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T S I S
QUE PARA OBTENER EL TTULO DE:
ASESORES:
Primero agradezco a Dios por permitirme terminar esta etapa de mi vida, por estar
conmigo tanto en los buenos momentos como en los malos, por poner en mi camino
a las personas que me acompaaron durante todo este tiempo.
A mis padres por esforzarse para que llegara hasta este momento, por los consejos
que me dan y por guiarme con su ejemplo todos estos aos.
Por ltimo, a todos aquellos amigos con los que conviv a lo largo de 4 aos y
medio, a los que me ayudaron y dieron consejo cuando lo necesitaba, por esos
momentos felices que pase con ustedes, pero especialmente por brindarme sui
amistad.
DEDICATORIA
A mi hermano, espero que logres todas las metas que te propones, aqu est
un ejemplo que te puede servir de inspiracin.
Al Ing. Ricardo Hurtado Rangel y a la Dra. Blanca Zamora Celis por el apoyo a la
elaboracin de sta tesis.
DEDICATORIA
A mi madre por su apoyo, paciencia, amor y confianza que en todo momento
estuvieron presentes, siendo la piedra angular de mi formacin personal y profesional.
A mis abuelos por su inmenso cario y por ser una fuente de sabidura.
A mis tos que nos han tratado a mis hermanos y a m como sus propios hijos.
A todos mis amigos. Que han permanecido sin importar las circunstancias y por ser
un gran ejemplo de disciplina, compaerismo, responsabilidad, resiliencia y
superacin.
A MIS PROFESORES. Durante la carrera cont con el apoyo de profesores los cuales
son un ejemplo a seguir y una fuente de conocimientos que aportaban a las nuevas
generaciones con el fin de pasar sus conocimientos con la experiencia obtenida en
su vida laboral, y por hacerlo con el amor a la docencia.
DEDICATORIA.
A MIS PADRES. Por brindarme el apoyo necesario y suficiente durante toda mi vida
escolar, por sus consejos, su honestidad y su trabajo que realizan da con da para
hacer de m y mi hermano unas personas responsables, educadas y que siempre
tengan metas por cumplir adems que estemos comprometidos con nuestros
deberes, ustedes son la fuente de inspiracin a seguir adelante, mostrndonos que
ustedes estarn siempre con nosotros dndonos todo su apoyo incondicional.
A MIS TOS. Por brindarme consejos, escucharme, y por los momentos que vivimos
al estar juntos ya que esos momentos de felicidad son los que me dan la fuerza para
no desmotivarme y as lograr lo que me propongo, siempre he contado con el apoyo
de ustedes y con mucho cario este trabajo tambin es para ustedes.
A MIS PRIMOS. Por ser como mis hermanos y estar con migo para vivir los momentos
duros de la vida, pero tambin los ms felices ustedes son la familia que me brinda la
motivacin y el apoyo para triunfar y espero este sea un ejemplo de que cuando se
quiere lograr una meta solo deben centrarse en su objetivo.
A LILI BONILLA TORRES. Por ser una persona que me ha enseado que puedo
lograr lo que quiero siempre que me lo propongo brindndome su apoyo, su
comprensin y sobre todo su compaa durante el transcurso de la carrera, dndome
momentos para ser feliz y disfrutar del amor que se puede dar y recibir, espero que
este logro te sirva de inspiracin para que alcances el tuyo.
NDICE:
PROTOCOLO DE TESIS. ............................................................................................................................ 1
CAPTULO I GALVANOPLASTIA Y PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA. .............................................. 4
1.1 DEFINICIN DE PLANTA PILOTO. .................................................................................................. 5
1.2 DEFINICIN DE GALVANOPLASTIA. ............................................................................................... 6
1.3 USOS DE LA GALVANOPLASTIA. .................................................................................................... 8
1.4 LEY DE FARADAY. .......................................................................................................................... 9
1.5 TIPOS DE SUSTANCIAS UTILIZADAS............................................................................................. 11
1.5.1 DESENGRASANTES. .................................................................................................................. 11
1.5.2 BAOS ELECTROLITICOS. ......................................................................................................... 13
1.6 PARAMETROS PRACTICOS INFLUYENTES EN EL PROCESO DE GALVANOPLASTIA. ..................... 16
1.7 PROCESOS EN LA PLANTA DE GALVANOPLASTIA........................................................................ 22
CAPTULO II SITUACIN ACTUAL DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA. ................................. 29
2.1 DESCRIPCIN DE LA PLANTA PILOTO. ......................................................................................... 30
2.2 DTI Y EXPLICACIN DE LOS INSTRUMENTOS. ............................................................................. 36
2.3 OPERACIN EN LA PLANTA DE GALVANOPLASTIA. .................................................................... 40
2.4 DESENGRASE POR INVERSIN PERIDICA (PR). ......................................................................... 42
2.5 TABLERO DE ALIMENTACIN GENERAL Y PROTECCIONES. ........................................................ 43
2.6 ALIMENTACIN DE TABLERO PARA ESTACIONES. ...................................................................... 44
2.7 CONTROL DE ESTACIN DE LIMPIEZA FRA. ............................................................................... 45
2.8 CONTROL DE LA ESTACIN DE LIMPIEZA CALIENTE Y CUBAS DE BAO GALVANOPLASTICO. ... 46
CAPITULO III PROPUESTA DE ACTUALIZACIN PARA LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA. ....... 49
3.1 TIPOS DE INSTALACIONES DE GALVANOPLASTA. ...................................................................... 50
3.2 SISTEMAS AUTOMTICOS. .......................................................................................................... 51
3.3 INSTRUMENTACIN Y EQUIPO UTILIZADO. ................................................................................ 59
3.4 ELECCIN Y JUSTIFICACIN DEL CONTROLADOR. ...................................................................... 64
3.5 PROPUESTA DE PROGRAMACIN ............................................................................................... 71
3.5 PROPUESTA ELCTRICA. .............................................................................................................. 95
CAPITULO IV COSTO DEL PROYECTO................................................................................................... 108
4.1 COTIZACIN .............................................................................................................................. 109
CONCLUSIONES Y TRABAJO A FUTURO............................................................................................... 116
CONCLUSIONES. .............................................................................................................................. 117
TRABAJO A FUTURO. ....................................................................................................................... 118
NDICE DE FIGURAS
FIGURA 1.1 ESQUEMA DEL PROCESO DE GALVANOPLASTIA. ................................................................. 8
FIGURA 1.2 DEPSITOS EN SUPERFICIES. ............................................................................................. 22
FIGURA 1.3 DIAGRAMA DE FLUJO DEL PROCESO DE GALVANOPLASTIA. ............................................. 28
FIGURA 2.1 DIAGRAMA DE UNA CUBA DE GALVANOPLASTA. ............................................................ 30
FIGURA 2.2 TABLERO DE CONTROL PARA ESTACIONES 1 Y 2. .............................................................. 33
FIGURA 2.3 TABLERO DE CONTROL PARA ESTACIONES 3 Y 4. .............................................................. 34
FIGURA 2.4 TABLERO DE CONTROL PARA ESTACIONES 5 Y 6. .............................................................. 34
FIGURA 2.5 TABLERO DE CONTROL PARA ESTACIONES 7 Y 8. .............................................................. 35
FIGURA 2.6 PARTES DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA....................................................... 37
FIGURA 2.7 INTERRUPTORES DE NIVEL COMERCIALES......................................................................... 41
FIGURA 2.8 INVERSOR DE POLARIDAD. ................................................................................................ 43
FIGURA 2.9 TABLERO DE PROTECCIONES Y ALIMENTACIN GENERAL. ............................................... 43
FIGURA 2.10 ALIMENTACIN GENERAL DE LA PLANTA. ....................................................................... 44
FIGURA 2.11 ALIMENTACIN DE LOS TABLEROS DE CONTROL. ........................................................... 45
FIGURA 2.12 CONTROL DE LA ESTACIN DE LIMPIEZA FRA. ............................................................... 46
FIGURA 2.13 CONTROL DE BAO CALIENTE Y ESTACIONES 3,4,5,6,7 Y 8 DE LA PLANTA PILOTO........ 47
FIGURA 2.14 SE MUESTRA EL DIAGRAMA ELCTRICO DEL CONTROLADOR Y LOS ELEMENTOS DEL
TABLERO DE CONTROL DE TANQUES 2 AL 6. ........................................................................................ 47
FIGURA 2.15 CONTROL DE TANQUES 8 Y 9. .......................................................................................... 48
FIGURA 3.1 COMPONENTES DE UN MICROCONTROLADOR................................................................. 53
FIGURA 3.2 PERRO GUARDIN. ............................................................................................................ 56
FIGURA 3.3 PLC. .................................................................................................................................... 57
FIGURA 3.4 ESTRUCTURA DE UN PLC.................................................................................................... 57
FIGURA 3.5 CONFIGURACIN DE RTDS A 2, 3 Y 4 HILOS. .................................................................... 61
FIGURA 3.6 CONFIGURACIN DE 4 HILOS DEL SENSOR ROSEMOUNT 68. ........................................... 61
FIGURA 3.7 EJEMPLO DE PEDIDO DEL SENSOR. .................................................................................... 61
FIGURA 3.8 PEDIDO EL SENSOR. ........................................................................................................... 64
FIGURA 3.9 OPLC UNITRONICS V350-35-TR20...................................................................................... 68
NDICE DE TABLAS:
TABLA 2.1 INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA. ....................... 39
TABLA 3.1 COMPARACIN ENTRE CONTROLADORES. ......................................................................... 59
TABLA 3.2 DATOS DEL SENSOR ROSEMOUNT 68.................................................................................. 62
TABLA 3.3 RELACIN DE TEMPERATURA (C) Y RESISTENCIA. .............................................................. 63
TABLA 3.4 SALIDAS Y ENTRADAS PARA EL PLC. .................................................................................... 65
TABLA 3.5 COMPARACIN DE PLCS. .................................................................................................... 66
TABLA 3.6 DIRECCIONES PARA LAS PANTALLAS DE LA HMI. ................................................................ 74
TABLA 3.7 DIRECCIONES PARA ENTRADAS DIGITALES DEL PLC. ........................................................... 82
TABLA 3.8 DIRECCIONES PARA SALIDAS DIGITALES DEL OPLC. ............................................................ 82
TABLA 3.9 LISTA DE DIAGRAMAS ELCTRICOS...................................................................................... 95
TABLA 4.1 CATLOGO DE CONCEPTOS. .............................................................................................. 109
TABLA 4.2 CATLOGO DE CONCEPTOS. .............................................................................................. 112
TABLA 4.3 COSTOS DE EQUIPO. .......................................................................................................... 113
TABLA 4.4 COSTOS DE MANO DE OBRA.............................................................................................. 114
TABLA 4.5 COSTOS DE INGENIERA DE DETALLE. ................................................................................ 114
TABLA 4.6 COSTO TOTAL DEL PROYECTO. .......................................................................................... 115
TABLA 2.1 INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA (CONTINUACIN
APNDICE) ........................................................................................................................................... 122
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 123
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 124
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 125
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 126
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 127
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA ..................... 128
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 128
TABLA 2.1. INSTRUMENTOS Y EQUIPOS DE LA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA
(CONTINUACIN). ............................................................................................................................... 129
NDICE DE PLANOS:
PLANO 2.1 CROQUIS DE LABORTORIO .............................................................................................. 31
PLANO 2.2 DTI ACTUAL DE PLANTA DE GALVANOPLASTIA .............................................................. 38
PLANO 3.1 DIAGRAMAS DE FUERZA PARA MOTORES, BOMBAS Y CALENTADORES PARTE 1 ........ 100
PLANO 3.2 DIAGRAMAS DE FUERZA PARA MOTORES, BOMBAS Y CALENTADORES PARTE 2........ 101
PLANO 3.3 DIAGRAMA DE CONEXIONES A TARJETAS DE ENTRADAS Y SALIDAS DIGITALES DEL OPLC
........................................................................................................................................................ 103
PLANO 3.4 DIAGRAMAS DE CONEXIN PARA ENTRADAS DE RTD A OPLC ..................................... 105
PLANO 3.5 DIAGRAMA FSICO DE TABLERO DE CONTROL.............................................................. 106
PLANO 3.6 DTI DE PROPUESTA PARA PLANTA PILOTO DE GALVANOPLASTIA ............................... 107
PLANO A1 TPICO DE INSTALACIN DE OPLC V350-35 TR20 .......................................................... 133
PLANO A2 TPICO DE INSTALACIN DE INTERFAZ EX-A2X .............................................................. 134
PLANO A3 TPICO DE INSTALACIN DE TARJETA IO-RO16 ............................................................. 135
PLANO A4 TPICO DE INSTALACIN PARA TARJETA IO-PT400 ........................................................ 136
PLANO A5 TPICO DE INSTALACIN PARA RTD ............................................................................... 137
P R O T O C O L O D E T E S I S |1
PROTOCOLO DE TESIS.
OBJETIVO GENERAL.
Disear una propuesta de actualizacin para una planta piloto de
galvanoplastia con un sistema automtico que facilite su operacin, adems de
ofrecer un manejo seguro.
OBJETIVOS PARTICULARES.
Describir la planta piloto de galvanoplastia.
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extender los brazos por encima de los tanques del proceso en caso que se tenga que
realizar un paro de emergencia o cambios en el proceso, como temperatura o
agitacin.
Los operarios en este caso son alumnos y profesores, los cuales cumplen con
prcticas de Laboratorio de Electroqumica, al estar operando la planta piloto para la
realizacin de las prcticas es necesario que utilicen guantes de hule, ya que hay que
introducir la pieza a la solucin y posteriormente retirarla, por lo que resulta peligroso
el estar en contacto con las soluciones electrolticas del proceso. Al estar en una
prctica, es de gran importancia entender y analizar el proceso, en este caso la
galvanoplastia. Los alumnos slo controlan el proceso mediante temperatura y
botones de arranque y paro, pero no pueden saber fsicamente qu es lo que pasa
dentro de los tanques, ya que estos se tapan y se monitorean continuamentepara
saber si el proceso ha terminado.
Existen procesos en los cuales el periodo de recubrimiento es muy extenso
como das o incluso semanas, en los cuales la planta se queda encendida y durante
la noche no se cuenta con un sistema de seguridad que permita apagar la planta en
caso de que algo no contemplado ocurriese.
JUSTIFICACIN.
Dentro de los procesos Electroqumicos, se manejan sustancias con distintas
propiedades que pueden ser dainas para el ser humano, ya sea por si solas,
haciendo una reaccin o mezclndolas para formar el electrolito.
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Machine Interfaz Interfaz hombre mquina) sin que el operario tenga necesidad de
cambiar constantemente de lugar, reduciendo los tiempos de operacin requeridos
para desplazarse de un lugar a otro. Lo importante, sin duda es que al estar en un
lugar apartado del proceso no se corre el riesgo de entrar en contacto con las
sustancias, esto no implica que se tengan que gastar recursos econmicos extras, ya
que al tener la seguridad del personal y del equipo estamos ahorrando en gastos tanto
de tiempo, dinero, e incluso procesos legales en los cuales se perderan recursos
humanos, materiales, y financieros. Para esto se elegir el equipo adecuado a las
necesidades de trabajo que exige el proceso, implicando gastos econmicos que se
justifican con la mejora de la operacin, una manera dinmica de estudiar y ejecutar
el proceso de galvanoplastia y principalmente el cuidado de la integridad de los
operarios, siendo el factor de mayor importancia.
ALCANCE.
Disear una propuesta de automatizacin para una planta de galvanoplastia
que consiste en:
1. proponer la instrumentacin adecuada.
2. Los diagramas de ingeniera a detalle para la instalacin de los
elementos de control, el diseo de la interfaz HMI contemplando las
caractersticas del proceso para la seleccin adecuada del equipo a
utilizar y de manera que sta seleccin sea econmica y eficiente.
3. Una cotizacin de la implementacin del sistema automtico para la
planta e ingeniera requerida para su implementacin.
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Los
productos
qumicos
descompuestos,
tambin
conocidos
como
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Cu2++ 2e
Cu0
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Mejora la apariencia.
Un ejemplo de tipo de recubrimiento muy utilizado por su bajo costo y dado que
proporciona una proteccin adecuada contra la corrosin, en condiciones
atmosfricas normales, es el proceso que se le conoce como galvanizado. Los
recubrimientos de cinc en acero, representan el mercado ms grande en cuanto a
recubrimientos protectores, siendo la industria automotriz la principal consumidora.
Debido a las mayores exigencias de resistencia a la corrosin y a las normas
ecolgicas, cada vez ms estrictas, los recubrimientos de cinc puro, estn siendo
reemplazados por sus aleaciones (zinc-hierro, zinc-nquel, zinc-cobalto).
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. .
Dnde
= .
= .
= 96 /.
= .
. .
Dnde
=
=
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1.5.1 DESENGRASANTES.
El procedimiento de este tipo de desengrase es sumergir la pieza en una
solucin alcalina, dnde la grasa se saponifica, y de este modo la grasa y la suciedad
son eliminadas de la pieza y se retiran los residuos con enjuagues sucesivos de agua.
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Fija o compleja los iones metlicos entre ellos el Ca 2 y Mg2+ del agua y otros iones de metales pesados, dando
compuestos solubles en agua y evitando de esta forma que dichos iones metlicos reaccionen con la suciedad y
produzcan compuestos insolubles .
7
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DEPSITO DE COBRE.
Bao de cobre cido:
Sus componentes fundamentales son:
DEPSITO DE NQUEL.
Solucin Watts:
Permite la obtencin de depsitos de buena coloracin y brillo, las sustancias
utilizadas son:
Sulfato de nquel.
Cloruro de nquel.
cido brico.
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Nquel brillante:
Contiene agentes de adicin que modifican el crecimiento del depsito de
nquel para producir superficies completamente brillantes que pueden recibir depsito
de cromo sin necesidad de pulido previo.
Sulfato de nquel.
Cloruro de nquel.
cido brico.
Abrillantador primario.
Abrillantador secundario.
Nquel mate:
Produce una pelcula uniformemente satinada sobre metales base como
acero, cobre y latn.
Se obtiene una estructura del depsito fino y uniforme en todas las reas.
Sulfato de nquel.
Cloruro de nquel.
cido brico.
Abrillantador primario.
Abrillantador secundario.
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DEPSITO DE CROMO.
Las sustancias utilizadas son:
Acido crmico.
cido sulfrico.
Agua.
Rebasando ciertos lmites, que varan con la naturaleza del bao y con la
temperatura, la velocidad de crecimiento aumenta tanto especialmente en ciertos
lugares del cristal, que el electrodepsitos obtenido se convierte en rugoso, en
dendrtico o incluso en esponjoso o pulverulento y finalmente, si la densidad de
corriente se incrementa demasiado, se producirn depsitos quemados debido al
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desprendimiento simultaneo de gas en los materiales por los que circula la corriente,
todos estos indeseables.
TEMPERATURA.
Es tambin un factor importante en el proceso de galvanoplastia. Un aumento
en la temperatura favorece la difusin de la especie inica hacia el electrodo.
Por otra parte, permite aumentar la densidad de corriente. Todo ello lleva
consigo un aumento de la movilidad de los iones metlicos, y una disminucin de la
viscosidad, con un mayor reaprovisionamiento de la zona catdica, dando lugar a la
formacin de electrodepsitos de grano fino y brillante, sin llegar a la obtencin de
recubrimientos arborescentes (dendrticos) o esponjosos. Adems, la temperatura
permite eliminar los gases en el ctodo de manera eficiente, disminuyendo la
absorcin que producen depsitos frgiles con tendencia a desquebrajarse como
sucede con el hierro, nquel, y cobalto.
metal a depositar es
electronegativo, pues entonces ele electrolito debe contener suficientes iones H+ para
evitar la formacin de hidratos y sales bsicas poco solubles, y al propio tiempo, no
debe contener tantos iones H+ que haga posible su descarga en el ctodo. Algunos
metales, como el nquel, zinc y hierro precisan un pH muy bajo para obtener depsitos
finos y, por tanto, brillantes. Cuando se conoce el margen de pH conveniente para
conseguir en los depsitos un fin determinado, la medida de este nos indica que es
demasiado alto o bajo, es preciso regular el contenido en iones H +. Para esta
regulacin se acostumbra emplear sustancias que actan como tampones
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(reguladores de pH) constituidos por cidos muy poco disociados (por ejemplo cido
brico en los electrolitos de niquelado), o bien cidos dbiles y sus sales o bases
dbiles y su sal.
CONCENTRACIN INICA.
La composicin ms conveniente del electrolito ser aquella que posea pocos
iones metlicos a depositar y muchas molculas no disociadas dispuestas a
disociarse rpidamente, liberando los iones metlicos que sustituirn a los que
desaparezcan de la pelcula liquida catdica durante la deposicin. El nodo, al ser el
metal que se quiere recubrir cumple la tarea de disolverse para proveer de iones
metlicos que sern depositados.
La concentracin real de un ion determinado es funcin de un sinfn de factores,
tales como la concentracin molar, el grado de ionizacin, la temperatura, la presencia
de sales con un ion comn y la formacin de complejo qumicos.
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AGENTES DE ADICIN.
Se llama de esta forma a aquellos compuestos de naturaleza inorgnica u
orgnica que, adicionados al electrolito en cantidades generalmente muy pequeas,
modifican la textura cristalina del electrodepsito en cualquier etapa del proceso.
Estos agentes de adicin pueden cumplir misiones diferentes, influyendo sobre
diferentes factores que afectan al proceso.
Se denominan abrillantadores cuando al ser absorbidos irreversiblemente en
puntos de baja sobretensin influyen en el crecimiento del cristalino, modificando el
grano o bien orientando las caras cristalinas en una direccin determinada.
Se llaman nivelantes cuando al ser absorbidos irreversiblemente en puntos de
densidad de corriente elevada, inhiben ele crecimiento en las puntas, dando ms
velocidad al crecimiento en los valles del cristal.
Se llaman humectantes cuando su misin consiste en mojar la superficie
catdica, reduciendo la tensin superficial en las burbujas de hidrogeno y facilitando
su desprendimiento de esa superficie catdica.
Se llaman agentes disminuidores de tensiones internas o agentes ductilizantes
cuando dichos compuestos, al ocluirse o absorberse selectivamente en el
electrodepsito, disminuyen o suprimen las tensiones internas asociadas a ciertos
tipos de crecimiento cristalino.
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PASIVIDAD ANDICA.
En el nodo tambin es posible la produccin de polarizacin debido a la
formacin de pelculas poco conductoras originadas por reaccin qumica. Cuando el
nodo deja de disolverse como consecuencia de estas reacciones, se dice que se ha
pasivado.
Se han establecido numerosas teoras para explicar este interesante
fenmeno, y dominan entre ellas la teora oxdica y la oxignica. Los partidarios de la
primera admiten que el metal se recubre de una capa de xido protector,
anlogamente a lo que sucede con el aluminio, tan distinto de los metales nobles.
Los partidarios de la segunda teora pretenden que el revestimiento es de
oxgeno, el cual es retenido por la superficie, pero sin llegar a formar xido, y objetan
contra la primera teora el no haber podido demostrar en muchos casos la existencia
de esta capa de xido y el ser inverosmil su insolubilidad en cidos, pero se olvida
que por tratarse de una capa constituida por escaso nmero de molculas
superpuestas, o quiz una capa monomolecular, las condiciones de formacin del
xido son muy distintas de las que rigen en una formacin qumica corriente, pudiendo
formarse, contrariamente a este caso, capas de xido muy denso, adherente y poco
poroso. De cualquier manera, el caso es que la posibilidad de un gran
desprendimiento de oxgeno en el nodo y, por consiguiente, una gran densidad de
corriente andica es una de las causas ms frecuentes de la pasividad del mismo y
que los metales puros son los que ms tendencia tienen a la pasividad al permitir la
continuidad de la capa protectora.
Dado lo anterior, algunos metales, sometidos a determinados tratamientos o
mezclados con otras sustancias, se disuelven con mucha ms facilidad en el bao
electroltico que el metal puro. Otro factor que dificulta la pasividad y que, por
consiguiente, vuelve al nodo activo, es decir, facilita su disolucin, es la existencia
en el bao de aniones de escaso volumen atmico, que al facilitar su difusin a travs
de los pocos poros de la superficie protectora puedan efectuar un trabajo de
disolucin del metal, siempre que las sales formadas sean solubles en las condiciones
del bao.
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PODER DE PENETRACIN.
El poder de penetracin se refiere a la propiedad de un bao por la que se
consigue una distribucin regular del depsito sobre toda la superficie del ctodo. Si
se trata de un ctodo de superficie irregular, las partes cercanas de ste se cubren
con una capa ms gruesa que aquellas ms alejadas, debido a que la resistencia
hmica del electrolito intermedio es menor. Se ha demostrado que el poder de
penetracin es funcin del modo como varan el potencial catdico y la resistencia del
electrolito con la densidad de corriente.
Cuando en un punto del ctodo, que se halla ms cerca del nodo que otros,
se reduce la distancia y por consecuente la resistencia en el electrolito, esto origina
un empobrecimiento de iones en dicho punto que da lugar a una polarizacin por
concentracin, lo que tiene el mismo efecto que un aumento de la resistencia hmica
entre el nodo y los puntos cercanos del ctodo; por dicho motivo la corriente se dirige
hacia otros lugares ms alejados, manifestndose as el poder de penetracin de la
solucin. La corriente que fluye desde el nodo hacia las superficies prominentes es
mayor en stas que en las partes huecas, es decir la densidad de corriente por
decmetro cuadrado (A/dm2) es mayor porque la distancia nodo-ctodo es ms corta
y por lo tanto tiene menos resistencia elctrica que en las partes huecas. El reparto
de la corriente de la corriente en el bao es llamado distribucin de corriente. Esto
quiere decir, que las reas huecas reciben un depsito ms delgado que en las partes
prominentes como se muestra en la figura 1.2.
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A) DESENGRASE.
Esta etapa tiene por objeto eliminar los aceites y grasas de la superficie, a fin
de que no interfieran en las etapas siguientes, las soluciones utilizadas son
normalmente alcalinas. Dependiendo del tipo de acabado se escogen soluciones leve
o fuertemente alcalinas. Este proceso necesariamente debe ser seguido de enjuague
para remover la solucin desengrasante.
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ENJUAGUE.
El enjuague es una de las etapas ms importantes en la galvanoplastia, en
algunos casos se descuidad u olvida, y ello tiene consecuencias posteriores en forma
de contaminacin de los baos electrolticos de deposicin metlica, falta de
adherencia del recubrimiento metlico y manchas en el mismo e incluso prdida del
brillo.
ELECTRODEPOSICIN.
El acabado de los metales es el nombre por el que se conoce a una serie de
procesos que se realizan para modificar las propiedades superficiales de un metal
mediante la aplicacin de una o varias capas de otros metales o aleaciones de
metales. En sus orgenes, esta tcnica estaba basada con el propsito de aumentar
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Cobre qumico
Oro qumico
Plata qumica
Estao qumico
Anodizado (aluminio)
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DEPOSICIN ELECTROLTICA.
Este proceso requiere de:
El bao
BAO ELECTROLTICO.
Normalmente consiste en una mezcla de diversos compuestos qumicos que
de forma general contienen:
a) El ion metlico:
El metal a depositar est presente en la solucin en forma de sal simple o
compleja usndose en algunos casos ms de una sal. Normalmente en el caso de
metales comunes se utilizan concentraciones metlicas elevadas, para el caso de
metales preciosos, por su elevado coste, se tiende a usar procesos muy diluidos en
el metal a depositar.
b) Electrolito soporte:
Conjunto de sales que tienen como misin aportar al bao la mxima
conductividad elctrica. Generalmente actan tambin como estabilizadores del PH
y, en algunos casos, pueden tener adems un efecto beneficioso sobre la estructura
del depsito.
c) Agentes acomplejantes:
Se utilizan para diversos cometidos:
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d) Aditivos orgnicos:
Se utilizan compuestos orgnicos relativamente en bajas concentraciones para
modificar la estructura y las propiedades del depsito, se pueden agrupar los aditivos
en los siguientes conceptos:
Abrillantadores8.
Agentes humectantes.
Agentes niveladores.
SECADO.
sta es la ltima operacin a la que son sometidas las piezas una vez
recubiertas con el metal deseado y convenientemente lavadas. Tiene por objeto evitar
el velado (aparicin de una capa nebulosa) y en algunos casos el parcial oxidado y el
manchado de las piezas tratadas. La eficacia del secado depender del tipo de pieza
a tratar, de la forma, peso y orientacin de esa pieza al salir del enjuague final y, por
ltimo del metal y naturaleza del recubrimiento metlico. Para secar las piezas o
artculos se han empleado en galvanoplastia los siguientes procedimientos:
Secado atmosfrico.
C A P T U L O 1 | 27
C A P T U L O 1 | 28
Este captulo trata sobre el estado actual de la planta, desde el levantamiento elctrico
hasta el modo actual de operacin de la planta piloto. Se realizan diagramas para
mostrar los elementos de la planta piloto y se describe cmo es que se lleva acabo el
control de sus elementos.
29
C A P T U L O 2 | 30
CUBA
Se le llama cuba a los recipientes de plstico de la planta piloto, todos ellos cuentan
con una tapa del mismo material, mientras que las cubas de las estaciones de bao
galvanoplstico tienen 2 varillas de cobre por las cuales se hace circular la corriente
elctrica.
En la parte del proceso se tiene una cuba. Ambas se conectan a la terminal positiva
de la fuente de alimentacin; en la parte central se encuentran dos terminales
conectadas a la terminal negativa de la fuente de alimentacin, aqu se coloca una
barra de cobre en la que se cuelga el bastidor de la gra con la pieza que se quiere
recubrir en la figura 2.1 se muestra una imagen de una cuba para el proceso de
galvanoplasta.
30
C A P T U L O 2 | 31
C A P T U L O 2 | 32
C A P T U L O 2 | 33
Las figuras 2.3 y 2.4 ilustran la parte del tablero de control para las estaciones
3, 4, 5 y 6.
C A P T U L O 2 | 34
C A P T U L O 2 | 35
C A P T U L O 2 | 36
C A P T U L O 2 | 37
37
C A P T U L O 2 | 38
38
C A P T U L O 2 | 39
Equipo
Tag
Estacin
Temporizador general
KIC-000
Todas
Temporizador 1
KIC-001
Estacin 1:
Limpieza fra.
TQ-001
Estacin 1:
Limpieza fra.
Especificaciones
Marca: Finder
Modelo:
88.12..0.230..0002
Corriente: 8.
Tensin mxima: 250 VAC.
Rango: 0,005 s a 100 hrs.
Marca: Omron
Modelo: H3CA-A-306
Bobina:
Tensin CA: 24 a 241 VCA.
Frecuencia: 50/ 60 Hz.
Potencia mxima: 2VA
Tensin CD: 12 a 240 VCD
Potencia mxima: 2W.
Contactos:
Corriente: 3A.
Tensin: 250 VCA.
Carga resistiva.
Altura: 48 cm.
Largo: 36 cm.
Ancho: 40 cm.
C A P T U L O 2 | 40
RECEPCIN DE LA PIEZA.
Se recibe la pieza que se quiere someter al proceso de galvanizado,
generalmente se trata de placas de latn o hierro.
LIMPIEZA DE LA SUPERFICIE.
Esta etapa de proceso se lleva a cabo en las estaciones 1 y 2 de la planta piloto.
PROCESO COBRIZADO-COBRIZADO-NIQUELADO-CROMADO.
Despus de darle tratamiento a la superficie de la pieza, contina el proceso
en las estaciones 3-8.
C A P T U L O 2 | 41
La etapa final del proceso corresponde al cromado, que se lleva a cabo en las
estaciones 7 y 8, en esta etapa el nodo es de cromo y el electrolito es una solucin
C A P T U L O 2 | 42
C A P T U L O 2 | 43
C A P T U L O 2 | 44
C A P T U L O 2 | 45
C A P T U L O 2 | 46
C A P T U L O 2 | 47
cantidad de iones sueltos por los que puedan pasar los electrones y as galvanizar la
pieza en un menor tiempo.
C A P T U L O 2 | 48
49
C A P T U L O 3 | 50
Manuales
Semiautomticas
Automticas
Las instalaciones manuales son aquellas en las que las piezas a tratar son
50
C A P T U L O 3 | 51
Programadas (flexibilidad)
De retorno (productividad)
Automatismos
La automatizacin es la respuesta lgica a la demanda de produccin de bienes
en cantidad y calidad controlada, a la vez que la frmula que generalmente permite
reducir o contener los costes.
Control electromagntico.
C A P T U L O 3 | 52
Microcontrolador.
PLC
CONTROL ELECTROMAGNTICO.
En este tipo de control se utilizan diversos componentes que se encargan de
dar rdenes de trabajo a las maquinas elctricas.
C A P T U L O 3 | 53
MICROCONTROLADOR.
Un microcontrolador es un circuito integrado, esto quiere decir que integra en
un solo encapsulado un gran nmero de componentes, su caracterstica principal es
que es programable, lo que le permite ejecutar de forma autnoma una serie de
instrucciones previamente definidas por el usuario.
C A P T U L O 3 | 54
C A P T U L O 3 | 55
C A P T U L O 3 | 56
PLC.
Un Controlador Lgico Programable (PLC por sus siglas en ingles), es como su
nombre lo indica, un controlador basado en microprocesador, el cual cuenta con una
memoria programable para almacenar instrucciones e implementar funciones lgicas,
de tiempo, de conteo, aritmticas y secuenciales, para controlar mquinas y procesos.
Estn diseados, de forma que no es necesario ser un experto en computacin para
programarlos.
C A P T U L O 3 | 57
C A P T U L O 3 | 58
Modular: Consiste en mdulos separados para cada componente del PLC, esto
permite aumentar el nmero de mdulos de entradas y salidas y mdulos de memoria.
Para programarlos se tienen varias opciones, pero las ms utilizadas son las
listas de instrucciones y los diagramas de contactos, puesto que adems de ser
mayoritariamente utilizados, tiene la ventaja de que son soportados por la totalidad
de los PLC comerciales9.
DIAGRAMA DE CONTACTOS.
Es un mtodo de representacin grfica inicialmente adoptado por fabricantes
norteamericanos y japoneses, y posteriormente los fabricantes europeos.
C A P T U L O 3 | 59
LISTA DE INSTRUCCIONES.
Las listas de instrucciones booleanas usan generalmente un conjunto de
smbolos mnemotcnicos, similares a los utilizados en lenguaje ensamblador.
Controlador
Durabilidad
Microcontrolador.
Baja.
Espacio ocupado
Muy poco
Capacidad de
almacenamiento
de programas
Bueno
Control
electromagntico.
Alta
Ocupa un gran
espacio.
PLC.
Alta
Poco
NA
Bueno
Programacin
C, ensamblador,
experto.
NA
Lenguaje
estructurado,
escalera, bloques
funcionales y lista
de instrucciones.
Manejo de
potencia.
Bajo
Eficiente.
Eficiente.
Tipos.
NA
NA
Funciones
integradas.
NA
NA
Modulares y
compactos.
Control PID.
Protocolos de
comunicacin.
C A P T U L O 3 | 60
Bombas.
Extractor.
Compresor (Agitador por aire).
Agitador mecnico.
Calentadores.
Filtros.
Switch de nivel.
Relevadores.
Clemas.
Como ya se mencion antes los elementos que sern propuestos son los sensores
de temperatura, a continuacin se presenta la seleccin del sensor:
Sensor de temperatura.
En el controlador indicador se puede programar la temperatura a la que se
quiere mantener la solucin, para mantenerla es necesario un sensor que mida y
con ayuda del controlador indicador hacerla constante en el calentador.
El sensor propuesto es un sensor RTD, la razn de esta eleccin, es porque
los controladores indicadores con que cuenta la planta funcionan con este tipo de
sensores, otras de las razones de utilizar este tipo de sensor es que al comparar con
termopares se tiene las siguientes ventajas:
o Mayor exactitud.
o Mejor linealidad y estabilidad a largo plazo.
o No se requiere un cable especial de extensin.
o Son menos susceptibles al ruido.
El modelo de sensor que se utilizara es el sensor Pt-100 modelo 68 marca
Rosemount, esta marca y modelo fueron elegidos por que ofrecen facilidades como
son: elegir el tamao del sensor, calibracin del mismo con rangos deseados por el
cliente, certificacin de calibracin o con uso opcional de termopozo.
Una de las ventajas mencionadas es que esta marca ofrece la posibilidad de
calibrar el sensor al rango de temperatura que el cliente desea, el sensor mide de
50C a 400C, pero las estaciones de la planta piloto solo requieren mediciones de
10C a 110C.
C A P T U L O 3 | 61
La tabla 3.2 contiene los datos del sensor que son requeridos para hacer el
pedido del mismo, la tabla completa es la tabla 1 del anexo II.
C A P T U L O 3 | 62
De acuerdo con la figura 3.7 el primer campo requerido es el modelo del sensor,
el cual es modelo 0068.
El segundo campo requerido es el extremo del cable de conexin, para
conectar con el mdulo de seales analgicas del OPLC, no es necesario de ningn
tipo de terminal, por lo tanto se selecciona la opcin N.
C A P T U L O 3 | 63
1 0.254
10cm
1m
1 pu lg ada
3.9 4 pu lg adas
100cm 0.0254m
C
-200
-190
-180
-170
-160
-150
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
18.52
22.83
27.10
31.34
35.54
39.72
43.88
48.00
52.11
56.19
60.26
64.30
68.33
72.33
76.33
80.31
84.27
88.22
92.16
96.09
100.00
103.90
107.79
111.67
115.54
119.40
123.24
127.08
130.90
C
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
20
210
220
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
330
340
350
360
370
134.71
138.51
142.29
146.07
149.83
153.58
157.33
161.05
164.77
168.48
172.17
175.86
179.53
183.17
186.84
190.47
194.10
197.71
201.31
204.90
208.48
212.05
215.61
219.15
222.68
226.21
229.72
233.21
236.70
C
380
390
400
410
420
430
440
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
560
570
580
590
600
610
620
630
640
650
660
240.18
243.64
243.09
250.53
253.96
257.38
260.78
264.18
267.56
270.93
274.29
277.64
280.98
284.30
287.62
290.92
294.21
297.49
300.74
304.01
307.25
310.49
313.71
316.92
320.12
323.30
326.48
329.64
332.79
C A P T U L O 3 | 64
Peso 9 oz (255.15g).
C A P T U L O 3 | 65
La aplicacin de un PLC tiene ventajas sobre otros sistemas de control por ser
un equipo compacto que puede ser instalado en gabinetes pequeos de control, al
programar se reduce el tiempo de instalacin, y no necesita de grandes cantidades
de relevadores ni arreglos complejos de estos.
SALIDAS
ENTRADAS
SALIDAS
ENTRADAS
DIGITALES
DIGITALES
ANALGICAS
ANALGICAS
GENERAL
TOTAL
16
14
ESTACIN
C A P T U L O 3 | 66
PLC
Siemens
Allen Bradley
Unitronics
Serie
S7 200
Micrologix 1100
V350
Elevado (No en
Costo
Elevado
caso de compra
Medio
escolar)
Software
HMI
Capacidad de
memoria.
Accesibles a
estudiantes.
Requiere la
Requiere la
compra de una
compra de una
licencia.
licencia.
Requiere pantalla
Requiere pantalla
tctil y
tctil y
comunicacin.
comunicacin.
Alta
Alta
Alta
No
Si
Si
Libre
Incluida en el PLC.
C A P T U L O 3 | 67
UNITRONICS.
Los PLC Unitronics son eficientes y fciles de utilizar, han estado en
automatizacin de procesos y aplicaciones desde 1989 como son:
Esta marca ha desarrollado PLCs los cuales tienen incorporada una interfaz
humano-maquina, con lo que se tienen ventajas sobre otros equipos de otras.
OPLC.
Un OPLC es un micro PLC el cual tiene un panel operativo (pantalla LCD). Es
decir, el equipo incorpora una pantalla LCD de texto o grfico, con un teclado
numrico completo o funcin touch (tctil). Con lo que se habla de una solucin
Controlador + HMI en un solo dispositivo.
Ahorra espacio.
Control PID.
C A P T U L O 3 | 68
CONTROLADOR SELECCIONADO.
La marca que ha sido elegida es UNITRONIX, marca cuya finalidad es hacer
que el control por PLC sea simple, eficiente y econmico.
En la Imagen 3.9 se muestra un OPLC.
6 salidas a rel.
Alimentacin de 24VCD.
ENTRADAS Y SALIDAS.
Las entradas y salidas incluidas en el OPLC son insuficientes para manipular
el equipo necesario en la planta de galvanoplastia, por tanto es necesario utilizar
mdulos de expansin.
C A P T U L O 3 | 69
IO-RO16.
Es un mdulo de expansin con 16 salidas a rel que puede ser usado en
conjuncin con los OPLC Unitronics.
IO-PT400.
Son mdulos de expansin que tiene 4 entradas de RTD tipo PT100, NI100 Y
NI120.
Su alimentacin y conexin es la misma que el mdulo IO-RO16.
Se usaran 2 mdulos de este tipo.
C A P T U L O 3 | 70
EX-A2X.
Este mdulo es la interfaz entre el OPLC y mdulos de expansin de cualquier
tipo, los cuales pueden ser 8. Este debe ser montado en un riel DIN.
C A P T U L O 3 | 71
Arbol de
proyecto
Escalera y
HMI
Herramientas
para
programacin
Escalera
Entorno
de
programacin
escalera y de
la HMI
Localidades de
memoria para
Programacin
FIGURA 3.13 ENTORNO DE VISILOGIC PARA PROGRAMACIN DE LGICA DE ESCALERA Y
HMI.
CONFIGURACIN DE HARDWARE.
Para iniciar con la programacin se crea un nuevo proyecto en la barra de
mens, y se configura el Hardware a utilizar, comenzando por el CPU que se utilizar
(en el tema 3.3 se seleccion el modelo V350), adicionalmente se agrega un Riel DIN
en el cual se agregarn las tarjetas a utilizar adicionales en la figura 3.14 se observa
la ventana para seleccionar el modelo de OPLC para configurar las localidades de
memoria, entradas y salidas asignndoles etiquetas para su utilizacin en la
programacin.
C A P T U L O 3 | 72
Seleccin
de modelo
OPLC
Lista de
Direcciones
de E/S
C A P T U L O 3 | 73
C A P T U L O 3 | 74
Pantalla
Presentacin
Men
Limpieza caliente
Bao 1
Bao 2
Bao 3
Bao 4
Bao 5
Bao 6
Agitador y Extractor
Direccin de programa
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
C A P T U L O 3 | 75
C A P T U L O 3 | 76
INICIO
BA =1?
SI
NO
BP=0?
SI
AGITADOR=1?
PARO
AGITADOR=1?
SI
ACTIVAR
O6
NO
EXTRACTOR=1?
NO
DESACTIVAR
O6
PARO
SI
EXTRACTOR=1?
SI
ACTIVAR
O41
NO
SI
NO
DESACTIVAR
O6
MODIFICA
TIEMPO DE
LIMPIEZA
CALIENTE (T1)
NO
TD TIMER 1 =0?
SI
NO
BOMBA 1 =1?
SI
ACTIVAR
O0
INGRESAR
TEMPERATURA
(TEMLC)
NO
ACTIVAR
INVERSOR ?
SI
TEMLC < TEMRTD
NO
5seg
ACTIVAR
O7
SI
ACTIVAR
O1
5seg
DESACTIVAR
O7
NO
SI
DESACTIVAR
O1
REGRESO
A INICIO
C A P T U L O 3 | 77
ENCENDIDA
APAGADA
TEMPERATURA
SP+3
SP
TEMPERATURA
SP-3
C A P T U L O 3 | 78
TIPO DE RTD
LOCALIDAD DE
MEMORIA
TEMPERATURA
C F
ETIQUETA
110C, por lo que entonces si el RTD slo censa en ese rango el valor de 10C
quedar definido para el valor entero 0 y el valor de 110C para 4096, y con esto se
ampliar la resolucin en el rango de operacin del proceso. En la programacin
Visilogic cuenta con una funcin de linealizacin la cual se muestra en la figura 3.21
con sus parmetros.
C A P T U L O 3 | 79
Y PARMETROS.
FUNCIN DE LINEALIZACIN
TEMPERATURA
Y
Y MAX
110
Y MIN
[10]
X MIN
[0]
X
CANAL RTD
X MAX
[4096]
C A P T U L O 3 | 80
= ( ) +
110 10
(100 0) + 10 =
.
4096 0
= 0.024414 (100) + 10 =
= 2.4414 + 10 =
= 12.4414
C A P T U L O 3 | 81
OBTENER
VALOR DE
TEMPERATURA
RTD
OBTENER
VALOR DE
TEMPERATURA
USUARIO
ALMACENAR
VARIABLE EN UN
REGISTRO DE
MEMORIA (MI)
ALMACENAR
VARIABLE EN UN
REGISTRO DE
MEMORIA (MI)
LINEALIZAR LA
VARIABLE Y
GUARDARLA EN
MEMORIA
(TEMPRTD)
AJUSTAR
VALORES DE
HISTERESIS
TEMPERATURA
(TEMPHS)
COMPARAR
VALOR DE
TEMPRTD CON
TEMPHS
TEMPRTD>TEMPHS
NO
TEMPRTD<TEMPHS
NO
SI
APAGA
CALENTADOR
SI
ENCENDER
CALENTADOR
REGRESO
A INICIO
C A P T U L O 3 | 82
TARJETA/BORNE
1/4
1/5
1/6
1/7
1/8
1/9
1/10
1/11
1/12
TARJETA/BORNE
1/2
1/4
1/6
1/8
1/10
1/12
1/13
1/14
2/4
2/5
2/6
2/7
2/8
2/9
2/10
2/11
2/12
2/13
C A P T U L O 3 | 83
INICIO
BA =1?
SI
NO
BP=0?
SI
MODIFICA
TIEMPO DE
LIMPIEZA
CALIENTE (T1)
NO
SOLO BAOS 6 Y 7
ACTIVAR
AGITANCIN
MECNICA
TD TIMER 1 =0?
SI
ACTIVAR
MOTOR
NO
BOMBA 1 =1?
SI
TD TIMER 1 =0?
ACTIVAR
BOMBA
PARAR
MOTOR
INGRESAR
TEMPERATURA
(TEMLC)
NO
SI
NO
SI
ACTIVAR
CALENT.
NO
SI
DESACTIVAR
CALENT.
REGRESO
A INICIO
C A P T U L O 3 | 84
beneficios como:
Informacin de estado.
Control de acceso.
HERRAMIENTAS DE
C A P T U L O 3 | 85
derecho para que aparezca el men con las opciones Add New Module y Add new
Display como se muestra en la figura 3.25.
C A P T U L O 3 | 86
Texto (Text): Las opciones de texto binario, puntual y por rango son
herramientas de gran uso para la elaboracin de una interfaz.
C A P T U L O 3 | 87
TEXTO BINARIO.
Un texto binario es aquel donde se indican dos diferentes leyendas en un
cambio de estado, en la figura 3.28 se muestra el men, donde en los 2 recuadros de
la parte superior se asigna el texto para cada uno de los estados On y OFF
mientras que en link se pone la direccin del equipo (en este caso se utilizaron las
bombas)
C A P T U L O 3 | 88
Numrico (Numeric): en esta parte del men se cuenta con las funciones para
hacer escalamiento de seales analgicas como temperatura, presin, flujo, etc.
C A P T U L O 3 | 89
Presentacin.
Con una fotografa del escudo de, ESIQIE y datos que se observa en la imagen,
cambia al men con solo tocar la pantalla del OPLC. En la imagen se muestra la
pantalla de presentacin
C A P T U L O 3 | 90
C A P T U L O 3 | 91
BAO GALVANOPLSTICO.
En las respectivas pantallas de cada bao se cuenta con la imagen de una
bomba y sus respectivos botones de arranque y paro, un indicador de alto y bajo nivel,
un cuadro de texto donde se debe ingrese la temperatura deseada de la solucin
electroltica, adems de una grfica de estado de estado.
C A P T U L O 3 | 92
grados Celsius equivaldrn a 0 bits, mientras que 4095 resultaran los 110 grados
Celsius otorgados por el sensor. En la figura 3.34 se muestra el men de este bloque.
C A P T U L O 3 | 93
C A P T U L O 3 | 94
C A P T U L O 3 | 95
N DE PLANO
PLANO 3.1
PLANO 3.2
PLANO 3.3
PLANO 3.4
PLANO 3.5
DESCRIPCIN
DIAGRAMAS DE FUERZA PARA MOTORES, BOMBAS Y CALENTADORES
PARTE 1
DIAGRAMAS DE FUERZA PARA MOTORES, BOMBAS Y CALENTADORES
PARTE 2
DIAGRAMA DE CONEXIONES A TARJETAS DE ENTRADAS Y SALIDAS
DIGITALES DEL OPLC
DIAGRAMA DE CONEXIONES PARA ENTRADAS DE RTD A OPLC
DIAGRAMA FSICO DE TABLERO DE CONTROL
C A P T U L O 3 | 96
Los diagramas 3.1 y 3.2 estn basados en la norma NOM 001 sede 2012
Artculo 430, dnde se especifica el orden de los componentes para conectar los
diagramas de los motores, tambin se especifican los elementos con los que debe
contar un motor, por lo que los planos se basan en esa norma.
Para el motor 1 (M1) se tiene que la corriente est dada por la frmula de
potencia y la ley de OHM para corriente.
.
2 746
3 220 0.8
= 4.89
C A P T U L O 3 | 97
Para el caso de las bombas son las mismas en todas las estaciones por lo que
el clculo de corriente ser el mismo para todas, de la placa de datos de las bombas
se tiene que:
= 115
= 32
=
32
=
= 0.2782
115
300
=
= 2.5
120
32
=
= 0.278
115
. .
C A P T U L O 3 | 98
La corriente que consume el mdulo est dada por la corriente de las entradas,
ms la corriente de las salidas, por lo que se tienen los siguientes datos.
Para las entradas:
= 240 9 = 2.16
. .
. .
Para las salidas de transistor tipo MOSFET (por sus siglas en ingls en ingls
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) se tiene que la corriente es:
= 100 2 = 200 . .
. .
Para el mdulo EX A2X se tienen datos del fabricante que. Pmax= 4W para 24
V de CD.
=
4
=
= 0.166
24
. .
C A P T U L O 3 | 99
Consumen por canal 0.09W y 5Volts, por lo que cada canal tiene una corriente
de 18 mA, como se tienen 4 canales por tarjeta se tiene que la corriente total es de:
= 18 8 = 144
Son 8 por que ya se consideran los 2 mdulos IO PT400 con 4 canales cada
uno.
Para los relevadores se tiene que trabajan con 24 volts, a una corriente de 140
mA cada uno.
. .
Por lo tanto se selecciona una fuente con un voltaje de salida a 24 Volts y que
tenga una potencia mnima de:
= = 24 3.43 = 82
. .
C A P T U L O 3 | 100
C A P T U L O 3 | 101
C A P T U L O 3 | 102
C A P T U L O 3 | 103
C A P T U L O 3 | 104
C A P T U L O 3 | 105
C A P T U L O 3 | 106
C A P T U L O 3 | 107
108
C A P T U L O 4 | 109
4.1 COTIZACIN
Una vez que se ha hecho la propuesta de automatizacin de la planta piloto, es
importante conocer el costo de su implementacin. La tabla 4.1 presenta los
materiales usados, las herramientas y equipos necesarios son mostrados en la tabla
4.2 y 4.3 respectivamente, en cada una de ellas se toma en cuenta la cantidad y
costos necesarios para la implementacin de la automatizacin de la planta. Tambin
debe considerarse la mano de obra, y los tiempos necesarios para la implementacin,
estos costos son presentados en la tabla 4.4. En la tabla 4.5 se pueden ver lo precios
de cada plano realizado.
TABLA 4.1 CATLOGO DE CONCEPTOS.
Partida
Material
Cantidad
Unidad
Pieza
Precio
unitario
$85.00
Botonera de arranque-paro
Pieza
$90.00
71.4
75.6
Interruptor termomagntico 2A
20
Pieza
$138.00
2318.4
Pieza
$76.50
257.04
22
Pieza
Fusible europeo 2A
22
Pieza
100
100
100
10
11
Canaleta ranurada 40 x 40
12
Riel Din
Pieza
13
Tornillos de 2
30
Pieza
$135
113.4
14
60
Pieza
$80
67.2
15
100
Pieza
16
Capuchones
100
Pieza
$27.69 +
IVA
$2.50 +
IVA
$204.00
caja con
100mts.
$204.00
caja con
100mts.
$204.00
caja con
100mts.
$8.50 por
metro.
$58.15 +
IVA por 2
metros
$50.00 por
2 metros.
$30.00 por
un ciento.
$86.00 por
un ciento.
IMPORTE
511.7112
46.2
171.36
171.36
171.36
14.28
48.846
42
25.2
72.24
C A P T U L O 4 | 110
17
Conectores Similar
100
Pieza
$59.00 por
un ciento.
18
Gabinete Similar
Pieza
$1990.00
SUBTOTAL
IVA
TOTAL
49.56
1671.6
$5898.76
$1,123.57
$7,022.33
Los precios otorgados por Electro Controles Industriales S.A. de C.V. son los
siguientes:
Ubicacin: Victoria No. 90 Local 1, Col. Centro, C.P. 06050 Mxico, D.F.
Tels.; 5521 7626/5521 4685/5521 1484/5521 0068; Fax: 5510 4483.
o Sensor tipo RTD PT-100 marca Rosemount, con extensin de 3mts para
alimentacin: Tiempo de entrega 5 das; $500.00 + IVA. Se pide directamente
con el fabricante.
Ubicacin tienda Victoria: Revillagigedo No. 37-F entrada por Victoria, Col. Centro,
C.P. 06050 Mxico D.F.
Tel.: 30-96-66-66 con 60 lneas ext. 8102.
C A P T U L O 4 | 111
Los precios otorgados por Especialistas Elctricos RAF S.A. de C.V. son:
Ubicacin: Victoria No. 54 Local 1, Col. Centro, C.P. 06050, Mxico D.F.
Tels.: 5510 9572/5518 3522/5518 3265; Fax: 5521 0468.
o Cable: $204.00 por una caja con 100 metros de cable. Marca Condumex.
C A P T U L O 4 | 112
Partida
1
2
3
4
5
6
7
8
Importe
$267.12
$221.76
$663.60
PZA
$45 x 2
desarmadores
$75.60
PZA
$45 x 2
desarmadores
$75.60
PZA
$1897
$1,593.48
PZA
$34.50
$86.94
PZA
$779
$1,308.72
SUBTOTAL
$4,292.82
IVA
$817.68
TOTAL
$5,110.5
C A P T U L O 4 | 113
Cantidad
1
1
1
2
7
1
SUBTOTAL
IVA
Unidad
Precio unitario
PZA
PZA
PZA
PZA
PZA
PZA
669.66 USD.
105.54 USD.
321.04 USD.
326.91 USD.
$500 USD.
$950 PESOS
Precio total
Precio total
(Pesos
mexicanos)
$10,176.15
$1,603.78
$4,878.52
$9,935.44
$4,025
$950
31568.89
$5,051.02
$36,619.91
Los precios otorgados por Sistemas de Control Autec, S.A. de C.V. son los
siguientes:
o PLC V350-35-TR20: Tiempo de entrega inmediato; costo 669.66 USD ms IVA
o Interfaz EXA2X: Tiempo de entrega inmediato; costo 105.54 USD ms IVA
o Modulo IO-PT400: Tiempo de entrega inmediato; costo 326.91 USD ms IVA
o Modulo IO-RO16: Tiempo de entrega inmediato; costo 321.04 USD ms IVA
C A P T U L O 4 | 114
En la tabla 4.4 se muestran los precios de mano de obra, los cuales fueron
medidos en tiempo durante el levantamiento de la planta, la programacin para el
controlador, los costos de instalacin elctrica contemplando un tiempo de 3 semanas
trabajando 6 horas diarias para la puesta en marcha del sistema, la ingeniera hace
referencia a la conexin de las tarjetas con el OPLC, y la descarga del programa al
mismo.
Actividad
Programacin
Ingeniera
Instalacin elctrica
Levantamiento
TOTALES
Costo total
$3,500
$2,500
$27,000
$1,200
$34,200
La tabla 4.5 muestra los costos de las ingenieras de detalle, ya que son los
documentos tcnicos necesarios para la planificacin y ejecucin del proyecto de
manera rpida y segura, constan de las memorias de clculo, planos de taller y tpicos
de instalacin.
TABLA 4.5 COSTOS DE INGENIERA DE DETALLE.
Plano
Costo
Croquis laboratorio.
DTI situacin actual.
DTI propuesta.
Plano fsico OPLC.
Diagrama de fuerza.
Diagrama de I/O.
Tpicos de instalacin.
Precio total
$6,000
$6,500
$4,500
$3,000
$6,500
$1,000 c/u = 1,000x4
$27,800
C A P T U L O 4 | 115
Cabe destacar que por ser un proyecto para una institucin educativa
gubernamental, por la norma DOF, y el reglamento de la ley de adquisiciones,
arrendamientos y servicios del sector pblico artculo 1, es necesaria la consulta
de 3 licitaciones diferentes, nacionales o internacionales.
TABLA 4.6 COSTO TOTAL DEL PROYECTO.
$7,022.33
$5,110.5
$36,619.91
$34,200
$27,800
116
C O N C L U S I O N E S Y T R A B A J O A F U T U R O | 117
CONCLUSIONES.
Se hizo una propuesta de actualizacin basada en un control por PLC, logrando los
siguientes puntos.
Aportes:
C O N C L U S I O N E S Y T R A B A J O A F U T U R O | 118
TRABAJO A FUTURO.
En esta tesis se ha realizado una propuesta para actualizar la planta piloto de
galvanoplastia de ESIQIE, el siguiente paso es implementar esta propuesta de forma
fsica, y no dejarla solo en papel.
Otra parte del proceso es el secado, el cual viene al final del proceso, en un futuro es
posible agregar automatizacin a esta etapa o desarrollar algn mtodo de secado
para las piezas.
La HMI realizada tiene un tamao pequeo, otro trabajo a futuro es realizar una
interface ms grande, en la que tambin se puede detallar ms el proceso de la planta,
aadiendo tambin ms instrumentos.
F U E N T E S D E C O N S U L T A | 119
FUENTES DE CONSULTA
o [Daniel Dalmau Jorda (2000)], Mtodos Galvnicos en la
Industria Qumica.
o [William Blum, George B. Hogaboom], Galvanotecnia y
Galvanoplasta, Edit. C.E.C.S.A.
o [Schlesinger M., Paunovic M. (2000)], Modern
Electroplanting, Canad.
o [Mantell C. L. (1963)], Manual de Ingeniera
Electroqumica, Barcelona.
o [Comisin Nacional de Medio Ambiente (2000)], Gua para
el control y la prevensin de la contaminacin industrial
de galvanoplasta, Santiago.
o [Antonio Creus (2010)], Instrumentacin Industrial (8
Edicin), Barcelona Espaa.
o [Jos Rivera Meja (2007)], Instrumentacin, Mxico.
o [Comisin Ambiental Metropolitana, Sociedad Alemana de
Cooperacin Tcnica G.T.Z. (1998)], Conceptos de Manejo
de Residuos Peligrosos E Industriales Para el Giro de la
Galvanoplasta, Mxico.
o [Norma Oficial Mexicana 001 (Sede 2012)],
Instalaciones
119
F U E N T E S D E C O N S U L T A | 120
Obtenida
el 05 de Agosto de 2013, de
http://www.sepi.upiicsa.ipn.mx/sab/ProcManuf/UMD/Unidad4/
Contenido/4.c.htm
o [Elsevier Ltd, The Boulevard, Langford Lane, Kidlington,
Oxford, Inited Kingdom (2013)], Universal Metal
Finishing Guidebook, obtenida el 15 de Julio de 20013 de
http://metalfinishing.epubxp.com/title/12238
o [UNITRONICS (2013)], Unitronics Technical Library,
obtenida el 03 de Septiembre de 20013 de
http://unitronics.com/support/technical-library
121
A N E X O 1 | 122
Equipo
Tag
Estacin
Temporizador general
KIC-000
Todas
Temporizador 1
KIC-001
Estacin 1:
Limpieza fra.
TQ-001
Estacin 1:
Limpieza fra.
Bomba Centrifuga 1
BA-002
Estacin 2:
Limpieza caliente.
Calentador 1
CT-002
Botn de arranque-paro 1
PBA-002
Estacin 2:
Limpieza caliente.
Estacin 2:
Limpieza caliente.
Especificaciones
Marca: Finder
Modelo:
88.12..0.230..0002
Corriente: 8.
Tensin mxima: 250 VAC.
Rango: 0,005 s a 100 hrs.
Marca: Omron
Modelo: H3CA-A-306
Bobina:
Tensin CA: 24 a 241 VCA.
Frecuencia: 50/ 60 Hz.
Potencia mxima: 2VA
Tensin CD: 12 a 240 VCD
Potencia mxima: 2W.
Contactos:
Corriente: 3A.
Tensin: 250 VCA.
Carga resistiva.
Altura: 48 cm.
Largo: 36 cm.
Ancho: 40 cm.
Capacidad Mxima: 5 Gal.
/min.
Altura mxima: 11.1 pies
Tensin: 115 V
Frecuencia: 60 Hz.
Corriente: 0.29 A.
Salida: 1/75 Hp.
Velocidad: 3000 r.p.m.
Capacitor: 2f.
Marca: Iwaki.
Modelo: MD-15R-115NL01
No obtenidos.
Botn con enclave.
Posicin N.A. y N.O.
A N E X O 1 | 123
Equipo
Tag
Estacin
Temporizador 2
KIC-002
Estacin 2:
Limpieza caliente.
Controlador indicador de
Temperatura 1
TIC-002
Estacin 2:
Limpieza caliente.
TQ-002
Estacin 2:
Limpieza caliente.
BA-003
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Bomba Centrifuga 2
Calentador 2
CT-003
Filtro 1
FT-003
LHS-003
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Especificaciones
Marca: Omron
Modelo: H3CA-A-306
Bobina:
Tensin CA: 24 a 241 VCA.
Frecuencia: 50/ 60 Hz.
Potencia mxima: 2VA
Tensin CD: 12 a 240 VCD
Potencia mxima: 2W.
Contactos:
Corriente: 3A.
Tensin: 250 VCA.
Carga resistiva.
Marca: LAE Electronic.
Modelo: MTR11 T1RDS
Entrada: 150 a 150C
Alimentacin: 12 VCA/VCD
Altura: 48 cm.
Largo: 36 cm.
Ancho: 40 cm
Capacidad Mxima: 5 Gal.
/min.
Altura mxima: 11.1 pies
Tensin: 115 V
Frecuencia: 60 Hz.
Corriente: 0.29 A.
Salida: 1/75 Hp.
Velocidad: 3000 r.p.m.
Capacitor: 2f.
Marca: Iwaki.
Modelo: MD-15R-115NL01
No obtenidos.
No obtenidos.
Normalmente abierto
A N E X O 1 | 124
Equipo
Tag
LLS-003
LLL-003
Botn de arranque-paro 2
PBA-003
Estacin
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Temporizador 3
KIC-003
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Controlador indicador de
Temperatura 2
TIC-003
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
Bao galvanoplstico 1
TQ-003
Estacin 3:
Bao galvanoplstico
1.
BA-004
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Bomba Centrifuga 3
Calentador 3
Filtro 2
Interruptor de alto nivel 2
CT-004
FT-004
LHS-004
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Especificaciones
Normalmente abierto
No obtenidos.
Normalmente abierto
A N E X O 1 | 125
Equipo
Tag
LLS-004
LLL-004
Botn de arranque-paro 3
PBA-004
Estacin
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
KIC-004
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Controlador indicador de
Temperatura 3
TIC-004
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Bao galvanoplstico 2
TQ-004
Estacin 4:
Bao galvanoplstico
2.
Bomba Centrifuga 4
BA-005
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
CT-005
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Temporizador 4
Calentador 4
Especificaciones
Normalmente abierto
A N E X O 1 | 126
Equipo
Tag
Filtro 3
FT-005
LHS-005
LLS-005
LLL-005
Botn de arranque-paro 4
PBA-005
Estacin
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Temporizador 5
KIC-005
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3
Controlador indicador de
Temperatura 4
TIC-005
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
Bao galvanoplstico 3
TQ-005
Estacin 5:
Bao galvanoplstico
3.
BA-006
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Bomba Centrifuga 5
Especificaciones
No obtenidos.
Normalmente abierto.
Normalmente abierto.
A N E X O 1 | 127
Equipo
Tag
Calentador 5
CT-006
Filtro 4
FT-006
LHS-006
LLS-006
LLL-006
Botn de arranque-paro 5
PBA-006
Estacin
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Temporizador 6
KIC-006
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Controlador indicador de
Temperatura 5
TIC-006
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Bao galvanoplstico 4
TQ-006
Estacin 6:
Bao galvanoplstico
4.
Especificaciones
No obtenidos.
No obtenidos.
Normalmente abierto.
Normalmente abierto.
A N E X O 1 | 128
Equipo
Tag
Estacin
Bomba Centrifuga 6
BA-007
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Calentador 6
CT-007
Filtro 5
FT-007
LHS-007
LLS-007
LLL-007
Botn de arranque-paro 6
PBA-007
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
7.
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Temporizador 7
KIC-007
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Controlador indicador de
Temperatura 6
TIC-007
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Especificaciones
Capacidad Mxima: 5 Gal.
/min.
Altura mxima: 11.1 pies
Tensin: 115 V
Frecuencia: 60 Hz.
Corriente: 0.29 A.
Salida: 1/75 Hp.
Velocidad: 3000 r.p.m.
Capacitor: 2f.
Marca: Iwaki.
Modelo: MD-15R-115NL01
No obtenidos.
No obtenidos.
Normalmente abierto.
Normalmente abierto.
A N E X O 1 | 129
Equipo
Tag
Bao galvanoplstico 5
TQ-007
Bomba Centrifuga 7
BA-008
Calentador 7
CT-008
Filtro 6
FT-008
LHS-008
LLS-008
LLL-008
Botn de arranque-paro 7
PBA-008
Temporizador 8
Controlador indicador de
Temperatura 7
Bao galvanoplstico 6
Estacin
Estacin 7:
Bao galvanoplstico
5.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
KIC-008
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
TIC-008
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
TQ-008
Estacin 8:
Bao galvanoplstico
6.
Especificaciones
Altura: 48 cm.
Largo: 36 cm.
Ancho: 40 cm
Tensin: 115 V
Frecuencia: 60 Hz.
Corriente: 1.7 A.
Salida: 1/75 Hp.
Velocidad: 3000 r.p.m.
Marca: LR.
Modelo: 3-MD
No obtenidos.
No obtenidos.
Normalmente abierto.
Normalmente abierto.
A N E X O 1 | 130
Equipo
Tag
Estacin
TQ-009
Estacin 9:
Enjuague por roco.
Enjuague barril
TQ-010
Estacin 10:
Enjuague barril.
TQ-011
Estacin 11:
Enjuague por roco.
Enjuague barril
TQ-012
Estacin 12:
Enjuague barril.
Compresor
CO-001
Estaciones 3-8
Extractor
EX-001
Estaciones 3-8
Relevador 1
KM1
Relevador 2
KM2
Relevador 3
KM3
Relevador 4
KM4
Relevador 5
KM5
Relevador 6
KM6
Relevador 7
KM7
Especificaciones
Altura: 48 cm.
Largo: 80 cm.
Ancho: 26 cm.
Altura: 48 cm.
Largo: 41 cm.
Ancho: 26 cm.
Altura: 48 cm.
Largo: 80 cm.
Ancho: 26 cm.
Altura: 48 cm.
Largo: 41 cm.
Ancho: 26 cm.
Tensin: 220 V.
Frecuencia 60 Hz.
Cdigo
N.75360E1XA56JCH.
Arranque por capacitor.
Consumo de energa:
21kWh/da
Tensin: 127 V
Frecuencia: 60Hz
Corriente: 8.97 A
Temperatura mxima: 40C
hp
Marca: Siemens.
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
A N E X O 1 | 131
Equipo
Tag
Relevador 8
KM8
Relevador 9
KM9
Relevador 10
KM10
Relevador 11
KM11
Estacin
Especificaciones
Marca: AEG
Tensin: 120 v.
Frecuencia: 60 HZ
Marca: LR.
Modelo: MK2P-S
Bobina:
Tensin: 120V
Contactos:
Tensin mxima: 250VCA/
28VCD
Corriente mxima: 7A.
Marca: LR.
Modelo: MK2P-S
Bobina:
Tensin: 120V
Contactos:
Tensin mxima: 250VCA/
28VCD
Corriente mxima: 7A.
Marca: LR.
Modelo: MK2P-S
Bobina:
Tensin: 120V
Contactos:
Tensin mxima: 250VCA/
28VCD
Corriente mxima: 7A.
132
A N E X O 2 | 133
A N E X O 2 | 134
A N E X O 2 | 135
A N E X O 2 | 136
A N E X O 2 | 137
138