 40,25

VDS,1 2,92[V]

2.1
2

VDS,2 3,42[V]

VDS 0 Elegimos el resultado positivo VDS = 2,92 V

Como VDS = VGS VT VGS = VDS + VT = 2,92 V + 1 V = 3,92 V
Ahora calculamos R utilizando la ecuacin de malla GS: VGS = VGG
VGS = 3,92 V = VGG = 20 2105 /(R+2105) R = 820408 = 820,41 k

5. Para un transistor PMOS con |VT|= 1 V y k= 1 mA/V2 se pide determinar la intensidad de

corriente ID y el voltaje VSD en los siguientes circuitos de polarizacin:
VSS=5V

VSS=5V
RG=50k

RG=50k

VSS=5V

VSS=5V
RG=50k

Q
RG=50k

RD=0,5k
RD=0,5k

RD=0,5k
RD=0,5k
-VSS=-5V

Circuito 2

Circuito 1

Circuito 3

Circuito 4

Circuito 1:

VSS=5V

IG= 0 VSG= IGRG= 0 Q OFF ID= 0

RG=50k

VSD= VSS - IDRD= 5-0= 5 V

IG= 0
G

Q
D

ID

RD=0,5k

Circuito 2:
VSS=5V

IG= 0 VSG= VSS-IGRG= 5 V Q ON Suponemos Q en hmica

S
G
RG=50k
IG= 0

Q
D

RD=0,5k
ID

1
1

0,25k
k(VSG VT ) 1 (5 1)
VSS
5
ID

6,67mA
rSD RD 0,25 0,5
VSD ID rSD 6,67 0,25 1,67V
rSD

VSD 1,67V VSG VT 5 1 4 Q en Ohmica

Circuito 3:
VSS=5V
G
RG=50k

ID k(VSG VT )2 1 (VSG 1)2

VSS VSD ID RD 5 VSD ID 0,5

IG = 0

IG= 0 VSG= VSD Q ON en saturacin pues VSD > VSG-VT

2
10 2VSG VSG
2VSG 1 VSG 3V

VSD VSG 3V
ID

RD=0,5k

ID 1 (3 1)2 4mA

Circuito 4:
VSS=5V

RG=50k
IG= 0

Q
D

1
1

0,25k
k(VSG VT ) 1 (5 1)
V (VSS )
5 (5)
ID SS

13,33mA
rSD RD
0,25 0,5
VSD ID rSD 13,33 0,25 3,33V
rSD

S
G

IG= 0 VSG= VSS-IGRG= 5 V Q ON Suponemos Q en hmica

RD=0,5k
ID

VSD 3,33V VSG VT 5 1 4 Q en hmica

-VSS=-5V

10

VSS=25V

6. En el circuito de polarizacin de la figura, que utiliza

un transistor MOSFET canal p con |VT|= 3 V y k= 2
mA/V2, se pide determinar:
a) Valor de ID suponiendo Q en saturacin.
b) Demostrar que la anterior suposicin es
VGG=11V
incorrecta.
c) Valor de ID suponiendo Q en hmica.
d) Demostrar que la anterior suposicin es correcta.

RS=5k
RG=50k
Q

RD=15k

VSS=25V

a) Suponemos Q en saturacin:
ID

ID= k(VSG-VT)2= 2(VSG-3)2 (1)

Ecuacin de la malla de entrada de puerta fuente:
VSS - VGG= IDRS + VSG + IGRG
25 - 11= ID5 + VSG+ 0 (2)
De (1) y (2) se tiene:
10VSG2 - 59VSG+76= 0 VSG= 4 V (La VSG menor que VT
no es vlida)
Entonces:
ID= 2(4-3)2= 2 mA

RS=5k
RG=50k VSG
VGG=11V

G
IG=0

ID

S
Q
D

VSD

RD=15k

b) Ecuacin de la malla de salida de drenador:

VSS= ID(RD+ RS) + VSD VSD= 25 - 2(15 + 5)= -15 V
VSD= -15 V < VSG - VT= 4-3= 1 V Q no est en saturacin
c) Suponemos Q en hmica.
VSS=25V

rSD

1
1

k(VSG VT ) 2(VSG 3)

ID
RS=5k
RG=50k VSG

S
rSD

VGG=11V

VSD

G
IG=0

D
ID

RD=15k

Ecuacin de la malla de entrada de puerta fuente:

14= ID5 + VSG (1)
Ecuacin de la malla de salida de drenador:
VSS= ID(RD+ RS) + IDrSD

25 ID 20 ID

1
2(VSG 3)

(2)

De (1) y (2) se obtiene:

40VSG2 - 429VSG + 916= 0 VSG= 7,78 V (La VSG menor que VT no es vlida)
ID= (14 - VSG)/5= (14-7,78)/5= 1,24 mA
d)

VSD ID rSD 1,24

1
0,13V
2(7,78 3)

VSD= 0,13 V < VSG - VT= 7,78 - 3= 4,78 V Q est en zona hmica
11

7. Para el circuito de la figura con MOSFET con |VT| = 2 V y k= 2,5 mA/V2, se pide:
a) Determinar el valor de Vi que sita Q entre
VSS=6V
corte y conduccin y valor de Vo en este
caso.
b) Determinar el valor de Vi que sita Q entre
R1=75k
Q
hmica y saturacin y valor de Vo en este
caso.
Vo
c) Obtener la caracterstica de transferencia Vi R2=25k
RD=2k
Vo= f(Vi) para 0 Vi 36 V, determinando la
ecuacin correspondiente a cada tramo.

R2
V
V
25
Vi
i
VSG VSS VG 6 i
R1 R2
75 25 4
4
V
a) QON/OFF VSG= VT 6 i 2 Vi 16V
4
Por ser ID= 0 Vo= 0
VG Vi

2
2
b) QHMICA/SATURACIN ID k VSD
(1)
2,5 VSD
Ecuacin malla de salida: VSS VSD ID RD 6 VSD ID 2 (2)
2
De (1) y (2) se tiene: 5VSD
VSD 6 0 VSD 1V
Entonces: VSG VSD VT 1 2 3V
V
VSG 3 6 i Vi 12V
4
Vo VSS VSD 6 1 5V

c) 16V Vi 36V QOFF: Vo= 0

12V Vi 16V QSATURACIN:
V
Vo ID RD k(VSG VT )2 RD 5 4 i
4

0 Vi 12V QHMICA:
1
1
rSD

k(VSG VT )
V
2,5 4 i
4

RD
2
Vo VSS
6
1
RD rSD
2
V

2,5 4 i
4

12

Obtencin de la caracterstica de transferencia con LTspice IV:

Para el transistor PMOS tomamos Vto= -VT= -2 V y Kp= 2k= 0,005 A/V2.
R3
PMOS

75k
V2

M2
Vo

R2
25k

V1

R1

2k

.model PMOS PMOS(Vto=-2 Kp=.005)

.dc V2 0 36 .1

V(v o)

6.0V
5.4V
4.8V
4.2V
3.6V
3.0V
2.4V
1.8V
1.2V
0.6V
0.0V
0V

4V

8V

12V

16V

20V

24V

28V

32V

36V

13

8. En el circuito de la figura se utilizan dos transistores unipolares MOSFET con tensin umbral
|VT|= 2 V y constante k = 0,2 mA/V2. Se pide:
a) Dibujar las curvas caractersticas de salida linealizadas y las caractersticas de
transferencia correspondientes a los transistores Q1 y Q2 de la figura, indicando sobre
ellas los valores ms significativos, para tensiones |VGS| de 1, 2, 3, 4, 5 y 6 V.
b) Valor de Vo si Vi = 4 V. Suponer Io= 0.
c) Valor de Vi para que comience a conducir Q2.
d) Valor mximo de Io para Vi= 0 V que mantiene a Q2 en zona hmica.
RG1 = 1 [M]
VCC = +6 [V]

RD = 11 [k]

Q1

Vi

Io
Vo

Q2
RG2 = 10 [k]

a) Canal N (Q2) y P (Q1): VGS(NMOS)= VSG(PMOS)= |VGS| 0

|VGS| (V)
IDSAT= 0,2(|VGS|-2)2
(mA)
|VDS|SAT.MN.= |VGS|-2
(V)

1
0

2
0

3
0,2

4
0,8

5
1,8

6
3,2

Caractersticas de salida

Caracterstica de transferencia
IDSAT [mA]

ID [mA]

|VGS|= 6V

3,2

3,2

|VGS|= 5V

1,8

1,8

|VGS| = 4V

0,8

0,8

|VGS| = 3V

0,2
1 2 3 4

|VGS| 2V

0,2
|VDS| [V]

1 2 3 4 5 6

|VGS| [V]

14

b) Vi= 4 V

VSG1= VCC-Vi= 6-4= 2 V= VT Q1 OFF ID1= 0 VSG2= 0 Q2 OFF Vo= 6 V

c)

Q2 ON/OFF VGS2= VT= 2 V

ID1= VGS2/RG2= 2/10= 0,2 mA
Suponemos Q1 en Saturacin:
ID1= k(VSG1-VT)2 0,2= 0,2(VSG1-2)2 VSG1= 3 V
VSD1= VCC-VGS2= 6 2= 4 V > VSG1 VT= 3 2= 1 V Q1 en saturacin.
Vi= VCC VSG1= 6 3 = 3 V

d) Vi= 0 VSG1= VCC-Vi= 6 0= 6 V

Suponemos Q1 tambin en zona hmica:

rSD1

1
1

1,25k
k(VSG1 VT ) 0,2(6 2)

VGS2 VCC .
rDS2

RG2
10
16
6.
V
RG2 rSD1
10 1,25 3

1
1

1,5k
k(VGS2 VT ) 0,2(16 2)
3

VSD1= VCC-VGS2= 6 16/3= 0,67 V < VSG1 VT= 6 2= 4 V Q1 en hmica

VDS2mx.= VDS2(SAT.mn.)= VGS2- VT= 16/3 2= 10/3 V
ID2mx.= VDS2mx./rDS2= (10/3)/1,5= 20/9 mA
Iomx.= ID2mx.- IRD= 20/9 (6 10/3)/11= 1,98 mA

15

9. Los transistores MOSFET del circuito de la figura tienen |VT|= 1 V y k= 2 mA/V2. Se pide:
VCC = 5 V

Vi

Q1
Q2
R1 = 1k
Vo
R2 = 1 k

a) Dibujar las caractersticas de salida linealizadas en fuente comn (SC) del transistor Q1
del circuito de la figura para los valores de VSG de 1, 2, 3, 4 y 5 V. Indicar sobre la grfica
los valores ms significativos.
b) Determinar el valor de Vi que sita al transistor Q1 entre corte y conduccin y valor de
Vo en este caso.
c) Determinar el valor de Vi que sita al transistor Q2 entre corte y conduccin y valor de
Vo en este caso.
d) Determinar el valor de Vo para Vi = 0 V.
a)
PMOS con k = 2 [mA/V2] y VT = 1 [V]
VSG[V]

VSDsat.mn.[V] =

ID [mA]

ID=k(VSG-VT)2=

VSGVT = VSG1 2(VSG1)2 [mA]

1

18

32

VSG = +5V

32

VSG = +4V

18

VSG = +3V

VSG = +2V

2
1 2 3 4

VSD[V]

VSG = +1V

b) Q1 ON/OFF VSG1 = VCC Vi= VT Vi = VCC VT = 5 1 = 4 V

Q2 OFF IR1 = IR2 = ID = 0 Vo = 0
c) Q2 ON/OFF VGS2 = VT= 1 V IR1 = VT/R1 = 1/1 = 1 mA
Q2 ON/OFF ID2 = IS2 = 0
Suponemos Q1 en saturacin ID1 = k(VSG1VT)2 1 = 2(VSG1 1)2 VSG1 = 1,71 V
16

Vi = VCC VSG1= 5 1,71 = 3,29 V

Vo = IR2R2 = 1 mA1 k = 1 V
Comprobacin Q1 en Sat: VSD1 = VCC ID1(R1+R2) = 5 12= 3 V > VSG1 VT = 1,71 1 = 0,71 V
d) Suponemos Q1 en hmica rSD1= 1/k(VSG1 VT)= 1/2(5 1)= 1/8 k
Y suponemos Q2 en saturacin ID2= k(VGS2-VT)2= 2(VGS2-1)2 (1)
VGS2 = ID1R1= ID1 (2)
VCC = ID1 rSD1 + VSG2 + (ID1+ID2)R2 5 = ID1 (1/8) + VSG2 + (ID1+ID2) (3)
De (1), (2) y (3) se obtiene: ID1= 1,78 mA, ID2= 1,22 mA, VSG2= 1,78 V
Comprobamos que Q1 est en hmica:
VSD1 = ID1R1= 1,78(1/8)= 0,22 V < VSG1 VT = 5 -1 = 4 V
Comprobamos que Q2 est en saturacin:
VSD2 = Vcc-(ID1+ ID2)R2= 5 - (1,78+1,22)1= 2 V > VSG2 VT = 1,78 - 1 = 0,78 V
Y el voltaje Vo vale:
Vo= (ID1+ ID2)R2= (1,78+1,22)1= 3 V

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