ESTRUCTURA CRISTALINA

RESUMEN
ORDENAMIENTOS
CELDA UNITARIA
o REDES de BRAVAIS
o CUBICA CENTRADA
o CUBICA CENTRADA en el CUERPO
o CUBICA CENTRADA en las CARAS
o HEXAGONAL COMPACTA
POLIFORMISMO Y ALEOTROPIA
IMPERFECCIONES en las REDES CRISTALINAS
o DEFECTOS PUNTUALES
HUECOS
INTERSICIALES
SUSTITUCIONALES
IMPORTANCIA de los DEFECTOS PUNTUALES
o DEFECTOS LINEALES
TIPOS de DISLOCACIONES
DE TORNILLO
DE BORDE

 MIXTAS
IMPORTANCIA de las DISLOCACIONES
o DEFECTOS de SUPERFICIE
MICROESTRUCTURAS
LIMITES de GRANO
CRISTALIZACION (Dentritas)
ENFRIAMIENTOS
De los METALES PUROS
De las ALEACIONES
EJEMPLO de DENSIDAD VOLUMETRICA

RESUMEN
La distribucin atmica en slidos cristalinos puede describirse mediante una red
espacial donde se especifican las posiciones atmicas por medio de una celdilla
unidad que se repite y que posee las propiedades del metal correspondiente.
Existen siete sistemas cristalinos basados en la geometra de las longitudes
axiales y ngulos interaxiales de la celdilla unidad, con catorce subretculos
basados en la distribucin interna de sta.
En los metales las celdillas unidad de las estructuras cristalinas ms comunes
son: cbica centrada en el cuerpo (bcc), cbica centrada en las caras ( fcc) y
hexagonal compacta (hcp) que es una variacin compacta de la estructura
hexagonal simple.
En estos sistemas cristalinos, las direcciones se indican por los ndices de Miller,
enteros positivos o negativos como [uvw], las familias de direcciones se indican

por los ndices uvw, los planos cristalinos se indican por los inversos de las
intersecciones axiales del plano, con la transformacin de las fracciones a los
enteros proporcionales, (hkl), la familia de los planos se indican {hkl}.
En los cristales hexagonales los planos cristalogrficos se indican como (hkil),
estos ndices son los recprocos de las intersecciones del plano sobre los ejes a1,
a2, a3 y c de la celdilla unidad hexagonal de la estructura cristalina; las
direcciones cristalinas en los cristales hexagonales se indican como [uvtw].
Utilizando el modelo de la esfera rgida para los tomos, se pueden calcular las
densidades atmicas volumtricas, planar y lineal en las celdillas unidad. Los
planos en los que los tomos estn empaquetados tan juntos como es posible se
denominan planos compactos. Los factores de empaquetamiento atmico para
diferentes estructuras cristalinas pueden determinarse a partir del modelo atmico
de esferas rgidas. Algunos metales tienen diferentes estructuras cristalinas a
diferentes rangos de presin y temperatura, este fenmeno se denomina alotropa.
Las estructuras cristalinas de slidos cristalinos pueden determinarse mediante
anlisis de difraccin de rayos X utilizando difractmetros por el mtodo de
muestra en polvo. Los rayos X son difractados por los cristales cuando se
cumplen las condiciones de la ley de Bragg.
Indice

ORDENAMIENTOS

FIGURA Los niveles del

arreglo atmico en los
materiales: (a) los gases
inertes no tienen un
orden regular en sus
tomos. (b, c) Algunos
materiales, incluyendo el
vapor de agua y el
vidrio, tienen orden en
una distancia muy corta.
(d) Los metales y
muchos otros slidos
tienen un orden regular
de los tomos que se
extiende por todo del
material.
Estructura Cristalina: se refiere al tamao, la
forma y la organizacin atmica dentro de la red
de un material.
Red : Conjunto de puntos, conocidos como puntos
de red, que estan ordenados de acuerdo a un
patron que se repite en forma identica.
Puntos de Red : Puntos que conforman la red
cristalina. Lo que rodea a cada punto de red es
identico en cualquier otra parte del material.
Celda Unitaria : es la subdivision de la red
cristalina que sigue conservando las
caracterisiticas generales de toda la red.

Redes espaciales de
Bravais:
14 celdas unidad
estndar pueden
describir todas las
unidades reticulares
posibles de puntos
equivalentes en una red
tridimensional.La
estructura cristalina se
especifica indicando la
adecuada malla de
Bravais y las posiciones
de los tomos en la celda
unitaria.
Parametro de Red :
Longitudes de los lados
de las celdas unitarias y
los ngulos entre estos
lados.
Numero de
Coordinacion : el
numero de atomos que
tocan a otro en
particular, es decir el
numero de vecinos mas
cercanos, indica que tan
estrechamente estan
empaquetados los
atomos.
Estructura cbica centrada
Formada por un tomo del metal en cada uno de
los vrtices de un cubo y un tomo en el centro.
Los metales que cristalizan en esta estructura son:
hierro alfa, titanio, tungsteno, molibdeno, niobio,
vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio.

Estructura cbica centrada en el cuerpo:

Cada tomo de la estructura, est rodeado por

ocho tomos adyacentes y los tomos de los
vrtices estn en contacto segn las diagonales del
cubo

Estructura cbica centrada en las caras:

Cada tomo est rodeado por doce tomos
adyacentes y los tomos de las caras estn en
contacto. Est constituida por un tomo en cada
vrtice y un tomo en cada cara del cubo. Los
metales que cristalizan en esta estructura son:
hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y
nquel.
Estructura hexagonal compacta
Esta estructura est determinada por un tomo en
cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal,
un tomo en las bases del prisma y tres tomos
dentro de la celda unitaria.
Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos
estn en contacto segn los lados de los
hexgonos bases del prisma hexagonal.
Los metales que cristalizan en esta forma de
estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio,
cobalto, circonio y cadmio.

Indice

IMPERFECCIONES EN LAS REDES CRISTALINAS:

Las imperfecciones se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo
alcance (grano) y se clasifican de la siguiente manera:
DEFECTOS PUNTUALES(puntos defectuosos):
Defectos puntuales: Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que
involucran uno o quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones,, pueden
ser generados en el material mediante el movimiento de los tomos al ganar
energa por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la
introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las aleaciones.
Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las
vacancias se crean en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o
como consecuencia de daos por radiacin. A temperatura ambiente aparecen
muy pocas vacancias, pero stas se incrementan de manera exponencial conforme
se aumenta la temperatura.
Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un
tomo adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura
cristalina. Los tomos intersticiales, aunque mucho ms pequeos que los tomos
localizados en los puntos de la red, an as son mayores que los sitios
intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece
comprimida y distorsionada. Los tomos intersticiales como el hidrgeno a
menudo estn presentes en forma de impurezas; los tomos de carbono se
agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el nmero de
tomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al
cambiar la temperatura.
Defectos sustitucionales: Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un
tomo por otro de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la
posicin original. Cuando estos tomos son mayores que los normales de la red,

los tomos circundantes se comprimen; si son ms pequeos, los tomos

circundantes quedan en tensin. En cualquier caso, el defecto sustitucional
distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto
sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado
deliberadamente y, una vez introducido, el nmero de defectos es relativamente
independiente de la temperatura.
IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES: Los defectos
puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos circundantes, distorsionando
la red a lo largo de quizs cientos de espaciamientos atmicos, a partir del
defecto. Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas generales de un
defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus
posiciones de equilibrio. Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo ms
alto para obligar a que la dislocacin venza al defecto, incrementndose as la
resistencia del material.
Indice

DEFECTOS LINEALES(dislocaciones) :
Defectos Lineales ( Dislocaciones):
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sera
perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de
solidificacin del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales hay
dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cermicos y los polmeros, son
de particular utilidad para explicar la deformacin y el endurecimiento de los
metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocacin de tornillo
y la dislocacin de borde.

Dislocacin de tornillo:
La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de
un cristal perfecto, torcindolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la
distancia de un tomo.
Dislocaciones de borde:
Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de
un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte con un plano
de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la
dislocacin de borde.
Dislocaciones mixtas:
Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo,
con una regin de transicin entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se
conserva igual para todas las porciones de la dislocacin mixta.
IMPORTANCIA DE LAS DISLOCACIONES:
Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede ocurrir
deslizamiento, el proceso de deslizamiento es de particular utilidad para entender
el comportamiento mecnico de los metales.
En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales
es mucho menor que el valor predecible a partir del enlace metlico. Si ocurre el
deslizamiento, slo es necesario que se rompa en algn momento una pequea
fraccin de todas las uniones metlicas a travs de la interfase, por lo que la
fuerza requerida para deformar el metal resulta pequea.

Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones

presentes, una barra de hierro sera frgil; los metales no podran ser
conformados utilizando los diversos procesos, que involucran la deformacin
para obtener formas tiles, como la forja.
En tercer lugar, controlamos las propiedades mecnicas de un metal o aleacin al
interferir el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el
cristal impedir que en una dislocacin se deslice, a menos que apliquemos
mayor fuerza. Si es necesario aplicar una fuerza superior, entonces el metal
resulta ser ms resistente. Estos obstculos pueden ser defectos puntuales o borde
de grano.
En cuarto lugar, se puede prevenir el deslizamiento de las dislocaciones
achicando el tamao de grano o introduciendo tomos de diferente tamao, que
son las aleaciones.
En los materiales se encuentran enormes cantidades de dislocaciones. La
densidad de dislocaciones, o la longitud total de dislocaciones por unidad de
volumen, generalmente se utiliza para representar la cantidad de dislocaciones
presentes. Densidades de dislocacin de 10-6 cm/cm3 son tpicas en los metales
ms suaves, en tanto que se pueden conseguir densidades de hasta 10-12
cm/cm3 deformando el material.
Indice
DEFECTOS PLANARES: (superficies externas y limite de grano)
DEFECTOS DE SUPERFICIE:
Modelo de cristalizacin en la solidificacin de metales
La estructura final resultante est constituida por un
agrupamiento de granos o cristales de forma irregular pero
guardando cada uno una orientacin fija y bien determinada.

Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material en
regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalogrficas
distintas, y la superficie externa de un material. En las superficies externas del
material la red termina de manera abrupta. Cada tomo de la superficie ya no
tiene el mismo nmero de coordinacin y se altera el enlace atmico. Asimismo,

la superficie puede ser muy spera, contener pequeas muescas y quiz ser
mucho ms reactiva que el interior del material. En lquidos, los tomos en la
superficie tienen mayor energa porque no tienen todos sus tomos vecinos. Esto
hace que al tratar de minimizar la energa se tiende a reducir el numero de tomos
en esta condicin, por lo tanto tienden a reducir la superficie respecto al
volumen, esto geomtricamente corresponde a una esfera.
CRISTALIZACION
El crecimiento de los cristales que se inicia en los centros o ncleos
de cristalizacin en el metal lquido, no puede ser uniforme a causa
de los diferentes factores de la composicin del metal, la velocidad
de enfriamiento y las interferencias que se producen entre ellos
mismos durante el proceso de crecimiento.

LIMITES DE GRANO:
La microestructura de la mayor parte de los materiales est formada por muchos
granos. Un grano es una porcin del material dentro del cual el arreglo atmico
es idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo atmico, o de la estructura
cristalina, es distinta para cada grano. En la figura se muestran de manera
esquemtica tres granos; la red de cada uno de ellos es idntica pero estn
orientados de manera distinta. La frontera de grano, que es la superficie que
separa los granos, es una zona estrecha en la cual los tomos no estn
correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios, los tomos
estn tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una regin de
compresin y en otras reas estn tan alejados que crean una regin de tensin.

FIGURA Los tomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un
espaciamiento o arreglo de equilibrio.

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el

tamao de los granos. Reduciendo el tamao de stos se incrementa su nmero y,
por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocacin se
mover solamente una distancia corta antes de encontrar una frontera de grano,
incrementando as la resistencia del metal. Se puede relacionar el tamao de
grano con el tensin de fluencia del material. Los limites de grano tienen una
influencia importante sobre las propiedades del metal, su numero y tamao esta
en funcion de la tasa de nucleacion y los indices de crecimiento de este. Una vez
que el metal se ha solidificado, se puede modificar el tamao y numero de
granos, ya sea por deformacion o tratamiento termico, lo cual permitira que sus
propiedades mecanicas varien considerablemente, la siguiente ecuacion muestra
su influencia en el esfuerzo de cedencia:
= K1 + K2/ D - 2
Donde es el esfuerzo de Cedencia;
K1 y K2 ctes del Material;
tamao del Grano

D es el

Indice

ENFRIAMIENTOS:
DE LOS METALES PUROS:
Los metales puros y los Eutecticos, solidifican a temperatura constante, la
solidificacion se inicia cunado el metal liquido se enfria hasta su punto de
solidificacion, luego la temperatura se mantiene uniforme hasta que la
solidificacion concluye, mientras esta transformacion ocurre el calor latente de
solidificacion que desprende el metal, mantiene la temperatura constante. Si este
se enfriase en completa uniformidad y estuviese exento de impurezas de

cualquier indole, podria generarse una cristalizacion a partir de cristales al azar

dentro del liquido(Nucleacion)

DE ALEACIONES:
Se necesitan dos condiciones para el crecimiento del slido primero,que el
crecimiento requiere que el calor latente de fusin, que se disipa durante la
solidificacin del lquido, sea eliminado de la interfase slido lquido. Segundo, y
a diferencia de los metales puros, debe ocurrir la difusin tal de manera que
durante el enfriamiento las composiciones de las fases slida y lquida sigan las
curvas de slidus y de lquidus. El calor latente de fusin es eliminado a lo largo
de un rango de temperaturas, y as a curva de enfriamiento muestra un cambio en
pendiente, en vez de una meseta plana. Para poder conseguir esta estructura final
en equilibrio, la velocidad de enfriamiento debe ser extremadamente lenta. Debe
permitirse el tiempo suficiente para que los tomos de primero y el segundo se
difundan y produzcan las composiciones equilibradas. En la mayor parte de las
situaciones prcticas, la velocidad de enfriamiento es demasiado rpida para
permitir este equilibrio.

Indice

POLIFORMISMO Y ALEOTROPIA:

Elementos y compuestos que tienen diferentes estructuras cristalinas en distintos

rangos o condiciones de temperatura y presin, esto se debe a un cambio en el
tipo de cristal que forman los tomos.
Caso HIERRO (tratamiento trmico). Este material cambia su arreglo atmico
entre CCaC a CCC y su numero de coordinacin cambia de 12 y 8. Esto ocurre a
910 C. Su temperatura de fusin es a 1500 C.
El caso del carbono, que permite que Haya dos estructuras diferentes, como es el
caso del carbn y del diamante
La importancia de esto es que si el hierro es calentado, cambia drsticamente su
volumen, achicndose.
Otros Ejs.: Azufre, Estao, Cloruro de cesio, Sulfuro de zinc
Comparacin expansin slidos polimorfos y no polimorfos
Indice

EJEMPLO DENSIDAD VOLUMETRICA:

El hierro tiene una estructura cristalina CCaC y un radio atmico de 1,24 A a
temperatura ambiente. Calcule el valor terico de la densidad del hierro y
compare su resultado con el valor experimental 7,87 g/cm3. El peso atmico del
hierro es 55,85 UAM. g/mol
(CCaC = estructura cristalina cubica centrada en el cuerpo)
Solucin:
Para la celda unidad CCaC,
, donde a es la dimensin del lado del
cristal, y r es el radio atmico de Fe

Densidad volumtrica del cobre = rv = masa/volumen

En la celda unidad hay dos tomos(1/8*8+1 = 2 tomos/celda unitaria). Cada
tomo de hierro tiene una masa de (55,85 UAM/6,02 x 1023 UAM/g)=
9,277*1023 (g/tomo)

El volumen de la celda de unidad del Fe es :

La densidad del hierro es:

El resultado es un poco mayor que el experimental ya que no considera los

defectos (huecos) del material real

Ingeniera
Metalrgica y
Materiales
Ing. Alexander Saavedra Mambuscay

INTRODUCCIN

La mayora de los materiales slidos no metlicos con los que uno a diario esta
en contacto, encuentra que no hay diferencia caracterstica entre su forma externa
y la de casi todos los objetos metlicos. De aqu que resulte bastante sorprendente
para la mayora de la gente saber que los materiales metlicos poseen una
estructura cristalina, mientras que materiales como la madera, plsticos, papel,
vidrio y otros no la poseen, ste tipo de materiales tienen un arreglo al azar en sus
partculas de manera que logran rigidez a la temperatura ambiente.
Los slidos se pueden clasificar teniendo en cuenta el arreglo interno de sus
partculas, en amorfos y cristalinos.
Se puede decir que un slido es un material que posee forma y volumen definidos
y que es una sustancia constituida por tomos metlicos, tomos no metlicos,
iones molculas.
Muchas de las propiedades de los metales tales como la densidad, dureza, punto
de fusin, conductividad elctrica y calorfica estn relacionadas con la estructura
cristalina y tambin con el enlace metlico. Sin embargo, ninguna depende tanto
de la estructura cristalina como las propiedades mecnicas tales como la
maleabilidad, ductilidad, resistencia a la tensin, temple y capacidad de hacer
aleaciones.

SLIDOS AMORFOS

Son todos aquellos slidos en los cuales sus partculas constituyentes presentan
atracciones lo suficientemente eficaces como para impedir que la sustancia fluya,
resultando una estructura rgida y ms o menos dura.
No presentan una disposicin interna ordenada por lo tanto no tienen ningn
patrn determinado. Tambin se les denomina vidrios lquidos sobreenfriados.
A temperaturas altas los amorfos se transforman en lquidos y sus partculas
constituyentes tienen libertad de movimiento, al disminuir lentamente la
temperatura, la energa cintica de las partculas se va haciendo tan baja que se
puede producir un acomodamiento entre ellas; pero si el enfriamiento se produce

rpidamente y por debajo del punto de fusin (sobreenfiramento), se origina,

como resultado de las menores vibraciones, una contraccin trmica que no
permite el ordenamiento de las partculas aumentando la viscosidad que ya no es
posible apreciar flujo y la sustancia adquiere las caractersticas de un slido:
rigidez, dureza, forma y volumen definidos, etc. Como ejemplos cabe resaltar: el
asfalto, ceras, la brea, vidrio y la mayora de los polmeros.
Cuando un slido amorfo se quiebra produce caras y bordes irregulares y al
fundirse lo hace en un rango de temperaturas cambiando lentamente del estado
slido al estado lquido.

SLIDOS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS

Los slidos cristalinos estn constituidos por minsculos cristales individuales

cada uno con forma geomtrica y poseen la caracterstica de que al romperse
producen caras y planos definidos, al igual presentan puntos de fusin definidos.
Como ejemplos podemos destacar: el NaCl, la sacarosa, metales y aleaciones, y
tambin algunos cermicos.
Los tomos o iones de un slido se ordenan en una disposicin que se repite en
tres dimensiones, forman un slido del que se dice tiene una estructura cristalina,
se dice tambin que es un slido cristalino o un material cristalino.

Punto reticular: in, tomo o

molcula
que se repite infinitamente

figura 1

Lneas rectas imaginarias que

forman la
Celdilla unidad
figura
2

El patrn se repite en el espacio

y
Forma el retculo cristalino
figura 3

El tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres vectores

reticulares a, b, c y por ngulos entre las caras y la longitud relativa de las aristas,
denominados parmetros de red, constantes de red o ejes cristalogrficos.
a, b, c : longitud de las aristas correspondientes a los ejes coordenados X, Y,Z.
a , b , g : ngulos entre las aristas.

figura 4
La importancia en la ingeniera de la estructura fsica de los materiales slidos
depende primordialmente de la disposicin de los tomos, iones o molculas que
constituyen el slido y de las fuerzas de enlace entre ellos.
Asignando valores especficos para las longitudes axiales y los ngulos
intereaxiales, se pueden construir diferentes tipos de celda unidad. Los
cristalgrafos han mostrado que son necesarias slo siete tipos de diferentes de
celda unidad para crear todas las redes puntuales, estos sistemas cristalinos son:
el Cbico, el Tetragonal, el Ortorrmbico, el Rombodrico, el Hexagonal, el
Monoclnico y el Triclnico. La mayor parte de los sistemas cristalinos presentan
variaciones de la celda unidad bsica. A.J. Bravais mostr que 14 celdas unidad
estndar podan describir todas las estructuras reticulares posibles. Hay cuatro
tipos bsicos de celdas unidad (1) Sencilla, (2) Centrada en el Cuerpo, (3)
Centrada en las Caras, y (4) Centrada en la Base.
En el Sistema Cbico hay tres tipos de celda unidad: cbica sencilla, cbica
centrada en el cuerpo y cbica centrada en las caras. En el Sistema
Ortorrmbico hay estn representados los cuatro tipos. En el Sistema
Tetragonal hay solo dos: sencilla y centrada en el cuerpo. La celda unidad
tetragonal centrada en las caras parece que falta, pero se puede formar a partir de
cuatro celdas unidad tetragonales centradas en el cuerpo. El Sistema
Monoclnico tiene celdas unidad sencilla y centrada en la base, y los Sistemas
Rombodrico, Hexagonal y Triclnico tienen slo una celda unidad.

PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METLICAS

La mayora de los metales elementales (90%) cristalizan en tres estructuras

cristalinas densamente empaquetadas: cbica centrada en las caras FCC,
hexagonal compacta HCP y cbica centrada en el cuerpo BCC debido a que se
libera energa a medida que los tomos se aproximan y se enlazan cada vez ms
estrechamente entre s. Por lo tanto dichas estructuras densamente empaquetadas
se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energa cada vez ms baja y
estable.
Ejemplo
Cuntas celdas unidad hay aproximadamente en el Fe puro BCC si las aristas de
la celda estuvieran alineadas arista con arista en 1 mm, si a temperatura ambiente
la arista es igual a 0.287 X 10-9 nm ?

Estructura Cristalina Cbica Centrada en el Cuerpo BCC

En esta celda unidad las esferas slidas representan los centros donde los tomos
estn localizados e indican sus posiciones relativas. En esta celda unidad el
tomo central esta rodeado de 8 vecinos ms cercanos y se dice que tiene por lo
tanto un nmero de coordinacin de 8. Cada una de estas celdas unidad tiene el
equivalente de 2 tomos por celda unidad. Un tomo completo esta localizado en
el centro de la celda unidad, y un octavo de esfera esta localizado en cada vrtice
de la celda unidad, haciendo el equivalente de otro tomo. De este modo, hay un
total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vrtices) = 2 tomos por celda unidad.
Los tomos en este tipo de celdas contactan entre s a travs de la diagonal del
cubo, y la relacin entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atmico R es:

Si los tomos en la celda BCC se consideran esfricos, el factor de

empaquetamiento atmico (APF) puede hallarse empleando la siguiente
expresin:

El APF de esta celda es 0.68, es decir, el 68% del volumen de la celda esta
ocupado por tomos y el 32% restante en espacio vaco. El cristal BCC no es una

estructura totalmente compacta, ya que los tomos an podran situarse ms

juntos. Muchos metales como el Cromo, Hierro, Wolframio, Molibdeno y
Vanadio tienen estructura cristalina BCC.
Estructura Cristalina Cbica Centrada en las Caras FCC. En esta celda hay
un punto reticular en cada vrtice del cubo y otro en el centro de cada cara del
cubo. El modelo de esferas slidas indica que los tomos de esta estructura estn
unidos del modo ms compacto posible. El APF de esta estructura de
empaquetamiento compacto es 0.74.
Esta celda tiene el equivalente a cuatro tomos por celda unidad. Un octavo de
tomo en cada vrtice (8 x 1/8=1) y seis medios tomos en el medio (1/2 x 6= 3).
Los tomos en la celda FCC contactan entre s a lo largo de la diagonal de la cara
del cubo, de tal forma que la relacin entre la longitud de la cara del cubo y el
radio atmico es:

Metales como el Aluminio, el Cobre, el Plomo, el Nquel y el Hierro a

temperaturas elevadas (912 a 1394C) cristalizan segn la estructura FCC.
Ejemplo
El Cu posee una estructura FCC y un radio atmico de 0.1278 nm y considerando
que los tomos son esferas slidas que contactan a lo largo de las diagonales de la
celdilla unidad FCC. Cul es el valor terico de la densidad del Cu ?
Masa atmica del Cu=63.54 g/mol

1/8 * 8= 1 tomo
* 6= 3 tomo
a 4 tomos en la celda FCC

figura 5

Parmetro de Red:

Volumen de la celda:
V=a3 = (0.361nm)3 =0.047nm3x(1X10-9m)3 = 4.7 x 10-29 m3
Masa de los tomos de Cu en la celda:

Densidad Volumtrica:

El valor tabulado experimentalmente es de 8.96

, la diferencia se debe a que
los tomos no son esferas perfectas, a la ausencia de tomos en las posiciones
atmicas, a defectos en la red, etc.
Estructura Cristalina Hexagonal Compacta HCP

Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es

demasiado bajo. El APF es 0.74 ya que los tomos estn empaquetados de un
modo lo ms cercano posible. Cada tomo esta rodeado de otros 12 tomos y por
tanto su nmero de coordinacin es 12.
La celda HCP posee 6 tomos, tres forman un tringulo en la capa intermedia,
existen 6*1/6 secciones de tomos localizados en las capas de arriba y de abajo,
haciendo un equivalente a 2 tomos ms, finalmente existen 2 mitades de tomo
en el centro de ambas capas superior e inferior, haciendo el equivalente de un
tomo ms.
La relacin c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1.633 que indica
esferas uniformes tan prximas como sea posible. Los metales Cinc, Cadmio
poseen una relacin c/a ms alta que la ideal, lo que indica que los tomos en
estas estructuras estn ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda
unidad HCP. Los metales como el Titanio, Berilio, Magnesio Y Circonio entre
otros tienen relaciones c/a menores que la ideal. Por tanto en estos metales los
tomos estn comprimidos a lo largo de la direccin del eje c.

NDICES DE MILLER

Celdas Cbicas. Los ndices de Miller de un plano cristalino estn definidos

como los recprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x,
y, z de los tres lados no paralelos del cubo unitario. Las aristas de una celda
cbica unitaria representan longitudes unitarias y las intersecciones de los planos
de una red se miden en base a estas longitudes unitarias.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un cristal
cbico es el siguiente:

Escoger un plano que no pase por el origen en (0,0,0)

Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x, y, z cristalogrficos
para un cubo unitario. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias.
Construir los recprocos de las intersecciones.

Despejar fracciones y determinar el conjunto ms pequeo de nmeros enteros

que estn en la misma razn de las intersecciones. Estos nmeros enteros son los
ndices de Miller de un plano cristalogrfico y se encierran entre parntesis sin
usar comas. La notacin (hkl) se emplea para indicar los ndices de Miller en
sentido general, donde h, k, y l son los ndices de Miller para un plano de un
cristal cbico de ejes x, y, y z respectivamente.

Ejemplos

figura 6
Las intersecciones del primer plano son 1, 1, y los recprocos de estos nmeros
son 1, 1, 0 no involucran fracciones, siendo los ndices de Miller (1 1 0).
Para la segunda figura, las intersecciones son: 1, , a los ejes x, y, z
respectivamente, por lo tanto los recprocos son: 1, 0, 0. Los ndices de Miller
para este plano son: (1 0 0 ).

Finalmente, el tercer plano, tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un ndice
de Miller (1 1 1).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno
ms cortes se hacen cero, el plano ha de ser desplazado a una posicin
equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo
al original. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son
indicados con los mismos ndices de Miller.
Si grupos de planos de redes equivalentes estn relacionados por la simetra del
sistema cristalino, se llaman familia de planos, y los ndices de una familia de
planos son encerrados entre llaves. Por ejemplo, los ndices de Miller de los
planos de la superficie del cubo (100) (010) y (001) se designan colectivamente
como una familia con la notacin {100}.
Una importante relacin slo para el sistema cbico es que los ndices de una
direccin perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los ndices
de Miller para ese plano. Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al
plano cristalino (100).

Celda HCP. Se identifican empleando cuatro ndices en vez de tres, se

denominan ndices Miller-Bravais, son representados por las letras h, k, i, l y
encerrados entre parntesis (h, k, i, l). Estos ndices hexagonales estn basados en
un sistema coordenado de cuatro ejes, tres ejes bsicos a 1,a2,a3 que forman 120
entre s, el cuarto eje o eje c es el eje vertical y est localizado en el centro de la
celdilla unidad (Ver figura). La unidad a de medida a lo largo de los ejes
a1,a2,a3 es la distancia entre los tomos. La unidad de medida a lo largo del eje c
es la altura de la celdilla unidad. Los recprocos de las intersecciones que un
plano determina con los ejes a1,a2,a3 proporcionan los ndices h, k e i mientras
que el reciproco de la interseccin con el eje c da el ndice l.

figura 7
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta
celdilla, el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a 1,a2,a3 , las
intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de valor infinito. As, a 1 =
a2= a3 = . El eje c, sin embargo, es nico puesto que el plano basal superior
intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recprocos de estas
intersecciones tenemos los ndices de Miller-Bravais para el plano basal HCP.
As, h=0, K=0, i=0, l=1. El plano basal es, por tanto, un plano (0001).
Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro ndices
[u,v,t,w]. Son vectores reticulares en las direcciones a 1,a2,a3 respectivamente y el
ndice w es un vector reticular en la direccin c.

SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO

Un sistema de deslizamiento es la combinacin de un plano y una direccin que

se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento.
El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento paralelo de
dos regiones cristalinas adyacentes, una respecto a la otra, a travs de algn plano
(o planos).

El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente, sino sobre pequeas

regiones de planos paralelos llamados bandas de deslizamiento o lneas de
deslizamiento, dependiendo de sus espesores. Puesto que todas las lneas de
deslizamiento est en grupos paralelos dentro de cada monocristal (cada grano),
deben corresponder a una misma familia de planos (hkl)ocupados del grano
particular. A partir de mediciones sobre especmenes de monocristales de
orientaciones conocidas se puede determinar 1) los planos sobre los cuales se
produce el deslizamiento y 2) la direccin de deslizamiento dentro de estos
planos. Tales experimentos han revelado que en las estructuras FCC el
deslizamiento siempre se produce sobre los planos{111} pero solamente en las
direcciones <110>. Esto significa que si se produce el deslizamiento sobre el
plano (111) ser en alguna de las tres direcciones [101], [110], [011].
Los cristales FCC poseen 12 sistemas de deslizamiento debido a que tienen
cuatro grupos {111} y con tres direcciones <110> en cada una.
En otras estructuras de cristales metlicos, los sistemas de deslizamiento tienen
ms variabilidad. En los metales BCC las lneas de deslizamiento tienen una
apariencia ondulada. En estos cristales el deslizamiento se produce
predominantemente en los sistemas {110} <111> y la apariencia ondulada se
debe aparentemente a deslizamiento simultneo sobre los otros dos sistemas de
planos {211} y {321} . En cristales HCP reales, la relacin c/a no es igual al
valor ideal de 1.633 del modelo de esfera dura. Para los metales c/a > 1.633 hay
alguna preferencia para el deslizamiento sobre el plano basal, <1120>(0001),
mientras que para aquellos metales con c/a < 1.633 los sistemas de deslizamiento
preferidos son los otros dos.

Estructura

Direccin de
Deslizamiento

Planos de
Deslizamiento

Ejemplos

FCC

<110>

{111}

Cu, Al, Ni, Pb, Au, Ag,

Fe

BCC

<111>

{110}

Fe, W, Mo, Latn, Nb,

Ta

BCC

<111>

{210}

Fe, Mo, W, Na

BCC

HCP

HCP

HCP

<111>

<1120>

<1120>

<1120>

{321}

(0001)

{1010}

{1011}

Fe, K

Cd, Zn, Mg, Ti, Be, Co

Ti, Mg, Zr, Be

Ti, Mg

Tres observaciones generales son de gran importancia:

1. Las direcciones de deslizamiento siempre son en la direccin de
empaquetamiento compacto. Existen excepciones, por ejemplo, mercurio
slido.
2. El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayora de los planos
compactos. Esta observacin esta relacionada con el hecho de que los
planos empaquetados ms densamente tambin son el grupo de planos
(hkl) ocupados que tienen el espaciamiento ms amplio.
3. El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que
tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de
deslizamiento.