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1 Histoire
La dcouverte du transistor bipolaire a permis de remplacer ecacement les tubes lectroniques dans les annes
1950 et ainsi d'amliorer la miniaturisation et la abilisation des montages lectroniques.
1
3 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
1.1
de puissance, utiliss par exemple dans les amplicateurs audio de puissance ou dans les alimentations
stabilises peuvent supporter, condition d'tre placs sur un dissipateur thermique adquat, plus de
100 W ;
Peu aprs la dcouverte de Bardeen et Brattain, Shockley tenta une autre approche base sur les jonction P-N,
une dcouverte de Russell Ohl remontant 1940. Les
travaux de Shockley ouvrirent la voie pour la ralisa la gamme de frquence : transistors pour frquences
tion des transistors bipolaires composs d'un sandwich
basses (fonctionnent correctement jusqu' quelques
NPN ou PNP. Toutefois, leurs fabrications posaient de
MHz), moyennes (jusqu' quelques dizaines de
rels problmes car les semi-conducteurs taient insufMHz), hautes (jusqu' quelques GHz), encore plus
samment homognes. Un chimiste du laboratoire Bell,
hautes (frquences maximales d'oscillation de pluGordon Teal, mit au point en 1950 un procd de puri[1]
sieurs centaines de GHz).
cation du germanium . Morgan Sparks, Teal et d'autres
chercheurs purent fabriquer des jonctions PN puis un
sandwich NPN.
La gure ci-contre montre le symbole et indique le nom
des 3 lectrodes des transistors. On peut donc distinguer
3 dirences de potentiel intressantes : VBE, VCE et
1.2 Amlioration des procds de fabrica- Vcb ; et 3 courants : courant de base IB, d'metteur IE et
tion
de collecteur IC. Cependant, ces 6 variables ne sont pas
indpendantes. En eet, on peut crire :
Les deux annes suivantes furent consacres la recherche de nouveaux procds de fabrication et de traiteVCE = VCB + VBE et IE = IC + IB
ment du germanium. Le silicium tait plus dicile travailler que le germanium en raison de son point de fusion
plus lev mais il orait une meilleure stabilit devant les Certains constructeurs proposent de nombreux rseaux
changements thermiques. Nanmoins, ce n'est pas avant de caractristiques, mais cette tendance est en voie de
1954 que le premier transistor en silicium put tre ra- disparition. De plus, il faut savoir que les paramtres tylis. En 1952[2] , les premiers appareils avec des transis- piques des transistors se modient avec la temprature, et
tors furent commercialiss. Les laboratoires Bell impo- varient fortement d'un transistor l'autre, mme pour le
srent leur savoir-faire durant toute la dcennie avec no- mme modle.
tamment la mise au point du masquage par oxyde par Carl
Frosch[3] . Cette technique orait des perspectives nouvelles pour la fabrication en masse des transistors en sili3 Principe de fonctionnement
cium. La photolithographie sur les plaques de silicium, un
procd dvelopp par Jules Andrus et Walter Bond en
1955, contribua fortement l'arrive de nouvelles techp
n++
n+
niques d'usinage plus prcises et ecaces. Encore aui
i
electrons
jourd'hui, la photolithographie constitue une tape cruE
C
i
i
i
ciale dans la ralisation des transistors.
i
trous
C
En
Ep
iB1
Types et symboles
iB2
recombinaison
B
vBE
iB
vCB
Les catalogues de transistors comportent un nombre lev de modles. On peut classer les transistors bipolaires Principe physique du transistor NPN
selon dirents critres :
Nous prendrons le cas d'un type NPN pour lequel les ten le type : NPN ou PNP. Ces deux types sont com- sions VBE et VCE, ainsi que le courant entrant la base,
plmentaires, c'est--dire que le sens des courants IB, sont positifs.
et tensions pour le PNP est le complment de ceux Dans ce type de transistor, l'metteur, reli la premire
du NPN. Les transistors NPN ayant en gnral des zone N, se trouve polaris une tension infrieure celle
caractristiques meilleures que les PNP, ils sont les de la base, relie la zone P. La diode metteur/base se
plus utiliss. La suite de l'article discutera donc uni- trouve donc polarise en direct, et du courant (injection
quement les circuits utilisant des transistors NPN ;
d'lectrons) circule de l'metteur vers la base.
la puissance : les transistors pour l'amplication de
petits signaux ne dissipent que quelques dizaines
ou centaines de milliwatts. Les transistors moyenne
puissance supportent quelques watts ; les transistors
3.2
Modle d'Ebers-Moll
3
page de la base. Une htrojonction peut aussi bloquer compltement le courant de trous, et autoriser
un dopage lev de la base.
Modle d'Ebers-Moll
3.1
Principes de conception
6.1
Polarisation
Lorsque le transistor est conducteur, la tension basemetteur Vbe est comprise entre 0,6 et 1 V.
Montages amplicateurs
R1
R2
6.1
Polarisation
R1 =
Vcc Vbe0
IbO
et :
La polarisation permet de placer le point de repos du transistor (tat du transistor lorsque l'on ne lui applique aucun
signal) l'endroit souhait de sa caractristique. La posiVcc Vce0
tion de ce point de repos va xer les tensions et courants R2 =
IcO
de repos nots IbO , IcO , Vce0 et Vbe0 ainsi que la classe
de l'amplicateur (A, B, AB ou C).
qui peut tre r-crite de la faon suivante :
Article dtaill : Classes de fonctionnement d'un amplicateur lectronique.
R2 =
Vcc Vce0
IbO
Du fait des capacits de liaison et de dcouplage, la relation courant/tension en sortie des montages transistor Ce schma simple soure toutefois d'un grand dfaut : les
est souvent dirente entre les rgimes statique et dyna- rsistances calcules dpendent fortement du gain en coumique. An d'tudier le comportement du montage lors rant du transistor. Or, ce gain en courant change d'un
6 MONTAGES AMPLIFICATEURS
transistor l'autre (et cela mme si les transistors pos- Si Req est petit devant ( + 1)R4 , la relation cousdent les mmes rfrences) et varie fortement en fonc- rant/tension peut scrire :
tion de la temprature. Avec un tel montage, le point de
polarisation du transistor n'est pas maitris. On lui prfre
(Veq Vbe0 )
donc des montages plus complexes mais dont le point de
I =
polarisation dpend moins du gain en courant du tran- cO
R4
sistor.
Le courant de polarisation est alors indpendant du gain
en courant du transistor et est stable en fonction de la
temprature. Cette approximation revient aussi choisir
R1 et R2 de faon que le courant qui les traverse soit
grand devant Ib0 . Ainsi, la tension applique la base
du transistor dpend peu du courant de base Ib0 .
+Vcc
R1
R3
+Vcc
R1
R3
C1
R2
R4
Ve
C2
Rl
R2
R4
C3
Pour viter ce problme, on a recours au schma complet indiqu ci-dessous. Les rsistances R1 et R2 forment
un diviseur de tension qui xe non plus le courant base
mais la tension entre base et le zro. La relation entre les
courants et tension peut scrire ainsi :
IcO =
(Veq Vbe0 )
Req + ( + 1)R4
avec :
Req =
R1 R2
R1 + R2
et
Veq = Vcc
R2
R1 + R2
Le schma complet d'un amplicateur metteur commun est reprsent sur la gure ci-contre. Compar au
schma utilis lors du calcul du point de polarisation, le
schma utilis comporte en plus les condensateurs de liaison C1 et C2, la capacit de dcouplage C3 ainsi qu'une
charge Rl.
Les condensateurs de liaison empchent les tension et
courant continus de se propager dans tout le montage et
de se retrouver en entre et en sortie ou de modier la polarisation des autres montages prsents dans le circuit nal. Les capacits de dcouplage permettent d'enlever
certains composants (ici R4) du montage dans une certaine gamme de frquence.
La valeur des condensateurs de couplage C1 et C2 est
choisie de faon que ceux-ci aient une impdance susamment faible dans toute la gamme des frquences des
signaux amplier :
par rapport la rsistance d'entre de l'tage pour le
condensateur C1 ;
6.2
par rapport la rsistance de charge pour le conden- La transconductance peut tre dnie comme suit : c'est
sateur C2 ;
la variation du courant collecteur due une variation de
la tension base-metteur ; elle sexprime en A/V. Elle
La valeur de C3 choisie de faon que son impdance soit est essentiellement dtermine par le courant continu
faible compare celle de R4 dans la gamme de fr- d'metteur Ie (x par le circuit de polarisation).
quence dsire.
Les condensateurs C1, C2 et C3 n'avaient pas t repr- 6.2 Puissance dissipe dans le transistor
sents jusqu' prsent, car ils possdent une impdance
innie au continu. La charge Rl n'tait, elle aussi, pas pr- Pour un montage amplicateur en classe A, la puissance
sente car le condensateur C2 empchait le courant conti- dissipe dans le transistor vaut :
nu d la polarisation de la traverser et donc d'inuencer
les caractristiques statiques du montage.
Ve
R1
R2
ib
Rbe
ic
P = Vce Ic + Vbe Ib
.ib
R3
Rl
Vs
G=
Vs
R3 Rl
=
Ve
Rbe (R3 + Rl )
S=
Ic
=
Ve
Rbe
NOTES ET RFRENCES
7.2.1 Exemple
Soit piloter une ampoule de 12W. Nous choisirons une
alimentation Ucc de 12 V, et un transistor capable de supporter le courant de l'ampoule, soit 1 A.
P = (Vce Ic + Vbe Ib ) RC
Vce , Vbe , Ic , Ib ont t dnis ci-dessus, RC est le rapport cyclique, cest--dire la fraction du temps durant laquelle le transistor est conducteur. Dans un fonctionnement en commutation, la puissance dissipe dans le transistor est beaucoup plus faible que celle dissipe dans la
charge. En eet, lorsque le transistor est bloqu, Ic et Ib
sont nuls et donc P vaut 0 ; et quand le transistor conduit,
Ic peut tre lev (jusqu' plusieurs ampres pour les
transistors de puissance) mais Vce est faible, c'est la tension de saturation (0,2 1 V). La puissance dissipe dans
la charge vaut, elle
P = ((Ucc Vce ) Ic ) RC
7.2
Applications
Le fonctionnement en tout-ou-rien est frquemment utilis pour piloter des charges telles que :
ampoules incandescence ; il faut utiliser des ampoules dont la tension nominale est gale ou lgrement suprieure Ucc (lorsqu'une ampoule est alimente par une tension infrieure sa tension nominale, elle claire moins mais sa dure de vie est
accrue) ;
Diode lectroluminescente ou DEL ; dans ce cas, la
diode est place en srie avec RL, cette dernire servant limiter le courant dans la diode ; la tension aux
8 Notes et rfrences
[1] (en) 1951 - First Grown-Junction Transistors Fabricated,
Computer History Museum
[2] (en) 1952 - Transistorized Consumer Products Appear,
Computer History Museum
[3] (en) 1955 - Development of Oxide Masking, Computer
History Museum
[4] Analyse et calcul de circuits lectroniques - Amplication
composants discrets. Editions Eyrolles, 1995, (ISBN 2212-09572-4)
9.2
Liens externes
Annexes
9.1
Articles connexes
Amplicateur lectronique
Eet Early
Montages amplicateurs :
Pour transistor bipolaire :
Base commune ;
Collecteur commun ;
metteur commun.
Pour transistor eet de champ :
Drain commun ;
Grille commune ;
Source commune.
9.2
Liens externes
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Images
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Licence du contenu
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