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FACULDADE ANHANGUERA
RESUMO
Neste trabalho dado solues, respostas e conhecimento para o desafio
apresentado pela: Atividades Praticas Supervisionadas envolvendo as etapas 1 e 2
do documento 2013 1 CST ATPS 1 Organizao de Computadores.
processador;
Memria Secundria permitem armazenar uma maior quantidade de
Barramento
O barramento, tambm conhecido como bus, nada mais do que as vias por
onde trafegam os dados dentro do computador, e atravs dele que h comunicao
entre os dispositivos e a interao entre eles. Os barramentos so divididos em duas
partes, o de endereamento e o de dados. H vrios tipos de barramento em um
computador, os principais so os seguintes:
dados do processador;
Barramento do cache utilizado pelo processador para acessar a
memria cache;
Barramento de memria conecta o subsistema de memria ao
processador;
Barramento local de E/S utilizado para conectar perifricos como
placas de vdeo, rede, udio, e etc., ao chipset, processador e
memria. Os barramentos deste tipo mais comuns atualmente so o
PCI e o PCI Express.
Impressora;
Dispositivos de entrada e sada: HD (disco rgido); Drives de disquete,
CD/DVD/BLURAY; Modem.
Microprocessador
Disco rgido
Perifricos
Barramento
BIOS ou EFI
Memria RAM
Dispositivos de multimdia
Memria auxiliares
Memria cache
Teclado
Mouse
Placa-me
touchscreen;
Teclado PDA, Utrabook, Tablet e Smartphone, utilizam tecnologia de
touchscreen;
Perifricos Perifricos integrados em suas estruturas.
cache;
DRAM (Dynamic Random Access Memory) tem capacidade de
armazenamento alta, so mais lentas em relao s SRAM, porm o custo
mais portteis;
Consumo reduzido de energia;
Possibilidade de trabalhar em temperaturas maiores que os HDs
comuns - cerca de 70 C;
Largura de banda muito superior aos demais dispositivos,
apresentando at 250 MB/s na gravao e at 700 MB/s nas
operaes de leitura.
dos SSDs, acredita que em mais um ou dois anos a relao custo beneficio dessas
memrias seja equiparadas com os HDDs de hoje.
Com relao memria de acesso aleatrio, existe um estudo feito pela
Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), instituto nacional de metrologia
alemo. Que torna possvel a criao de MRAM (Magneto-resistive Random Access
Memory), que uma memria no voltil, considerada chave para a criao das
novas geraes de equipamentos mveis de alto desempenho.
Essa tecnologia deve ser revolucionria, pois vai derrubar muitos aspectos
dos atuais componentes.
A primeira mudana est no modo de atuao dos processadores
magnticos. Eles no necessitam de eltrons para realizar operaes, e o
armazenamento e o processamento de informaes so realizados com ms. A
lgica simples: os polos nortes e sul do m so os 0 e 1 da informtica.
Em experincia recente, cientistas utilizaram nanomagnetos de 200 nm para
construir uma memria magntica. Os resultados foram positivos e provam que
possvel utilizar a computao magntica para construir processadores e memrias,
bastando apenas evoluir o processo de fabricao dos componentes e encontrar
uma maneira dos transistores entenderem as informaes.
Um prottipo funcional de processador magntico comprovou que um modelo
bsico poderia ser cem vezes mais rpido que os modelos convencionais atuais. Os
componentes magnticos ainda devem dissipar um mnimo de calor (visto que no
h movimentao de eltrons). Essa revoluo no tem data para acontecer, mas
duas dcadas deve ser tempo suficiente para o amadurecimento e aplicao do
magnetismo nos computadores.
Opes disponveis no mercado de Ultrabook
Ultrabook um tipo de laptop ultrafino, definido pela HP. Criado no ano de
2013 uma iniciativa da Intel para criar um mercado PC para concorrer com o Apple
Inc. e o MacBook Air.
Selecionamos os seguintes utrabook:
Ultrabook HP Pavilion 14-B080BR
Este Ultrabook possui um Processador de 3 Gerao com Turbo Boost de
at 2.60 GHz, tecnologia para memria Flash, duas portas USB 3.0, HDMI,
Bluetooth, placa de vdeo integrada, teclado tamanho normal em estilo ilha, mouse
Touchpad com suporte a gestos e boto liga/desliga, com a seguinte configurao:
Drive Protection
Memria Flash (SSD) - 32 GB com tecnologias Intel Rapid Start e