Transistor BJT

Introduccin
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado slido. Fue
inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain
(que recibieron el premio Nobel en 1956). Tambin se suele denominar por sus siglas
inglesas BJT (bipolar junction transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales
(llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:

Ilustracin 1: Estructura y smbolo de un transistor bipolar npn (izquierda) y pnp (derecha)

Entre sus principales aplicaciones podemos distinguir:

Analgicas: amplificadores, seguidores de tensin, ...

Digitales: conmutadores

Calculando unas corrientes a partir de otras a travs de los parmetros F y F.

Pero no sabemos el valor de estos parmetros ni cmo relacionar las corrientes con las
tensiones aplicadas. Esto es lo que se pretende hacer en este apartado.
De forma anloga a como se hizo en el caso del diodo, se puede calcular la
corriente de emisor (debida a los huecos) a partir de la corriente de difusin en la base
justo en el lmite de la z.c.e. entre el emisor y la base (se desprecia la recombinacin en
la z.c.e). Del mismo modo, la corriente de colector se calcula a partir de la corriente de
difusin en el lmite de la base con la z.c.e. espacial que comparte con el colector:

(1)

Por tanto, lo primero que hay que hacer es resolver la ecuacin de difusin para
calcular el perfil de minoritarios inyectados en la base (pn):
(2)

Solucin de la ecuacin de difusin en la base

En activa, el emisor inyecta huecos de forma que se genera un exceso en la base,
justo en el borde de la z.c.e., igual a:
(3)
En el otro borde de la base, los huecos son barridos por el campo
elctrico hacia el colector, de modo que:

(4)
Si no hubiese corriente de base, el gradiente sera el mismo en el
colector y el emisor (para tener la misma corriente, como indican las
ecuaciones (1). Por tanto, la solucin de la ecuacin de difusin sera una
lnea recta, como se indica en la figura inferior.
Sin embargo, la corriente de base no es nula, aunque s pequea, por
lo que la solucin real no es exactamente una lnea recta, aunque se
aproxima bastante (por debajo, para obtener menos gradiente en el lado del
colector):

Ilustracin 2: Exceso de minoritarios en la base en funcin de la posicin (activa)

En activa inversa, se obtiene una solucin completamente anloga,

pero intercambiando los papeles del emisor y del colector.
Como la ecuacin de difusin es lineal, la solucin general (con
inyeccin de huecos por parte del emisor y del colector) puede expresarse
como la superposicin de las soluciones obtenidas en activa (inyeccin slo
por parte del emisor) y activa inversa (inyeccin slo por parte del colector).
Esto se ilustra en la siguiente figura:

Ilustracin 3: Concentracin y flujo de minoritarios en la base (c) como superposicin de la

solucin de la ecuacin de difusin en activa (a) y en activa inversa (b)

Puede comprobarse fcilmente que la solucin de la ecuacin de

difusin (2) es:

(5)

Efectivamente se observa que la solucin es la suma de dos trminos

con la misma forma, cada uno debido a la contribucin de una de las
uniones.

Evaluacin de las corrientes

Conocido p(xn), podemos calcular ya las corrientes (). Al realizar las
derivadas, se obtendr que, como suceda con la concentracin de
minoritarios en la base, las corrientes tambin son superposicin de la
contribucin de ambas uniones.
Suponiendo que IE = IC (esto es, que la eficiencia de emisor es igual
a 1) se obtiene:

(6)

con:

(7)

El modelo de diodos acoplados. Ecuaciones de Ebers-Moll

Introduccin
Las ecuaciones vistas en el apartado anterior (dependientes de la
geometra) slo son vlidas para ese caso concreto de geometra uniforme y
simple y suponiendo, adems, = 1. En este apartado pretendemos
generalizarlas, buscando expresiones adecuadas para cualquier geometra y
dependientes de parmetros fcilmente medibles.
Para ello, nos basaremos en las ecuaciones y conclusiones del
apartado anterior: la inyeccin de portadores en la base se puede
descomponer en dos contribuciones debidas a dos diodos independientes.
Pero adems de la corriente de emisor o colector debida a estos
diodos, debemos superponer la contribucin de los inyectados por el otro
electrodo (colector o emisor) en la base y que llegan, respectivamente, al
emisor o al colector.
Esta descripcin se corresponde con el siguiente circuito equivalente:

Ilustracin 4: Circuito equivalente de un BJT correspondiente a las ecuaciones de Ebers-Moll

(modelo de diodos acoplados)

Vemos pues que este modelo est descrito por la corriente de dos
diodos independientes y de dos fuentes de corriente que dan cuenta del
acoplamiento entre las dos uniones de la estructura.

Las ecuaciones de Ebers-Moll son las expresiones que relacionan las

corrientes y tensiones en el BJT de acuerdo con este modelo de diodos
acoplados.

Ecuaciones de Ebers-Moll
Segn el modelo de diodos acoplados presentado anteriormente, las
corrientes en los tres terminales de un BJT vienen dadas por las siguientes
expresiones (conocidas como ecuaciones de Ebers-Moll):

(8)

Estas ecuaciones relacionan las corrientes en el BJT con las tensiones

aplicadas en sus uniones y son dependientes de cuatro parmetros (las
corrientes
inversas
de
saturacin, IES e ICS y
los
coeficientes
de
acoplamiento, F y R.
Observaciones:

Con el convenio de signos seguido en este trabajo, en el caso de un

transistor npn las ecuaciones son exactamente iguales que las de un pnp.
Slo hay que cambiar las tensiones de signo o, lo que es lo mismo,
sustituir VBB por VBE y VCB porVBC.

En muchos textos se definen como positivas las corrientes entrantes en el

dispositivo. Con ese convenio de signos, habra que cambiar el signo en
los sumandos del miembro de la derecha de la ecuacin correspondiente
a IC y IB = -IE IC.

Con VCB = 0 V (y, en general, en la regin activa) se cumple:

(9)

Por tanto, tal y como habamos definido en la introduccin de este tema,

se cumple que (en activa):

(10
)

Como puede verse, si cortocircuitamos la base y el colector, el BJT se

comporta como un diodo.

Anlogamente, en la regin activa inversa se cumple que:

(
1
1
)

Como se ha comentado anteriormente, las ecuaciones de Ebers-Moll

son dependientes de cuatro parmetros. Sin embargo, puede
demostrarse que se cumple la siguiente relacin entre ellos:

(
1
2
)

Por tanto, slo quedan tres parmetros independientes.

Otros modelos DC
Versin de transporte de las ecuaciones de Ebers-Moll
Basndonos en la relacin (12) podemos expresar las ecuaciones de
Ebers-Moll como:

(13
)

Estas expresiones se conocen como la versin de transporte de las

ecuaciones de Ebers-Moll.
En estas ecuaciones cambia el punto de vista respecto de las
ecuaciones de Ebers-Moll. En lugar de expresar la corriente de las fuentes
de corriente en funcin de la corriente que pasa por los diodos (mediante
los coeficientes F y R), expresamos la corriente que pasa por los diodos en
funcin de la de las fuentes de corriente.
De acuerdo con esto, se definen las corrientes de las fuentes de
corriente como:

(1
4)

Y el circuito equivalente queda del siguiente modo:

Ilustracin 5: Versin de transporte del modelo de diodos acoplados

Versin de Spice
Puesto que las ecuaciones de Ebers-Moll tienen slo tres parmetros
independientes, se puede buscar un modelo en el que slo aparezcan tres
elementos en lugar de cuatro.
El modelo de Spice conecta directamente el emisor con el colector.
Para obtenerlo, primero se calcula la corriente de base a partir de la figura
anterior:

(15
)

Es decir, podemos expresar la corriente de base como la contribucin

de dos diodos, con corriente inversa de saturacin igual a IS/F e IS/R,
respectivamente.
Evidentemente, ninguna de estas corrientes es igual a la de emisor ni
a la de colector, por lo que debemos aadir ms elementos al circuito
equivalente. La corriente de emisor viene dada por:

(1
6)

Anlogamente:

(
1
7
)
El ltimo sumando de las ecuaciones (16) y (17) ya est incluido en la
expresin de la corriente de base, mientras que el resto es el mismo en
ambas expresiones. Por tanto, podemos expresar estas ecuaciones
mediante el siguiente circuito equivalente:

Ilustracin 6: Versin de Spice del transistor bipolar

Modelos simplificados para anlisis a mano

Segn la regin en la que se encuentre operando el transistor, se
pueden eliminar algunos elementos de los anteriores modelos, simplificando

notablemente el modelo. Adems, los diodos se pueden sustituir a su vez,

para la resolucin a mano de circuitos, por su correspondiente modelo (ideal
con desplazamiento o lineal a trozos).

Activa

En la regin activa podemos eliminar los elementos dependientes de

la exponencial. El circuito basado en las ecuaciones de Ebers-Moll queda
entonces como:

Ilustracin 7: Versin simplificada del modelo de diodos acoplados vlida en la regin activa

El diodo se puede sustituir a su vez (para clculos sencillos a mano)

por una pila de 0.6-0.7 V en serie con una resistencia rd.
No obstante, el circuito equivalente en activa usualmente empleado
es el que se obtiene a partir de la versin de Spice:

Ilustracin 8: Modelo simplificado para el BJT en activa

Saturacin

En saturacin hay que usar el modelo completo. No obstante, se

puede simplificar teniendo en cuenta que tenemos dos uniones polarizadas
en directo. Por tanto, VBB = 0.6 V y VBC = 0.2 V.

Corte

En corte, slo quedan en las ecuaciones de Ebers-Moll los trminos

correspondientes a las corrientes inversas de saturacin de los diodos, que
son muy pequeas. Teniendo en cuenta la relacin (3.20) podemos poner el
circuito equivalente como:

Ilustracin 9: Modelo equivalente en la regin de corte

Para un anlisis sencillo a mano, basta con eliminar el transistor cuando ste se
encuentra en la regin de corte.