Resumão de Aviônicos

AEROCLUBE DO PARAN
Disciplina: Avinicos
Professor: Alessandro Baladn
Captulo 1
Circuitos reativos
Resistor
Resistor: Componente eletrnico que consome energia eltrica, dissipando-a em forma de
calor.
Resistncia eltrica: Propriedade do resistor de se opor a circulao da corrente eltrica.
Relao entre tenso e corrente: Em um resistor a tenso e a corrente esto em fase.
Representao fasorial: A relao de fase entre tenso e corrente pode ser expressa por
vetores. Em um resistor, o ngulo de fase entre os vetores tenso e corrente tem valor zero.
Relao de fase entre tenso e corrente em

um resistor
Representao fasorial da relao de fase
Capacitor
Capacitor: Componente eletrnico que armazena energia atravs de um campo
eletrosttico.
Capacitncia (C): Propriedade do capacitor de se opor variao da tenso. A unidade de
medida da capacitncia o Farad (F). Quanto maior a capacitncia, maior a oposio variao
da tenso.
Reatncia capacitiva (XC): a oposio que o capacitor apresenta a circulao da
corrente eltrica alternada. A reatncia capacitiva medida em Ohms (), e calculada pela
frmula:
XC = ___1____
2fC
A partir desta frmula, podemos concluir que para um determinado capacitor a reatncia
capacitiva diminui com o aumento da freqncia.
Comportamento de um capacitor em Corrente contnua (CC): Em corrente contnua
um capacitor possui o comportamento de uma chave aberta.
Comportamento de um capacitor em Corrente alternada (CC): Em corrente alternada
um capacitor possui o comportamento de um curto-circuito.
Relao entre tenso e corrente: Em um capacitor a tenso est 90 atrasada em relao a
corrente.
vetores. Em um capacitor, o ngulo de fase entre os vetores tenso e corrente 90.

um capacitor
Indutor
Indutor: Componente eletrnico que armazena energia atravs de um campo magntico.
Indutncia (L): Propriedade do indutor de se opor variao da corrente eltrica. A
unidade de medida da indutncia o Henry (H). Quanto maior a indutncia, maior a oposio
variao da corrente eltrica.
Reatncia indutiva (XL): a oposio que o indutor apresenta a circulao da corrente
eltrica alternada. A reatncia indutiva medida em Ohms (), e calculada pela frmula:
XL = 2 f L
A partir desta frmula, podemos concluir que para um determinado indutor a reatncia
indutiva aumenta com o aumento da freqncia.
Comportamento de um indutor em Corrente contnua (CC): Em corrente contnua um
indutor possui o comportamento de um curto-circuito.
Comportamento de um indutor em Corrente alternada (CC): Em corrente alternada um
indutor possui o comportamento de uma chave aberta.
Relao entre tenso e corrente: Em um indutor a tenso est 90 adiantada em relao a
corrente.
vetores. Em um indutor, o ngulo de fase entre os vetores tenso e corrente 90.

um indutor
Circuitos resistivos e reativos

Circuito resistivo: Circuito constitudo apenas por resistores e que no possui quantidades
apreciveis de indutncia ou capacitncia.
Circuito reativo: Circuito constitudo por resistores associados a capacitores e/ou
indutores.
Circuito RC: Circuito reativo constitudo por resistores e capacitores.
Circuito RL: Circuito reativo constitudo por resistores e indutores.
Circuito RLC: Circuito reativo constitudo por resistores, capacitores e indutores.
Impedncia
Em um circuito reativo a oposio total passagem da corrente eltrica chamada de
impedncia. Em virtude do ngulo de fase entre tenso e corrente em resistores, capacitores e
indutores ser diferente, o clculo da impedncia total de um circuito dever ser uma soma vetorial.
Potncia eltrica em circuitos resistivos e reativos

Potncia em circuitos resistivos: Em um circuito resistivo, a energia fornecida pela fonte
de tenso inteiramente dissipada em forma de calor pelas resistncias.
Potncia em circuitos reativos: Em um circuito reativo, a energia entregue pela fonte de
tenso parte dissipada em forma de calor pelos resistores, e parte armazenada pelos capacitores e
indutores. A parcela de energia armazenada pelos capacitores e indutores devolvida fonte de
tenso.
Potncia aparente (PA): Em um circuito reativo, a potncia aparente calculada da
seguinte maneira:
PA = E. It
PA = It2 . Zt
PA = E2
Zt
Como podemos observar nas formulas, o calculo da potncia aparente utiliza a impedncia
do circuito, o que significa que no h distino entre a energia que absorvida pelo resistor e a
que devolvida pelo capacitor e indutor, sendo por isso chamada de potncia que aparenta estar
sendo dissipada. A unidade de medida da potncia aparente o Volt Ampre (VA).
Potncia real (PR): Em circuito reativo, a potncia real aquela que efetivamente
dissipada na forma de calor pelos resistores do circuito, sendo portanto, calculada levando em
considerao apenas a resistncia do circuito reativo. A unidade de medida da potncia real o
Watt (W).
Fator de potncia
Fator de potncia a relao entre a potncia real (PR) e a potncia aparente (PA) de um
circuito reativo, expressa pela frmula:
fp: PR
PA
O fator de potncia usualmente expresso em frao decimal ou porcentagem. Quanto
maior o fator de potncia, melhor a qualidade do circuito, pois um fato de potncia igual unidade
significa que toda a energia entregue pela fonte est sendo consumida pelo circuito.
Freqncia de corte
Qualquer circuito contendo reatncias no responder igualmente a todas as freqncias,
pois as reatncias indutivas e capacitivas so diferentes para cada freqncia. Considera-se
freqncia de corte, a freqncia em que a parcela reativa do circuito apresenta um valor que
provoca uma diviso por igual da tenso da fonte, ou seja, metade da tenso da fonte aparece sobre
a parcela resistiva e a outra metade sobre a parcela reativa. Quando esta situao acontece a
potncia real (PR) cai para a metade do seu valor mximo. Esta situao tambm pode ser
denominada ponto de meia potncia ou ponto 0,707.
Circuitos reativos em srie

Em um circuito srie a corrente a mesma em todos os pontos do circuito. A corrente ser a
referncia quando o assunto for o ngulo de fase entre tenso e corrente.
Calculo da impedncia srie

Em um circuito RL ou RC srie, o clculo da impedncia deve levar em conta o ngulo de
fase, sendo calculada pelas frmulas:
_________
ZT= R2 + XL2
_________
ZT= R2 + XC2
Circuito RL srie
Quando ligamos um indutor em srie com um resistor, a queda
de tenso no resistor estar em fase com a corrente, e a queda de tenso
no indutor estar adiantada de 90 em relao a corrente.
A tenso total do circuito possuir uma defasagem
intermediria entre 0 e 90, de acordo com maior ou menor queda de
tenso na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma
composio vetorial, usa-se o mtodo do paralelogramo para o clculo
do ngulo resultante.
Circuito RC srie
Quando ligamos um capacitor em srie com um resistor, a
queda de tenso no resistor estar em fase com a corrente, e a queda
de tenso no capacitor estar atrasada de 90 em relao a corrente.
A tenso total do circuito possuir uma defasagem
intermediria entre 0 e 90, de acordo com maior ou menor queda
de tenso na parte resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma
composio vetorial, usa-se o mtodo do paralelogramo para o
clculo do ngulo resultante.
Circuito RCL srie

Quando ligamos resistores, capacitores e indutores em
srie, a queda de tenso no resistor estar em fase com a
corrente, a queda de tenso no capacitor estar atrasada de
90 em relao a corrente e a queda de tenso no indutor
estar adiantada de 90 em relao a corrente. Utilizamos a
corrente como referncia, pois ela a mesma em todos os
elementos de um circuito srie. Para determinar o ngulo de
fase resultante, devemos subtrair as quedas de tenso nas
reatncias, pois as quedas de tenso sobre o indutor e sobre o
capacitor possuem ngulos de fase opostos. Aps aplica-se o
mtodo do paralelogramo para a obteno do resultado final.
Classificao dos circuitos RCL em srie

a) Quando XL for maior que XC ou EL maior que EC temos: positivo, circuito RL.
b) Quando XC for maior que XL ou EC maior que EL temos: negativo, circuito RC.
c) Quando XL for igual XC ou EL igual EC temos: igual zero, circuito resistivo.
Ressonncia em srie
Um circuito RCL em srie est em ressonncia quando as reatncias capacitiva e

indutiva so iguais. Por possurem ngulo de fase opostos, na ressonncia srie as
reatncias se anulam e a impedncia total passa a ser apenas a resistncia do circuito.
Quando um circuito RCL srie entra em ressonncia, a corrente eltrica chega ao seu ponto
mximo, pois limitada apenas pela resistncia hmica do circuito, conforme ilustra a
figura ao lado.
Seletividade
Seletividade a aptido que tem um receptor de selecionar um sinal, entre muitos
outros de freqncias prximas. A seletividade de um aparelho determinada por seus
circuitos sintonizados (ressonantes). Quanto menor a resistncia hmica de um circuito
RCL, maior a sua seletividade. Como a resistncia hmica do enrolamento do indutor
muito maior que a resistncia hmica do capacitor, podemos dizer que a seletividade do
circuito depende da seletividade da bobina (Q). A seletividade de uma bobina medida pela
relao Q, que igual a sua reatncia dividida pela sua resistncia. Simplificando, o Q
do circuito sintonizado o Q da bobina (indutor). Quanto maior o Q de um circuito
ressonante em srie, maior ser o seu valor como seletor de freqncia.
Largura de faixa
Largura de faixa (Band Width) ou faixa de passagem de um circuito uma faixa de
freqncia na qual a variao da tenso aplicada, produz resposta que no difere muito da
obtida na freqncia de ressonncia. Quanto maior for o Q de um circuito, menor ser a
faixa de passagem e melhor ser a sua seletividade.
Circuitos reativos em paralelo

Em um circuito paralelo a tenso a mesma para todos os elementos do circuito. A
tenso ser a referncia quando o assunto for o ngulo de fase entre tenso e corrente.
Calculo da impedncia em paralelo

Em um circuito RL ou RC em paralelo, o clculo da impedncia deve levar em
conta o ngulo de fase, sendo calculada pelas frmulas:
ZT = R . XL
ZT = R . XC
R2 + XL2
R2 + XC2
Circuito RL em paralelo
Quando ligamos um indutor em paralelo com um
resistor, a corrente no resistor estar em fase com a queda de
tenso e a corrente no indutor estar atrasada de 90 em relao
tenso. A corrente total do circuito possuir uma defasagem
intermediria entre 0 e 90, de acordo com maior ou menor
circulao de corrente na parte resistiva ou reativa do circuito.
Por ser uma composio vetorial, usa-se o mtodo do
paralelogramo para o clculo do ngulo resultante.
Circuito RC em paralelo
Quando ligamos um capacitor em paralelo
com um resistor, a corrente no resistor estar em
fase com a tenso, e corrente no capacitor estar
adiantada de 90 em relao a sua queda de tenso.
A corrente total do circuito possuir uma defasagem
intermediria entre 0 e 90, de acordo com maior ou menor circulao de corrente na parte
resistiva ou reativa do circuito. Por ser uma composio vetorial, usa-se o mtodo do
paralelogramo para o clculo do ngulo resultante.
Circuito RCL em paralelo

Quando ligamos resistores, capacitores e
indutores em paralelo, a corrente no resistor estar
em fase com a sua queda de tenso, a corrente no
capacitor estar adiantada de 90 em relao tenso
e a corrente no indutor estar atrasada de 90 em
relao tenso. Utilizamos a tenso como
referncia, pois ela a mesma em todos os elementos
de um circuito paralelo. Para determinar o ngulo de
fase resultante, devemos subtrair as quedas de tenso
nas reatncias, pois as quedas de tenso sobre o
indutor e sobre o capacitor possuem ngulos de fase
opostos. Aps aplica-se o mtodo do paralelogramo para a obteno do resultado final.
Classificao dos circuitos RCL em paralelo

a) Quando XL for menor que XC ou IL maior que IC temos: negativo, circuito RL.
b) Quando XC for menor que XL ou IC maior que IL temos: positivo, circuito RC.
c) Quando XL for igual XC ou IL igual IC temos: igual a zero, circuito resistivo.
Ressonncia em paralelo
Um circuito RCL em paralelo est em ressonncia quando as reatncias capacitiva
e indutiva so iguais, situao em que as correntes no capacitor (IC) e no indutor (IL) so
iguais (IC=IL).
Circuito tanque ideal

Chama-se de circuito tanque a qualquer associao LC em paralelo. A designao
tanque resulta da capacidade que tem os circuitos LC de armazenar energia. Um circuito
tanque ideal possui resistncia hmica igual a zero (R=0), e no existe na prtica. Quando
um circuito tanque alimentado por uma fonte de tenso alternada, existem dois caminhos
para a corrente eltrica circular, pelo capacitor e pelo indutor. Se a fonte de CA operar em
baixa freqncia, a maior parte da corrente circular pelo indutor do que pelo capacitor,
porque XL menor do que XC. Se, porm, a fonte de CA operar em alta freqncia, a
maior parte da corrente circular pelo capacitor porque XC menor do que XL. Para uma
determinada freqncia a reatncia indutiva ser igual reatncia capacitiva (XL = XC),
logo, o circuito entra em ressonncia. Uma vez estando o circuito em ressonncia, a
corrente atravs do indutor e do capacitor igual (IL = IC), porm defasadas de 180.
Assim sendo, a corrente total ou de linha que a soma vetorial de IL e IC igual a zero.
Assim, nesse circuito ressonante em paralelo hipottico, a impedncia do circuito ser
infinita e no haver corrente de linha. Entretanto, haver uma corrente circulatria no
tanque apesar de nenhuma corrente ser fornecida pela fonte. Depois da carga inicial do
capacitor, ele se descarrega sobre o indutor. A energia que percorre o indutor armazenada
em seu campo magntico. O campo magntico resultante em torno do indutor age como
fonte de energia para recarregar o capacitor. Essa transferncia de energia entre os dois
elementos continua na freqncia de ressonncia sem qualquer perda. O sistema est em
estado oscilatrio. Um circuito tanque ideal no existe, pois sempre existe alguma
resistncia hmica no circuito tanque, tornando a impedncia menor que infinito e
provocando perdas. A ressonncia nos circuitos paralelos chamada de anti-ressonante, por
serem seus efeitos exatamente opostos aos observados nos circuitos em srie.
Impedncia no circuito tanque ideal

A impedncia de um circuito em paralelo difere de um circuito em srie. Uma
reatncia indutiva grande em um circuito em srie faz com que este haja indutivamente,
porm, uma grande reatncia indutiva em um circuito em paralelo faz este agir
capacitivamente, pois passa mais corrente pelo ramo capacitivo. Um circuito tanque ideal
apresenta as seguintes caractersticas:
a) Na ressonncia, a impedncia infinita;
b) medida que a freqncia se afasta da freqncia de ressonncia, a impedncia se
aproxima de zero;
c) O circuito se aproxima indutivamente para as freqncias inferiores de ressonncia e,
capacitivamente, para as freqncias maiores que a de ressonncia.
Fator de qualidade
Da mesma forma que em um circuito ressonante em srie, o fator de qualidade ou
Q importante em um circuito ressonante em paralelo. Quanto maior for o Q, maior
ser a seletividade do circuito.
Largura de faixa
A largura de faixa (Band Width) ou faixa de passagem de um circuito ressonante em
paralelo segue as mesmas especificaes para o circuito ressonante em srie.
Filtros de freqncia
A funo de um circuito de filtro efetuar a separao de determinadas freqncias.
Um filtro pode ser usado para separar os componentes de corrente contnua dos de corrente
alternada ou para separar grupos de componentes de corrente alternada por faixas de
freqncia. O filtro deve apresentar baixa atenuao (oposio) para componentes de
freqncia dentro de uma faixa particular, a faixa de passagem, e alta atenuao para
freqncias de outras faixas. Pela disposio conveniente de indutores e capacitores, os
filtros podem ser construdos de maneira a permitir qualquer caracterstica de seleo de
freqncia.
Filtro Passa-baixa
Um filtro Passa-baixa destina-se a conduzir todas
as freqncias abaixo de uma freqncia crtica prdeterminada ou freqncia de corte e a reduzir ou atenuar
consideravelmente as correntes de todas as freqncias
acima desta freqncia. Nesse filtro passar tambm a
freqncia que se encontra no ponto de corte. Para
melhorar a ao dos filtros passa-baixa, eles so
projetados com duas ou mais seces.
Filtro Passa-alta
Um filtro Passa-alta destina-se a deixar passar
correntes de todas as freqncias acima do ponto de
corte e atenuar todas as freqncias abaixo deste
ponto. Neste filtro passar tambm a freqncia que se encontra no ponto de corte. Para
melhorar a ao dos filtros passa-alta, eles so projetados com duas ou mais seces.
Filtros de circuitos sintonizados

Os circuitos ressonantes (sintonizados) possuem caractersticas que os tornam ideais
para filtros, quando se deseja grande seletividade. O circuito ressonante em srie oferece
baixa impedncia corrente de freqncia em que est sintonizado e uma impedncia
relativamente grande s correntes das demais freqncias. O circuito ressonante em
paralelo oferece uma impedncia muito grande corrente de sua freqncia de ressonante e
uma impedncia relativamente baixa s outras.
Filtro Passa-faixa
O filtro passa-faixa ou passa-banda
destina-se a deixar passar correntes dentro dos
limites de uma faixa contnua, limitada por uma
alta e por uma baixa freqncia de corte e para
atenuar as freqncias acima e abaixo desta
faixa.
Filtro Corta-faixa
Os filtros corta-faixa so destinados
a suprimir as correntes de todas as
freqncias dentro de uma faixa contnua
limitada por duas freqncias de corte,
uma mais alta e outra mais baixa, e a
deixar passar todas as freqncias acima e
abaixo desta faixa.
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 2
Osciloscpio
O osciloscpio um instrumento bsico de medio e teste em oficinas e na indstria,
assim como em laboratrios de pesquisas e desenvolvimento de projetos eletrnicos. O
osciloscpio permite observar tanto o valor como a forma do sinal em qualquer ponto de um
circuito eletrnico. Um osciloscpio consiste basicamente de um tubo de raios catdicos e de
circuitos ampliadores auxiliares.
Tubo de raios catdicos (TRC)

O tubo de raios catdicos de um osciloscpio um tubo de vidro com tela de fsforo, onde
a forma de onda do sinal que est sendo medido projetada. A tela do osciloscpio auxilia na
medio de certos fenmenos eltricos que seriam dificilmente medidos por outros meios.
O tubo de raios catdicos a parte
mais importante de um osciloscpio. Seus
elementos de operao esto encerrados
em seu interior que contm um alto vcuo
a fim de preservar o filamento e permitir
que o feixe de eltrons seja bem definido.
Canho eletrnico
A parte mais importante de um TRC o canho eletrnico que est situado na parte traseira
do tubo e tem a finalidade de projetar um feixe de eltrons em direo a tela do TRC. O canho
eletrnico consiste de um filamento, um ctodo, uma grade controle, um nodo focalizador (1
nodo) e um nodo acelerador (2 nodo). O ctodo emite eltrons que so altamente atrados pelo
nodo acelerador (altamente positivo), alimentado por milhares de volts, o que faz com que o feixe
de eltrons (raio catdico) adquira uma alta velocidade. Embora a maioria dos eltrons seja atrada
e capturada pelo nodo de acelerao, muito podem passar atravs da abertura que existe no
diafragma do tubo. A tela do TRC tem por finalidade transformar a energia cintica do eltron em
energia luminosa. A tela composta de uma substncia semitransparente, conhecida como fsforo.
Quando o feixe de eltrons atinge a tela, esta emite luz cuja cor depende da composio do fsforo.
O revestimento mais comumente usado o silicato de zinco, que emite luz verde. Ao longo de toda
parte interior do tubo, com exceo da tela, existe uma cobertura de AQUADAG que tem a funo
de eliminar o excesso de eltrons da tela e devolv-los ao ctodo.
Deflexo vertical e horizontal

Se o TRC no possusse outros elementos alm do canho eletrnico e a tela, o feixe de
eltrons atingiria o centro desta e produziria um ponto luminoso fixo. Para movimentar o feixe e
colocar o ponto luminoso em vrias partes da tela, utiliza-se sistemas de deflexo ou de desvio
vertical e horizontal. Existem dois tipos de deflexo ou desvio: o eletrosttico e o
eletromagntico.
Desvio eletrosttico
A figura ao lado ilustra o desvio
eletrosttico. As placas V1 e V2 formam
o par de deflexo vertical e as placas H1
e H2 formam o par de deflexo
horizontal. Como o feixe de eltrons
possui carga eltrica negativa, ele ser
atrado quando alguma placa se tornar positiva. A figura A representa a situao em que nenhuma
das placas est positiva e o feixe est centralizado. Na figura B, V1 est mais positiva que V2 e o
par H1-H2 est sem alimentao. A figura D, representa uma situao em H1 est mais positiva
que H2 e o par V1-V2 est sem alimentao. As outras figuras ilustram situaes intermedirias.
Desvio eletromagntico
O desvio eletromagntico usado onde no possvel obter uma tenso adequada para o
desvio eletrosttico. O campo magntico das bobinas de deflexo horizontal e vertical afasta os
eltrons, posicionando o feixe nos diversos pontos da tela. O desvio eletromagntico mais
sensvel que o desvio eletrosttico.
Circuito gerador de base de tempo

A finalidade do gerador de base de tempo ou gerador dente de serra fazer com que o feixe
eletrnico se mova da esquerda para a direita da tela a uma velocidade uniforme e logo regresse
rapidamente ao lado esquerdo. Este movimento chamado de varredura linear. Para se examinar
qualquer forma de onda em um osciloscpio, necessrio que apliquemos a tenso que se deseja
analisar em suas placas de deflexo vertical e mantenhamos a tenso dente de serra em suas placas
horizontais. Isso far com que o feixe eletrnico se desloque para cima ou para baixo e ao mesmo
tempo para frente. Para calcular o nmero de ciclos que aparecem na tela do osciloscpio devemos
dividir a freqncia aplicada ao equipamento pela freqncia de varredura.
Funes bsicas dos controles

Intensidade:
Focalizao:
Posio vertical e
horizontal:
Entrada vertical:
Entrada horizontal:
Atenuador vertical:
Varia a quantidade de eltrons que chega a tela

Ajusta a focalizao do feixe na tela
Desloca o feixe para cima, para baixo, para a esquerda ou para a direita
respectivamente.
Nessa entrada aplicam-se os sinais a serem medidos pelo aparelho
Injetando nessa entrada um sinal, estaremos modificando a varredura.
O sinal aplicado entrada vertical, antes de ser levado s placas
defletoras, poder ser atenuado em mltiplos de 10.
Ganho vertical:
Permite variar a amplitude do sinal, antes que ele seja leva s placas
defletoras.
Ganho horizontal:
Permite variar a amplitude ao longo do eixo x.
Seletor de varredura:
Permite a variao discreta na freqncia da varredura interna
Varredura externa:
Usada quando se pretende atuar externamente nas placas horizontais
Seletor de sincronismo: Seleciona a fonte de sincronismo. Interna, externa ou rede eltrica.
Chave de sincronismo: Permite o ajuste desejado da fonte de sincronismo
10
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 3
Requisitos para anlise de circuitos
Fontes ou geradores de tenso constante
Fonte de tenso o equipamento capaz de fornecer uma tenso constante, para vrios
valores de carga. representada pelo circuito abaixo, chamado de circuito Equivalente de
Thvenin.
Fonte de tenso ideal: Possui resistncia interna igual a zero. No existe na prtica.
Fonte de tenso real: Possui resistncia interna maior que zero.
Fontes ou geradores de corrente constante

Fonte de corrente o equipamento capaz de fornecer uma corrente constante, para vrios
valores de carga. representada pelo circuito abaixo, chamado de circuito Equivalente de
Norton.
Fonte de corrente ideal: Possui resistncia interna igual ao infinito. No existe na prtica.
Fonte de corrente real: Possui resistncia interna menor do que infinito.
Elementos de circuitos
Rede ou circuito: Associao de componentes eletrnicos com algum objetivo especfico.
Um circuito deve conter no mnimo um gerador, condutores e um receptor.
No, nodo ou n de intensidade: a juno de trs ou mais elementos de um circuito.
Brao ou ramo: Qualquer poro de um circuito que liga diretamente dois ns.
Lao de circuito: a combinao de todos os elementos formadores de um circuito
fechado.
11
Malha: o menor lao. um lao que no pode ser dividido em outros.
Teoremas das estruturas eltricas

Leis de Kirchoff
Primeira lei de Kirchoff ou lei dos ns: A soma das correntes que entram em um n,
igual a soma das correntes que saem do n..
Segunda lei de Kirchoff ou lei das malhas: Em qualquer circuito eltrico fechado, a
soma algbrica das quedas de potencial deve ser igual a soma algbrica das elevaes de
potencial.
A principal aplicao das leis de Kirchoff a Anlise de malhas, uma das ferramentas de
anlise de circuitos.
Teorema da superposio
Em qualquer rede contendo uma ou mais fontes de tenso ou corrente, a corrente em
qualquer elemento do circuito a soma algbrica das correntes que seriam causadas por cada fonte
individualmente, estando as demais substitudas por suas respectivas resistncias internas.
Teorema de Thvenin
Qualquer circuito, por mais complexo que seja, poder sempre ser representado por um
circuito equivalente simples, constitudo por um gerador de tenso, chamado gerador de Thvenin
(ETH) em srie com uma resistncia interna (RTH).
Teorema de Norton
Qualquer circuito, por mais complexo que seja, poder sempre ser representado por um
circuito equivalente simples, constitudo por um gerador de corrente, chamado gerador de Norton
(In) em paralelo com uma resistncia interna (Rn).
O circuito equivalente Thvenin pode ser convertido no circuito equivalente Norton e viceversa. Para isso necessrio igualar as resistncias internas e aplicar a lei de Ohm.
Teorema da mxima transferncia de energia

A mxima potncia transferida por uma fonte a uma determinada carga ocorre quando a
impedncia da carga for igual a impedncia da fonte.
Este teorema estabelece que para que ocorra a mxima transferncia de potncia entre uma
fonte e uma carga, necessrio que a resistncia interna da fonte seja igual a resistncia da carga.
AEROCLUBE DO PARAN
12
Captulo 4
Dispositivos semicondutores
Os materiais semicondutores so elementos cuja resistncia situa-se entre a dos condutores
e a dos isolantes. Os semicondutores so a base da eletrnica moderna, pois diodos, transistores,
circuitos integrados e muitos outros dispositivos so construdos tendo por base o silcio, o cristal
semicondutor mais utilizado.
Ligaes covalentes
Os dois cristais semicondutores mais utilizados
so o silcio e o germnio. O silcio possui nmero
atmico
e o germnio
. Ao realizarmos a
distribuio eletrnica, podemos notar que o silcio e o
germnio so tetravalentes, ou seja, possuem quatro
eltrons nas suas camadas de valncia. Para que os
tomos de silcio e germnio se tornem estveis,
necessrio que ambos completem as suas camadas de valncia com oito eltrons. Os tomos de
silcio e germnio conseguem esse objetivo formando uma estrutura chamada de rede cristalina,
onde um tomo central compartilha um eltron com cada um de seus quatro vizinhos.
O efeito da temperatura sobre os semicondutores

A rede cristalina s permanece completamente preenchida
na temperatura de zero absoluto. Isso acontece porque ao receber
energia, um eltron tende sempre a se afastar do ncleo subindo
uma camada. Os eltrons podem receber energia atravs da luz,
raios X, raios csmicos, mas o modo mais importante o
aumento da temperatura.
Ao receber energia, um eltron de valncia tende a subir uma
camada, porm os eltrons formadores da rede cristalina j so
da ltima camada de seus tomos respectivos, restando somente
o desprendimento completo da estrutura cristalina, o que se
reflete em uma rbita extremamente longa e ao redor de vrios
ncleos da estrutura cristalina. Essa a diferena fundamental entre os semicondutores e os
condutores convencionais. Quando uma corrente eltrica circula em um condutor, os eltrons
literalmente saltam de camada de valncia em camada de valncia atravs dos tomos do
condutor, no trajeto do plo negativo para o plo positivo da bateria. J nos semicondutores, os
eltrons podem saltar de camada de valncia em camada de valncia como em qualquer
condutor ou trafegar como um eltron livre da rede cristalina, traando rbitas extremamente
longas ao redor de vrios ncleos. Para diferenciar estes dois trajetos para a corrente eltrica, foi
criado o conceito de banda de valncia (camadas de valncia dos tomos da rede cristalina) e
banda de conduo (eltrons livres da rede cristalina).
Conduo em cristais semicondutores

Se aplicarmos uma diferena de potencial em um cristal semicondutor puro, obteremos uma
corrente eltrica que proporcional temperatura a que o cristal semicondutor estiver submetido e
do tipo do cristal. Para uma mesma temperatura, a corrente que circular em um cristal de
germnio muito maior do que a corrente que circular em um cristal de silcio, o que indica que
as ligaes covalentes do silcio so mais estveis que a do germnio.
13
Dopagem do cristal semicondutor

Os semicondutores no so utilizados em sua forma pura e sim misturados a outros
elementos qumicos. Esse processo chamado de dopagem do cristal semicondutor. A dopagem
visa a criao de tipos de cristais com caractersticas positivas e negativas que juntos vo formar os
diversos tipos de componentes semicondutores.
Dopagem com elemento pentavalente

Quando um cristal semicondutor dopado com impurezas pentavalentes ou doadoras,
obtemos um cristal tipo N. Este nome provm do fato deste tipo de cristal possuir um grande
nmero de eltrons livres. Para a criao de um cristal tipo N as impurezas geralmente utilizadas
so: fsforo, arsnio, bismuto e antimnio.
Dopagem com elemento trivalente

Quando um cristal semicondutor dopado com impurezas trivalentes ou aceitadoras,
obtemos um cristal tipo P. Este nome provm do fato deste tipo de cristal possuir um grande
nmero de lacunas, que so vagas deixadas por eltrons livres e que tendem a atrair eltrons. Para
a criao de um cristal tipo P as impurezas geralmente utilizadas so: brio, alumnio, glio e
ndio.
Portadores majoritrios e minoritrios

Em um cristal tipo N, a dopagem teve por objetivo a criao de um grande nmero de
eltrons livres, portanto, os portadores majoritrios de um cristal N so os eltrons livres.
Mesmo com a dopagem, o aumento da temperatura continua fornecendo energia aos eltrons da
rede cristalina, o que pode provocar, eventualmente, o desprendimento de algum eltron e a criao
de uma lacuna em seu lugar, portanto, as lacunas so os portadores minoritrios do cristal N.
Em um cristal tipo P, a dopagem teve por objetivo a criao de um grande nmero de
lacunas, portanto, os portadores majoritrios de um cristal P so as lacunas. Mesmo com a
dopagem, o aumento da temperatura continua fornecendo energia aos eltrons da rede cristalina, o
que pode provocar, eventualmente, o desprendimento de algum eltron que ir se transformar em
eltron livre, portanto, os eltrons livres so os portadores minoritrios do cristal P.
Junes PN
Quando um cristal tipo N unido a um cristal tipo P,
alguns eltrons livres do cristal N invadem o cristal P. Ao
sarem do cristal N, estes eltrons formam ons positivos
neste cristal e ao entrarem no cristal P, completam uma
lacuna e formam um on negativo neste cristal. Essa
combinao de portadores acaba formando uma barreira de
ons na fronteira entre os dois cristais e continua at que a quantidade de ons negativos no cristal P
acaba por repelir e impedir a passagem dos eltrons livres do cristal N.
Camada de depleo: A regio da fronteira entre os dois cristais onde ficaram depositados
os ons chamada de camada de depleo.
Barreira de potencial: Podemos dizer que barreira de potencial fora com que os ons
negativos do cristal P repelem os eltrons livres do cristal N e os impedem de atravessar a juno.
Para vencer esta fora, necessria a aplicao de uma diferena de potencial de 0,7V para os
diodos de silcio e de 0,2V para os diodos de germnio.
14
Polarizao direta de uma juno PN

Quando ligamos o terminal negativo da fonte de
tenso no cristal N e o terminal positivo no cristal P e
aplicamos uma diferena de potencial maior do que o valor
da barreira da potencial (0,7V para diodos de silcio e 0,2V
para diodos de germnio), estamos polarizando diretamente a
juno PN. Todo diodo (juno PN) polarizado diretamente
apresenta uma resistncia muito baixa e conduz a corrente
eltrica intensamente.
Polarizao inversa da juno PN

Quando o terminal positivo da fonte aplicado ao cristal N e o terminal negativo ao cristal
P, a juno (diodo) est reversamente polarizada e seu comportamento anlogo ao de uma chave
aberta, no apresentando conduo de corrente eltrica.
Diodo retificador
Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo zener, o SCR, o
fotodiodo entre outros, porm um dos mais utilizados o diodo retificador. O
anodo um cristal do tipo P e o catodo um cristal do tipo N.
Ruptura da juno PN
Os diodos possuem limitaes que no podem ser ultrapassadas, sob pena de destruio da
juno PN. A ruptura da juno de um diodo pode ser
causada por vrios fatores como corrente direta alm da
suportada, tenso reversa acima da tenso de ruptura e
ruptura por efeito trmico.
Aumento da corrente direta alm da mxima
suportada: Um dos efeitos da corrente eltrica o efeito
joule, que o aumento da temperatura com o aumento da
corrente. Quando a corrente em um diodo aumenta, a
temperatura da juno aumenta e aumentam os portadores
minoritrios o que provoca um novo aumento da corrente e
um ciclo destrutivo para o diodo retificador.
Aumento da tenso reversa acima da tenso de ruptura: Quando a tenso reversa
aumentada alm da tenso mxima suportada, os portadores minoritrios so acelerados em
direo juno e acabam se chocando com eltrons da rede cristalina. Com o choque um eltron
fornece energia para outro eltron que acaba libertado da estrutura cristalina. Agora dois eltrons
libertam quatro, quatro libertam oito e este ciclo provoca um feito de avalanche ou break down que
provoca a destruio da juno.
Ruptura por efeito trmico: Na ruptura por efeito trmico, o aumento da temperatura
provoca um aumento dos portadores minoritrios e da corrente reversa. O aumento da corrente
provoca um novo aumento da temperatura e este ciclo acaba por destruir a juno PN por
dissipao excessiva de potncia.
AEROCLUBE DO PARAN
15
Captulo 5
Fontes de fora eletrnica
Tipos de fonte de fora
Existem basicamente trs tipos de fonte de fora CC:
- Pilhas e baterias: Convertem energia qumica em energia eltrica CC.
- Geradores CC: Convertem energia mecnica em energia eltrica CC.
- Fontes de fora eletrnica: Convertem tenso CA em CC, CC em CA ou CC em CC.
-CA em CC: Representa a maioria das fontes de fora eletrnica. A energia CA
geralmente provm da rede de 110/220V 60Hz.
-CC em CA: mais conhecido como inversor. Este dispositivo necessrio quando se
necessita de energia CA e s se dispe de baterias e pilhas como fonte de energia, ou seja, s de
energia CC.
-CC em CC: mais conhecido como conversor CC-CC. utilizada quando est
disponvel apenas tenso contnua de pilhas ou baterias e se faz necessria uma tenso contnua de
valor mais alto que a fornecida.
Tenso alternada senoidal

Ciclo: Ciclo um conjunto de
valores
que
se
repetem
periodicamente.
Semiciclos: A parte do ciclo acima
do eixo dos tempos chamada de
semiciclo positivo e a parte do ciclo
abaixo do eixo dos tempos
chamada de semiciclo negativo.
Perodo (T): o tempo necessrio
para completar um ciclo. A unidade
do perodo o segundo (s).
Freqncia: o nmero de ciclos que ocorrem por segundo. A unidade da freqncia o
Hertz (Hz).
Valor eficaz: Se considerarmos uma tenso alternada e uma tenso contnua de mesmo
valor alimentando um mesmo resistor, perceberemos que a dissipao de potncia
diferente e expressa pela relao:
Vef = 0,707 . VP
Podemos concluir que uma tenso de 100Vp (tenso de pico) produz uma dissipao de
potncia, para um mesmo resistor, igual a produzida por uma tenso de 70,7Vcc (tenso
contnua). Podemos ento concluir que a tenso eficaz de 100Vp 70,7VAC.
Etapas de uma fonte de fora CA-CC
16
1) Ajuste da amplitude da
tenso CA: Esta etapa
abaixa ou eleva a
amplitude
da
tenso
alternada por meio de um
transformador.
2) Retificao: Na etapa de
retificao,
a
tenso
alternada transformada
em
tenso
contnua
pulsante por meio de
diodos retificadores.
3) Filtragem: Na etapa de
filtragem,
a
tenso
contnua pulsante filtrada e transformada em contnua pura por meio de um capacitor,
uma combinao de capacitores e indutores ou uma combinao de capacitores e
resistores.
4) Regulagem: A etapa de regulagem garante uma tenso constante para a carga,
independente de variaes de tenso na entrada CA ou das variaes de resistncia da
prpria carga.
Ajuste da amplitude da tenso alternada

O ajuste da amplitude da tenso alternada em uma fonte de fora eletrnica
feito por um transformador. Em um transformador, a potncia do primrio
igual a potncia do secundrio e a elevao ou abaixamento da tenso
conseguido atravs do nmero diferente de espiras para o primrio e para o
secundrio.
Retificao
Retificador de meia onda
A tenso senoidal presente no
secundrio do transformador inverte
periodicamente o seu sentido. O diodo
retificador possui a caracterstica de
conduzir a corrente eltrica quando est
polarizado diretamente (Positivo no anodo
e negativo no catodo), e de impedir a
circulao da corrente eltrica quando est
polarizado inversamente (Negativo no
anodo e positivo no catodo). Para um determinado semiciclo da tenso alternada de entrada o
diodo est polarizado diretamente, conduzindo a corrente eltrica atravs da carga (RL). Para o
semiciclo oposto, o diodo est polarizado reversamente, bloqueando a circulao da corrente
eltrica. O retificador de meia onda possui baixa eficincia, pois apenas um semiciclo do sinal de
entrada transmitido para a carga. A tenso de sada de um retificador de meia onda chamada de
tenso contnua pulsante de meia onda, e possui freqncia igual a da tenso de entrada. A tenso
mdia de sada de um retificador de meia onda igual a 0,318 vezes a tenso de pico (Vp). O
diodo dever suportar uma tenso reversa superior tenso de pico do secundrio do
17
transformador (VP). A vantagem do retificador de meia onda a simplicidade, pois utiliza apenas
um diodo.
Retificador de onda completa
Um retificador de onda completa
utiliza um transformador que possui no
enrolamento de secundrio uma tomada
central (center-tape), e dois diodos
retificadores. A tenso total fornecida pelo
secundrio de um transformador com
center-tape o dobro da tenso fornecida
para a carga. Em um retificador de onda
completa, cada diodo retificador conduz
alternadamente, e a carga recebe os dois
semiciclos da tenso da rede, ora proveniente do terminal A, passando por D1 e escoando para a
center-tape (C) e ora proveniente do terminal B, passando por D2 e tambm escoando para a
center-tape. A tenso de sada de um retificador de onda completa chamada de tenso contnua
pulsante, e possui freqncia igual ao dobro da freqncia da tenso de entrada. A tenso mdia de
sada de um retificador de onda completa igual a 0,636 vezes a tenso de pico (Vp). Os diodos
retificadores devero suportar uma tenso reversa superior tenso de pico (VP). A vantagem do
retificador de onda que todos os semiciclos da tenso de entrada so transmitidos para a carga.
Retificador em ponte
Um retificador em ponte utiliza quatro
diodos retificadores em uma configurao
chamada de ponte, o que torna desnecessrio
o uso de um transformador com center-tape.
Em um retificador em ponte, os diodos
trabalham em pares. Cada par conduz
alternadamente, e a carga recebe os dois
semiciclos da tenso da rede, ora atravs do
par D1-D3 e ora atravs dos par D2-D4. A
tenso de sada de um retificador em ponte chamada de tenso contnua pulsante, e possui
freqncia igual ao dobro da freqncia da tenso de entrada. A tenso mdia de sada de um
retificador em ponte igual a 0,636 vezes a tenso de pico (Vp). Os diodos retificadores devero
suportar uma tenso reversa superior tenso de pico (VP). A vantagem do retificador em ponte
que todos os semiciclos da tenso de entrada so transmitidos para a carga.
Filtragem
A funo do circuito de filtro
transformar a tenso contnua pulsante
proveniente do retificador em uma tenso
contnua pura.
Fator de ripple: Podemos
considerar o ripple ou tenso de ondulao como sendo uma forma de onda no senoidal
sobreposta ao nvel mdio CC.
Quando uma etapa de filtragem projetada, levado em considerao o fator custobenefcio quanto ao nvel de ripple presente na tenso contnua de sada. Geralmente, usa-se como
18
regra um ripple mximo de 6% da tenso da fonte, pois este valor perfeitamente tolervel para a
maior parte dos circuitos eletrnicos sem, contudo, aumentar em demasia o custo do projeto.
Filtro a capacitor
O filtro mais simples e mais empregado o
filtro a capacitor. O capacitor um componente
eletrnico que possui a caracterstica de se opor
variao da tenso. A frmula utilizada para calcular o
capacitor de filtro :
C=I.t
Er
C = Valor do capacitor de filtro em Farads. I = Corrente CC na carga em ampres.
t = Perodo da tenso de ondulao CA, em segundos.
Er = Mxima tenso de ondulao (ripple) pico-a-pico permitida, em volts.
Podemos perceber que quanto maior o perodo, maior o valor do capacitor necessrio para a
filtragem. Isso comprova que os retificadores de onda completa e em ponte (freqncia de sada o
dobro da entrada) so mais eficientes que o de meia onda (frequncia de sada igual da entrada).
Quanto maior o capacitor empregado na filtragem, menor o ripple ou tenso de ondulao na
tenso contnua de sada. O capacitor dever suportar uma tenso reversa superior tenso de pico
(Vp).
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais simples, pode-se melhorar a filtragem usando-se
indutores (choques) e resistores em combinao com ele. Um choque reduz a amplitude do ripple,
pois o indutor possui a caracterstica de ser opor a variao de corrente. A vantagem dos filtros LC
e RC a diminuio do ripple. A desvantagem do filtro LC o tamanho e o peso dos indutores
necessrios e a desvantagem do filtro RC a perda de energia na resistncia do conjunto.
Regulagem
Os circuitos de regulagem impedem que qualquer variao da tenso de entrada CA seja
transferida para a sada CC e tambm que variaes da corrente de carga afetem a qualidade e a
amplitude da tenso de sada. Os circuitos reguladores utilizam diodos zener ou circuitos
integrados como referncia de tenso e transistores de passagem para aumentar a capacidade de
fornecimento de corrente da fonte de fora eletrnica.
Tipos de proteo contra sobrecarga

A sobrecarga de corrente uma das condies anormais mais comuns de ocorrer durante a
utilizao de fontes de fora. A sobrecarga pode ser resultado de um curto-circuito nos terminais da
fonte ou mau funcionamento de algum componente do circuito. As protees mais utilizadas so os
fusveis e os disjuntores (circuit breakers). Quanto a velocidade de rompimento, os fusveis
podem ser classificados em trs faixas: ao retardada, retardo mdio e alta velocidade. A
diferena entre os disjuntores e os fusveis que os disjuntores podem ser rearmados
mecanicamente, isto , o disjuntor no se queima, ele se desarma.
19
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 6
Transistor de juno
Transistor de juno bipolar
Os transistores so componentes eletrnicos construdos a partir de cristais semicondutores,
principalmente o silcio e o germnio. Sua funo amplificar a corrente eltrica, sendo
empregado principalmente em amplificadores, osciladores e no interior de circuitos digitais.
Existem dois tipos de transistores de juno bipolar, o NPN e o PNP.
NPN
PNP
Os transistores possuem trs terminais: coletor, base e emissor.
Caractersticas gerais dos transistores de juno bipolar

Para funcionar corretamente, os TJBs necessitam da polarizao adequada:
Juno base-emissor: Dever ser polarizada diretamente. Possui uma queda de tenso de
0,7V nos transistores de silcio e de 0,2V nos transistores de germnio..
Juno base-coletor: Dever ser polarizada reversamente.
IE= IB+IC
A corrente que circula pelo terminal emissor igual soma das correntes da base e do
coletor.
VCE= VBE+VBC
A queda de tenso entre os terminais de emissor e coletor igual soma das quedas de
tenso entre base e emissor e base e coletor.
Tipos de configurao
Os transistor pode ser ligado ao circuito de trs maneiras diferentes:
BASE COMUM
EMISSOR COMUM
COLETOR COMUM
20
Cada configurao apresenta vantagens e desvantagens.

Base comum: O sinal aplicado entre emissor e base e retirado entre coletor e base. Apresenta
ganho de corrente menor do que a unidade e ganho de tenso elevado.
O ganho de corrente expresso pela equao:
= IC
IE
Emissor comum: O sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor.
Apresenta ganho de corrente e tenso intermedirios, podendo ser usado como amplificador de
corrente ou tenso. Esta configurao apresenta uma defasagem de 180 entre a tenso de entrada e
sada.
= IC
IB
Coletor comum: O sinal aplicado entre base e coletor e retirado entre emissor e coletor.
Apresenta ganho de corrente elevado e ganho de tenso menor do que a unidade.
= IE
IB
Curvas caracterstica do transistor de juno bipolar

A configurao emissor comum a mais utilizada das trs configuraes, portanto,
exemplificaremos as curvas caractersticas dos transistores de juno bipolar nesta configurao.
Curva caracterstica de entrada

A curva de entrada relaciona a tenso de entrada, a
corrente de entrada e a tenso de sada.
Na configurao emissor comum, a tenso de entrada
VBE (tenso entre base e emissor), a corrente de entrada IB
(corrente de base) e a tenso de sada VCE (tenso entre coletor
e emissor).
Curva caracterstica de sada
21
A curva de sada relaciona a tenso de sada, a

corrente de sada e a corrente de entrada.
Na configurao emissor comum, a tenso de sada
VCE (tenso entre coletor e emissor), a corrente de sada IC
(corrente de coletor) e a corrente de entrada IB (corrente de
base).
Curva de mxima dissipao de potncia
A curva de mxima dissipao de potncia escrita sobre a curva de sada e representa

graficamente a rea til da curva de sada, abaixo da mxima potncia permitida para o transistor.
A potncia dissipada por uma transistor definida pela multiplicao da corrente de coletor pela
tenso entre coletor e emissor:
Pmx = IC . VCE
Reta de carga e ponto quiescente

Reta de carga: A reta de carga traada sobre a curva de
sada e determina os limites mximos e mnimos de trabalho
do transistor: a saturao e o corte.
Saturao: o ponto onde o transistor apresenta uma
resistncia extremamente baixa entre coletor e emissor, sendo
a corrente de coletor limitada, apenas, pelo resistor de coletor.
Na saturao, a tenso VCE prxima de zero.
Corte: o ponto onde o transistor apresenta uma alta
resistncia entre coletor e emissor e a corrente de coletor
prxima de zero. No corte a VCE igual a tenso da fonte de
alimentao.
Ponto Quiescente (Q) ou ponto de trabalho: determinado sobre a reta de carga e representa
graficamente o ponto de trabalho do transistor (ponto Q). O ponto Q definido pelo circuito de
polarizao.
22
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 7
Estabilizao da polarizao de transistores
Limitaes dos transistores bipolares
Como qualquer componente eletrnico, o transistor em funcionamento normal, no deve
ultrapassar os valores limites de tenso, corrente, potncia, temperatura e freqncia que so
fornecidos pelo fabricante, sob pena de desempenho no satisfatrio, diminuio do tempo de vida
ou mesmo destruio do componente.
Limitaes de correntes
A potncia dissipada por um transistor de juno bipolar obtida pela multiplicao da
corrente de coletor pela tenso entre coletor e emissor, portanto, a principal limitao de corrente
a corrente de coletor (IC). Eventualmente, o fabricante pode fornecer, tambm, os valores
mximos das correntes de base (IB) e de emissor (IE).
Limitaes de tenses
Como limitao de tenso, geralmente o fabricante fornece os valores mximos das tenses
entre os trs terminais, ou seja, os valores mximos de VBE (tenso entre base e emissor), VBC
(tenso entre base e coletor) e VCE (tenso entre coletor e emissor).
VBE: Para VBE, a informao mais importante a tenso mxima reversa, pois a juno
base emissor polarizada reversamente quando o transistor utilizado como chave.
VBC e VCE: A juno base coletor normalmente polarizada reversamente, portanto o
fabricante fornece os valores mximos reversos para VCE e VBC.
Avalanche ou breakdown: Quando um componente construdo com base em cristais
semicondutores polarizado reversamente, os portadores minoritrios (existem em proporo
temperatura) so acelerados em direo camada de depleo. Se a diferena de potencial reversa
aumentar drasticamente, a velocidade dos portadores minoritrios tambm aumenta, provocando
choques entre os portadores minoritrios e os eltrons da estrutura cristalina. Os choques fornecem
energia e liberam mais portadores que provocam novos choques, levando a destruio do
componente eletrnico. A tenso em que a avalanche comea chamada de tenso de ruptura.
Os fabricantes especificam as tenses de ruptura entre coletor e base e entre coletor e
emissor.
BVBCO : Tenso de ruptura entre coletor e base. A letra o B significa breakdown, e a letra O
que o emissor est aberto (open).
BVCEO : Tenso de ruptura entre coletor e emissor com a base aberta.
Limitaes de potncia
Esta limitao considerada a mais importante para os transistores. Em um transistor, a
potncia dissipada pelo coletor, sendo calculada multiplicando a corrente de coletor (IC) pela
tenso de coletor (VCE).
A dissipao de potncia em qualquer componente eletrnico provoca aquecimento. Caso o
aumento de temperatura no transistor no seja controlado, o componente corre um serio risco de
ser danificado. Para limitar a temperatura de trabalho so utilizados dissipadores de calor,
ventoinhas e componentes sensveis temperatura nos circuitos de polarizao.
23
Instabilidade trmica dos transistores

Os semicondutores so muito sensveis a temperatura, pois a estabilidade da rede cristalina
s perfeita no zero absoluto. Conforme a temperatura aumenta, a rede cristalina se torna instvel,
liberando eltrons e formando lacunas. Esses eltrons ou lacunas so diretamente responsveis pela
corrente de fuga nos semicondutores.
Os transistores apresentam uma corrente de fuga indesejvel chamada de I CBO. Esta corrente
flui entre coletor e base estando o terminal de emissor aberto. Quando o transistor polarizado,
esta corrente de fuga amplificada conforme o ganho do transistor.
A corrente de fuga amplificada ir se somar a corrente de coletor. Podemos concluir que, se
a temperatura aumentar, a corrente de coletor aumentar.
Variao do ganho dos transistores

O ganho de um transistor pode sofrer enormes variaes.
Temperatura: Quando a temperatura aumenta, o ganho de um transistor aumenta.
Corrente de coletor (IC): Quando a corrente de coletor aumenta, o ganho inicialmente
aumenta, porm para valores muito elevados da corrente de coletor, o ganho passa a diminuir.
Diferenas de fabricao: Para dois transistores iguais, fabricados no mesmo lote, o ganho
pode varias consideravelmente (em torno de 300%).
Podemos concluir que qualquer projeto baseado no ganho de um transistor ser certamente
fracassado, pois o ganho depende da variao da corrente de coletor e da temperatura.
Polarizao
Em uma primeira anlise, polarizar aplicar as tenses corretas entre as junes do
transistor, ou seja, polarizar diretamente a juno base-emissor e reversamente a juno basecoletor.
Consideramos, porm, como polarizao de um transistor, a determinao do ponto Q e a
construo dos circuitos necessrios para provocar a corrente de coletor e a tenso entre coletor e
emissor que correspondam ao ponto Q escolhido.
Estabilizao
Quando a posio do ponto quiescente (ponto Q) de um transistor
determinada sobre a reta de carga, so traadas linhas em direo aos
eixos x e y do grfico de sada, para que seja determinada a VCE e a IC
de trabalho. A qualidade do circuito transistorizado que est sendo
construdo depende da posio fixa deste ponto Q, porm, sabemos que
a corrente de coletor e o ganho do transistor apresentam variaes muito
grandes, o que torna impossvel um ponto Q fixo.
Estabilizar a polarizao de um transistor construir circuitos de
polarizao auto-ajustveis, para que as variaes da corrente de coletor
(em funo do aumento da temperatura ou variao do ganho) sejam
corrigidas e o ponto Q no mude de lugar ao longo da reta de carga.
Mtodos de polarizao para estabilizao da IC e do ponto Q

A corrente de coletor calculada pela frmula: IC = . IB
Analisando a frmula, podemos perceber que se a corrente de base (IB) diminuir, a corrente
de coletor (IC) tambm ir diminuir.
Todos os mtodos de estabilizao da polarizao utilizam este princpio: Diminuir a
corrente de base. A corrente de base diretamente proporcional tenso entre base e emissor. Os
24
mtodos podem variar, mas todos os circuitos de estabilizao buscam diminuir a VBE,
diminuindo assim a corrente de base, consequentemente, a corrente de coletor.
Polarizao automtica com RB ligado ao coletor
Neste circuito, um aumento da corrente de coletor provocar
uma maior queda de tenso no resistor de coletor. Com o resistor de
base ligado ao coletor, um aumento na queda de tenso em RC,
provoca uma diminuio da tenso de base, o que diminui a corrente
de base e, consequentemente, diminui a corrente de coletor. Esta
forma de estabilizao bastante eficiente, possuindo apenas o
inconveniente da realimentao de CA do coletor para a base. Isto
corrigido dividindo a resistncia de base entre dois resistores.
Estabilizao por realimentao de CC com RE
Em um transistor, a corrente de coletor praticamente igual a
corrente de emissor. Nesta polarizao, um aumento da corrente de
coletor provoca um aumento da queda de tenso em RE, diminuindo
VBE, a corrente de base e, consequentemente, a corrente de coletor.
Esta polarizao pouco utilizada porque limita a corrente de coletor e
a potncia do circuito.
Polarizao por divisor de tenso
A polarizao por divisor de tenso a mais utilizada porque
praticamente imune s variaes da corrente de coletor. A base do
transistor alimentada por um divisor de tenso estabilizado e a
corrente de coletor determinada fixando-se a corrente de emissor.
Esta configurao bastante utilizada em pr-amplificadores e possui
tima qualidade de estabilizao.
Estabilizao da polarizao de estgios de potncia

Os projetos de amplificadores de potncia requerem uma ateno especial com relao
polarizao. Primeiro, porque neste caso o transistor ir trabalhar aquecido, o que poder
desencadear a instabilidade do mesmo. Segundo, porque o uso de um resistor de emissor (RE)
pode diminuir a capacidade de potncia do estgio.
Dois dispositivos so usados na estabilizao da polarizao de estgios de potncia: o
diodo retificador e os termistores ou resistores NTC.
A corrente de coletor do transistor depende da temperatura. A estabilizao de estgios de
potncia utiliza elementos sensveis temperatura que alteram a polarizao.
O termistor possui coeficiente negativo de temperatura, ou seja, o valor de sua resistncia
diminui com o aumento da temperatura.
Os diodos retificadores so dispositivos semicondutores feitos a partir do mesmo material
dos transistores. Os coeficientes de temperatura das resistncias do diodo e do transistor so iguais.
A utilizao dos termistores e dos diodos no circuito visa sempre diminuio da tenso entre base
e emissor (VBE), o que provoca a diminuio da corrente de base e da corrente de coletor.
25
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 8
Amplificadores transistorizados
Os amplificadores transistorizados podem ser classificados de acordo com a freqncia de
operao, a classe de operao, o sistema de acoplamento e o uso.
Freqncia de operao
Amplificadores de audiofreqncia
Estes amplificadores atuam em uma faixa de freqncia que vai de 20Hz a 20KHz.
Esta faixa de freqncia sensvel ao ouvido humano e por isso chamada de
audiofreqncia.
Estes amplificadores so encontrados, por exemplo, em receptores de rdio e
intercomunicadores.
Amplificadores de videofreqncia
Estes amplificadores abrangem uma ampla faixa de freqncia que vai de 30KHz a 6MHz.
Estes amplificadores so encontrados, por exemplo, em circuitos de vdeo de radares e
televisores
Amplificadores de radiofreqncia
Estes amplificadores diferenciam-se dos outros dois porque ampliam uma estreita faixa de
freqncia dentro do espectro de radiofreqncia, que vai de 30KHz at vrios GHz.
Estes amplificadores so encontrados, por exemplo, em circuitos de sintonia de rdios.
Classe de operao
A classe de operao determinada pelo circuito de polarizao de entrada e est
diretamente relacionada com a posio do ponto Q ao longo da reta de carga.
Amplificador classe A
O amplificador classe A opera durante os dois semiciclos do sinal de entrada (360).
polarizado para trabalhar na regio ativa da curva de sada, ou seja, seu ponto Q nunca atinge a
regio de corte ou saturao. O amplificador classe A fornece em sua sada uma resposta fiel
(no distorcida) do sinal de entrada.
Amplificador classe B
O amplificador classe B opera durante um semiciclo do sinal de entrada e permanece
cortado durante o outro semiciclo (180). polarizado para trabalhar nas regies extremas da reta
de carga, ou seja, seu ponto Q posicionado no corte ou na saturao. Os amplificadores classe
B so normalmente montados na configurao push-pull, que so amplificadores de potncia
formados por dois transistores em classe B, cada um conduzindo alternadamente o sinal de
entrada, produzindo na sada um sinal idntico ao sinal de entrada.
Amplificador classe C
A operao em classe C conseguida pela polarizao inversa da juno de entrada do
transistor. Para que um sinal aparea na sada de um amplificador em classe C necessrio que
um sinal superior tenso reversa de entrada seja aplicado. O perodo de conduo de 120.
26
Circuito de entrada e formas de onda em

classe A
Circuito de entrada e formas de onda em

Formas de onda de sada com relao s de
classe B
entrada para cada classe de operao
Sistemas de acoplamento
Um simples estgio amplificador, normalmente no suficiente nas aplicaes em
aparelhos receptores, em transmissores e outros equipamentos eletrnicos. Um ganho mais elevado
obtido pelo acoplamento de vrios estgios amplificadores. A finalidade dos sistemas de
acoplamento o casamento de impedncias entre os estgios e o isolamento da corrente contnua
de uma etapa para outra, permitindo apenas a passagem do sinal.
Casamento de impedncias
Conforme o teorema da mxima transferncia de potncia, para que haja a mxima
transferncia de sinal entre um estgio e outro, as impedncias de sada e de entrada devem ser
iguais, ou seja, o estgio de entrada deve ter a impedncia igual fonte de sinal e o estgio final
deve ter impedncia igual carga.
Acoplamento RC
Em um acoplamento RC, o capacitor possui a funo de bloquear a tenso contnua (CC)
entre os estgios e permitir somente a passagem do sinal. Os resistores de coletor e base servem
como carga para o sinal.
Eficincia: Em virtude da reatncia capacitiva ser
afetada pela freqncia, e da dissipao de potncia CC no
resistor de carga, o acoplamento RC considerado de baixa
eficincia.
27
Resposta de freqncia: As freqncias muito baixas so atenuadas pelo capacitor de

acoplamento, pois sua XC torna-se alta para as freqncias baixas. A resposta em altas freqncias
est limitada pelo efeito shunt da capacitncia emissor-coletor do primeiro estgio, e da
capacitncia base-emissor do segundo estgio. Para freqncias na faixa de udio (AF), a resposta
de freqncia considerada de boa qualidade.
Aplicao: Amplificadores de udio (20 a 20KHz).
Acoplamento por impedncias

No acoplamento por impedncia, o resistor de carga do
coletor substitudo por um indutor. Para a corrente contnua
(CC), a resistncia de coletor somente a resistncia do
enrolamento. Grandes valores de indutncia devem ser usados,
para que seja oferecida uma alta reatncia para as altas
freqncias.
Eficincia: Com o uso de um indutor como carga de
coletor, conseguimos uma dissipao mnima de potncia CC. A eficincia do acoplamento por
impedncia equivalente do acoplamento RC.
Resposta de freqncia: O ganho para as freqncias baixas pequeno, pois a XL torna-se
baixa para estas freqncias, resultando em um baixo sinal no coletor. Para rdio-freqncias (RF),
a resposta de freqncia considerada de boa qualidade.
Aplicao: Amplificadores de rdio-frequncia (30KHz a vrios GHz).
Acoplamento a transformador
No acoplamento a transformador, o primrio do
transformador a impedncia de carga do coletor do primeiro
estgio. O secundrio fornece o sinal para a base do segundo estgio.
Eficincia: Um transformador pode ser fabricado com vrios
valores de impedncia tanto para o primrio quanto para o
secundrio, portanto, a eficincia do acoplamento a transformador
mxima.
Resposta de freqncia: O ganho para as freqncias baixas pequeno, pois a XL torna-se
baixa para estas freqncias, resultando em um baixo sinal no coletor. As altas freqncias so
atenuadas, pois XL alta para freqncias altas. A resposta de freqncia do acoplamento a
transformador considerada pobre.
Aplicao: O uso do acoplamento a transformador tem sido evitado, pois para freqncias
baixas, os transformadores so caros e pesados. O seu uso limitado a aplicaes que requerem
um timo casamento de impedncias e uma alta eficincia para a transferncia da potncia de
sada.
Acoplamento direto
No acoplamento direto, o coletor do primeiro estgio ligado
diretamente base do segundo estgio. A eficincia deste tipo de
acoplamento depende das resistncias de coletor e base dos
transistores utilizados nos estgios.
Aplicao: Amplificadores de tenso contnua. (abaixo de
10Hz).
28
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 9
Osciladores transistorizados
Os osciladores so dispositivos cuja funo principal transformar a energia CC aplicada
em energia AC. Para determinar a freqncia de operao do oscilador, podem ser incorporados ao
circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, um cristal ou ainda uma rede resistiva capacitiva. As
tenses de polarizao para o oscilador transistorizado so as mesmas necessrias para o
amplificador transistorizado.
Entre as infinitas aplicaes dos osciladores, esto: o osciloscpio, o gerador de freqncia
varivel, o injetor de sinais, a televiso, o rdio-transmissor, o receptor, o radar e o sonar.
Tanques ressonantes
A oscilao eletrnica feita por um
circuito que consiste de uma bobina e um
capacitor ligados em paralelo. Esta ligao
chamada de circuito tanque.
A oscilao inicia com a carga do
capacitor. Aps a carga do capacitor, ocorre a sua descarga sobre o indutor, que por sua vez,
tambm se descarrega sobre o capacitor. Em virtude de perdas de energia, dissipadas em forma de
calor pela parcela resistiva dos componentes do tanque, essa troca de energia entre indutor e
capacitor ir gradativamente perdendo intensidade, resultando na chamada onda amortecida. Para
evitar o amortecimento da energia CA gerada, utilizado um transistor como amplificador que
possua, pelo menos, o ganho maior do que a unidade. A freqncia de oscilao ser a freqncia
de ressonncia do tanque LC.
Circuitos osciladores bsicos

Oscilador Armstrong
O oscilador Armstrong o mais
simples dos osciladores a transistor. Estando o
circuito energizado, qualquer variao na
corrente base-emissor aparece amplificada no
coletor de Q1, onde est ligada a bobina L2. A
variao da corrente atravs da bobina de
coletor (L2) gera um campo magntico, que
induzido em L1. Essa tenso varivel
acoplada por C2 base de Q1, onde
amplificada. Essa tenso amplificada novamente aplicada bobina L2 e assim, sucessivamente.
A freqncia de oscilao a freqncia de ressonncia do circuito tanque.
Oscilador Hartley
Neste circuito, a realimentao
obtida atravs de uma indutncia e temos
29
osciladores desse tipo alimentados em srie e em paralelo. Essas alimentaes se referem ao

mtodo de obteno da polarizao de coletor. No circuito alimentado em srie, a corrente
constante e a varivel passam pelo circuito tanque. Ao aplicarmos energia ao circuito flui uma
corrente instantnea atravs de Q1 que acoplada por C3 parte inferior de L1. O campo
magntico gerado na parte inferior de L1 induz uma tenso na sua parte superior, que se tornar
positiva. Isto faz com que a polarizao direta da juno base-emissor de Q1 aumente, fluindo
maior corrente at que Q1 atinja a saturao. Neste ponto, o capacitor C1 estar carregado com sua
placa superior positiva e a parte inferior de L1 deixar de induzir tenso na sua parte superior, pois
no haver mais nenhuma corrente varivel atravs dela. A partir deste momento, C1 comea a se
descarregar e quando estiver totalmente descarregado, a energia armazenada na bobina L1 ir
carreg-lo com polaridade oposta a anterior, provocando o corte de Q1. C1 comear a se
descarregar novamente e o transistor Q1 sair do corte. Nesse ponto, com a descarga de C1, a parte
superior de L1 estar novamente menos negativa e o ciclo comeara uma nova repetio. A
freqncia de oscilao a freqncia de ressonncia do circuito tanque.
Oscilador Colpitts
O oscilador Colpitts assemelha-se ao oscilador
Hartley alimentado em paralelo, porm, ao invs de
ter o conjunto de indutncia dividida, no circuito de
realimentao, usa um conjunto de capacitncia
dividida. A freqncia de oscilao a freqncia de
ressonncia do circuito tanque.
Cristais osciladores
Quando certos cristais so comprimidos ou expandidos em direes especficas, surgem
cargas eltricas em suas superfcies. Este fenmeno chamado de efeito piezoeltrico. O efeito
piezoeltrico conseguido quando aplicada uma diferena de potencial em um cristal oscilador,
geralmente o quartzo. A aplicao da DDP provoca a vibrao mecnica do cristal em movimentos
de contrao e expanso, dando s cargas eltricas na superfcie desse cristal. Para oscilarem
perfeitamente, os cristais devem ser submetidos a um tratamento de laboratrio, onde sofrero um
determinado tipo de corte, que um dos fatores determinantes da freqncia de oscilao. O cristal
mais usado em circuitos osciladores o Quartzo, devido ao seu baixo custo, robustez mecnica e a
pouca variao de freqncia em funo da temperatura.
A freqncia de oscilao fundamental de um cristal depende da largura, da espessura e do
tipo de corte do cristal.
Circuitos osciladores a cristal

Oscilador Armstrong a cristal
O oscilador Armstrong a cristal funciona de maneira
semelhante ao oscilador Armstrong elementar. Com a insero
do cristal na trajetria de realimentao, consegue-se um
aumento na estabilidade da freqncia de operao. O cristal
30
o elemento determinante da freqncia de operao, de tal modo que para se obter freqncias
diferentes outros cristais devero ser usados.
Oscilador Colpitts a cristal

O oscilador Colpitts a cristal funciona de maneira semelhante
ao oscilador Colpitts elementar. A freqncia de oscilao desse
circuito no determinada somente pelo cristal, mas tambm pela
capacitncia em paralelo formada pelos capacitores C1 e CE. Estes
capacitores, normalmente, possuem valores grandes a fim de reduzir
as capacitncias de entrada e de sada do transistor e assim tornar as
oscilaes independentes das mudanas dos parmetros do transistor.
Multivibrador astvel
Com o desenvolvimento dos sistemas eletrnicos, houve a necessidade de se criar circuitos
que operem ou que forneam sinais no senoidais. Esses sinais podem ser definidos como
variaes momentneas de tenso ou corrente, e incluem tenses de onda quadrada, onda
retangular ou pulsos.
O multivibrador um circuito eletrnico capaz de produzir uma tenso de sada em forma
de onda quadrada ou retangular. Os circuitos multivibradores so, atualmente, muito usados em
receptores de TV, osciloscpios, computadores e sistemas digitais em geral.
Circuito multivibrador astvel
O circuito multivibrador astvel no necessita
de pulsos de excitao na entrada para o seu
funcionamento. Basicamente, o circuito formado por
dois transistores que conduzem alternadamente.
Enquanto um dos transistores levado ao corte o
outro levado saturao, pois o corte de um
transistor produz um pulso que satura o outro. As
principais caractersticas do multivibrador astvel so:
Tem sua freqncia de oscilao controlada
pelas constantes de tempo de carga e descarga dos capacitores;
A sada pode ser retirada de qualquer um dos coletores dos dois transistores usados.
31
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 10
Transistores especiais
Transistores de efeito de campo
O transistor de efeito de campo, conhecido como FET (Field Effect Transistor) ou TEC,
apresenta caractersticas eltricas bastante interessantes que permitem sua utilizao numa gama
muito grande de aplicaes prticas. As diferenas fundamentais entre os transistores de efeito de
campo (FETs) e os de juno bipolar (TJBs), que nos FETs a corrente dada pelo fluxo de
portadores de um s tipo, e por este motivo, os transistores de efeito de campo so conhecidos
como transistores unipolares em contraposio aos demais que so bipolares. A outra grande
diferena que os FETs so transistores controlados pela tenso, enquanto os TJBs so
controlados pela corrente. A principal vantagem dos transistores de efeito de campo a elevada
impedncia de entrada. Os principais transistores de efeito de campo so: o JFET (Junction Field
Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
JFET
O JFET ou TECJ o mais comum dos transistores de efeito de
campo. Ele formado por uma minscula barra de silcio, que
pode ser do tipo N ou P, formando o que chamado de
canal. Em cada extremo do canal so feitos contatos hmicos que
so chamados de dreno (drain) e fonte (source) ou supridouro.
No centro, em torno da barra, aplicada uma camada de silcio
do tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou P). Neste
material, feito um contato hmico, formando a porta (gate) ou
gatilho.
Funcionamento
Efeitos do aumento da tenso aplicada porta sobre a largura do canal

O gatilho , normalmente, polarizado inversamente em relao fonte, o que deixa a
entrada com alta impedncia. A tenso aplicada ao gatilho tem alto poder de controle sobre a
corrente fonte-dreno, em virtude do aumento ou diminuio da rea de depleo, tendo como
conseqncia o aumento ou diminuio da largura do canal. Chamamos de tenso de corte, a
tenso inversa aplicada ao gatilho capaz de bloquear completamente o canal, tornando a corrente
fonte-dreno igual a zero. Os JFETs, da mesma forma que os transistores de juno bipolar, tambm
32
podem ser usados em trs configuraes diferentes, sendo que a mais usada o supridouro ligado
massa, que corresponde configurao emissor comum.
MOSFET
O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) ou IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) o
transistor de efeito de campo mais utilizado em aplicaes que requerem
uma altssima impedncia de entrada. Em um MOSFET, o gatilho est
isolado do canal por uma camada de dixido de silcio (vidro), material
altamente isolante, o que torna a corrente de porta extremamente
pequena seja a porta positiva ou negativa. O funcionamento similar ao
do JFET. O substrato, sempre formado por um cristal com dopagem
diferente da dopagem do canal (P ou N), se contrai ou se expande,
conforme a tenso negativa ou positiva aplicada ao gatilho. A expanso
mxima do substrato bloqueia o canal e impede o fluxo da corrente
eltrica. Os transistores MOSFET so amplamente utilizados na
fabricao de circuitos integrados digitais, formando a famlia de CMOS
de circuitos integrados.
Transistor de Unijuno
Construo fsica do UJT
Smbolo do UJT
Oscilador de relaxao
O transistor de juno nica (UJT ou TJU) um

dispositivo semicondutor de trs terminais que tem sua principal
aplicao em circuitos osciladores no senoidais e de comutao.
Ele constitudo por uma pequena barra de silcio do tipo N, na
qual so feitos contatos hmicos nos extremos que so
denominados Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral feita
uma juno PN, na qual tambm feito um contato hmico, o
que constitui o emissor. Utilizando o UJT e poucos componentes
adicionais, possvel construir um excelente oscilador de
relaxao para controlar o disparo de tiristores. Basicamente, um
oscilador de relaxao com UJT funciona da seguinte maneira: o
capacitor C1 inicia sua carga atravs de R1. Quando C1 atinge a
tenso de disparo do UJT (Vp), C1 se descarrega rapidamente atravs de B1 at a tenso de vale.
Estes ciclos de disparo geram pulsos que so acoplados ao gatilho dos tiristores.
33
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 11
Circuitos integrados
Os circuitos eletrnicos so divididos em circuitos eletrnicos discretos e circuitos
eletrnicos integrados. Na maioria dos equipamentos, os dois tipos atuam em conjunto.
Circuitos eletrnicos discretos: So os circuitos formados por componentes eletrnicos
individuais (resistores, capacitores, diodos, transistores, etc.), soldados em placas de circuito
impresso ou qualquer outro meio utilizado para interlig-los.
Circuitos eletrnicos integrados (CIs): So os circuitos formados por um conjunto
inseparvel de componentes eletrnicos, em uma nica estrutura chamada de pastilha. Com o uso
de CIs, foi possvel a miniaturizao de diversos equipamentos. Os circuitos integrados podem ser
divididos em dois grupos: os circuitos monolticos e os circuitos hbridos.
Circuitos monolticos: Nos circuitos monolticos, todos os componentes dos circuitos so
fabricados dentro de uma mesma pastilha de silcio envolta em um invlucro de epxi.
Circuitos hbridos: Nos circuitos hbridos, vrias pastilhas de silcio, conectadas entre si,
so colocadas em um mesmo invlucro de epxi.
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos

O invlucro de um circuito integrado desempenha quatro funes importantes:
Protege a pastilha de silcio contra a ao do meio ambiente;
Protege mecanicamente a pastilha do circuito integrado;
Simplifica a interligao do CI com os outros componentes do circuito;
Dissipa o calor dentro da pastilha, durante o funcionamento do CI.
Contagem de pinos para o encapsulamento dual em linha

A contagem de pinos de CIs do tipo dual feita contando-se a partir do guia de referncia
no sentido anti-horrio.
Encapsulamento dual em linha
Contagem de pinos
Contagem de pinos para o encapsulamento TO
Encapsulamento TO
Contagem de pinos
A contagem de pinos de CIs do tipo TO feita a partir do pino guia para a direita no sentido
horrio, quando a vista interior de sua base estiver voltada para o observador.
34
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 12
Sensores
Sensor de umidade
Existem certos materiais semicondutores cuja resistncia
varia com a umidade relativa do ar. Estes materiais tm um padro
especfico de carga eltrica em suas molculas e os nveis de
energia entre elas so controlados mediante a umidade do ar. Este
tipo de dispositivo semicondutor fabricado na forma de pelcula
delgada, depositada sobre os eletrodos que esto dispostos um ao
lado do outro. A resistncia entre os eletrodos varia com a
quantidade de umidade do meio ambiente, pela qual possvel
medir a umidade relativa do ar. A resistncia do sensor de
umidade diminui com o aumento da umidade do ar.
Termistores
Curvas caractersticas de um PTC
Curvas caractersticas de um NTC
Os termistores so componentes eletrnicos que tm a capacidade de alterar a sua

resistncia hmica com a variao da temperatura. Existem termistores com coeficiente de
temperatura positivo (PTC) e negativo (NTC). Em um PTC, o aumento da temperatura provoca o
aumento de sua resistncia hmica, j no NTC, este mesmo aumento provoca a diminuio de sua
resistncia hmica. Os termistores so amplamente utilizados em circuitos de polarizao de
transistores.
Dispositivos fotossensveis
Um dispositivo fotossensvel altera suas caractersticas mediante a incidncia de luz.
Dentro do grupo dos componentes fotossensveis, destacam-se as clulas fotoeltricas que podem
35
ser a gs ou a vcuo, as clulas fotocondutivas que podem ser do tipo fotorresistor, fotodiodo e
fototransistor e as clulas fotovoltaicas.
Clulas fotocondutivas
Quando um fluxo luminoso incide sobre um material semicondutor, os ftons (partculas
que compem a luz) fornecem aos eltrons energia suficiente para produzir a ruptura das ligaes
covalentes, criando pares eltron-lacuna e aumentando a condutividade no semicondutor. Este
fenmeno conhecido como fotocondutividade. Entre os dispositivos que funcionam baseados no
fenmeno da fotocondutividade temos os fotorresistores, fotodiodos e os fototransistores.
Fotorresistores
Os fotorresistores, mais conhecidos como LDR (Light Dependent Resistor), so
constitudos de material semicondutor, geralmente o sulfeto de cdmio e o sulfeto de chumbo.
Quando um fluxo luminoso incide sobre um LDR, a sua resistncia diminui.
Fotodiodo
Em um fotodiodo, a juno PN influenciada pela intensidade da luz, atravs de uma
janela de material transparente adaptada na parte superior de seu invlucro. O fotodiodo, em
condies normais, polarizado no sentido inverso, circulando apenas a corrente de fuga. A
incidncia de luz sobre a juno provoca a quebra de ligaes covalentes, aumentando a
concentrao de portadores minoritrios e, consequentemente, da corrente de fuga.
Fototransistores
Os fototransistores so constitudos por duas junes PN acondicionadas em um invlucro.
Quando a luz incide sobre a juno base-emissor (juno fotossensvel) sua condutividade
aumenta, resultando em um aumento na corrente de coletor. Devido a sua amplificao, o
fototransistor fornece dez vezes mais corrente que o fotodiodo, sob as mesmas circunstncias.
Clulas fotovoltaicas
As clulas fotovoltaicas produzem uma diferena de potencial quando submetidas ao de
um fluxo luminoso. As clulas so feitas de selnio e sua aplicao mais tpica nos fotmetros,
que so instrumentos que medem a intensidade da luz ambiente.
Bateria solar
Um aplicao importante das clulas fotovoltaicas nas baterias solares. Quando utilizadas
em grande nmero, o conjunto pode fornecer energia suficiente para o funcionamento dos
instrumentos de um farol, de uma estao meteorolgica e, principalmente, de um satlite artificial.
36
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 13
Reguladores de tenso
O diodo zener como regulador de tenso
O diodo zener, diodo de avalanche ou diodo de referncia um dispositivo semicondutor
de dois terminais, construdo com a finalidade principal de limitar a tenso em um valor que
depende da sua construo fsica. O Zener possui uma juno maior que a do diodo comum, o que
possibilita uma maior dissipao de potncia. O diodo Zener projetado para operar na regio
inversa da curva caracterstica, sendo normalmente polarizado inversamente.
A diferena essencial entre um diodo zener e um diodo comum, est no grau de definio
do ponto de (tenso) zener. O diodo zener possui um joelho de alta tenso, de curvatura bastante
acentuada, e pode ser usado em substituio vlvula VR, mantendo a tenso constante dentro de
determinados limites.
Funcionamento do diodo zener

O diodo comum no deve atingir a
zona zener, sob pena de possvel
destruio, enquanto o zener projetado e
fabricado para trabalhar nesta regio.
Quando o diodo zener polarizado
inversamente, uma corrente muito pequena
circula atravs dele a corrente de fuga.
medida que a tenso inversa cresce,
tambm cresce o campo eltrico existente
na regio de transio. Este campo pode
acelerar os eltrons livres, fazendo com que eles provoquem por choque, o rompimento das
ligaes covalentes. Os choques liberam mais eltrons, aumentando a corrente de fuga. O aumento
da corrente de fuga provoca novos choques, at que a corrente cresa e seja limitada apenas pela
resistncia externa do circuito. Este fenmeno chamado de ruptura da juno por avalanche.
Ao atingir a avalanche, a tenso sobre o diodo zener se mantm constante, o que indica que
o diodo possui uma resistncia muito pequena nessa regio. A tenso inversa aplicada ao diodo, na
qual a corrente inversa cresce rapidamente e a tenso se mantm quase constante chamada de
tenso de zener.
Existem diodos Zener comerciais com tenso variando de alguns volts at centenas de
volts. Os diodos Zener so feitos de silcio, pois as suas caractersticas so mais estveis, em
relao temperatura, do que as do germnio. Diodos Zener com tenses maiores que 6 volts tem
coeficientes positivos de temperatura, enquanto que os de tenses menores que 4,5 volts tem
coeficientes negativos de temperatura.
Limitaes do diodo Zener

As limitaes do diodo Zener so: a corrente mxima direta (caso venha a trabalhar nessa
regio), a corrente mxima inversa e a mxima dissipao de potncia, que depende da
temperatura de operao do diodo.
37
Aplicaes do diodo Zener

A principal aplicao do diodo Zener a estabilizao da tenso em fontes reguladas.
Outras possveis aplicaes so: emprego como chave, em circuitos limitadores, em circuitos de
estabilizao da polaridade de transistores, na proteo de circuitos e de medidores, na supresso
de fascas e na regulao da tenso alternada.
Proteo de circuitos
Os circuitos eltricos e eletrnicos costumam ser
protegidos contra sobrecarga de tenso ou corrente por fusveis
que interrompem a circulao da corrente quando esta
ultrapassar um valor prefixado. Para garantir que o fusvel se
romper no momento exato em que a corrente aumentar, um
diodo Zener pode ser colocado em paralelo com a carga. A
tenso do diodo dever ser um pouco maior que a mxima
tenso permitida para a carga. Havendo uma elevao da tenso, a tenso Zener ultrapassada e o
diodo oferece uma resistncia muito menor que a carga, aumentando o consumo de corrente e
causando a fuso do fusvel, interrompendo o circuito.
Proteo de medidores
Para evitar que uma tenso alta demais possa ser
aplicada a um medidor colocado em uma escala baixa, podendo
danificar o sensvel sistema de medio, coloca-se um diodo
Zener em paralelo com o medidor. A tenso Zener dever ser
um pouco maior do que a mxima tenso permitida para o
medidor, sendo que se esta tenso for ultrapassada, o diodo
Zener conduzir e toda a corrente passar p ele.
Supresso de fascas
Quando so interrompidos circuitos em que
existem cargas indutivas (transformadores, rels,
solenides), aparecem oscilaes transitrias, com
amplitudes que podem ultrapassar o valor normal de
funcionamento e provocar fascas nos contatos do
interruptor. Para evitar o faiscamento, pode-se colocar um
diodo Zener em paralelo com a carga indutiva, com um
resistor de proteo em srie para absorver a oscilao.
Regulao da tenso alternada
O efeito da variao da tenso da rede eltrica
(CA) pode ser prejudicial para muitos equipamentos.
Para diminuir essa variao, usam-se dois diodos Zener,
em oposio. Para cada semiciclo um dos diodos estar
na regio Zener e o outro estar polarizado diretamente.
Quando a tenso CA altera o seu valor os diodos Zener
limitam a onda de tenso sempre nos mesmos valores,
fixados pelas suas tenses Zener.
Regulador eletrnico de tenso
38
Embora o diodo Zener regule a tenso razoavelmente, h necessidade de se elaborar um

circuito mais complexo que resulta da combinao de diodos Zener e de transistores. Esta
combinao apresenta como resultado uma regulao quase perfeita.
Funcionamento
O transistor Q1 denominado transistor de passagem e sua resistncia depende do grau
de polarizao direta. Quando sua base se faz mais negativa, com relao ao emissor, sua
resistncia diminui.
A tenso de entrada est dividida entre a rede sensora e o transistor em srie com esta rede.
O transistor de passagem se comporta como um resistor varivel. Toda a variao de tenso que
poderia ocorrer na sada ocorre na VCE de Q1.
O transistor Q2 denominado, transistor de controle, e determina a quantidade de
polarizao de base de Q1 e, consequentemente, a resistncia de Q1. A tenso de entrada do
regulador sempre maior que a tenso requerida para a sada.
O potencimetro e o resistor em srie com Q1 esto ligados diretamente aos terminais de
sada de CC. Estes resistores so conhecidos como rede sensora ou rede detectora de tenso.
Quando diminui a corrente contnua de carga, a tenso contnua de sada tende a aumentar.
medida que h esse aumento, a rede detectora varia a polarizao de base de Q2 e isto torna a
base de Q1 mais positiva. Como conseqncia, a resistncia de Q1 aumenta para compensar a
tendncia do aumento da tenso de sada.
Quando a carga requer uma corrente considervel, a tenso da rede sensora tende a
diminuir, variando a polarizao de Q2, de tal forma que a base de Q1 torna-se mais negativa,
diminuindo a resistncia de Q1 e a sua queda de tenso, o que compensa a diminuio da tenso de
carga. No circuito regulador, o diodo Zener possui duas funes: fornecer uma tenso de referncia
para a base de Q2 e regular as variaes da tenso de entrada.
39
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 14
Diodos especiais
Thyristores
O Thyristor um comutador quase ideal, retificador e amplificador ao mesmo tempo,
sendo utilizado na eletrnica de potncia. O Thyristor foi construdo para substituir a vlvula
thyratron a gs em aplicaes como a variao da velocidade de motores, a variao da
intensidade luminosa e comutao. O termo thyristor designa uma famlia de elementos
semicondutores cujas caractersticas esto prximas s das antigas vlvulas thyratrons. Pertencem
famlia dos thyristores: o SCR, o TRIAC, os fotothyristores, , os thyristores bloqueveis, os
comutadores unilaterais e bilaterais, e o diodo Shockley.
Formas de disparo de um thyristor
Um thyristor pode estar nas seguintes situaes:
Bloqueado: a)Quando estiver polarizado diretamente e no tenha sido disparado;
b) Quando polarizado inversamente;
Condutor: Quando estiver polarizado diretamente e tenha sido disparado.
As formas de disparo de um thyristor so:
Disparo por tenso: Quando a tenso de polarizao direta do thyristor aumenta, a
acelerao dos portadores minoritrios pode ser suficiente para que este entre na situao de
conduo.
Disparo por aumento brusco da tenso: Sabemos que toda a juno PN apresenta certa
capacitncia de juno. Se for aplicada uma tenso brusca entre anodo e ctodo, esta capacitncia
ser carregada com uma corrente proporcional variao de tenso, disparando o thyristor.
Temperatura: A corrente inversa de fuga aumenta com o aumento da temperatura. Quando
a corrente de fuga for suficiente, teremos o disparo do thyristor.
Efeito transistor: o modo clssico de disparar um thyristor, injetando-se portadores
suplementares no gatilho do thyristor.
Efeito fotoeltrico: O fotothyristor um componentes sensvel a luz incidente em uma
janela existente em seu invlucro. A incidncia dos raios luminosos sobre a juno PN cria pares
eltrons-lacuna, disparando o thyrirstor.
SCR
O SCR (Silicon Controlled Rectifier) um
semicondutor de silcio de quatro camadas e trs terminais: o
anodo, o ctodo e o gatilho.
A polarizao de anodo e catodo igual de um diodo
comum, porm, mesmo polarizado diretamente o SCR
permanece impedindo a circulao da corrente eltrica. Quando
o SCR est polarizado diretamente e um pulso positivo
aplicado ao seu gatilho, a corrente eltrica circular do ctodo
para o anodo, sendo por esse motivo, chamado de retificador controlado. O SCR pode conduzir
apenas no primeiro quadrante.
Mtodos de disparo do SCR
40
Disparo por corrente contnua: Quando uma tenso contnua, suficiente para o disparo do
SCR, aplicada ao seu gatilho, o SCR conduzir. Aps o disparo, se a tenso de gate for levada a
zero o SCR continuar conduzindo, em virtude da baixa impedncia de sua estrutura interna.
Disparo por corrente alternada: Se o anodo de um SCR for alimentado com tenso
alternada, o disparo poder ser efetuado tambm com tenso CA.
TRIAC
O TRIAC (TRiode AC switch) um dispositivo semicondutor de trs
terminais, sendo um de comando (gatilho) e dois de conduo principal. Este
dispositivo pode passar de um estado bloqueado a um regime de conduo nos dois
sentidos de polarizao e voltar ao estado bloqueado, por inverso da tenso ou pela
diminuio da corrente, abaixo do valor da corrente de manuteno (IH). O TRIAC
pode conduzir nos quatro quadrantes.
Mtodos de disparo do TRIAC
Se ns aplicarmos a tenso V1 ao anodo A1, V2 ao anodo A2 e a tenso VG ao gatilho, e
tomarmos V1 como referncia de massa (V1=0), podemos definir quatro quadrantes de
polarizao.
Disparo no primeiro quadrante (+ +)
No primeiro quadrante, o TRIAC dispara como um SCR. O anodo A2 e o gatilho recebem
tenses positivas.
Disparo no segundo quadrante (+ -)
No segundo quadrante, o anodo A2 recebe tenso
positiva e o gatilho recebe um pulso negativo.
Disparo no terceiro quadrante (- -)
No terceiro quadrante, o anodo A2 e o gatilho
recebem tenses negativas.
Disparo no quarto quadrante (- +)
No quarto quadrante, o anodo A2 recebe tenso negativa e o gatilho tenso positiva.
DIAC
O DIAC (Diode Alternative Current) um elemento simtrico, no possuindo
polaridade. Quando se aplica uma tenso positiva ou negativa sobre os terminais de um
DIAC, a corrente de fuga entre seus terminais mnima. Ao atingir a tenso de ruptura, a
juno do DIAC sofre ruptura por avalanche e a corrente aumenta consideravelmente,
diminuindo a sua queda de tenso. Entre as aplicaes do DIAC, esto: dispositivos de
disparo para controle de fase de TRIACs, controle de velocidade de motores universais e
controle de calefao.
Fotothyristores
Em um fotothyristor, a incidncia de luz sobre o cristal semicondutor
provoca a criao de pares eltrons-lacuna e, consequentemente, o aumento da
corrente de fuga seu no transistor interno de gatilho. Quanto maior o nmero de
pares eltrons-lacuna, maior ser a corrente de fuga, tendo como conseqncia
o disparo do fotothiristor.
Thyristor bloquevel
O thiristor bloquevel pode ser disparado quando for aplicada uma tenso positiva ao seu
gatilho, e rebloqueado quando for aplicada uma tenso negativa ao mesmo gatilho.
41
QUADRAC
Normalmente, um DIAC acrescentado ao gatilho de um
TRIAC em aplicaes de controle de ngulo de fase. O DIAC
possibilita um pulso de curta durao, ideal para o disparo de um
TRIAC. Para facilitar o uso nessas aplicaes, foi implementado o
QUADRAC, um componente eletrnico que, em seu interior, possui
um DIAC ligado ao gatilho de um TRIAC.
Diodo Shockley
O diodo Shockley, tambm conhecido como diodo thyristor ou diodo de quatro camadas,
um dispositivo bipolar PNPN comparvel em todos os sentidos um thyristor, porm, estando
disponveis somente os seus terminais de anodo e ctodo.
Quando uma tenso crescente, mas inferior a um certo nvel Vs, aplicada entre os seus
terminais de anodo e ctodo, sua resistncia ser elevada e uma pequena corrente circular.
Quando a tenso Vs atingida, a resistncia do diodo vai decrescendo rapidamente e o diodo
permanece plenamente condutor enquanto existir a corrente de manuteno IH. Quando a corrente
cai abaixo do valor de IH, o diodo retorna ao seu estado inicial de alta resistncia.
Diodo Tnel
Um diodo tnel um pequeno dispositivo formado por uma juno PN, com
elevada concentrao de impurezas nos cristais P e N. Em virtude da alta concentrao
de impurezas, a camada de depleo da juno extremamente fina, possibilitando que
as cargas eltricas podem se transferir atravs dela, mediante um efeito mecnicoquntico denominado efeito tnel. Este efeito tnel produz uma zona de resistncia
negativa que o habilita a desempenhar as funes de amplificao, oscilao, comutao,
gerao de pulsos e gerao de energia de RF.
Diodo emissor de luz LED

Em um diodo com polarizao direta, os eltrons livres atravessam a juno e
recombinam-se com as lacunas. medida que esses eltrons caem de um nvel mais alto
de energia para um mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia
dissipada na forma de calor, mas no LED essa energia irradiada na forma de luz.
Os LEDs substituram as lmpadas de incandescncia em vrias aplicaes devido a sua
baixa tenso, vida longa e rpido chaveamento liga desliga.
Utilizando elementos qumicos como glio, o arsnio, e o fsforo, um fabricante pode
produzir LEDs que irradiam no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou infravermelho. Os
LEDs que produzem luz visvel so teis para indicao em instrumentos, enquanto que os
infravermelhos so teis em sistemas de alarme contra roubo e controles remotos.
Indicador de sete-segmentos
Um indicador de sete-segmentos possui sete
LEDs dispostos de forma a poder representar nmeros
de 0 a 9 e letras maisculas A, C, E e F, e minsculas
b e d.
42
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 15
Decibis
O decibel a dcima parte de um Bel. O Bel uma unidade usada para se fazer a
comparao entre quantidades de energia. Para a eletrnica, o decibel (dB) compreendido como
sendo dez vezes o logaritmo decimal da relao entre dois nveis de potncia expressos em Watt.
N dB = 10 x log P2
P1
Aplicaes do decibel
Inicialmente a aplicao do decibel restringia-se somente ao udio. Mais tarde generalizouse pela simplificao que ele traz em medidas logartmicas, passando a ser aplicado em antenas,
amplificadores, linhas de transmisso, etc.
Nveis de referncia
O decibel, sendo essencialmente uma relao, ou mais exatamente, dez vezes o logaritmo
decimal da relao entre duas potncias, exige que se explicite ou subentenda-se uma referncia,
de acordo com convenes existentes.
Por exemplo, se diz que o ganho de um amplificador de tantos dB, isto equivale a
expressar em dB o sinal de sada, tomando-se como referncia o sinal de entranda.
Existem, tambm, alguns nveis de tenso ou de potncia padronizados, escolhidos como
referncia, e frequentemente os nveis de tenso ou de potncia so expressos em relao a tais
referncias. Os nveis mais comuns so 1mW (0,001W) e 6mW (0,006W). O nvel de 6mW
corresponde a zero dB, enquanto que o nvel de 1mW corresponde ao nvel zero dBm. E outras
palavras: dBm significa, dB relativo a 1mW.
O dBm usado para descrever nveis de potncia em decibis, com referncia a potncia de
1mW sobre uma impedncia de 600. Quando medirmos a potncia dissipada sobre uma
impedncia diferente de 600, devemos calcular o fato de correo, que deve ser somado ou
subtrado dos valores em dBm.
Medidores de potncia
Um medidor de dB, mede na realidade, uma tenso CA e inclui-se uma escala de decibis
no mostrador do medidor, de modo que a leitura possa ser feita em decibis.
43
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 16
Amplificadores operacionais
O nome Amplificador Operacional (A.O.) deve-se ao fato do dispositivo ser empregado para
realizar operaes matemticas, como multiplicao, inte-grao,
diferenciao e tambm para uma infinidade de funes. Com esse
dispositivo podem ser conseguidos amplificadores capazes de operar
com sinais que vo desde corrente contnua at vrios megahertz.
Para alimentar um amplificador operacional deve ser usada
uma fonte simtrica, porm, h casos em uma fonte simples poder ser usada. A alimentao
simtrica pode ser obtida atravs de duas fontes iguais, um divisor de tenso resistivo ou uma fonte
simtrica.
Caractersticas eltricas
O amplificador operacional ideal apresenta as seguintes caractersticas:
Impedncia de entrada infinita;
Impedncia de sada nula;
Ganho de tenso infinito;
Tempo de atraso nulo;
Tenso de sada nula para a situao em que a tenso na entrada V2 seja igual da
entrada V1;
Curva de resposta em freqncia infinita.
Aplicaes dos amplificadores operacionais

So circuitos que exercem funes analgicas. Circuitos analgicos ou lineares so os que
processam ou manipulam sinais cujas amplitudes variam continuamente dentro de um certo
perodo. Nessa categoria encontram-se os osciladores, os amplificadores, os circuitos somadores
entre outros.
Amplificador com inverso
O ganho do amplificador inversor depende dos
resistores da linha de realimentao, R1 e R2.
Vo = - R2
R1
Este amplificador apresenta uma defasagem de 180
do sinal de sada com relao ao sinal de entrada.
Amplificador sem inverso
O ganho deste amplificador dado pela frmula:
Vo = 1 + R2
R1
Neste amplificador, o sinal de sada est em fase com o
sinal de entrada.
Amplificador com ganho unitrio
O amplificador operacional nessa configurao empregado
como isolador ou buffer.
44
O circuito isolador permite que possamos medir tenses em circuitos de alta impedncia
utilizando voltmetros de baixa impedncia.
Circuito somador
Como o nome indica, o circuito somador tem
por objetivo fornecer na sada uma tenso cujo valor
igual soma das tenses aplicadas s entradas. A
tenso de sada dada pela frmula:
Vo = - (V1 + V2 + V3) x R
R1 R2 R3
Circuito subtrator
O circuito subtrator projetado para fornecer na
sada um valor de tenso igual a diferena entre as tenses
das entradas. A tenso de sada dada pela frmula:
Vo = V2 V1
Aplicaes no lineares
Circuitos no lineares so aqueles que, ao contrrio dos analgicos, sempre fornecem sada
totalmente diferente da forma de onda de entrada.
Circuitos comparadores
So circuitos cuja funo principal comparar o
sinal de entrada V1 com um sinal de referncia VR.
Comparador com tenso de referncia nula

No comparador com tenso de referncia
nula, se a tenso V2 for positiva a tenso de sada
ser negativa. E quando a tenso V2 for negativa, a
tenso de sada ser positiva.
45
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 17
Tcnicas digitais
Sistemas de numerao
Sistema decimal de numerao
O sistema decimal de numerao um sistema de base 10, no qual existem dez algarismos
para a representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9.
Em um nmero, quando a capacidade mxima de cada algarismo (9) atingida, este
algarismo retorna a zero e envia o vai-um para o algarismo a sua esquerda. Exemplo:
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 (retorna a zero e vai-um), 11, 12, 13, 14, 15, 16 ,17 18...
Sistema binrio de numerao
O sistema binrio de numerao um sistema de base 2, no qual existem apenas dois
algarismos para a representao de uma quantidade: 0 e 1.
0, 1, 10 (retorna a zero e vai-um), 11, 100 (retorna a zero e vai-um), 101...
Sistema octal de numerao
O sistema octal de numerao um sistema de base 8, no qual existem oito algarismos para
a representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 10 (retorna a zero e vai-um), 11, 12, 13, 14...
Sistema hexadecimal de numerao
O sistema hexadecimal de numerao um sistema de base 16, no qual existem dezesseis
algarismos para a representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F.
Em um nmero, quando a capacidade mxima de cada algarismo (F) atingida, este
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, A, B, C, D, E, F, 10 (retorna a zero e vai-um), 11, 12, 13...
Complemento de um nmero
O complemento de um nmero o falta a este nmero para atingir o valor da base.
Exemplos:
Complemento de (7)10 = 10 - 7 = 3
Complemento de (4)8 = 8 4 = 4
Complemento de (A)16 = F A = 5
Para chegar ao complemento no sistema binrio, preciso seguir dois passos: a obteno do
complemento falso e o complemento verdadeiro.
Complemento falso: O complemento falso obtido com a inverso de todos os algarismos do
nmero binrio.
46
Complemento verdadeiro: O complemento verdadeiro obtido com a soma de um ao

complemento falso. Exemplo:
Complemento de (1011)2 =
0100 (complemento falso)
0101 (complemento verdadeiro)
Converso para a base decimal
Para convertermos um nmero representado em qualquer sistema numrico para o sistema
decimal, usamos a notao posicional. Exemplo:
(1101)2 = 1 x 23 + 1 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20 = 8 + 4 + 0 + 1 = (13)10
Converso do sistema decimal para outras bases
Para a converso da base 10 para outras bases, utilizamos o mtodo das divises sucessivas
pela base desejada at que o quociente seja nulo. O primeiro resto equivale ao dgito menos
significativo e o ltimo ao mais significativo. Exemplo:
(12)10 => 12 / 2 = 6, resto 0.
6 / 2 = 3, resto 0.
3 / 2 = 1, resto 1.
1 / 2 = 0, resto 1.
(12)10 = (1100)2
Cdigos
Os cdigos so formas de representao de caracteres
alfanumricos. Existem vrios cdigos, cada um possuindo
vantagens de acordo com a aplicao ou funes internas do
equipamento.
Cdigo BCD 8421
O cdigo BCD 8421 um cdigo de quatro bits. A sigla
BCD significa as iniciais de Bynary Coded Decimal, que
significa uma codificao no sistema decimal em binrio. Os
termos seguintes (8421) significam os pesos de cada coluna, isto ,
8 = 23, 4 = 22, 2 = 21 e 1 = 20. O valor final corresponder soma
dos pesos onde na coluna houver o bit 1.
Cdigo excesso 3
O cdigo excesso 3 um cdigo de quatro bits e consiste
na transformao do nmero decimal no binrio correspondente,
somando-se a ele trs unidades.
O cdigo excesso 3 utilizado em circuitos aritmticos.
Cdigo Johnson
O cdigo Johnson um cdigo de quatro bits, sendo
baseado no deslocamento de bits. O cdigo Johnson utilizado
na construo do contador Johnson.
Cdigo Gray ou sistema de numerao refletido
47
O cdigo Gray um cdigo de quatro bits. Sua principal caracterstica que, em contagens
sucessivas, apenas um bit varia.
O cdigo Gray garante que, com a variao de apenas um bit de uma contagem para a
outra, reduzam-se as conseqncias negativas geradas pelas mudanas de estado simultneas de
registradores.
Cdigo ASCII
O cdigo ASCII um tipo de codificao BCD, largamente utilizado em computadores
digitais e em equipamentos de comunicao de dados.
A sigla ASCII formada pelas iniciais de American
Standard Code for Information Imterchange (Cdigo Padro
Americano para Intercmbio de Informaes).
O cdigo ASCII consiste de um cdigo binrio de sete
bits para transferir informaes entre computadores e seus
perifricos e em comunicaes de dados a distncia.
Com um total de sete bits, podemos representar 27 =
128 estados diferentes ou caracteres, que so usados para
representar os nmeros decimais de 0 a 9, letras do alfabeto e
alguns caracteres especiais de controle.
O cdigo ASCII formado por dois grupos de bits,
sendo um de quatro bits e outro de trs bits.
Operaes binrias
As operaes algbricas com nmeros binrios so realizadas com o uso de uma lgebra
especial e baseada em dois valores, chamada lgebra de Boole.
Adio no sistema binrio
Para efetuarmos uma adio no sistema binrio devemos agir como uma adio no sistema
decimal, lembrando que no sistema binrio temos apenas dois algarismos.
0+1=1
1 + 1 = 10
Como 1 + 1 = 10 no sistema binrio, o resultado zero e o transporte para a coluna
imediatamente a esquerda um. Esse transporte idntico ao do sistema decimal, pois quando
tivermos uma soma igual ou maior que a base, haver um vai um que ser somado ao dgito de
valor posicional imediatamente superior.
Subtrao no sistema binrio
O mtodo de resoluo anlogo a uma subtrao no sistema decimal. Quando o
numerador for maior que o denominador, utiliza-se o mesmo sistema de emprstimo que usado
no sistema decimal.
Quando o numerador for menor que o denominador (resultado negativo), encontramos o
resultado efetuando o complemento real do nmero que est no numerador.
Multiplicao no sistema binrio
A multiplicao no sistema binrio idntica no sistema decimal, tendo como regra
bsica:
0x0=0
0x1=0
48
1x0=0
1x1=1
Diviso no sistema binrio
A diviso no sistema binrio feita da mesma forma que no sistema decimal.
lgebra de Boole
Funo E ou AND
A funo E ou AND equivale a multiplicao de duas
ou mais variveis.
S = A . B (onde se l A e B)
Costuma-se relacionar a funo AND com um circuito
em srie, pois na sua sada teremos 1 se todas as variveis
estiverem em 1, enquanto no circuito em srie a corrente s
circular se todas as chaves estiverem fechadas.
Tabela verdade: um mapa onde colocamos todas as
situaes possveis para a funo AND, com os respectivos
resultados.
Porta lgica AND: a representao de um circuito que
desempenha uma funo AND. Existem portas lgicas de duas,
trs ou mais entradas.
Funo OU ou OR
A funo OU ou OR equivale a soma de duas ou
mais variveis.
S = A + B (onde se l A ou B)
Costuma-se relacionar a funo OR com um
circuito em paralelo, pois na sua sada teremos 1 se
apenas uma de suas variveis estiverem em 1, enquanto
no circuito em paralelo a corrente circular se apenas
um de seus ramos conduzir a corrente.
situaes possveis para a funo OR, com os
respectivos resultados.
Porta lgica OR: a representao de um circuito que
desempenha uma funo OR. Existem portas lgicas de
duas, trs ou mais entradas.
Funo NOT ou NO
A funo NO, complemento ou inverso
aquela que inverte o estado da varivel, isto ,
0 inverte para 1 e 1 inverte para 0.
A=A
Porta lgica NOT: a representao de um
circuito que desempenha a funo NOT.
Funo NO E OU NAND
A funo NO E ou NAND equivale inverso da
funo AND.__
S = A . B (S igual a A e B barrados ou A e B not)
49
Tabela verdade: um mapa onde colocamos todas as situaes possveis para a funo NAND,
com os respectivos resultados.
Porta lgica NAND: a representao de um circuito que desempenha uma funo NAND.
Existem portas lgicas de duas, trs ou mais entradas. As portas
NAND so consideradas portas universais, pois vrios tipos de
circuitos podem ser construdos apenas com estas portas.
Funo NO OU ou NOR
A funo NO OU ou NOR equivale inverso da
funo OR. _
S = A + B (S igual a A ou B barrados ou A ou B not)
situaes possveis para a funo NOR, com os respectivos
resultados.
Porta lgica NOR: a representao de um circuito que
desempenha uma funo NOR. Existem portas lgicas de duas,
trs ou mais entradas. As portas NOR so consideradas portas
universais, pois vrios tipos de circuitos podem ser construdos apenas com estas portas.
Funo XOR
Com a funo XOR ou OR EXCLUSIVO, teremos
1 na sada quando as entradas forem desiguais.
situaes possveis para a funo XOR, com os respectivos
resultados.
Porta lgica XOR: a representao de um circuito que
desempenha uma funo XOR. Existem portas lgicas de
Funo XNOR
Com a funo XNOR ou NOR EXCLUSIVO,
teremos 1 na sada quando as entradas forem iguais.
situaes possveis para a funo XNOR, com os
respectivos resultados.
Porta lgica XNOR: a representao de um circuito que
desempenha uma funo XNOR. Existem portas lgicas de
Formas cannicas
As tabelas verdade das portas lgicas padronizadas nem sempre conseguem representar
todas as funes lgicas. H circuitos cujas funes diferem do padro. Estes circuitos podero ser
representados atravs de formas cannicas.
Forma cannica disjuntiva: a forma cannica mais utilizada. Para cada uma das entradas,
atribui-se o valor 0 ou 1, estabelecendo-se uma expresso representativa da funo f=1.
Circuitos geradores de produtos cannicos
50
So circuitos que geram as formas cannicas bsicas, onde so estabelecidas e combinadas

as entradas para todas as variaes. Se quisermos gerar os produtos cannicos possveis com n
variveis, necessitaremos de 2n portas de n entradas.
Circuitos combinacionais
Circuito lgico combinacional ou simplesmente circuito combinacional, aquele cujo
estado de sada uma funo exclusiva das combinaes possveis das variveis de entrada. Os
circuitos lgicos combinacionais so divididos em trs categorias:
Circuitos lgicos bsicos: As portas E, OU e INVERSORA so ditas bsicas porque
atravs delas todas as funes lgicas podem ser obtidas.
Circuitos lgicos universais: As portas NAND e NOR so ditas universais porque atravs
delas qualquer tipo de circuitos lgicos (portas lgicas) podem ser obtidos.
Circuitos comparadores: As portas XOR e XNOR so consideradas circuitos comparadores e encontram vasta aplicao onde necessrio comparar expresses ou tomar decises.
Codificadores e decodificadores
Um codificador tem a funo de tradutor de um cdigo (linguagem) conhecido ou
comum, para um cdigo desconhecido ou incomum. A converso de um sistema para outro
realizada por circuitos codificadores, enquanto o circuito que realiza a funo inversa
denominado decodificador.
Codificador de decimal para binrio
Um codificador de decimal para binrio possui chaves que representam os nmeros
decimais e em sua sada fornece um cdigo binrio de 4 bits. Quando todas as chaves estiverem
abertas, teremos nvel 1 (alto) na entrada de todas as portas NAND, resultando em todas as
sadas com nvel 0 (baixo), gerando o binrio 0000. Ao pressionarmos a chave 1, um nvel
baixo na porta A ocasionar um nvel alto em sua sada, indicando o binrio 0001. Pressionando
a chave 2, teremos um nvel alto na sada da porta B, indicando o binrio 0010. Considerando
que apenas uma das chaves representativas dos nmeros decimais esteja pressionada, o seu
corresponde binrio ser indicado na sada do decodificador.
Decodificador de binrio para o cdigo de 7 segmentos
Os displays de sete segmentos so componentes que possibilitam a representao de
nmeros decimais. So compostos por segmentos que podem ser ativados individualmente. O
circuito decodificador utilizado para, a partir de um nmero binrio, ativar os segmentos do
display.
51
Somadores
Um meio somador (Half Adder) possui duas
entradas, havendo quatro combinaes para estas entradas:
(0+0), (0+1), (1+0) e (1+1). Na aritmtica binria, 1+1 igual
a 0 (zero) e um dgito 1 transportado para a coluna da
esquerda.
Conforme a tabela verdade, a funo soma (S) pode
ser executada por uma porta XOR e a funo transporte (T)
por uma porta AND.
Um meio somador (Half Adder) utilizado
quando necessitamos apenas do resultado da coluna
menos significativa (funo S), ou seja, sem
considerar um eventual transporte anterior.
Quando necessitamos do bit de transporte (T),
necessrio o uso de um somador completo (Full Adder). O Full Adder formado por dois Half
Adders e uma porta OR.
Subtratores
Um meio subtrator (Half Subtractor) possui duas
entradas, havendo quatro combinaes para estas entradas:
(0-0), (0-1), (1-0) e (1-1). Na aritmtica binria, 0-1 igual a
1 e um dgito 1 tomado emprestado da coluna da
esquerda.
Conforme a tabela verdade, a funo soma (S) pode
ser executada por uma porta XOR e a funo emprstimo (E)
por uma porta AND.
Um meio subtrator (Half Subtractor)
utilizado quando necessitamos apenas do
resultado da coluna menos significativa (funo
S), ou seja, sem considerar um eventual
emprstimo anterior.
Quando necessitamos do bit de emprstimo (E), necessrio o uso de um subtrator
completo (Full Subtractor). O Full Subtractor formado por dois Half Subtractors e uma porta
OR.
Multiplexadores
Os multiplexadores so componentes que permitem selecionar um dado,
dentre diversas fontes, como uma chave seletora de diversas posies. No
multiplexador, a seleo feita de acordo com o valor digital das entradas de
seleo (S0, S1 e S2), que possuem pesos binrios 1, 2 e 4, respectivamente.
Demultiplexadores
Os demultiplexadores so componentes que
distribuem o nvel de uma nica entrada para uma,
dentre as vrias sadas, de acordo com o valor binrio
das entradas seletoras.
52
Circuitos seqenciais
Os circuitos combinacionais apresentam as sadas dependentes das variveis de entrada,
enquanto que os circuitos seqenciais apresentam as sadas dependentes das variveis de entrada e
de seus estados anteriores que foram armazenados.
Circuitos seqenciais so normalmente sistemas pulsados, isto , operam sob o comando de
pulsos denominados clock. Dentre os componentes utilizados em circuitos seqenciais, o flipflop um dispositivo fundamental, permitindo por suas caractersticas, o armazenamento de
estados lgicos anteriores.
Flip-Flop
Flip-flop um dispositivo que possui dois estados estveis. Um pulso em suas entradas
poder ser armazenado e transformado em nvel lgico estvel.
Flip-Flop RS
O flip-flop RS tambm conhecidos como latch. Em um flip-flop RS, um pulso na entrada

S (Set) ser armazenado, tornando a sada Q alta (nvel 1) e a sada Q baixa (nvel 0). Um
pulso na entrada R (reset) ser armazenado, tornando a sada Q baixa (nvel 0) e a sada Q alta
(nvel 1).
Flip-Flop RS comandado por Clock
Um flip-flop RS comandado por pulsos de clock possui um comportamento parecido com o
Flip-flop RS convencional, porm, os pulsos inseridos em sua entrada s provocaro mudanas nas
sadas a cada transio do pulso de clock. Em um flip-flop comandado por pulsos de clock, os
inversores de entrada so substitudos por portas NAND.
Flip-Flop JK
O flip-flop RS possui um estado no
permitido (quando as entradas R e S esto em
nvel
alto),
acarretando
uma
sada
indeterminada. O flip-flop JK resolve este
problema, utilizando um RS realimentado. Em
flip-flop JK, caso as entradas J e K estejam em
1, o flip-flop ter seu estado complementado.
Flip-Flop JK Mestre-Escravo
No flip-flop JK, no momento em que o clok for
igual a 1, o circuito funcionar como um circuito
combinacional, passando o estado das entradas J e K
diretamente para a sada. Para evitar esse inconveniente, foi
53
criado o flip-flop JK mestre-escravo (Mster Slave), que consiste basicamente de dois flip-flops
JK, permitindo a comutao do flip-flop, apenas na transio positiva ou negativa do clock.
Flip-Flop tipo T
Um flip-flop tipo T consiste de um flip-flop JK com as entradas J e K
interligadas.
Sua caracterstica de complementar-se toda vez que a
entradaestiver igual a 1 (nvel alto), mantendo-se no ltimo estado
armazenado quando a entrada for 0 (nvel baixo).
Flip-Flop tipo D
Um flip-flop tipo D consiste de um flip-flop JK com as entradas
interligadas atravs de um inversor, permitindo que seja setado
(levado a nvel alto) quando, no momento da transio do clock, a
entrada estiver igual a 1 (nvel alto) e que seja ressetado (levado
a nvel baixo) quando, no momento da transio do clock, a
entrada estiver igual a 0 (nvel baixo).
Contadores
Contadores so circuitos digitais compostos de flip-flops e que variam seus estados, sob o
comando de um clock, de acordo com uma seqncia pr-determinada.
O que determinra a capacidade de um contador, ser o nmero de flip-flops utilizados.
Contador de pulsos
Um contador de pulsos consiste de um grupo de flip-flops JK Mster-Slave de comutao
na transio negativa do clock, configurados em srie, de tal modo que a sada de cada estgio ter
a metade da freqncia do estgio anterior.
Contador decrescente
O circuito que efetua a contagem decrescente o mesmo que efetua a contagem crescente
de pulsos, com a diferena de utilizar as sadas Q dos flip-flops. A tabela verdade de um
contador crescente corresponde ao complemento da tabela verdade de um contador decrescente.
Registradores (Shift Registers)
O flip-flop tem a caracterstica de armazenar o valor de um bit, mesmo que sua entrada no
esteja mais presente. Se for preciso guardar informaes que possuam mais de um bit, um flip-flop
ser insuficiente, sendo necessrio um componente denominado registrador de deslocamento (Shift
register), que composto de um certo nmero de flip-flops, de modo que as sadas de um
alimentem as entradas do flip-flop seguinte. O registrador de deslocamento utilizado na
converso de sistemas seriais para paralelos.
Memrias
Memrias so dispositivos que armazenam informaes. Essas informaes podem ser
nmeros, letras ou caracteres. As memrias podem ser classificadas quanto ao acesso, a
volatilidade, a possibilidade de regravao e a reteno da informao.
Acesso: As memrias armazenam as informaes em reas internas chamadas endereos.

Dependendo da codificao utilizada, cada endereo conter um conjunto de bits, ao qual
54
chamamos palavra. Cada endereo conter uma palavra de memria. As palavras de memria
podem ser acessadas de duas maneiras: Acesso seqencial e acesso aleatrio.
Volatilidade: As memrias podem ser volteis e no volteis. As volteis so aquelas que

perdem as informaes quando interrompida a sua alimentao. As no volteis mantm as
informaes mesmo na ausncia de alimentao.
Possibilidade de regravao: As memrias que possibilitam a constante alterao das

informaes so normalmente identificadas como RAM (Random Acces Memory).
As memrias que possibilitam apenas a leitura das informaes so chamadas de ROM (Read
Only Memory). As memrias ROM podem ser:
PROM: So memrias apenas para leitura. Aps a gravao inicial no pode ser apagada.
EPROM: So utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu apagamento por ultravioleta.
EEPROM: So utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu apagamento por meios
eltricos.
Reteno: Quanto reteno, as memrias podem ser estticas ou dinmicas. As estticas retm
as informaes enquanto estiverem sendo alimentadas. As memrias dinmicas necessitam de
refreshs peridicos de energia para a manuteno das informaes.
Converso de sinais
Existem basicamente dois tipos de sinais: analgicos e digitais. Sistemas analgicos e
digitais no so compatveis entre si, necessitando de conversores.
Analgico: Entende-se por analgica, toda a variao linear ou contnua de um sinal.
Digital: Entende-se por digital, toda a variao discreta, isto , em degraus definidos ou steps.
Conversor digital- analgico (DA)
utilizado quando necessria a converso de uma varivel digital em varivel analgica.
A varivel digital normalmente codificada em BCD 8421. A sada analgica assumir valores de
grandeza correspondentes s variaes digitais de entrada.
Conversor analgico-digital (AD)
utilizado quando necessria a converso de uma varivel analgica em varivel digital.
Circuitos de comutao
Dentre as caractersticas dos circuitos de comutao, podemos citar:
Nveis lgicos: Os nveis lgicos so as tenses designadas para os estados 0 e 1.
Tempo de propagao: O tempo de propagao (Propagation Delay) a medida de tempo
de operao de um circuito lgico.
Potncia dissipada: a potncia consumida por um circuito lgico operando em um ciclo
de carga de 50%, isto , tempos iguais nos estados 0 e 1.
Compromisso velocidade-potncia: Quanto mais rpida a velocidade de comutao de
um circuito lgico, maior a potncia dissipada.
Imunidade a rudos: A imunidade a rudos uma medida de baixa ou no interferncia de
sinais externos indesejveis.
55
Fan-out: uma caracterstica que indica o quanto de carga pode ser ligado sada de um
circuito digital.
Famlias de circuitos lgicos

Entende-se por famlias de circuitos lgicos, os tipos de estruturas internas que permitem a
confeco dos blocos lgicos em circuitos integrados.
Dentre as famlias podemos destacar:
RTL (Resistor Transistor Logic)
DTL (Diode Transistor Logic)
HTL (High Threshold Logic)
TTL (Transistor Transistor Logic)
ECL (Emitter Coupled Logic)
C-MOS (Complementary MOS)
Classificao dos circuitos integrados digitais

Os circuitos integrados digitais podem ser classificados em trs grupos:
SSI Small Scale Integration (integrao em pequena escala)
MSI Mdium Scale Integration (integrao em mdia escala)
LSI Large Scale Integration (integrao em grande escala)
AEROCLUBE DO PARAN
Captulo 20
Introduo aos computadores
56
Um microprocessador um circuito eletrnico muito complexo. Consiste em milhares de

transistores microscpicos compactados em uma minscula pastilha de silcio (chip).
Um microprocessador uma parte de um computador, apenas a poro responsvel pelo
controle e processamento dentro de um sistema. Para termos um computador completo,
necessrio acrescentar memria para o programa de controle e circuitos de I/O para a comunicao
com os equipamentos perifricos.
O computador possui dois barramentos principais: o ADDRESS BUS (unidirecional) e o
DATA BUS (bidirecional).
O programa do computador um conjunto ordenado de instrues que so executadas uma
a uma, sequencialmente, na ordem estipulada. Instruo uma palavra chave (ordem) que diz ao
computador qual a tarefa especfica que deve executar.
O cdigo de mquina a linguagem entendida pelo microprocessador.
Unidade central de processamento

A unidade central de processamento est localizada dentro do microprocessador e
composta pela ALU (unidade aritmtica e lgica), o PC (contador de programa), o ACC
(acumulador) e outros registradores.
Fluxograma
O fluxograma uma representao grfica das tarefas de um programa, por meio de
smbolos que fornecem uma visualizao imediata do significado da tarefa.
57

Resumão de Aviônicos

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Resumão de Aviônicos

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

AEROCLUBE DO PARAN

Professor: Alessandro Baladn

Relao de fase entre tenso e corrente em

Representao fasorial da relao de fase

Relao de fase entre tenso e corrente em

Representao fasorial da relao de fase

Relao de fase entre tenso e corrente em

Representao fasorial da relao de fase

Circuitos resistivos e reativos

Potncia eltrica em circuitos resistivos e reativos

Circuitos reativos em srie

Calculo da impedncia srie

Circuito RCL srie

Classificao dos circuitos RCL em srie

Um circuito RCL em srie est em ressonncia quando as reatncias capacitiva e

Circuitos reativos em paralelo

Calculo da impedncia em paralelo

Circuito RCL em paralelo

Classificao dos circuitos RCL em paralelo

Circuito tanque ideal

Impedncia no circuito tanque ideal

Filtros de circuitos sintonizados

Professor: Alessandro Baladn

Tubo de raios catdicos (TRC)

Deflexo vertical e horizontal

Circuito gerador de base de tempo

Funes bsicas dos controles

Varia a quantidade de eltrons que chega a tela

Professor: Alessandro Baladn

Fontes ou geradores de corrente constante

Malha: o menor lao. um lao que no pode ser dividido em outros.

Teoremas das estruturas eltricas

Teorema da mxima transferncia de energia

Professor: Alessandro Baladn

O efeito da temperatura sobre os semicondutores

Conduo em cristais semicondutores

Dopagem do cristal semicondutor

Dopagem com elemento pentavalente

Dopagem com elemento trivalente

Portadores majoritrios e minoritrios

Polarizao direta de uma juno PN

Polarizao inversa da juno PN

Professor: Alessandro Baladn

Tenso alternada senoidal

Etapas de uma fonte de fora CA-CC

Ajuste da amplitude da tenso alternada

Tipos de proteo contra sobrecarga

Professor: Alessandro Baladn

Os transistores possuem trs terminais: coletor, base e emissor.

Caractersticas gerais dos transistores de juno bipolar

Cada configurao apresenta vantagens e desvantagens.

Curvas caracterstica do transistor de juno bipolar

Curva caracterstica de entrada

Curva caracterstica de sada

A curva de sada relaciona a tenso de sada, a

Curva de mxima dissipao de potncia

A curva de mxima dissipao de potncia escrita sobre a curva de sada e representa

Reta de carga e ponto quiescente

Professor: Alessandro Baladn

Instabilidade trmica dos transistores

Variao do ganho dos transistores

Mtodos de polarizao para estabilizao da IC e do ponto Q

Estabilizao da polarizao de estgios de potncia

Professor: Alessandro Baladn