LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS I

I.-Tema:

El transistor

II.- Objetivos:

Conocer la apariencia y el funcionamiento de un BJT.

Identificar correctamente los terminales del transistor.
Conocer las relaciones entre las corrientes de base , emisor y colector.

II.- Elementos requeridos:

Multimetro digital
Micro ampermetro
Fuente DC
Protoboard
Transistor 2N3904
Resistencias

varias

III.- Marco terico

El transistor
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una
corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad
de transistores. En principio, se explicarn los bipolares.

Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor
NPN

Estructura de un
transistor NPN

Transistor
PNP

Estructura de un
transistor PNP

Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede

adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construccin como
semiconductor.
1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del
transistor por lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por
la Base. As el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo
que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara.
(Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No
es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza

directamente y la unin base - colector inversamente.
3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector
y Emisor tambin es nula.La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera.
El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor
entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta
forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga
conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los
transistores ya que relaciona la variacin que sufre la corriente de colector
para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo
en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin h FE. Se
expresa de la siguiente manera:
= IC / IB

En resumen:
Saturacin

Corte

Activa

VCE

~0

~ VCC

Variable

VRC

~ VCC

~0

Variable

IC

Mxima

= ICEO lang=EN-GB~ 0

Variable

IB

Variable

=0

Variable

VBE

~ 0,8v

< 0,7v

~ 0,7v

Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la

potencia que disipen, as nos encontramos con que los transistores de pequea
seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los ms pequeos
( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo
mayores y tienen en la parte trasera una chapa metlica que sirve para
evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador
(TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una
mayor dimensin siendo el encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece,
en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y un radiador (TO3, TO-66, TO-123, TO-213...).

IV.- Procedimiento
Monte el siguiente circuito y proceda a llenar la tabla

Donde

VRB=VC0.7 v

VRB=120.7=11.3 v
RB=RB1
+RBi
IB

4k+1k

4k+2k

4k+4k

4k+6k

4k+8k

4k+10k

2.26 mA

1.88 mA

1.41 mA

1.13 mA

0.94 mA

0.8 mA