Autor principal

Dr. Alberto Lastres Capote

Autoras:
MSc. Adelaida Torres Coln

Dra. Agnes Nagy

E-mail: alberto.lastres@electrica.cujae.edu.cu

E-mail: adela.torres@electrica.cujae.edu.cu
adetoco@yahoo.com
E-mail: agnes.nagy@electrica.cujae.edu.cu

INDICE

MONOGRAFIA

EL DIODO SEMICONDUCTOR

pagina

1.1

ANALISIS CUALITATIVO DE LA UNION P-N. EL DIODO

SEMICONDUCTOR
La unin p-n polarizada

1.1.1
1.1.2
1.1.3

Polarizacin directa.
Polarizacin de inversa.
Polarizacin de directa grande.

1.2
1.3
1.4
1.5
1.6

Caracterstica I-V del diodo. Smbolo, parmetros y expresiones

Capacidades parsitas en la unin p-n.
Tiempos de conmutacin del diodo
El diodo como elemento circuital.
Modelo de gran seal del diodo.

1.6.1
1.6.2

Mtodo de anlisis de gran seal para circuitos con varios diodos.

Circuitos limitadores.

1.7
1.8
1.8.1

Modelo de pequea seal del diodo.

Diagrama en bloques de una fuente de alimentacin
Rectificadores.

1.8.1.1
1.8.1.2

Rectificador de media onda (RMO.

Rectificador de onda completa (ROC).

1.8.2

Filtros de ondulacin.

1.8.2.1
1.8.2.2

Voltaje de ripple
Circuito equivalente del rectificador con filtro C

2
2
3
4
4
6
8
9
11
11
11
13
14
15
15
17
18
20
21

1.8.3

Estabilizadores de voltaje

21

1.8.3.1
1.8.3.2
1.8.3.3
1.8.3.4
1.8.3.5
1.8.3.6
1.9

Diodo Zener. Principio de operacin.

Mecanismos de ruptura
Parmetros del diodo Zener
Modelos del diodo Zener.
Reguladores de voltaje paralelo con diodo Zener.
Variacin del voltaje de salida del regulador paralelor paralelo.

22
22
23
24
24
27
29
33

1.

Ejercicios
Bibliografia

MONOGRAFIA

EL DIODO SEMICONDUCTOR

1. ANALISIS CUALITATIVO DE LA UNION P-N. EL DIODO S/C

Se presentar el comportamiento de la unin p-n basado en la teora de los semiconductores estudiada
anteriormente. Una unin p-n se crea cuando un cristal monocristalino de silicio es dopado con
impurezas aceptoras (boro) de un lado y donoras (fsforo) en el otro Una representacin esquemtica
de esta unin para la condicin de equilibrio se muestra en la figura 1.1.

Figura 1.1. Unin P-N en equilibrio.

Inicialmente, existe un gradiente de concentracin a travs de la unin, provocando que huecos se
difundan hacia la derecha y electrones hacia la izquierda. Cerca de la unin metalrgica en la lado P,
los huecos que neutralizan los iones aceptores se recombinan con los electrones que se difunden a
travs de la unin y desaparecen. Similarmente ocurre con los electrones de los iones donores del lado
N que desaparecen al recombinarse con los huecos provenientes por difusin del lado P. Los iones no
neutralizados alrededor de la unin (tomos aceptores inmviles cargados negativamente y tomos
donores inmviles cargados positivamente) se comportan como una densidad de cargas y como esta
regin est desprovista de cargas mviles se le conoce como zona de transicin o de carga espacial
(ZCE). El ancho de esta zona es de dcimas de micrmetros. Los portadores de cargas solo existen
fuera de esta zona; a la izquierda predominan los huecos (p = NA) y a la derecha los electrones
(n = ND).
El flujo de carga antes analizado, constituye una corriente de difusin a travs de la unin metalrgica
del lado P al lado N. Por otro lado, las dos zonas de carga espacial de opuesta polaridad que existen a
cada lado de la unin, dan lugar a un campo elctrico que atraviesan la unin del lado N (+) al lado
P (-). Este campo provoca una corriente de deriva que atraviesa la unin en la misma direccin del
campo, o sea en direccin opuesta a la corriente de difusin. Bajo condiciones de equilibrio, la
corriente total de electrones y huecos a travs de la unin se hace cero:

Jn = qunnE + qDndn/dx =0
Jp = quppE - qDpdp/dx = 0
De estas expresiones se puede obtener el campo elctrico en cualquier punto de la zona de carga
espacial. Ya que E = - dV/dx y que D/ = KT/q = VT (Relacin de Einstein), el cambio de potencial
1

A. Lastres, A. Torres y A. Agnes

electrosttico a travs de la ZCE se obtiene al integrar la ecuacin anterior desde -wp a wn,
obtenindose que:

Vo = KT/q ln nno/npo
Donde nno y npo son las concentraciones en equilibrio de electrones del lado N y P respectivamente. El
cambio de energa potencial (qVo) que experimenta un electrn al atravesar la unin del lado N al lado
P, conocido como barrera de potencial de la unin viene dado por:

qVo =KT ln NDNA/ni2

Donde Vo se conoce como voltaje de built-in a travs de la unin en equilibrio y es del orden de
dcimas de V; T es la temperatura absoluta en K; ND, NA y ni son las concentraciones donora, aceptora
e intrnseca respectivamente. Como ni vara exponencialmente con T, Vo cae con T tpicamente a razn
de - 2 mV/oC. La altura de la barrera de potencial aumenta al incrementar la concentracin del dopaje
en cada lado de la unin. Como ni se incrementa con la temperatura, provoca que la barrera disminuya,
lo cual degrada las propiedades rectificadoras del diodo cuando T es muy elevada como se ver
posteriormente.

1.1 La unin p-n polarizada.

La caracterstica esencial de la unin p-n es permitir el flujo de portadores solo en una direccin y
virtualmente eliminarla en el sentido contrario, lo que se conoce como accin rectificadora del diodo.
1.1.1 Polarizacin directa. Si se aplica un voltaje VD de CD cuyo positivo est al lado P y el negativo
al lado N como se muestra en la figura 1.2a, si se considera que todo este voltaje aparece a travs de la
ZCE que por estar desprovista de portadores mviles es la regin de mayor resistencia, se reduce la
barrera de potencial por una cantidad qVD. El nuevo campo aplicado se opone al que exista bajo
condiciones de equilibrio, por lo que las corrientes de deriva y de difusin a travs de la unin se hacen
desiguales.. Como resultado de esta reduccin de la barrera de potencial, los huecos se difunden del
lado P al N y electrones en el sentido contrario del lado N al P lo que representa una corriente de
inyeccin de portadores mayoritarios en el sentido del lado P al N. Una vez que ellos atraviesan la
unin, tanto los huecos como los electrones inyectados se convierten en portadores minoritarios y
constituyen una corriente de difusin de minoritarios. Esta ser ms grande a medida que VD sea
mayor pues se incrementa el nmero de portadores disponibles; se conoce como corriente de
polarizacin de directa ID = IF.

a)

b)

Fig. 1.2 Unin P-N polarizada en: a) directa y b) inversa.

Al polarizar en directa la unin, la energa potencial del electrn en el lado N, se incrementa en una
cantidad (-q)(-VD) = qVD con respecto al lado P, lo que reduce la barrera de potencial de la unin de

qVo en equilibrio a q(Vo - VD) al ser polarizada en directa. Por otro lado, tambin se reduce la carga
espacial de la unin y el ancho de la ZCE que depende del voltaje aplicado.
Por tanto, al polarizar en directa la unin p-n, se reduce la barrera de potencial y pasan huecos el lado
P al N y electrones del N al P. Definiendo a pn como la concentracin de huecos en el lado N y a np
como la de electrones en el lado P, la distribucin de los portadores minoritarios a cada lado de la unin
metalrgica se muestra en la figura 1.3.

Figura 1.3. Densidad de portadores minoritarios en funcin de x para la unin P-N en directa.
donde pno y npo representan las concentraciones de portadores minoritarios en equilibrio generados
trmicamente lejos de la unin. La concentracin de huecos inyectados en exceso en la zona N
(pn = pn - pno) provoca la difusin de estos, que por recombinacin con los electrones presentes en esta
zona decrecen exponencialmente con la distancia x como se muestra. La polarizacin directa al reducir
la barrera permite que ms portadores crucen la unin, siguiendo la ley de la unin dada por:

pn(0) = pnoeVD/VT
que expresa la relacin entre pn(x) en x=0 y la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio
trmico lejos de la unin (pno). Para los electrones es similar. De aqu que para los huecos la corriente
que cruza la unin del lado P al N ser:

Ip(x) = - Aqdpn/dx = (AqDppn(0)) /Lp .e-x/Lp

donde A es el rea transversal de la unin p-n y Lp la longitud de difusin de los huecos en la zona N.
En la zona P, la corriente de electrones tendr una expresin similar.
1.1.2 Polarizacin de inversa. Si se invierte la polaridad antes analizada como se muestra en la figura
1.2b, el campo elctrico aplicado ahora refuerza el que exista en la condicin de equilibrio, por lo que
se produce un incremento de la barrera de potencial a q(Vo + VD). Esto provoca que decrezca el flujo
de portadores mayoritarios a travs de la unin. Sin embargo, los portadores minoritarios no son
afectados por esta barrera de potencial y circular una pequea corriente del lado N al P en el sentido
opuesto a la de polarizacin de directa. Esta corriente IS se conoce como corriente de saturacin inversa
y es muy pequea.

El mecanismo de conduccin en este caso es el siguiente: la polarizacin inversa del diodo provoca que
tanto los huecos del lado P como los electrones del lado N se muevan lejos de la unin, amplindose la
ZCE. Este proceso no puede continuar indefinidamente pues este flujo estacionario de huecos hacia la
izquierda necesita que esa misma cantidad de huecos sean suministrados a travs de la unin por el
lado N. Como en la zona N existen pocos huecos, la corriente resultante es virtualmente cero. Esta
pequea corriente IS que aparece se produce por la generacin trmica de pares electrn-huecos en la
zona de carga espacial. Los huecos (portadores minoritarios) generados en el lado N son halados por el
campo elctrico a travs de la unin. De forma similar ocurre con los electrones generados en el lado P.
La variacin del ancho de la ZCE con la polarizacin de inversa, provoca variacin de la capacidad de
la unin vista esta como un capacitor de placas paralelas con la ZCE desprovista de portadores mviles
haciendo el papel de dielctrico.
Para polarizacin de inversa la distribucin de portadores minoritarios a cada lado de la unin es la
siguiente: lejos de la unin metalrgica, los portadores minoritarios tienen los valores pno y npo de
equilibrio trmico. Al aproximarse a la unin, estos son barridos rpidamente por el campo de la unin
y su densidad disminuye a cero en la unin como se muestra en la figura 1.4.

Figura 1.4. Densidad de portadores minoritarios en funcin de x para la unin P-N en inversa.
1.1.3 Polarizacin de directa grande.
Si el voltaje de directa a travs de la unin VD se incrementa de forma tal que se aproxime al valor de
Vo, la barrera de potencial tiende a desaparecer y la corriente por el diodo crece arbitrariamente. En
realidad la barrera de potencial no llega a desaparecer completamente pues las resistencias asociadas
con el cuerpo del diodo y del contacto hmico limitan esta corriente. Luego, cuando VD se hace
comparable con Vo, la corriente ID queda limitada por estos dos resistores parsitos distribuidos en el
lado N y P del diodo.

1.2 Caracterstica I-V del diodo. Smbolo, parmetros y expresiones.

La caracterstica I-V de la unin p-n, relaciona el voltaje aplicado a la unin vD con la corriente que
circula por esta iD. Se sabe que todo el mecanismo de conduccin ocurre en la vecindad de la unin
metalrgica, pero al dispositivo con sus dos terminales nodo (lado P) y ctodo (lado N) se le conoce
como diodo de unin y su smbolo es mostrado en la figura 1.5.

Figura 1.5. Smbolo del diodo de unin.

Para describir la ecuacin del diodo con polarizacin de directa, la corriente de difusin que atraviesa
la unin ser proporcional a la pendiente en el origen (x = 0) de la concentracin de portadores
minoritarios en exceso a cada lado de la unin. Se puede demostrar que para bajos niveles de inyeccin
de corriente, la corriente de deriva a travs de la unin polarizada en directa, es despreciable comparada
con la de difusin de portadores minoritarios. De aqu que aparezca una dependencia exponencial de ID
con VD conocida como la ecuacin del diodo:

ID = IS(eVD/

VT

- 1)

(A)

donde el parmetro depende del tipo de semiconductor empleado; vale 1 para germanio y vara entre
1 y 2 para silicio dependiendo de los niveles de corriente. Para valores de ID pequeos en la ZCE
dominan los efectos de recombinacin sobre los de difusin y = 2. A mayores niveles de corriente,
ID sigue una ley exponencial con VD y = 1. Por ltimo, para niveles altos de corriente en dependencia
del tipo de diodo y de su capacidad de corriente aparece de nuevo el dominio de la recombinacin
sobre los de difusin y = 2. En la prctica, se toma para cada diodo un valor nico de y de IS como
factores de escala, lo que permitir evaluar la ecuacin de ID en funcin de IS, VD, y T. El voltaje
equivalente trmico VT es aproximadamente 25 mV a 20C y se calcula de:

VT = KT/q = T(K)/11600

(V)

La corriente de saturacin inversa IS depende de la concentracin de huecos NA del lado P y de

electrones ND del lado N, as como del rea de la unin. Los valores de IS para Si oscilan entre 10-9 A y
10-18 A, en dependencia de la capacidad y del tipo de diodo. Para diodos de Ge, este valor es de tres a
cuatro ordenes mayor. La corriente de polarizacin de inversa IR que reportan los fabricantes en los
manuales, tiene valores mucho mayores que los que corresponden a IS pues en inversa en la prctica
dominan las corrientes de generacin superficial que dependen a su vez del tipo de S/C empleado. La
corriente IR est en el orden de los A para Ge y de nA para Si. En la caracterstica I-V del diodo,
debido a que las corrientes de directa y de inversa del diodo difieren en varios ordenes, se acostumbra a
emplear diferentes escalas para ambas como se muestra en la figura 1.6.

Figura1.6 Caracterstica I-V del diodo de unin.

En esta figura para polarizacin en directa, se destaca el voltaje de inicio de conduccin V por debajo
del cual la corriente que circula se puede considerar despreciable (menor del 1 % del valor de la
corriente mxima dada por el fabricante para el diodo). El valor de V para Si se encuentra entre 0.5V y
0.6V en dependencia del tipo de diodo. Para Ge vara entre 0.1V y 0.2V.
Por otro lado, para voltajes de inversa por encima de VZ aparece la regin de ruptura del diodo, en
donde la corriente de inversa IR crece bruscamente con pequeos cambios en VD y que de no limitarse
lo puede destruir.
La dependencia de los parmetros del diodo con la temperatura aparece a travs de VT, de IS que dobla
su valor aproximadamente por cada incremento de 10C y de VD que decrece a razn de -2 mV/
o
C para una corriente ID constante.
Por ltimo, las propiedades elctricas de los diodos se describen por sus caractersticas estticas y
dinmicas as como por sus valores mximos permisibles que no pueden ser excedidos ni
individualmente ni en su conjunto pues se afectaran los mismos. En los manuales de diferentes
fabricantes aparecen estas caractersticas especificadas para los distintos tipos de diodos que se ofertan,
como son los diodos rectificadores, de seal, de conmutacin, de baja y alta disipacin de potencia,
etc. Algunas de las caractersticas elctricas dadas para los diodos rectificadores empleados en la
conversin de CA a CD son:
tipo
VR(V) IF(A)
SY 123
40
1
SY 324
150
3
1N 4001 100
1
1N 4151 150
0.15

IFSM(A)
40
100
50
2

VF(V) a IF(A)
1.1
1
1.1
3
1.3
3
0.9 0.05

IR(nA) a VR(V)
10
10
5000
100
50
50

1.3 Capacidades parsitas en la unin p-n.

En el diodo de unin estn presentes dos efectos capacitivos que deben tomarse en cuenta, que
aportarn las capacidades de transicin y de difusin. Ambos efectos aparecen para polarizacin directa
e inversa, pero se ver que uno domina al otro en cada caso. La capacidad de transicin (C T) domina
para la polarizacin inversa mientras que la capacidad de difusin (CD) domina para la polarizacin
directa del diodo.
Se conoce que la densidad de portadores minoritarios en exceso o en defecto a ambos lados de la ZCE
en dependencia de estar polarizado la unin en directa o en inversa, es una funcin exponencial de la
distancia y depende del voltaje aplicado. Esto se muestra en la figura 1.7.

Figura 1.7 Densidad de portadores minoritarios vs x.con polarizacin: a) directa y b) inversa.

Cuando se polariza en directa la unin aumenta la carga almacenada en ambos lados de la ZCE; esta
cantidad de cargas en exceso disminuye por su recombinacin con los portadores mayoritarios a
medida que crece la distancia x. Al variar el voltaje a travs del diodo cambia la carga almacenada en la
regiones neutras del diodo, efecto a que se le atribuye la capacidad de difusin C D. Para polarizacin
inversa esta capacidad es aproximadamente nula pues las densidades de portadores minoritarios a
ambos lados de la ZCE permanecen casi constantes independientemente de la tensin aplicada.
Si se aplica una seal que refuerce la polarizacin en directa por V, se obtiene un incremento Q en la
carga almacenada cerca de la unin. Para un diodo donde uno de los lados de la unin p-n est mucho
ms dopado que el otro, se define a CD como:

CD = [ Q/ V]Q = [d( I)/dV]Q = [ /rd ]Q

donde
es el tiempo de vida promedio de los portadores minoritarios y representa el tiempo que
demoran los portadores en exceso en recombinarse. De la expresin anterior se puede definir a
= rdCD, que se puede interpretar como la constante de tiempo de difusin.
Como CD = IDQ/ VT, se incrementa al aumentar la corriente de polarizacin de directa, por lo que
la conmutacin del estado ON al OFF se hace ms lento. El modelo del diodo a pequea seal para
polarizacin directa se muestra en la figura 1.8a

a)

b)

Figura 1.8 Modelo de pequea seal del diodo.para polarizacin: a) directa y b) inversa.

En la figura 1.8b se muestra el modelo para el diodo polarizado en inversa, en que dentro de la ZCE
existen cargas de los tomos no neutralizados que son las responsables de la creacin de la barrera de
potencial existente. Esta situacin simula un capacitor de placas paralelas (lado N y lado P) con un
dielctrico (ZCE) entre los mismos. La resistencia rr es la resistencia incremental de inversa. La
capacidad de transicin CT se calcula como:

CT = A / d = A[q ND/2(Vo-VD)]1/2
donde A es el rea de la unin, d es el ancho de la ZCE, es la permitividad del S/C, y Vo es la altura
de la barrera de potencial. Ya que el ancho de la ZCE vara con la polarizacin de inversa. CT vara
inversamente con VD. El capacitor CT es de alta calidad pues su corriente de fuga es muy pequea. Esta
capacidad controlada por la tensin tiene muchas aplicaciones, entre ellas como sensor de gases y como
capacitor variable (varicap).

1.4 Tiempos de conmutacin del diodo

La respuesta trasiente de un diodo manejado del estado de conduccin al de corte, lo representa el
intervalo de tiempo transcurrido en que el diodo alcanza el nuevo estado estacionario. Cuando el diodo
est polarizado en directa la concentracin de portadores minoritarios en exceso a ambos lados de la
unin es mayor que la de equilibrio. Para pasar al estado de corte se requiere recombinar al menos
todos los portadores en exceso. De la misma forma, con la polarizacin inversa la concentracin de
portadores minoritarios cerca de la ZCE es inferior a la de equilibrio. Para conmutar de corte a
conduccin es necesario inyectar a travs de la unin cierto nmero de portadores. Estos dos
fenmenos ocurren en un tiempo finito que son los que determinan la velocidad de respuesta del diodo..
La secuencia de eventos que acompaa la polarizacin inversa de un diodo que se encuentra
conduciendo se muestra para el caso peor en la figura 1.9.

Figura 1.9 Respuesta de un diodo a un estimulo escaln.

Al polarizar abruptamente en inversa para t = 0, el estado ON del diodo no vara hasta que el nmero
de portadores minoritarios en exceso se reduzca a cero, por lo que los mismos deben ser barridos a
travs de la unin al lado donde se originaron. Este movimiento de cargas produce una corriente en la
direccin contraria. El tiempo durante el cual los portadores minoritarios en exceso se reduce a cero se

conoce como tiempo de almacenamiento (tS). Durante este intervalo de tiempo, el diodo se mantiene
conduciendo una corriente -VR/RL. A su vez, la cada de voltaje a travs del diodo decrece ligeramente
debido al cambio en el sentido de la corriente y a la resistencia del diodo en conduccin. Para t = tS el
exceso de portadores es cero y a partir de ese momento el voltaje del diodo tiende exponencialmente en
inversa a -VR, decreciendo tambin la magnitud de la corriente exponencialmente a -IS.
El tiempo transcurrido entre t1 y el tiempo en que el diodo alcanza aproximadamente el voltaje -VR se
conoce como tiempo de transicin (tt). En este tiempo en que CT se est cargando, los portadores
minoritarios que estn cerca de la unin se difunden hacia sta y la atraviesan.
Los fabricantes de componentes normalmente especifican el tiempo de recuperacin en inversa del
diodo (trr) para condiciones tpicas de operacin el cual vara entre 1ns y 1 s en dependencia del tipo
de diodo. Este tiempo trr es la suma de tS y de tt ya definidos. Por otro lado el tiempo de recuperacin de
directa (trf) es mucho menor que el de inversa y se desprecia.

1.5 El diodo como elemento circuital.

El circuito ms simple posible con un diodo es el que se muestra en la figura 1.10. Al aplicar una LKV
se tiene que: VAA = VD + IDR (se escriben todos los trminos con maysculas para representar CD).

Figura 1.10 Circuito sencillo con el diodo en directa.

Si se despeja ID se obtiene que: ID =1/R ( VAA - VD). Esta ecuacin contiene dos variables, por lo que
se requiere de la ecuacin del diodo para resolverla analticamente o de la caracterstica I-V del diodo
para resolverla grficamente.
a) Solucin analtica.
Para = 1 y con polarizacin de directa con VD >> VT, se tiene que:

ID = IS eVD/VT ,
de donde:

VD = VT ln ID/IS

Sustituyendo en la ecuacin inicial se tiene que:

ID = 1/R (VAA - VT ln ID/IS)
Esta ecuacin es del tipo trascendental y se resuelve por mtodos iterativos, asignandole valores a ID
hasta que el resultado obtenido en el miembro de la izquierda sea igual que el de la derecha teniendo

como datos a R, VAA , VT e IS. Se toma como valor inicial para ID el correspondiente a VD = 0, o sea
VAA/R.
b) Solucin grfica.
Como la expresin que se desea resolver representa la ecuacin de la lnea de carga con pendiente -1/R,
la intercepcin de esta recta dibujada en la caracterstica I-V con la curva del diodo dar la solucin del
circuito. El punto de intercepcin Q se conoce como punto de operacin, cuyas coordenadas son los
valores de corriente IDQ y de voltaje VDQ a travs del diodo como se muestra en la figura 1.11.

Figura 1.11 Lnea de carga en la caracterstica I-V del diodo.

Es interesante analizar los cambios que ocurren en el punto de operacin del circuito analizado, cuando
VAA y R varan independientemente. Al variar VAA manteniendo a R constante, lo cual es equivalente a
conectar una fuente variable en el tiempo en serie con V AA, se observa de la figura 1.12a que al crecer
VAA sin variar la pendiente, tambin crece IDQ y viceversa. Note que para pequeos cambios de voltaje
(anlisis de pequea seal), las porciones de las caractersticas del diodo entre puntos adyacentes se
mantiene aproximadamente lineal. En cambio, cuando los cambios de voltaje son grandes llegando
incluso a cortarse el diodo, no se puede considerar su caracterstica como lineal lo que se conoce como
excitacin de gran seal.
Cuando se vara R manteniendo a VAA constante como se muestra en la figura 1.12b, con el cambio de
la pendiente un incremento de R provoca que IDQ decrezca.

a)

b)

Fig. 1.12 Cambios en el punto de operacin al variar: a) VAA y b) R.

10

1.6 Modelo de gran seal del diodo.

Para realizar el clculo de las corrientes y voltajes del diodo por mtodos de anlisis circuitales, es
conveniente representarlo por un modelo o circuito equivalente lineal. El circuito analizado
anteriormente es no lineal pues contiene al diodo en que ID no vara linealmente con VD. Pero esta
caracterstica no lineal del diodo puede aproximarse por una lineal (modelo lineal por tramos) como se
explic anteriormente, sin introducirse grandes errores en el anlisis. Para polarizacin de directa con
VD > V , la corriente que circula es grande y la resistencia que representa al diodo en este estado se
denominara Rf. Como se muestra en la figura 1.13, este modelo se representa por una fuente de voltaje
de CD de valor V en serie con Rf con valor tpico entre 5 y 50 para silicio.

Figura 1.13 Modelo de gran seal del diodo en directa.

Para polarizacin en inversa sin llegar a la regin de ruptura, el diodo no conduce apreciablemente y
circular solo una pequea corriente IS. La resistencia que representa al diodo es muy elevada y se
denominar Rr (Rr >> Rf). El modelo para inversa se muestra en la figura 1.14, donde la fuente IS
representa la corriente de saturacin inversa constante y con la presencia de Rr se toma en cuenta el
incremento de IR debido a la fuga superficial al incrementarse VR.

Figura 1.14 Modelos de gran seal del diodo en inversa.

1.6.1 Mtodo de anlisis de gran seal para circuitos con varios diodos.
Para resolver por Kirchoff un circuito con varios diodos, se analiza la condicin de conduccin de cada
diodo; los que estn polarizados en directa se sustituyen por el modelo correspondiente y los que estn
en inversa por el otro. La determinacin de si un diodo esta en directa o en inversa lo determina el
sentido de la corriente que circula por l o por el voltaje VD que sea mayor que V . (Estudiar ejemplos
resueltos 2.2 y 2.3).
1.6.2 Circuitos limitadores.
Estos circuitos son empleados para seleccionar una parte de la forma de onda que se transmite, por
encima o por debajo de un nivel de referencia dado, lo que es til para conformar ondas para proteger

11

los circuitos que reciben la seal. Estos circuitos, conocidos tambin como recortadores, constan de
varios diodos, resistores y fuentes de CD. La forma de onda de salida puede limitarse a niveles
diferentes, intercambiando la posicin de los diversos elementos y cambiando la magnitud de las
baterias.
Los diodos empleados en fuentes de alimentacin son rectificadores que disipan potencias por encima
de 0.5 W y estn optimizados para trabajar a 60 Hz. Los limitadores emplean por lo general diodos de
pequea seal para potencias menores de 0.5 W a niveles de corriente de mA y para frecuencias
mayores de 60 Hz.
Para el circuito mostrado en la figura 1.15, se ver como se encuentra la forma de onda de salida
sustituyendo al diodo por sus correspondientes modelos de gran seal cuando est en corte en
conduccin.

Vi = Vm sen wt

Figura 1.15 Circuito limitador.

Siempre que Vi < (VR + V ), el diodo est cortado y Vo sigue las variaciones de Vi. La ecuacin de este
tramo de recta en la caracterstica transferencial del circuito es Vo = Vi (pendiente uno).
Cuando Vi (VR + V ), el diodo se polariza en directa y circular una corriente como se muestra en el
circuito equivalente de la figura 1.16.

Figura 1.16 Circuito equivalente del limitador.

De donde por LKV se obtiene que:
Como Vo

i = (Vi-VR-V )/(R+Rf)

= Vi - iR, sustituyendo la expresin anterior de i se obtiene que:

Vo = Rf Vi/(R + Rf) + R(VR+V )/(R+Rf)

La pendiente de este segundo tramo es Rf /(R + Rf). Si Rf fuese cero, entonces Vo = (VR+V ), se
limita a ese valor constante. En la figura 1.17, se muestra la caracterstica transferencial de este circuito
que permite determinar grficamente con la seal de entrada aplicada, la seal de salida resultante.

12

Figura 1.17 Caracterstica transferencial del limitador.

El circuito mostrado en la figura 1.18 es un limitador de doble nivel, que convierte una sinusoide en
una onda cuadrada siempre que Vm >> (VR+V ).

Figura 1.18 Limitador de doble nivel.

Como mtodo de anlisis general de los circuitos limitadores se recomienda identificar el estado de
conduccin de cada diodo (ON OFF) y determinar el dominio de las variables claves que definen
dichos estados sustituyendo los diodos por los correspondientes modelos de gran seal. El nmero de
diodos da el nmero mximo de cambios de estado posible y para cada tramo lineal la pendiente tiene
que ser cero positiva.

1.7 Modelo de pequea seal del diodo.

En los circuitos con diodos que presentan comportamiento ON-OFF, donde las seales aplicadas de
CD variables en el tiempo son grandes comparadas con el nivel de polarizacin, se utiliza el modelo
de gran seal para representar al diodo. En caso contrario en que las seales sean pequeas (del orden
de los mV) en que el diodo siempre esta conduciendo, se emplea el circuito equivalente incremental o
modelo de pequea seal para representar al diodo. Para el circuito mostrado en la figura 1.19 con
excitacin constante y sinusoidal superpuestas, el punto de operacin se desplaza sobre la caracterstica
del diodo

13

Figura 1.19 Circuito de diodo con excitacin constante y sinusoidal.

Como se observa, al ser pequea la variacin alrededor del punto de operacin se puede considerar que
el tramo de la curva del diodo es lineal. Como el punto de operacin se desplaza sobre la caracterstica
del diodo por tener superpuesta una seal variable en el tiempo a una constante, la resistencia
equivalente de este que interesa es la comprendida entre Q1 y Q2 y no la de un punto como ocurra en
gran seal. Se dice que el diodo opera en condiciones de pequea seal s la variacin en el tiempo de
su corriente o de su voltaje es mucho menor que las correspondientes al punto de operacin. El resistor
que caracteriza esta operacin se denomina resistencia dinmica del diodo (rd) y se calcula por la
pendiente de la curva para el punto de operacin Q. Esta resistencia no es constante pues depende de T
y del punto de operacin. De la expresin del diodo en directa se obtiene que:

gd = 1/rd = [did/dvd]Q = IDQ// VT

pues

id = ISevd/

VT

A la resistencia rd calculada por esta expresin, se le debe adicionar la resistencia parasita del cuerpo
del S/C que se conoce como rb y es un parmetro de la tecnologa empleada. Por otro lado, si rd se
calcula directamente por la pendiente de la curva I-V del diodo empleado, ya este valor de rb aparece
incluido y no se debe adicionar de nuevo. A 20C para un diodo de Si con =2, rb=1 e IDQ=5mA, el
valor calculado de rd ser de 11 .
Para el ejemplo analizado, el circuito equivalente. de pequea seal es el mostrado en la figura 1.20, el
cual permite analizar el comportamiento dinmico del diodo. Para el clculo de rd se calcula IDQ con el
modelo de gran seal: IDQ = (VAA- V )/(Rf+RL).

Vo = VsRL/(rd + rb+RL)

Figura. 1.20 Circuito equivalente de pequea seal.

1.8 Diagrama en bloques de una fuente de alimentacin

El uso ms evidente de los diodos rectificadores lo constituye el sector de las fuentes de alimentacin
de CD. en que se utilizan para realizar la conversin de CA en CD continua. La fuente de
alimentacin constituye uno de los bloques ms importante en cualquier sistema electrnico, pues sin

14

su adecuada polarizacin no podr operar correctamente. El diagrama en bloques de una fuente de

alimentacin se muestra en la figura 1.21.

Figura 1.21. Diagrama en bloques de una fuente de alimentacin.

Como el diodo puede conducir fuertemente cuando se polariza en directa y reduce a un mnimo la
conduccin cuando su polarizacin se invierte, esta propiedad rectificadora lo hace muy til para los
circuitos de conversin AC-DC. Los voltajes de AC normalmente suministrado por el sistema
energtico nacional son de 110V 220V rms de 60Hz. Como la mayora de los circuitos electrnicos
requieren niveles de polarizacin menores que estos, en las fuentes de alimentacin se utiliza un
transformador previo a la etapa de rectificacin donde se convierte el voltaje sinusoidal en una seal
pulsante . Por medio de un filtraje se reduce la componente de CA de la misma con un regulador a la
salida se obtiene un nivel de voltaje constante independiente de las condiciones de carga o de las
variaciones en las amplitudes de CA a la entrada.

1.8.1 Rectificadores.
El estudio de los conversores de CA a CD se iniciar por los rectificadores que pueden ser de dos tipos:
de media onda y de onda completa.
1.8.1.1 Rectificador de media onda (RMO). Todo rectificador convierte una seal de entrada
sinusoidal de valor promedio igual a cero, en una seal pulsante no sinusoidal con una componente
promedio diferente de cero. La misma puede descomponerse por Fourier en una seal fundamental y en
muchos armnicos. El circuito bsico del rectificador de media onda es el mostrado en la figura 1.22.

Figura 1.22 Rectificador de media onda.

15

Como aproximacin para simplificar este anlisis, se considerar que para una seal sinusoidal en el
secundario del transformador vi = Vmsenwt con una amplitud Vm>>V , se despreciar en el diodo el
efecto de este ultimo; o sea, siempre que Vm>10V lo cual ocurre normalmente, se considerar a V =0.
Tambin se considerar que la resistencia en inversa del diodo es de valor infinito. La corriente i que
circula cuando el diodo conduce en un medio ciclo, se obtiene al sustituir al diodo por la resistencia R f
del modelo de gran seal (V =0) y con Rs como la resistencia del enrrollado secundario del
transformador:

i = Imsent para 0< t <

vo= ImRLsent

donde

Im=Vm/(Rs+Rf+RL)

Cuando la polaridad de Vi se invierta, entonces el diodo se corta y circular la corriente IS, que por ser
muy pequea hace que vo = 0. El voltaje mximo que debe soportar el diodo cuando no conduce, se
conoce como voltaje de pico inverso VPI, que para este rectificador es igual a Vm. Al seleccionar el
tipo de diodo se debe garantizar que VR > Vm.
Como por RL solo circula la corriente en un sentido y durante un semi-perodo (entre 0 y ), a este
circuito se le conoce como RMO. Los valores medio y efectivo de la corriente que circula son:

Un parmetro importante de las fuentes de alimentacin es la regulacin, que se define como la

variacin del voltaje de salida de CD con el incremento de la corriente de CD por la carga. Se expresa
como:

% de regulacin = 100(Vo sin carga- Vo con carga) / Vo con carga

Idealmente una fuente de CD debe proporcionar un voltaje constante independientemente del valor de
IDC. Para el RMO, la ecuacin de regulacin que lo modela en todo el intervalo de conduccin del
diodo es:

VDC = Vm/

- IDC(RS+Rf)

Este modelo lineal que se muestra en la figura 1.23, plantea que en la salida VDC = Vm/ a circuito
abierto y que VDC decrece linealmente al incrementarse IDC por la carga.

16

Figura 1.23 Modelo incremental del rectificador de media onda.

Si en el anlisis antes realizado, se toma en cuenta el valor de V de inicio de conduccin del diodo, la
corriente por el circuito circular durante menos de un semiciclo como se muestra en la figura 1.24 y
su valor promedio difiere del anteriormente mencionado.

vi] 1 = Vmsen
1=

=V

sen-1 V /Vm

Figura 1.24 Variacin de i al considerar V .

1.8.1.2 Rectificador de onda completa (ROC). Un circuito que aprovecha ambos semiciclos de Vi al
utilizar un transformador con derivacin central y que puede considerarse en su operacin como dos
RMO que trabajan defasados 180, es el mostrado en la figura 1.25.

Figura 1.25 Rectificador de onda completa.

17

Cuando Vs tiene la polaridad mostrada, D1 conduce mientras D2 est cortado, por lo que i circular a
travs de RL de derecha a izquierda. Cuando Vs cambie de polaridad, D1 se corta y D2 conduce, pero i
se mantiene circulando con el mismo sentido a travs de R L. Como se nota, cada diodo conduce solo
durante un medio ciclo de Vs. Como la corriente por la carga circula en cada semiciclo, se puede
demostrar que IDC = 2Im / y su valor efectivo es Irms = Im / 2 . La componente de CD para este caso
el doble que para el rectificador de media onda sin tener que incrementar la amplitud Vm. La ecuacin
de regulacin para este caso es:

VDC = 2Vm/

- IDC(RS+Rf)

El voltaje de pico inverso VPI que como caso peor debe de ser capaz de soportar el diodo que esta
cortado cuando el otro conduce es de 2Vm.
Una variante de rectificador de onda completa con cuatro diodos, pero que evita el empleo del
transformador con derivacin central que es muy costoso, es el tipo puente mostrado en la figura 1.26.

vs > 0: D1 y D3 ON; D2 y D4 OFF.

vs < 0: D1 y D3 OFF; D2 y D4 ON.

Fig. 1.26 Rectificador de onda completa tipo puente.

Con la polaridad mostrada, D1 y D3 se polarizan directamente mientras que D2 y D4 estn cortados. La
corriente por RL circular de arriba hacia abajo. Si se invierte la polaridad de la seal de entrada, D1 y
D3 se cortan mientras que D2 y D4 conducen , manteniendo el mismo sentido la corriente por RL. Para
este ROC son vlidas todas relaciones antes presentadas aunque se debe tener presente que la corriente
en cada semiciclo circula a travs de dos diodos. Por otro lado el VPI para este caso es de Vm.

1.8.2 Filtros de ondulacin.

A pesar que el rectificador disminuye la ondulacin a la salida, esto es insuficiente para numerosas
aplicaciones como ocurre en los amplificadores y receptores de radio. Por esta razon se recurre al
empleo de filtros que de forma econmica atene la ondulacin antes de llegar a la carga R L. El filtraje
ms empleado consiste en conectar un capacitor de valor elevado en paralelo con la carga, como se
muestra en la figura 1.27 para el caso del RMO.

18

Figura 1.27 RMO con filtro C.

Si a la menor frecuencia f de operacin se cumple que: 1/2 fC << RL lo que es lo mismo, si wRLC
>> 1, las componentes variables de i no circularn por RL. Esto se garantiza utilizando valores de C
entre 200 F y 1000 F.
El principio de operacin de este circuito se basa en que el capacitor almacena energa durante el
perodo de conduccin del diodo y entrega parte de esta a R L cuando el diodo deja de conducir. De esta
manera, es mayor el tiempo durante el cual la corriente circula por RL lo que reduce la ondulacin a la
salida como muestra la figura 1.28.
Para la polaridad de vi mostrada, para Vm >> V y considerando que inicialmente el capacitor se
encuentra descargado, en t = 0 el diodo comienza a conducir y el capacitor a cargarse hasta que para
wt = /2 alcanza su valor mximo cercano a Vm. En este instante la corriente de carga del capacitor se
hace cero. Como Vi comienza a decrecer en el tiempo y la variacin del voltaje en el capacitor VC no es
tan rpida, el diodo se corta pues el ctodo est a un voltaje mas positivo que el nodo. Entonces C
comienza a descargarse a travs de RL como se muestra a continuacin.

Fig. 1.28 Formas de onda del RMO con filtro C.

Si C es de valor elevado, para el RMO el tiempo de descarga del capacitor (T2) es aproximadamente el
perodo T de la seal de entrada. La mayor corriente por R L circula en el instante que el diodo se corta
en que VC = Vm. El capacitor se descarga exponencialmente a travs de RL con una constante de
tiempo ( ) igual a RLC hasta que nuevamente vs > VC en que el diodo vuelve a conducir y se repone la
energa perdida en la descarga. Este proceso se repite indefinidamente en el RMO. Es de destacar que
el VPI por la presencia del capacitor es el doble que sin l, o sea 2Vm.

19

Con relacin a las corrientes que circulan, en un inicio que el capacitor est descargado, l se opone a
variaciones bruscas de su voltaje pero no de la corriente. Esto provoca que en t=0 donde C se comporta
como un cortocircuito, pueda circular una gran corriente conocida como de irrupcin (IFSM), solamente
limitada pos RS y Rf. De ser necesario para proteger al diodo, se le aade en serie una resistencia
limitadora (Rlim). Esta corriente pico no repetitiva se calcula para la condicin de peor caso de:

IFSM = Vm/(RS + Rf + Rlim)

Por otro lado, si se usara rectificacin de onda completa como muestra la figura 1.29, el tiempo de
descarga de C sera menor y aproximadamente T/2 para valores levados de C en que se cumpla que
T2 >> T1.
VNRmax = Vm
VNRmax = Vm
VNRmin = Vm - Vr

VNRmin = Vm - Vr

Fig. 1.29 Formas de onda del ROC con filtro C.

1.8.2.1 Voltaje de ripple. Se define como voltaje de ondulacin de ripple (Vr) a la desviacin total
(pico a pico) del voltaje en RL debido a la descarga del capacitor. Como variacin del voltaje de salida
ocurre alrededor de un valor promedio VDC, se utilizara la siguiente expresin para definir el modelo
aproximado del rectificador (RMO ROC) con filtro C:

VDC = Vm - Vr/2
La fundamentacin de este modelo se basa en que para valores elevados de C en que wRLC >>1, la
descarga exponencial de este puede considerarse como lineal. Para expresar a Vr en funcin de IDC y de
C, se considerar como aproximacin que durante el tiempo T2 en que el diodo no conduce, el
capacitor se descarga con una corriente constante IDC, por lo que la cantidad de carga que pierde es
IDCT2 para un cambio de voltaje en el capacitor de Vr. De donde:

Vr = Q/C = IDC T2/C

Mientras mayor sea el valor de C, mejor es el filtraje y ms plana es la seal V o, por lo que Vr ser
menor. Para esta condicin T1 << T2 por lo que T2 se aproximar a T/2 para el caso del ROC y a T para
el caso de RMO. Como T=1/f, donde f=60 Hz en Cuba, el voltaje de ondulacin se puede estimar de:
En el ROC: Vr = IDC / 2fC, Ro=1 / 4fC y se modela como: VDC = Vm - IDC / 4fC.
En el RMO: Vr= IDC / fC, Ro=1 / 2fC y se modela como: VDC = Vm - IDC / 2fC.
Como se observa, se cumple que Vr/2=IDCRo. El voltaje de ondulacin vara directamente proporcional
a IDC e inversamente proporcional con C. Los valores de estos capacitores electrolticos son altos
(mayores de 100 F) y debe respetarse su polaridad. Del modelo aproximado se nota que a menor valor
de RL en que se incrementa IDC, menor ser VDC y mayor Vr.

20

La corriente pico repetitiva (IFM) que circula por el diodo al conducir durante el intervalo T1, se calcula
realizando las siguientes aproximaciones: Al ser T2>>T1. como en estado estacionario la carga
entregada por el capacitor en T2 (IDCT2) debe ser recuperada en T1 (IFMT1), esta corriente que carga a C
se considerar constante y con valor IFM >> IDC. De la condicin de cargas antes planteada, se obtiene
que:
IFM T1 = IDC T2 donde T2 es igual a T para el RMO y a T/2 para el ROC.
Se puede demostrar que T1 se calcula para el modelo planteado donde la seal para el estado
estacionario vara entre un valor mximo de Vm para wt1= /2 y un valor mnimo de (Vm-Vr) para wto,
de acuerdo con la expresin:

T1 = 1/w(2Vr/Vm)1/2
1.8.2.2 Circuito equivalente del rectificador con filtro C
El circuito equivalente que representa a estos dos rectificadores con filtro C mostrado en la figura 1.30,
es el mismo de la figura 1.23 pero con V= Vm y su correspondiente valor de Ro. Tambin del modelo
empleado se destaca que para las aproximaciones realizadas Vr/2 es igual a IDCRo.

VDC = Vm - Vr/2 = Vm - IDCRo

Figura 1.30. Circuito equivalente del rectificador con filtro C.

Como el rectificador con filtro C es muy utilizado por ser econmico, basado en las consideraciones
antes expresadas se calcular siempre a la salida el voltaje promedio VDC alrededor del cual aparece la
variacin Vr/2, o sea, el nivel de salida ser (VDC Vr/2). Como se ver a continuacin esta es la seal
de entrada del regulador de voltaje, que como se constituye el ltimo sub-bloque de la fuente de
alimentacin.

1.8.3 Estabilizador o Reguladores de voltaje

Una fuente de alimentacin no regulada consta de un transformador, un rectificador y un filtro.
Hay tres razones por las cuales tal sistema sencillo no es suficientemente bueno para algunas
aplicaciones debido a:
Su mala regulacin, su voltaje de salida no es constante al variar la carga.
El voltaje de Corriente directa (VCD) vara directamente con la entrada de alterna.
El VCD puede variar con la temperatura.
Para eliminar o disminuir estos aspectos sealados anteriormente, se emplea un circuito electrnico
denominado regulador. Dicho circuito da a su salida un voltaje regulado, o sea, el voltaje permanece
prcticamente constante, por lo que el voltaje de ripple es muy pequeo.
Lgicamente que el voltaje regulado va a depender de la caractersticas del regulador.
Un elemento bsico en los reguladores son los diodos Zener

21

1.8.3.1 Diodo Zener. Principio de operacin.

Se fabrican diodos del tipo Zener, cuya operacin fundamental es con la polarizacin inversa
trabajando en la regin de ruptura de su caracterstica de salida. El voltaje de ruptura VZ caracteriza
esta regin como muestra la figura 1.31.

Figura 1.31 Caracterstica I-V del Zener.

Los diodos Zener se usan como elementos de referencia de voltaje, pues mantienen entre sus terminales
un voltaje casi constante a pesar de que la corriente a travs del mismo pueda tener variaciones
relativamente grande. Para lograr esto en su diseo y construccin, se debe garantizar que su resistencia
incremental rZ en esta regin de operacin sea muy pequea y que soporte la disipacin de potencia a
que est sometida. La mxima corriente permisible (IZM) en la regin de regulacin del Zener, limita la
mxima densidad de potencia soportable por ste.
Por otro lado, el diodo Zener mantendr un voltaje de referencia casi constante entre sus terminales
siempre que se garantice que la corriente que circula a travs del diodo sea superior a la corriente IZK
que delimita el codo de la curva a partir del cual su voltaje -VZ es casi constante.
1.8.3.2 Mecanismos de ruptura. Los mecanismos fsicos que provocan la operacin en la regin de
ruptura de estos diodos son dos: avalancha y Zener. Aparecer un mecanismo u otro en dependencia
del nivel de dopaje de las uniones.
En un diodo polarizado en inversa, al aumentar el voltaje se incrementa el campo elctrico a travs de
la ZCE. Los portadores minoritarios generados trmicamente en esta zona que superan la barrera de
potencial, adquieren tal velocidad que al chocar con la red cristalina provocan rupturas de los enlaces
covalentes. Se produce una ionizacin en la ZCE apareciendo la generacin de pares electrn-hueco. El
campo aplicado provoca que el hueco generado en la parte N de la ZCE sea inyectado a la parte P,
mientras que el electrn generados en su parte P pase a travs de la unin metalrgica a la parte N.
Estos portadores minoritarios inyectados debido al campo aplicado, pueden adquirir una energa
cintica tal que al chocar con la red cristalina crean nuevos pares de electrn-hueco. Como cada nuevo
portador que se genere, puede producir portadores adicionales al chocar con la red, este proceso
acumulativo se conoce como multiplicacin de avalancha. Esto provoca grandes corrientes de inversa y
el diodo se dice que opera en la regin de ruptura por avalancha. Este mecanismo de ruptura ocurre en
diodos ligeramente dopados por lo que VZ resulta relativamente alto (mayor de 6V) y con un
coeficiente de temperatura positivo.
Si se incrementa el nivel de dopaje de las regiones N y P del diodo, se puede reducir el valor de V Z. Sin
embargo, a medida que VZ disminuye y alcance un valor cercano a 6V, aparece otro mecanismo
denominado ruptura zener. El mecanismo de ruptura zener ocurre cuando la intensidad de campo

22

elctrico en la ZCE alcanza valores tan alto como 2x107 V/m, en que el campo es capaz por s mismo
de romper los enlaces covalentes de la ZCE. De nuevo el hueco es arrastrado al lado N y el electrn al
P. Esto provoca que circule una corriente de inversa grande a travs de la unin la cual aumenta
bruscamente con un pequeo incremento del voltaje de inversa. Como ya se dijo, el VZ obtenido para
este caso es menor de 6V y su coeficiente de temperatura es negativo.
El funcionamiento en la regin de ruptura de los diodos Zener, que operen bajo el mecanismo de
avalancha o Zener, no lo perjudica en modo alguno siempre que no se excedan los lmites de mxima
disipacin permisible dada por el fabricante. Controlando adecuadamente el nivel de dopajes de las
uniones se obtienen valores de VZ entre 1V y 200V as como disipaciones de potencia hasta de 50W.
1.8.3.3 Parmetros del diodo Zener. Los principales parmetros que caracterizan al diodo zener son:
IZK corriente de codo o mnima de regulacin.
IZM corriente mxima permisible
VZ voltaje de ruptura nominal.
rZ resistencia incremental en la regin de ruptura.
PZM disipacin de potencia permisible.
CT coeficiente de temperatura de VZ.
En la regin de ruptura del Zener, se produce un ligero incremento de VZ cuando se incrementa la
corriente inversa que circula por ste, debido a la existencia de la resistencia dinmica o incremental r Z.
El valor de rZ en la regin de regulacin del diodo en que la corriente inversa es mayor que IZK y menor
que IZM, es aproximadamente constante aunque en realidad decrece ligeramente al incrementarse esta.
Su valor tpico es de algunos y debe ser lo menor posible para lograr una adecuada regulacin de
voltaje. La operacin del Zener en la regin del codo cuando aparece la ruptura es muy ruidosa por lo
que se acostumbra a disear con valores algo mayores que IZK. Por otro lado, si el fabricante no
especifica el valor de IZK se estima entre el 5% y el 10% de IZM.
El valor de VZ vara con la temperatura. El coeficiente de temperatura de VZ (CT) se define como el
cambio en % de VZ por cambio en oC de la temperatura del Zener. Puede ser positivo negativo como
ya se vio y su valor tpico est en el rango de 0.1%/oC. Si VZ > 6V donde predomina la ruptura por
avalancha, CT > 0. Si VZ < 6V donde domina la ruptura Zener, CT < 0. El cambio resultante en el valor
de VZ debido a la variacin en la temperatura ( T = T - TA), se calcula de:
VZ = VZ- VZ = CTVZ T/100
A continuacin se presentan las caractersticas de diferentes diodos Zener comerciales:
Tipo
VZ a IZ
KC119A 1.71/2.09V a 10mA
KC191C
9.1V a 10mA
KD482A
8.2V a 5mA
KD510A
10V a 5mA

rZ a IZ
IZM
IZK
15 a 10mA 100mA 1mA
18 a 10mA 20mA 3mA
25 a 5mA
96mA 1mA
25 a 5mA
79mA 1mA

PZM
-0.2W
1W
1W

Existen diodos de referencia compensados en temperatura con valores de V Z virtualmente constante

sobre un rango de temperatura amplio. Se integran por la combinacin de un diodo Zener en inversa
con CT > 0 conectado en serie con un diodo en directa con CT < 0 como muestra la figura 1.32. Como

23

ejemplo de esta referencia est el 1N8341 de la Motorola, de silicio con VZ = 6.2V, rZ =10
0.005 %/oC a 7.5 mA en un rango de -55C a 100C.

y CT =

Figura 1.32 Diodo de referencia.

1.8.3.4 Modelos del diodo Zener.

El modelo equivalente de un Zener que opera en la regin de ruptura para CD y en pequea seal se
muestra en la figura 1.33.

a)

Figura 1.33 Modelos del Zener a) en directa y b) incremental.

El valor de rZ se busca en los catlogos o se calcula del recproco de la pendiente de la caracterstica
inversa del diodo en regulacin para el rango de operacin. CT representa la capacidad de la unin que
depende del rea del diodo y vara inversamente con la raz cuadrada del voltaje de inversa aplicado.
Para los diodos Zener de potencia puede valer hasta 10000 pF.
1.8.3.5 Reguladores de voltaje paralelo con diodo Zener.
La aplicacin ms evidente del Zener, lo constituye el regulador de voltaje paralelo, en que el diodo se
conecta en paralelo con la carga RL. En esta conexin se trata de mantener el voltaje de salida al valor
aproximado de VZ, independientemente de las variaciones del voltaje no regulado de entrada, de la
corriente por la carga y la temperatura. Esto se logra fcilmente siempre que rZ sea pequea. El Zener
puede ser usado en el regulador de voltaje paralelo, pero presenta limitacin por su capacidad de
corriente y de disipacin de potencia admisible. En este circuito, el Zener debe que ser capaz de
soportar una corriente superior a la mxima que circule por la carga. Existen otros tipos de reguladores
tipo serie o con realimentacin negativa en que se eliminan estos inconvenientes como se ver
posteriormente.
En la figura 1.34 se representa por su circuito equivalente al rectificador con filtro C y al regulador
paralelo donde el generador equivalente de entrada es de valor Vm; Ro representa la resistencia interna
del rectificador con filtro C de valor 1/4fC para el ROC y 1/2fC para el RMO de acuerdo con su
ecuacin de regulacin. RA representa la resistencia limitadora que determina la corriente de entrada al
regulador.

24

Figura 1.34 Circuito equivalente del rectificador y regulador.

El voltaje no regulado a la entrada del regulador (VNR), toma en cuenta todas las variaciones que
sufre el voltaje en la lnea de CA y por ripple en el rectificador. El valor del VNR, de acuerdo con las
aproximaciones realizadas para los rectificadores con filtro C, se expresar como (VDC Vr/2).
Debe quedar claro que se puede analizar el regulador a partir del VNR que vara aproximadamente
entre Vm y (Vm - Vr) , donde RA ser quin limite a la corriente I = IZ + IL. Planteando las ecuaciones
de malla en el circuito equivalente se tiene que:
Vm = (IZ + IL)R + Vo
Vo = ILRL = IZrZ + VZ

donde R = Ro + RA

Despejando IL y sustituyendo en la expresin anterior de Vm se tiene que:

IZ = {Vm - (1 + R/RL)VZ} / {rZ + R(1 + rZ/RL)}

(1)

Esta expresin (1) da la posibilidad de calcular la corriente por el Zener para un rectificador y un
regulador paralelo dado si se conoce el valor de Vm, que en dependencia con las variaciones del voltaje
de lnea puede tener un valor mximo o mnimo. Si rZ es muy pequea, la corriente que circula por RA
es casi constante al igual que Vo.
Si se analiza la ventaja de este regulador frente al rectificador con filtro C, se destaca que la variacin
del VNR ser mayor a medida que aumente IDC producto de la cada en su Ro. En cambio, el aadir al
Zener en paralelo con la carga RL, la variacin total del voltaje de salida se reduce pues con relacin a
la carga su nueva resistencia interna es (R ll rZ ), de valor mucho menor.
Anlisis de casos extremos:
Si RL es constante, se deduce de la ecuacin anterior que IZ es mxima cuando Vm sea mxima y
viceversa. Por otra parte, con Vm constante para RL mnima (que corresponde con IL mxima), la IZ es
mnima y viceversa.
Mientras menor sea rZ ms constante permanece Vo. En general rZ es de algunos Ohm por lo que si se
considera la salida casi constante, toda la variacin de Vm se cae en R.

25

Por ltimo, como I es aproximadamente constante, cuando IZ es mxima, IL es mnima y viceversa. La

IZ mxima en caso peor ocurre para Vm mxima y viceversa.
De acuerdo con este anlisis, se pueden plantear las siguientes ecuaciones:
Vo max = Vm max (IZ max + IL min)R
Vo min = Vm min (IZ min + IL max)R

(2)
(3)

De cualquiera de estas expresiones se puede calcular el valor de R que limita la corriente I que es casi
constante si rZ es pequea. Como mtodo de diseo se recomienda calcular R de la expresin (3), para
garantizar que circule por la carga la IL mxima deseada y que la disipacin de potencia en el Zener sea
mnima.
Como caso peor se calcula RL min cuando Vm y VZ sean mnimos, de acuerdo con:
RL min = Vo min / IL max
Vo min = (VZ + IZ minrZ)

(VZ min)

Con la ecuacin (2) se comprueba que el diseo cumple con la condicin de que IZ max sea menor que la
IZM especificada por el fabricante. Para el caso peor en que IL min=0, se obtiene que la corriente mxima
promedio por el Zener es:
IZ max = (Vm max VZ) / (R + rZ)

(VZ min)

De donde:
Vo max = (VZ + IZ maxrZ)

(VZ max)

Como caso peor la potencia disipada por el zener se calcula de:

PZ max = IZ max(IZ maxrZ + VZ) < PZM
En lo adelante, se emplear la notacin IZ min para el valor mnimo promedio al analizar el
comportamiento de CD del regulador, que para caso peor sale de:
IZ min = (Vm min VZ IL maxR) / (R + rZ)

(VZ max)

El valor IZK que da el fabricante, garantiza la operacin del Zener en la zona de regulacin fuera de la
curvatura en su caracterstica de ruptura. Por tal motivo, en ningn momento la IZ instantanea por el
zener puede ser menor que IZK si se quiere mantener la regulacin. Por tanto, para el diseo del
regulador se emplear IZ min inst = IZK, que es la corriente mnima instantnea que circula por el Zener
cuando el voltaje instantneo VNR alcance su valor mnimo de (VDC Vr/2), o lo que es lo mismo
(Vm- Vr) de acuerdo con el modelo empleado.
Como Vr = 2IDCRo, de la expresin (3) se obtiene que con IZK se puede calcular el valor de RA mximo
que asegure que el Zener no salga de regulacin:
2Ro + RA max = (Vm min Vo min) / (IZK + IL max)
Adems, para un circuito ya diseado se puede calcular el valor de IZ min inst de:

26

IZ min inst = [Vm min VZ IL max(2Ro+ RA)] / [(2Ro+ RA) + rZ]

(VZ max)

1.8.3.6 Variacion del voltaje de salida del regulador con diodo Zener paralelo.
Depende de tres factores: el voltaje de entrada Vi, la corriente de carga IL y la temperatura T:
Vo = f(vi, IL, T). La variacin total de vo se representa matemticamente como:
vo = dvo/dvi( vi) + dvo/dIL( IL) + dvo/dT( T) = SV vi + Rsal IL+ ST T
donde SV se conoce como factor de estabilizacin del voltaje de lnea ( 0.5% para un cambio de 10%
en la lnea); Rsal es la resistencia de salida equivalente de Thevenin del regulador que se calcula al
eliminar RL, conectar un generador de voltaje V a la salida y cortocircuitar todas las fuentes de voltaje
independientes; CT es el coeficiente de variacin de vo con la temperatura (no normalizado). A menor
valor de estos tres coeficientes, mejor ser la regulacin de vo.
Para el anlisis de la variacin de vo con vi, que depende fundamentalmente de las variaciones de VNR
y del valor de rZ, en la figura 1.35 se muestra el modelo incremental resultante al cortocircuitar las
fuentes de voltaje constante.

Vro = Vrc[(rZllRL)/(RA+ rZllRL)] = SVVrc

Si rZ<<RL:

SV = rZ/(R+ rZ)

Figura 1.35 Modelo incremental para el clculo de SV.

Para minimizar las variaciones de vo con variaciones de vi , RA debe ser mucho mayor que rZ.
Por otro lado al variar IL, vara vo pues IZ tiene que cambiar, alterando la cada en rZ Esto se representa
por Rsal que del circuito equivalente de Thevenin mostrado en la figura 1.36, se tiene que:
Rsal = V/I = rZllR

Figura 1.36 Modelo incremental para el clculo de Rsal.

Si se considera que la temperatura es constante (ST = 0) y se analiza la variacin total del voltaje de
salida ( vo) debido al ripple en el capacitor (Vrc) y a la variacin de la corriente por la carga expresada
por IL = (IL max IL min), se tiene que:
vo = Vrc[(rZllRL)/(RA+ rZllRL)] + (rZllR) IL
De esta ltima expresin se ve que el parmetro que optimiza simultneamente a S V y a Rsal es la rZ
del Zener seleccionado, que debe tener el valor mnimo posible.

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28

EJERCICIOS

MONOGRAFIA

EL DIODO SEMICONDUCTOR

1.9 Ejercicios
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule: a) el punto de operacin del diodo. b) la corriente
instantnea mxima y el voltaje correspondiente del diodo para v1 > 0. c) el voltaje mximo y la
corriente del diodo para v1 < 0.
Datos: Diodo de silicio: = 1, Is = 10-13 A; VT = 25 mV, v1 = 4 cos wt [V]
Respuesta: a) IDQ = 13.6mA, VDQ = 0.64V b) Idmax = 53.25mA, Vd = 0.675V
c) Id = -Is, Vd = -2V

Figura 1

Figura 2

2. En el circuito mostrado en la figura 2, calcule el voltaje y la corriente por el diodo para:

a) T = 25 oC b) T = 125 oC c) T = 75 oC.
Datos a 25 oC: Diodo de germanio = 1, Is = 0,1 A, VR = 40 V
Respuesta: a) ID = -0.1uA, VD = -9.9V b) Id = 9.996uA, Vd = 3.523mV (en inversa)
c) Id = -3.2uA, Vd = -6.8V
3. Determine el valor del voltaje de inversa para el cual la corriente por el diodo alcanza el 90 % del
valor de IS. Considere = 1 y VT = 26 mV.
Respuesta: VD = -0.06V
4. En el circuito de la figura 3, calcule la corriente y el voltaje de cada diodo a 300K.
Datos: Diodo D1 de Silicio con IS = 0,1 A y Diodo D2 de germanio con IS = 2 A.
Respuesta: ID1 = ID2 = 2uA, VD1 = 77.5mV, VD2 = 9.92V
5. En el circuito mostrado en la figura 4, calcule el voltaje y la corriente por el diodo para: a) T = 25 oC
b) T = -10 oC c) T = 75 oC. d) recalcule los tres incisos anteriores si se invierte la polaridad de la
batera.
Datos a 25 oC: Diodo de germanio = 1, Is = 2 A, VR = 40 V
Respuesta: a) IDQ =14.45uA, VDQ =55mV, b) IDQ = 14uA, VDQ = 0.1V, c) IDQ =14.94uA,
VDQ= 6mV
Si se invierte la bateria el diodo queda en inversa
a) ID =IS =2uA, VD = -1.3V, b) ID = IS = 0.1768uA, VD = -1.482V, c) ID = 15uA, VD = -8mV

Figura 3

Figura 4

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A. Lastres, A. Torres y A. Agnes

6. En el circuito mostrado en la figura 5, calcule empleando el modelo de gran seal del diodo: a) el
punto de operacin del diodo. b) la corriente instantnea mxima y el voltaje correspondiente en el
diodo para v1 > 0. c) el voltaje mximo y la corriente del diodo para v1 < 0.
Datos: Diodo: V = 0.5 V, Rf = 10 , Rr = ; VT = 25 mV, v1 = 4 cos wt [V]
Respuesta: a) IDQ = 13.6mA, VDQ = 0.636V b) Idmax = 50mA, Vd = 1V
c) Id = -Is, Vd = -2V

Figura 5

Figura 6

7. En el circuito mostrado en la figura 6, calcule el voltaje de salida Vo empleando el modelo de gran

seal del diodo para las siguientes condiciones: a) V1 = V2 = 0 V; b) V1 = 5 V y V2 = 0 V; c) V1 =
V2 = 5 V.
Datos: V = 0,6 V, Rf = 10 , Rr = .
Respuesta: a) Para V1 = V2 = 0, ninguno de los diodos conduce por lo que no circula corriente por
RL, entonces Vo = 0, b) Para V1 = 5V y V2 = 0, el diodo D1 conduce y D2 estar cortado, ID1 = IRL =
0.22mA, Vo = 3.96V c) Para V1 = V2 = 5V , D1 y D2 conducen IL = 0.232mA, Vo = 4.176V
8. En el rectificador de onda completa de la figura 7, calcule: a) los valores de C y de VS (rms) en el
secundario del transformador, para obtener un voltaje de salida de CD de 12V con una ondulacin pico
a pico de 1V para una corriente de carga IDC = 0.3A, b) el voltaje de salida sin carga (RL= ) y la
resistencia de salida que ve RL.
Respuesta: a) C= 2500uF, Ro = 1.66, Vs (rms) = 8.83V, b) Vo sin carga = Vm = 12.5V y la Ro que
ve RL es Ro = 1.66 .
9. En el circuito de la figura 7, calcule: a) el valor necesario de C para obtener un voltaje de
ondulacin pico a pico inferior a 0.5V y el valor de la resistencia interna del ROC con filtro C. b) los
valores mximo y mnimo del VNR.
Datos: VS = 6V (rms) y RL= 80 .
Respuesta: a) C= 1700uF, Ro = 2.45, b) VNRmax = 8.4V, VNRmin = 7.9V
10. En el circuito de la figura 8 si el voltaje del secundario del transformador es vs = 15senwt:
a) dibuje la forma de onda del voltaje a la salida y calcule: b) la resistencia interna del RMO con filtro
C. c) la corriente y el voltaje de CD en la carga. d) el voltaje de ondulacin a la salida. e) el VPI que
debe soportar el diodo.
Datos: C = 500F y RL = 50 .
Respuesta: a) Ro =16.67 , b) IDC = 0.225A, VDC = 11.25V, Vr = 7.5V, VPI = Vm = 15V

30

Figura 7

Figura 8

11. El circuito de la figura 9 suministra una corriente a la carga R L que varia entre 0 y 15 mA.
Considere que el diodo D1 es ideal. Explique su principio de operacin. Calcule: a) los valores
mximos y mnimos de CD del voltaje de salida, del voltaje del capacitor y de la corriente por el Zener
asi como de RL. b) La potencia mxima disipada por el Zener. c) Compruebe que el Zener no sale de
regulacin.
Datos: VZ = 10V, rz = 15 , IZK = 1mA, IZM = 50mA, vs = 18senwt V .
Respuesta : a) para IL = 0 (RL =), Izmax = 17.33mA < IZM, Vo(CD)max = 10.26V, VDC = 17.71V
Para IL = 15mA (RLmin), Izmin = 2.8mA, VDC = 17.7V, Vo(CD)min = 10.04V, RLmin = 669.3,
b) Pzmax = 177.8mW, c) Izmininst = 2.19mA > IZK
12. Repetir el problema anterior si se cambia el rectificador de media onda con filtro C por un
rectificador de onda completa de dos diodos con filtro C, manteniendo igual el resto de las
componentes del circuito.
Respuesta : a) para IL = 0 (RL =), Izmax = 17.65mA < IZM, Vo(CD)max = 10.26V, VDC = 17.85V
Para IL = 15mA (RLmin), Izmin = 3.14mA, VDC = 17.85V, Vo(CD)min = 10.05V,
b) Pzmax = 181.17mW, c) Izmininst = 2.83mA > IZK
13. El circuito de la figura 10 suministra una corriente a la carga RL que varia entre 0 y 20mA.
Considere que los diodos D1 y D2 son ideales. Calcule: a.) Los voltajes mximo y mnimo CD en la
salida y en el capacitor. b.) La potencia mxima disipada en el Zener. c.) Compruebe que el Zener no
sale de regulacin.
Datos: VZ = 8V, rZ = 6 , IZK = 3mA, IZM = 50mA, Vs (rms) = 13 10%
Respuesta : a) Izmax = 38.8mA,Vo(CD)max = 8.23V, Vcmax(DC) = 19.88V, Izmin = 7.4mA(CD),
VDCmin = 16.27V, Vo(CD)min = 8.04V, b) Pzmax = 319.4mW, c) Izmininst = 6.7mA> IZK

Figura 9

Figura 10

14. Un rectificador de onda completa con filtro C proporciona a la salida un voltaje VNR de 28.4 1.6
V que alimenta al regulador de voltaje paralelo mostrado en la figura 11. Calcule: a) El valor de R A
si C = 320 F para que IL vare entre 0 y 100mA. b) La disipacin de potencia mxima en el Zener. c)
La variacin mxima del voltaje de salida si la temperatura es constante.
Datos: VZ = 8V, rZ = 10 , IZK = 20mA, IZM = 150mA
Respuesta : a) RAmax = 155, b) Pzmax = 1.18W, Vomax = 9.27V,

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15.- En el circuito de la figura 12, la corriente por la carga vara entre 0 y 15 mA. La ondulacin en el
nodo A debe ser inferior a 2V pico a pico. Calcule: a) los valores de R A y C. b) PZ max e IZ min para los
valores de RA y C calculados. c) la ondulacin mxima en la carga para T constante.
Datos: Vs = 20V (rms), VZ = 12V, rZ = 5 , IZK = 5mA.
Respuesta : a) RA = 708.8 (0.68K), C 92.45uF (100uF) b) IZmax = 22.29mA, Pzmax = 270mW,
IZmin = 7.45mA,

Figura 11

Figura 12

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BIBLIOGRAFIA

MONOGRAFIA

EL DIODO SEMICONDUCTOR

Microelectronics. Millman and Halkias

33

A. Lastres, A. Torres y A. Agnes