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2.1.3 Diagrammi di fase: s = (L-x_i)/(L-S) regola della leva. Si considera una quantit
unitaria del sistema totale, s frazione solida (1-s) frazione liquida. Bsolida: B=sS,
Bliquida: B=(1-s)L.
x_i = sS + (1-s)L
Sistema completamente miscibile: interstiziale e sostituzionale => regole di Hume
Rothary:
-A e B dimensioni simili
-A e B struttura uguale
-A e B simile elettronegativit
-A e B simile valenza
2.2 SUPERFICI E INTERFACCE
2.2.1 Tensione superficiale ed energia superficiale: -dWs = dGs = gamma*dA
gamma=(dGs/dA)|T,P
2.2.2 Propriet delle superfici curve: DELTAP = 2gamma/r [= 2gamma*cos(th)/R =
rho*g*h]
DELTAP influenza:
- tensione di vapore p: RTln(p1/p0) = 2gamma*V/r => p1/p0>1 se r>0 convessa
- solubilit s: RTln(s1/so) = 2gamma*V/r => s1/s0>1 se r>0 convessa
- concentrazione vacanze c: c1/c0 = 1- gamma*a^3/(kTr) => c1/c0>1 se r<0 concava
2.2.3 Interazioni liquido-liquido e solido-solido: gamma12/sin(th3) = gamma13/sin(th2)
= gamma23/sin(th1)
=> gamma12 = gamma13 = gamma23 implica th1=th2=th3=120
2.2.4 Interazioni liquido-solido e solido-solido: gammaS = gammaSL +
gammaLcos(TH) => cos(TH) = (gammaS - gammaSL)/gammaL angolo di bagnabilit.
3. ASPETTI CINETICI
3.1 MOBILITA' ATOMICA
3.1.1 Meccanismi di diffusione nello stato solido: -per vacanze -scambio ciclico
3.1.2 Leggi di Fick:
I J=-D*(deltaC/deltaX) se stazionario
II deltaD/deltat = D*(delta^2C/deltaX^2) non stazionario
3.1.3 La diffusione come processo termicamente attivato: D=D0*e^(-Ed/RT) => lnD =
lnD0 - Ed/R*(1/T)
3.2 TRASFORMAZIONI DI BASE
3.2.1 Cristallizzazione di un liquido: quando ho un DELTAGv di sottoraffreddamento
3.2.2 Nucleazione omogenea: DELTAGr = 4*PI*r^2*gamma + 4/3*PI*r^3*DELTAGv =>
r* = - 2gamma/DELTAGv
Diagramma T su N(numero di nuclei su unit di tempo) a forma di naso perch
contributo nucleazione e diffusione.
3.2.3 Nucleazione eterogenea: DELTAGe = DELTAG*f(th) dove th:angolo di bagnabilit.
f(th) < 1 se th<180
3.2.4 Accrescimento: curva a naso pi alta di quella di nucleazione. a T vicine a Tf:
pochi grani grandi. a T pi basse: tanti grani piccoli.
3.2.5 Curve di raffreddamento e microstruttura di solidificazione: ricordati di A primaio
e eutettico.
Rilascio di energia: regione circolare intorno alla cricca: Energia totale rilasciata: We =
1/2 * PI*c^2*sig^2/E
Stime migliori We = PI*c^2*sig^2/E
Energia per generare superficie: Ws=4*c*gamma
Energia totale W=Ws - We = 4*c*gamma - PI*c^2*sig^2/E
Derivando => sig=radq(2*gammas*E/PI*c)
-Frattura fragile materiali che si deformano plasticamente:
sig=radq(E(2*gamma+gammap)/PI*c)
-Meccanica frattura lineare elastica: G=-dWe/dc, R=dWs/dc
sig_xx = K*f(r)*f(th) => K = Y*sig*radq(PI*c) fattore di intensit dello sforzo
K1^2 = GE => K1c = radq(G_cE) = radq(RE) tenacit di frattura
-Instabilit delle cricca: se G>R e dG/dc>= dR/dc
-Statistica di Weibull: distribuzione di Weibull: f(x)=mx^(m-1)*e^(-x^m)
Probabilit di sopravvivenza S=int_(sig/sig0)^inf(f(sig/sig0)d(sig/sig0))= exp(sig/sig0)^m
=> -lnln(1/S) = mln(sig0) - mln(sig)
N campioni, li riordino e calcolo S_j = 1- j-0,3/N+0,4
-Effetto volume sullo sforzo
Sopravvivenza di un campione con volume V0: S(V0)
Sopravvivenza di n campioni con volume V0: [S(V0)]^n => uguale alla probabilit di
sopravvivenza di un campione con volume V = nV0 => S(V) = [S(V0)]^(V/V0)
Se voglio che S(V1) = S(V2) => sig1/sig2 = (v2/v1)^(1/m)
Tanto maggiore m, tanto minore l'effetto del volume sullo sforzo.
Per il vetro: sig1/sig2 = (A2/A1)^(1/m)
-Se ho popolazioni multiple di difetti, le probabilit di sopravvivenza si moltiplicano.
4.1.5.3 Frattura duttile: cono e coppa
4.1.5.4 Tenacit e modulo di resilienza:
Tenacit: energia assorbita dal materiale nel processo che porta alla frattura
Modulo di resilienza: energia assorbita durante la deformazione elastica
Resilienza: energia che si registra nella prova del pendolo di Charpy per frattura fragile
4.1.5.5 Durezza e microdurezza:
durezza HB Brinell: penetratore sferico
HRC Rockwell: penetratore conico
HV Vickers: penetratore piramidale a base quadra, usata anche per la prova di
microdurezza.
4.2.2 Dilatazione termica: aumento ampiezza di oscillazione degli atomi intorno la
posizione di equilibrio. Avviene grazie all'assimmetria del potenziale interatomico.
alpha_l = 1/l*(deltal/deltaT)|P
4.2.3 Conducibilit termica: Fourier Q=-lambda*dT/dx
lambda = lamda_e + lambda_f
lambda = 1/3*n*cv*v*l dove v velocit media elettroni e fononi, l cammino libero
medio.
4.2.4 Tensioni di origine termica: eps = alpha*DELTAT eps_compressione = -eps
Se sforzo idrostatico eps_x=eps_y=eps_z=sig/E(1-2ni)
-triassiale: sig= -E*alpha*DELTAT/(1-2*ni)
-biassiale: sig= -E*alpha*DELTAT/(1-ni)
4.2.5 Shock termico: DELTAT causa gradienti termici all'interno del materiale che
inducono gradienti di tensione per la mancata deformazione del materiale per il
vincolo generato dallo stato adiacente.
-Serie di cicli risc/raffr fino a segni di cedimento
-Un unico ciclo e poi misura di resistenza del provino a rottura (diagramma resistenza
residua - DELTAT)
Si usano figure di merito per la previsione della resistenza.
4.3 PROPRIETA' ELETTRICHE E DIELETTRICHE
4.3.1 Conducibilit elettronica
J = sig E; resistivit rho = 1/sig. Se T aumenta, rho aumenta.
4.3.2 Se la banda di energia proibita che separa la banda di valenza da quella di
conduzione < 2eV, i solidi si comportano da semiconduttori.
-Semiconduttori intrinseci: portatori di corrente sono gli elettroni e le lacune
-Semiconduttori estrinseci: caratteristiche esaltate da presenza di impurezze. Se
conducono gli elettroni: semiconduttore di tipo n. Se conducono le lacune:
semiconduttore di tipo p.
4.3.3 Conducibilit ionica: migrazione di ioni sotto l'azione di un campo elettrico
(fenomeno diffusivo)
4.3.4 Comportamento dielettrico: dielettrici i materiali che aumentano la capacit di
un condensatore.
C0 = eps0*A/d
C = eps*A/d
Q/A = eps*V/d => D = eps E, dove eps=epsr*eps0 => D = eps0*E + P
Suscettivit dielettrica chi = epsr - 1
P = eps0*E*chi: polarizzazione
Meccanismi di polarizzazione:
-elettronico (deformazione nuvola elettronica rispetto al nucleo)
-ionico (spostamento relativo ioni di segno opposto)
-per orientazione (orientazione di dipoli permanenti in campo elettrico)
Corrente: I = I0cos(wt-delta), dove delta l'angolo di perdita, proporzionale al prodotto
epsr*tan(delta), detto fattore di perdita.
Rigidit dielettrica: gradiente di tensione massimo che il dielettrico pu sopportare
senza essere perforato.
4.4 PROPRIETA' MAGNETICHE
B = mu0*H nel vuoto, B = mu*H dove mu permeabilit magnetica del materiale.
mur = mu/mu0
B = mu0*H + mu0*M
chi = mur -1, sucettivit magnetica
Risposta al campo magnetico dovuta a momenti di dipolo magnetico che si allineano
sotto l'influenza del campo.
Momenti magnetici associati a ciascun elettrone: moto orbitale e spin.
-Diamagnetismo: mur < 1, risposta del materiale tende a opporsi al campo esterno
-Paramagnetismo: momenti magnetici permanenti che si orientano nella direzione del
campo magnetico. mur>1
5.3.5 Porcellane: Caolino quarzo feldspato 50/25/25. Cottura tra 1100C e 1450C.
Microstruttura: cristalli di quarzo e mullite in una matrice vetrosa.
Resistenza a compressione: 450-550MPa.
5.4 CERAMICI REFRATTARI Tf>1500C
5.4.1 Caratteristiche dei refrattari e relative prove:
-Peso specifico (PS assoluto sulla polvere, PV apparente sul volume) e pososit (PA
apparente: %volume pori aperti, PT totale: %volume pori aperti e chiusi
se diminuisce la posorit ho resistenza a corrosione, se aumenta ho isolamento
termico.
-Resistenza meccanica a freddo e a caldo
-Refrattariet piroscopica: coni Seger / refrattariet a caldo: provino di 50mm
sottoposto a compressione (importanti T inversione: il provino si contrae ma non si
dilata
e T rammollimento: altezza provino diminuita di 0.3 mm rispetto all'altezza massima).
-Comportamento al creep
-Propriet termiche: dilatazione (si determina alpha, occhio a trasformazioni di fase)
shock termico (cicli di riscaldamento e brusco raffreddamento).
-Resistenza alla corrosione: profondit attacco foro cieco contenente pastiglia di
scoria.
5.4.8 Refrattari del sistema silice-allumina:
-Caolinite (silico-alluminosi): 20-45% peso allumina (acidi)
-Sillimanite (alluminosi) 45-80% peso allumina
-Bauxite (super alluminosi) >80% peso allumina Al203.
Diminuisce la fase liquida sopra i 1590C all'aumentare di Al203.
<20% insufficienti caratteristiche refrattarie
>45% massimo contenuto di Al2O3 nelle argille caolinitiche.
5.4.9 Refrattari magnesiaci (basici): MgO fonde a 2800C. Lo ottengo da magnesite e
da acqua marina. Elevata refrattariet sotto carico Tr>1700C. Scarsa resistenza agli
sbalzi termici.
5.4.10 Refrattari elettrofusi: privi di porosit aperta. Refrattari mullitici, a base di
Al2O3, di MgO e refrattari AZS.
AZS: allumina, ossido di zirconio ZrO2 e silice (si inserisce anche Na2O per favorire
fase vetrosa). Elevata resistenza chimica.
5.5 MATERIALI CERAMICI AVANZATI STRUTTURALI
5.5.2 Meccanismi di tenacizzazione dei materiali ceramici
a) Interazioni della cricca con ostacoli posti sul suo cammino
a1) Deflessione della cricca: intensit sforzo effettivo Kp = Ka (cos(th/2))^3 dove Ka
intensit sforzo applicato, th angolo di deflessione medio: grani, particelle disperse nel
materiale.
a2) Incurvamento della cricca: particelle che agiscono da ostacolo alla propagazione
del fronte di cricca: questa si incurva, aumenta energia per formare superficie =>
aumenta K1c.
b) Riduzione del campo di tensione all'apice della cricca.
b1) Tenacizzazione per trasformazione. ZrO2 tetragonale metastabile => (energia di
attivazione grazi e a tensioni all'apice della cricca) ZrO2 monoclina stabile
Aumenta il volume: si chiude la cricca
1stadio: scompaiono i monomeri: specie reattive di maggior peso molecolare. PE, PP,
PVC, PTFE
2stadui; queste specie reagiscono formando specie con maggior peso molecolare. e
liberando una molecola di sottoprodotto. Nylon, Policarbonato, Resine epossidiche.
7.2 TECNOLOGIE DI PRODUZIONE DEI POLIMERI
Sono formati da:
-polimero
-cariche (migliorano propriet meccaniche)
-plasticizzanti (abbassano la Tg)
-stabilizzanti (aumenta la resistenza al deterioramento fisico-chimico)
-coloranti
-ritardanti di fiamma
Processi primari
-Continui: estrusione, filatura, calandratura
-Discontinui: stampaggio a iniezione e a compressione
Processi secondari
-Termoformatura
-Blow molding: bottiglie in PET, polietilene tereftalato.
7.3 PROPRIETA' MECCANICHE DEI POLIMERI
Analizzabili mediante il modello a quattro elementi
7.3.1 Deformazione elastica: sollecitazione legami forti e Van der Waals (T<Tg)
7.3.2 Deformazione elastomerica: (T>Tg): molecole molto aggrovigliate tendono ad
aggrovigliarsi. Si scaldano quando si allungano.
7.3.3 Deformazione plastica nelle regioni amorfe: spostamento relativo di
macromolecole: reptazione. No legami forti tra le molecole.
7.3.4 Deformazione plastica nelle regioni cristalline: scorrimento di lamelle, rottura di
cristalli e rigenerazione con configurazione orientata lungo lo sforzo.
7.3.5 Effetto del peso molecolare: all'aumentare del PM aumenta il numero delle
interazioni. Diagrammi T-PM con zone di solido vetroso, solido gommoso, liquido
gommoso, liquido viscoso,
oppure solido semicristallino, solido cuoioso, solido gommoso, liquido gommoso,
liquido viscoso.
7.3.6 Curve sforzo deformazione: E dipende dalla temperatura. Collo di strizione si
propaga a tutto il provino per allineamento delle macromolecole
Le curve sig-eps dipendono dalla velocit di deformazione: definisco sig/eps(t) modulo
viscoelastico.
7.3.7 Effetto della temperatura su modulo viscoelastico:
diagramma log modulo viscoelastico - temperatura
Polimero amorfo e semicristallino fondono diventano liquidi ad alta temperatura.
amorfo: plateau vetroso, poi il modulo viscoelastico cala a Tg per poi avere un plateau
gommoso.
semicristallino: cala il modulo viscoelastico inmodo raduale fino a quando il polimero
diventa fluido viscoso.
Polimero reticolato: non diventa liquido. Plateau vetroso prima di Tg, poi maggiore
libert di movimento delle catene e calo del modulo, che romane comunque alto.