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El diodo de potencia - Monografias.com

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El diodo de potencia
Enviado por Pablo Turmero

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(Gp:) P (Gp:) N (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i (Gp:) V Curva caracterstica (Gp:) 0 (Gp:) 1 (Gp:) VD (Gp:) i [mA] (Gp:) V [V] (Gp:) (exponencial) DIODOS DE
POTENCIA A (nodo) K (ctodo) (Gp:) -40 (Gp:) 0 (Gp:) -2 (Gp:) i [?A] (Gp:) V [Volt.]

Concepto de diodo ideal En polarizacin inversa, la corriente conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensin inversa aplicada (Gp:) En
polarizacin directa, la cada de tensin es nula, sea cual sea el valor de la corriente directa conducida nodo Ctodo (Gp:) i (Gp:) V i V + - curva
caracterstica DIODOS DE POTENCIA

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El diodo semiconductor nodo Ctodo nodo Ctodo Encapsulado (cristal o resina sinttica) (Gp:) Terminal (Gp:) Terminal (Gp:) P (Gp:) N Marca
sealando el ctodo Contacto metal-semiconductor Contacto metal-semiconductor (Gp:) Oblea de semiconductor DIODOS DE POTENCIA

(Gp:) 1N4007 (Si) (Gp:) 1N4148 (Si) Encapsulados de diodos DIODOS DE POTENCIA DO 201 DO 204 Axiales

Agrupacin de diodos semiconductores (Gp:) 2 diodos en ctodo comn (Gp:) BYT16P-300A (Si) (Gp:) + (Gp:) ~ (Gp:) ~ (Gp:) + (Gp:) ~ (Gp:) ~ (Gp:)

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Anillo de diodos (Gp:) HSMS2827 (Schottky Si) (Gp:) - (Gp:) ~ (Gp:) ~ (Gp:) + (Gp:) Puente de diodos (Gp:) B380 C1500 (Si) (Gp:) ~ (Gp:) ~ (Gp:) +
(Gp:) - (Gp:) B380 C3700 (Si) DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos DIODOS DE POTENCIA TO 220 AC D 61 DOP 31 TO 247 B 44 DO 5

Encapsulados de diodos DIODOS DE POTENCIA Mdulos de potencia Varios dispositivos en un encapsulado comn Alta potencia Aplicaciones
Industriales Se pueden pedir a medida Motores Satlites

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Curvas caractersticas y circuitos equivalentes (Gp:) V? (Gp:) rd real (asinttico) (Gp:) ideal (Gp:) 0 (Gp:) i (Gp:) V (Gp:) V? (Gp:) pendiente = 1/rd
Circuito equivalente asinttico (Gp:) Curva caracterstica real (Gp:) Curva caracterstica asinttica (Gp:) Curva caracterstica ideal DIODOS DE
POTENCIA

Parmetros DIODOS DE POTENCIA Parmetros en inversa: VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo) VRM =
Tensin de pico VBR = Tensin de ruptura IR = Corriente inversa (corriente de fuga) Parmetros en directa: VD = Tensin en directa I = Corriente
directa IAV= Corriente media directa IFM= Corriente mxima en directa IFRM = Corriente de pico repetitiva IFSM= Corriente directa de sobrecarga

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DIODOS DE POTENCIA Caractersticas fundamentales Tensin de ruptura Cada de tensin en conduccin Corriente mxima Velocidad de
conmutacin Tensin de ruptura Baja tensin Media tensin Alta tensin 15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V 100 V 150 V 200 V 400 V 500 V 600 V 800 V
1000 V 1200 V

DIODOS DE POTENCIA Tensin de codo (Gp:) 0 (Gp:) i (Gp:) V V? pendiente = 1/rd Curva caracterstica real A mayor tensin de ruptura , mayor
cada de tensin en conduccin Seal Potencia Alta tensin VRuptura VCodo < 100 V 0,7 V 200 1000 V < 2 V 10 20 kV > 8 V

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DIODOS DE POTENCIA Datos del diodo en corte Tensin inversa VRRM Repetitive Peak Voltage La tensin mxima es crtica Pequeas
sobretensiones pueden romper el dispositivo

DIODOS DE POTENCIA Datos del diodo en conduccin Corriente directa IF Forward Current (Gp:) La corriente mxima se indica suponiendo que el
dispositivo est atornillado a un radiador Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current

Comportamiento dinmicamente ideal Transicin de a a b (Gp:) a (Gp:) b (Gp:) V1 (Gp:) V2 (Gp:) R (Gp:) i (Gp:) V (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i (Gp:) V (Gp:)
t (Gp:) t (Gp:) V1/R (Gp:) -V2 DIODOS DE POTENCIA Caractersticas dinmicas Indican capacidad de conmutacin del diodo

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(Gp:) a (Gp:) b (Gp:) V1 (Gp:) V2 (Gp:) R (Gp:) i (Gp:) V (Gp:) + (Gp:) - Transicin de a a b (Gp:) i (Gp:) V (Gp:) t (Gp:) t (Gp:) trr (Gp:) V1/R (Gp:) V2/R (Gp:) ts (Gp:) tf (i= -0,1V2/R) (Gp:) -V2 ts = tiempo de almacenamiento (storage time ) tf = tiempo de cada (fall time ) trr = tiempo de
recuperacin inversa (reverse recovery time ) DIODOS DE POTENCIA Caractersticas dinmicas

(Gp:) a (Gp:) b (Gp:) V1 (Gp:) V2 (Gp:) R (Gp:) i (Gp:) V (Gp:) + (Gp:) - (Gp:) i td = tiempo de retraso (delay time ) tr = tiempo de subida (rise time ) tfr =
td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time ) (Gp:) tr (Gp:) 0,9V1/R (Gp:) td (Gp:) 0,1V1/R (Gp:) tfr Transicin de b a a
(encendido) El proceso de encendido es ms rpido que el apagado. DIODOS DE POTENCIA Caractersticas dinmicas

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DIODOS DE POTENCIA Caractersticas dinmicas

DIODOS DE POTENCIA Caractersticas Principales Corriente directa Tensin inversa Tiempo de recuperacin Cada de tensin en conduccin
Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa DIODOS DE POTENCIA Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del estado de corte al estado
de conduccin. El tiempo que tarda en conmutar se llama : TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA Los diodos se pueden clasificar en funcin

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su tiempo de recuperacin:

DIODOS DE POTENCIA Tipos de diodos Se clasifican en funcin de la rapidez (trr) Standard Fast Ultra Fast Schottky VRRM trr IF 100 V - 600 V 100
V - 1000 V 200 V - 800 V 15 V - 150 V > 1 ?s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns 1 A 150 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A Las caractersticas se
pueden encontrar en Internet (pdf) Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com

Aplicaciones: DIODOS DE POTENCIA DIODOS DE GAMA MEDIA: Fuentes de alimentacin Soldadores DIODOS RPIDOS Aplicaciones en que la
velocidad de conmutacin es crtica Convertidores CD CA DIODOS SCHOTTKY Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente Fuentes de
alimentacin de baja corriente eficientes

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