Fuente 1

Contenido
Lista de figuras............................................................................................................................ v
Lista de tablas ............................................................................................................................ ix
Simbologa.................................................................................................................................. x
Abreviaturas y acrnimos ......................................................................................................... xv
Capitulo 1. Antecedentes ............................................................................................................ 3

1.1
Antecedentes ............................................................................................................................ 3
1.1.1.
Tipos de descarga .............................................................................................................. 3
1.1.2.
Descarga de Barrera Dielctrica ........................................................................................ 4
1.1.2.1.
Tipos de DBD ............................................................................................................. 6
1.1.3.
Seleccin del tipo de lmpara ........................................................................................... 7
1.1.4.
Influencia de los electrodos externos ............................................................................... 8
1.1.5.
Modelado de la lmpara operando con la DBD .............................................................. 10
1.1.6.
Efecto de la pendiente de la forma de onda ................................................................... 11
1.1.6.1.
Factor de cresta ...................................................................................................... 13
1.1.7.
La fuente de alimentacin............................................................................................... 14
1.1.8.
Conclusiones ................................................................................................................... 15
1.2.
Planteamiento del problema .................................................................................................. 15
1.3.
Hiptesis .................................................................................................................................. 15
1.4.
Justificacin ............................................................................................................................. 15
1.5.
Objetivos ................................................................................................................................. 16
1.5.1.
Objetivo general .............................................................................................................. 16
1.5.2.
Objetivos particulares ..................................................................................................... 16
1.6.
Estado del arte ........................................................................................................................ 16
1.6.1.
1.7.
Conclusiones generales del estado del arte .................................................................... 21
Propuesta de solucin ............................................................................................................. 21
Capitulo 2. Anlisis de la topologa seleccionada y desarrollo de la metodologa de diseo ........ 25

2.1.
Amplificador clase E con un inductor y un capacitor en la red de carga ................................ 25
2.1.1.
2.2.
Acerca de la topologa seleccionada ............................................................................... 26
2.1.1.1.
Simulacin ............................................................................................................... 28
2.1.1.2.
Anlisis de la topologa seleccionada ...................................................................... 29
Desarrollo de la metodologa de diseo ................................................................................. 33
2.2.1.
Tiempo tx ......................................................................................................................... 35
2.2.2.
Nmero de ciclos x .......................................................................................................... 36
2.2.3.
Periodo Tr......................................................................................................................... 37
2.2.4.
Constante de amortiguamiento ................................................................................... 38
2.2.5.
Tiempo tmax ...................................................................................................................... 38
2.2.6.
Capacitor C....................................................................................................................... 40
2.2.7.
Inductancia primaria LP.................................................................................................... 40
2.2.8.
Corriente mxima ILpmax ................................................................................................... 41
2.2.9.
Tiempo de encendido ton ................................................................................................ 42
2.2.10.
Frecuencia de conmutacin f ....................................................................................... 42
2.2.11.
Ciclo de trabajo D ............................................................................................................ 42
2.3.
Metodologa de diseo............................................................................................................ 42
2.3.1.
Programacin de la metodologa de diseo .................................................................... 45
2.3.2.
Protocolo de pruebas para la validacin de la metodologa de diseo .......................... 47
2.3.2.1.
Ejemplo de diseo 1 ................................................................................................ 48
2.3.2.2.
Ejemplo de diseo 2 ................................................................................................ 49
2.3.2.3.
Ejemplo de diseo 3 ................................................................................................ 50
2.3.3.
2.4.
Efecto del capacitor Cs ..................................................................................................... 51
Funcionamiento de la metodologa y algunas recomendaciones para diseos futuros ......... 54
Capitulo 3. Diseo y construccin del banco de pruebas y caracterizacin de las lmparas ......... 62
3.1.
Diseo de la fuente de alimentacin para el banco de pruebas ............................................. 62
3.2.
Construccin del prototipo ..................................................................................................... 63
3.2.1.
Circuito de disparo .......................................................................................................... 63
3.2.2.
Diseo del transformador ............................................................................................... 64

ii
3.2.3.
Interruptor ...................................................................................................................... 65
3.2.4.
Diodo ............................................................................................................................... 66
3.2.5.
Placa ................................................................................................................................ 67
3.3.
Lmparas de vapor de mercurio de baja presin ................................................................... 67
3.3.1.
Lmparas con precalentamiento .................................................................................... 69
3.3.2.
Lmparas de arranque instantneo ................................................................................ 69
3.3.3.
Lmparas de arranque rpido. ........................................................................................ 69
3.4.
Caracterizacin de las lmparas. ............................................................................................. 70
3.4.1.
Modelos seleccionados ................................................................................................... 70
3.4.2.
Adaptacin de las lmparas ............................................................................................ 70
3.4.3.
Proceso de medicin y diseo de experimentos ............................................................ 71
3.4.4.
Esquema general de medicin ........................................................................................ 73
3.4.5.
Resultados experimentales ............................................................................................. 73
3.4.5.1.
Lmpara Philips 32W ............................................................................................... 74
3.4.5.2.
Lmpara NEC 27 W .................................................................................................. 75
3.4.5.3.
Lmpara NEC 22W................................................................................................... 77
Capitulo 4. Diseo y construccin de la fuente de alimentacin para la lmpara Philips TL081 .... 81
4.1.
Sobre la lmpara seleccionada................................................................................................ 81
4.2.
Diseo de la fuente de alimentacin para el prototipo final .................................................. 81
4.2.1.
Diseo del transformador ............................................................................................... 83
4.3.
Resultados experimentales ..................................................................................................... 83
4.4.
Anlisis comparativo ............................................................................................................... 86
Capitulo 5. Conclusiones ........................................................................................................... 91

5.1.
Acerca de la topologa seleccionada ....................................................................................... 91
5.2.
Acerca la metodologa de diseo ............................................................................................ 91
5.3.
Acerca de la caracterizacin de las lmparas.......................................................................... 92
5.4.
Acerca del prototipo final ....................................................................................................... 92
5.5.
Aportaciones ........................................................................................................................... 93
5.6.
Contratiempos......................................................................................................................... 93
iii
5.7.
Referencias .............................................................................................................................. 94
Anexo A: Resumen de la revisin del Estado del Arte ................................................................ 97

Anexo B: Programas de la metodologia de diseo. .................................................................... 98
Anexo C: Formas de onda del efecto del capacitor Cs. ............................................................... 103
Anexo D: Grficas de la respuesta de las variables .................................................................... 106
Anexo E: Diseo del transformador para el banco de pruebas .................................................. 111
Anexo F: Diseo del transformador para el prototipo final ....................................................... 115
iv
Lista de figuras
FIGURA 1.1. DESCARGA DE BARRERA DIELCTRICA ................................................................................................... 4

FIGURA 1.2. CONFIGURACIONES BSICAS PARA LA DESCARGA DE BARRERA DIELCTRICA. ................................................ 5
FIGURA 1.3. DIAGRAMA ESQUEMTICO QUE RESUME EL PRINCIPIO DE LA DESCARGA DE BARRERA DIELCTRICA Y SUS
PRINCIPALES APLICACIONES. ........................................................................................................................ 6
FIGURA 1.4. FOTOGRAFA DE MICRODESCARGAS Y FIGURA DE LICHTENBERG OBTENIDA DE LA EMULSIN DE UNA PLACA
FOTOGRFICA QUE SIRVI AL MISMO TIEMPO DE BARRERA DIELCTRICA. CMARA DE DESCARGA DE AIRE 1MM A
PRESIN ATMOSFRICA. ............................................................................................................................. 7
FIGURA 1.5. BOSQUEJO DE ELECTRODO APLICADO A LAS LMPARAS PARA UN ELECTRODO EN FORMA DE ANILLO COLOCADO
EN LOS EXTREMOS. .................................................................................................................................... 9
FIGURA 1.6. CORTE TRANSVERSAL DEL CONJUNTO LMPARA-ELECTRODO PARA UN ELECTRODO EN FORMA DE ANILLO
COLOCADO EN LOS EXTREMOS. .................................................................................................................... 9
FIGURA 1.7. CONFIGURACIN BSICA PARA UNA DBD. ......................................................................................... 10
FIGURA 1.8. SIMPLIFICACIN DE MODELO, A) MODELO ORIGINAL, B) MODELO DE LA DESCARGA INSTANTNEA, C) MODELO
SIMPLIFICADO. ........................................................................................................................................ 11
FIGURA 1.9. A) PULSOS CORTOS, B) FORMA DE ONDA DE LA PENDIENTE. .................................................................. 13
FIGURA 1.10. COMPORTAMIENTO DEL FACTOR DE CRESTA EN UNA SEAL SINUSOIDAL EN FUNCIN DE N. ....................... 14
FIGURA 1.11. CIRCUITO ESQUEMTICO DEL SISTEMA DE ALIMENTACIN. .................................................................. 14
FIGURA 1.12. AMPLIFICADOR CLASE E CON UN MOSFET COMO INTERRUPTOR; TOPOLOGA PROPUESTA POR [1]............ 17
FIGURA 1.13. INVERSOR PUENTE COMPLETO, TOPOLOGA PROPUESTA POR [25]. ....................................................... 18
FIGURA 1.14. INVERSOR PUENTE COMPLETO, TOPOLOGA PROPUESTA POR [31] ........................................................ 18
FIGURA 1.15. INVERSOR PUENTE COMPLETO, TOPOLOGIA PROPUESTA POR [29] ........................................................ 19
FIGURA 1.16. AMPLIFICADOR CLASE E TOPOLOGA PROPUESTA POR [19] ................................................................. 19
FIGURA 1.17. TOPOLOGA PROPUESTA POR [28] .................................................................................................. 19
FIGURA 1.18. INVERSOR PUENTE COMPLETO CON DOS RAMAS DE ERC PROPUESTA POR [27] ....................................... 20
FIGURA 1.19. INVERSOR PUENTE COMPLETO CON DOS RAMAS DE ERC PROPUESTA POR [32]. ...................................... 20
FIGURA 1.20. TOPOLOGA PROPUESTA................................................................................................................ 22
FIGURA 2.1. AMPLIFICADOR CLASE E CON TRANSFORMADOR Y UN CAPACITOR EN LA RED DE CARGA. ....................................... 26
FIGURA 2.2. A) TOPOLOGA PROPUESTA, B) TOPOLOGA SIN EL CAMBIO DEL CAPACITOR C. .................................................... 27
FIGURA 2.3. TOPOLOGA PROPUESTA. ......................................................................................................................... 27
FIGURA 2.4. FORMAS DE ONDA DE VOLTAJE DE LA TOPOLOGA PROPUESTA. ........................................................................ 29
FIGURA 2.5. FORMAS DE ONDA CORRIENTE DE LA TOPOLOGA PROPUESTA. ......................................................................... 29
FIGURA 2.6. CIRCUITO EQUIVALENTE EN EL ESTADO ENCENDIDO. ...................................................................................... 30
FIGURA 2.7. CIRCUITO EQUIVALENTE EN EL ESTADO DE APAGADO...................................................................................... 31
FIGURA 2.8. CIRCUITO EQUIVALENTE EN EL APAGADO, SIN EL CAPACITOR CSR. ...................................................................... 33
FIGURA 2.9. DEFINICIN DE ALGUNOS PUNTOS DE LA RESPUESTA SUBAMORTIGUADA. .................................. 35
FIGURA 2.10. COMPORTAMIENTO DE VLP ANTE DIFERENTES NMEROS DE PULSOS DE RESONANCIA. ........... 37
FIGURA 2.11. PANEL FRONTAL DE LA METODOLOGA DE DISEO DESARROLLADA EN LABVIEW. ..................... 46
FIGURA 2.12. CIRCUITO UTILIZADO PARA LA SIMULACIN. ............................................................................................... 48
FIGURA 2.13. FORMAS DE ONDA DEL DEVANADO PRIMARIO PARA EL EJEMPLO 1. A) VOLTAJE DE CONTROL. B) VOLTAJE EN EL
DEVANADO PRIMARIO. C) CORRIENTE EN EL DEVANADO PRIMARIO. ........................................................................... 49
FIGURA 2.14. FORMAS DE ONDA DEL DEVANADO PRIMARIO PARA EL EJEMPLO 2. A) VOLTAJE DE CONTROL. B) VOLTAJE EN EL
FIGURA 2.15. FORMAS DE ONDA DEL DEVANANDO PRIMARIO PARA EL EJEMPLO 3. A) VOLTAJE DE CONTROL. B) VOLTAJE EN EL
FIGURA 2.16. VARIACIN DE LA FRECUENCIA DE CONMUTACIN. ...................................................................................... 56
FIGURA 2.17. VARIACIN DEL VOLTAJE DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN VCD. ..................................................................... 56
FIGURA 2.18. VARIACIN DEL CICLO DE TRABAJO D. ....................................................................................................... 57
FIGURA 2.19. VARIACIN DE LA CONSTANTE A2. ............................................................................................................ 58
FIGURA 2.20. VARIACIN DEL NMERO DE PULSOS PU. ................................................................................................... 58
FIGURA 3.1. CONFIGURACIN DEL CIRCUITO TL494. ...................................................................................................... 64
FIGURA 3.2. DEVANADO ENTRE CAPAS PARA TRANSFORMADORES. .................................................................................... 65
FIGURA 3.3. VOLTAJE DE BLOQUEO DE LOS INTERRUPTORES, FIGURA TOMADA DE [40].......................................................... 65
FIGURA 3.4. CAPACIDAD DE CORRIENTE DE LOS INTERRUPTORES, FIGURA TOMADA DE [40]. ................................................... 66
FIGURA 3.6. PROTOTIPO DEL BANCO DE PRUEBAS........................................................................................................... 67
FIGURA 3.7. REPRESENTACIN ESQUEMTICA DE LA FORMA EN QUE EL TOMO DE MERCURIO (HG) EMITE LUZ ULTRAVIOLETA,
INVISIBLE PARA EL OJO HUMANO Y COMO EL TOMO DE FOSFORO (P) LOS CONVIERTE EN FOTONES DE LUZ BLANCA VISIBLE, TAL
COMO OCURRE EN EL INTERIOR DEL TUBO DE UNA LMPARA FLUORESCENTE. ............................................................... 68
FIGURA 3.8. DIVERSOS MODELOS DE LMPARAS FLUORESCENTES. ..................................................................................... 69
FIGURA 3.9. LMPARAS CON ELECTRODOS EXTERNOS. .................................................................................................... 70
FIGURA 3.10. UBICACIN DE LAS VARIABLES PRIMARIAS. ................................................................................................. 71
FIGURA 3.11. FIGURA DE LISSAJOUS PARA LA LMPARA NEC DE 22W EN vin
16 VOLTS. .................................................. 72
FIGURA 3.12. ESQUEMA GENERAL DE MEDICIONES. ........................................................................................................ 73

FIGURA 3.13. COMPORTAMIENTO DEL VALOR DE RS CON RESPECTO A LA POTENCIA DE LA LMPARA PHILIPS DE 32W. ................ 74
FIGURA 3.14. EFICIENCIA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN A DIFERENTES POTENCIAS PARA LA LMPARA PHILIPS T9 DE 32W. ..... 75
FIGURA 3.15. COMPORTAMIENTO DE RS CON RESPECTO A LA POTENCIA, PARA LA LMPARA DE 27W. ..................................... 76
FIGURA 3.16. EFICIENCIA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN PARA LA LMPARA DE 27W. ...................................................... 76
FIGURA 3.17. COMPORTAMIENTO DE RS CON RESPECTO A LA POTENCIA DE LA LMPARA NEC DE 22W.................................... 77
FIGURA 3.18. EFICIENCIA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN. ............................................................................................. 78
FIGURA 4.1. CORRIENTE DE ENTRADA MEDIDA EN LA PRCTICA. ...............................................................................84

FIGURA 4.2. CORRIENTE EN EL INDUCTOR PRIMARIO MEDIDA EN LA PRCTICA. ............................................................84
FIGURA 4.3. CORRIENTE EN LA CARGA MEDIDA EN LA PRCTICA................................................................................85
FIGURA 4.4. VOLTAJE EN EL INTERRUPTOR MEDIDO EN LA PRCTICA. .........................................................................85
FIGURA 4.5. VOLTAJE EN LA CARGA. MEDIDA EN LA PRCTICA. ................................................................................86
FIGURA B.1. PANTALLA DE LA METODOLOGA DE DISEO DESARROLLADA EN MATHCAD 13. ........................................98
FIGURA B.2. PARTE DE LA METODOLOGA DE DISEO DESARROLLADA EN MATCAD 13 (PASOS 4-8)...............................99
FIGURA B.3. PARTE DE LA METODOLOGA DE DISEO DESARROLLADA EN MATHCAD 13 (PASOS 16-19).......................100
FIGURA B.4. DIAGRAMA DE FLUJO DE LA METODOLOGA DE DISEO. .......................................................................100
FIGURA B.5. PANEL FRONTAL DEL PROGRAMA DE LA METODOLOGA DE DISEO DESARROLLADA EN LABVIEW . ..............101
FIGURA B.6. MUESTRA PARTE DE LA PROGRAMACIN A BLOQUES DESARROLLADA EN LABVIEW 8.2 ..............................102
FIGURA C.1. FORMAS DE ONDA DEL DEVANADO PRIMARIO PARA EL EJEMPLO 1. A) VOLTAJE DE CONTROL. B) VOLTAJE EN EL
DEVANADO PRIMARIO. C) CORRIENTE EN EL DEVANADO PRIMARIO. .................................................................103
DEVANADO PRIMARIO. C) CORRIENTE EN EL DEVANADO PRIMARIO. .................................................................104
vi
DEVANADO PRIMARIO. C) CORRIENTE EN EL DEVANADO PRIMARIO. ........................................................................ 105
FIGURA D.1. RESPUESTA DE LAS VARIABLES LP, LS, C Y FC ANTE LA VARIACIN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN. ............. 106
FIGURA D.2. RESPUESTA DE LAS VARIABLES LP, LS, C Y FC ANTE LA VARIACIN DE LA FRECUENCIA DE CONMUTACIN........ 107
FIGURA D.3. RESPUESTA DE LAS VARIABLES LP, LS, C Y FC ANTE LA VARIACIN DEL CICLO DE TRABAJO D. ....................... 108
FIGURA D.4. RESPUESTA DE LAS VARIABLES LP, LS, C Y FC ANTE LA VARIACIN DE LA CONSTANTE A2. ............................. 109
FIGURA D.5. RESPUESTA DE LAS VARIABLES LP, LS, C Y FC ANTE LA VARIACIN DEL NMERO DE PULSOS. ........................ 110
vii
viii
Lista de tablas
TABLA 1.1. RESUMEN DE LOS FACTORES DE PENDIENTE PARA LAS FORMAS DE ONDA ANALIZADAS EN [21]. ..................... 12
TABLA 2.1. PARMETROS DE DISEO PARA LA SIMULACIN DE LA NUEVA TOPOLOGA. ................................................ 28
TABLA 2.2. INTERVALO DE VALORES DE LOS DATOS DE DISEO. ................................................................................ 47
TABLA 2.3. PARMETROS DE DISEO DE LOS 3 EJEMPLOS PARA LA VALIDACIN DE LA METODOLOGA. ........................... 48
TABLA 2.4. DATOS CALCULADOS EN LA METODOLOGA DE DISEO PARA LOS 3 EJEMPLOS. ............................................ 48
TABLA 2.5. COMPARACIN ENTRE LOS DATOS CALCULADOS Y LOS OBTENIDOS EN SIMULACIN PARA EL EJEMPLO 1. ......... 49
TABLA 2.8. COMPARACIN ENTRE LOS DATOS CALCULADOS Y LOS OBTENIDOS EN SIMULACIN AGREGANDO EL CAPACITOR
CSR, PARA EL EJEMPLO 1. .......................................................................................................................... 53
TABLA 2.11. PARMETROS DE DISEO DE LA SIMULACIN BASE. ............................................................................. 55
TABLA 3.1. DATOS DE DISEO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN PARA EL BANCO DE PRUEBAS. ...................................... 63
TABLA 3.2. CARACTERSTICAS DEL COOLMOS SELECCIONADO. ................................................................................ 66
TABLA 3.3. CARACTERSTICAS DEL DIODO SELECCIONADO. ...................................................................................... 67
TABLA 3.4. DATOS DE LAS LMPARAS CARACTERIZADAS. ........................................................................................ 70
TABLA 3.5. VARIABLES PRIMARIAS...................................................................................................................... 71
TABLA 3.6. VARIABLES SECUNDARIAS. ................................................................................................................. 71
TABLA 4.1. CARACTERSTICAS DE LA LMPARA SELECCIONADA. ................................................................................ 81
TABLA 4.2. DATOS DE DISEO DEL PROTOTIPO FINAL ............................................................................................. 82
TABLA 4.3. PARMETROS CALCULADOS CON LA METODOLOGA DE DISEO. ............................................................... 82
TABLA 4.4. ANLISIS COMPARATIVO ENTRE EL DISEO PROPUESTO CON EL SISTEMA DE PLANON Y EL PROTIPO. ................ 87
TABLA A.1. RESUMEN DE LA REVISIN DEL ESTADO DEL ARTE .................................................................................. 97
TABLA E.1. DATOS DE DISEO PARA EL TRANSFORMADOR. ................................................................................... 111
TABLA E.2. DATOS DEL NCLEO. ...................................................................................................................... 112
TABLA F.1. DATOS DE DISEO PARA EL TRANSFORMADOR DEL PROTOTIPO FINAL. ..................................................... 115
TABLA F.2. DATOS DEL NCLEO. ...................................................................................................................... 116
ix
Simbologa
Conductividad del material conductor
Constante
ngulo
dvout/dt
Pendiente del voltaje de salida
Frecuencia de amortiguamiento
Permitividad del gas
Permitividad relativa al material de la barrera dielctrica
Nmero pi
Constante de tiempo de Rsr y C
Constante de tiempo de Rsr y Ce
A1
Constante igual al valor del voltaje de cd
A2
Constante
Capacitor paralelo con el devanado primario
Caux
Capacitor externo auxiliar para la medicin de potencia
Cd
Capacitor cilndrico formado por el dielctrico
Ce
Capacitor equivalente
Cg
Capacitancia del rea de descarga en estado activo
Cs
Capacitancia equivalente que presenta la LDBD en estado activo
Csr
Capacitancia equivalente que presenta la LDBD en estado activo reflejado al devanada

primario
Ciclo de trabajo
ELp
Energa almacenada en el devanada primario
Frecuencia de conmutacin
Fc
Factor de cresta
fr
Frecuencia de resonancia
Altura del cilindro o anchura del electrodo
Id
Corriente del diodo
iin
Corriente instantnea de entrada
Iin
Corriente promedio de entrada
ILpmax
Corriente mxima en el devanado primario
xi
ic
Corriente instantnea del capacitor C
iLp
Corriente instantnea del devanado primario LP
iQ
Corriente instantnea del interruptor
io
Corriente instantnea de salida
iRsr
Corriente instantnea de la resistencia
ILP
Corriente eficaz en el devanado primario
ILS
Corriente eficaz en el devanado primario.
Io
Corriente promedio de salida
IO
Corriente eficaz de salida
Kg
Constante Geomtrica
Espesor de la lamina de cobre utilizada para los electrodos
Lp
Devanado primario
Ls
Devanado secundario
m0
Pendiente de la seal de voltaje de alimentacin
Mmax
Pendiente mxima de la seal de voltaje de alimentacin
Mprom_max
Pendiente promedio de la seal de voltaje de alimentacin
Nmero entero positivo
Relacin de transformacin
P0
Potencia de salida
P0_prom
Potencia promedio de salida
Pin
Potencia de entrada
Pin_prom
Potencia promedio de entrada
PU
Nmero de pulsos de resonancia
Interruptor
qCaux
Carga almacenada en el capacitor C
Resistencia elctrica de los electrodos
r1
Radio menor o el radio del interior de la lmpara
r2
Radio mayor o radio exterior de la lmpara
Rd
Resistencia de drenaje a fuente en estado activo para el MOSFET
RS
Resistencia equivalente que representa la LDBD en estado activo
Rsr
Resistencia equivalente que presenta la LDBD en estado activo reflejado al devanada
xii
Rsr
primario
Tiempo
tfinal
Tiempo en el cual se conmuta para el encendido del interruptor
tmax
Tiempo en el cual se alcanza el voltaje pico mximo en el devanado primario
toff
Tiempo de apagado
ton
Tiempo de encendido
Tr
Periodo de la frecuencia de resonancia
TC
Periodo de la frecuencia de conmutacin
tx
Tiempo en el cual el voltaje en el devanado primario es cero por primera vez.
Va
Voltaje pico de la seal
vC
Voltaje instantneo del capacitor C
vCsr
Voltaje instantneo del capacitor
vds
Voltaje instantneo drenaje-fuente del interruptor
vgs
Voltaje instantneo compuerta-fuente del interruptor
vLp
Voltaje instantneo en el inductor primario
vRsr
Voltaje instantneo en la resistencia
vo
Voltaje instantneo de salida
VCaux
Voltaje promedio del capacitor
VCD
Voltaje de entrada de la fuente
vin
Voltaje instantneo de entrada
VLp
Voltaje promedio en el devanado primario
VLpmax
Voltaje mximo alcanzado en el devanado primario
Vo
Voltaje promedio de salida
Vo_max
Voltaje de salida mximo
VQ
Voltaje en el interruptor
vRsr
Voltaje de la resistencia equivalente que presenta la LDBD en estado activo reflejado al
Csr
LP
Rsr
Caux
devanada primario
Nmero de ciclos de resonancia
xre
Nmero de ciclos de resonancia re-calculado
Xcd
Reactancia capacitiva de Cd
xiii
Frecuencia angular
Frecuencia de resonancia
Frecuencia natural de resonancia
Frecuencia angular resonante
xiv
Abreviaturas y acrnimos
CA
Corriente Alterna
ACE
Amplificador Clase E
CO2
Dixido de carbono
DBD
Descarga de Barrera Dielctrica
LDBDs
Lmparas de descarga de barrera dielctrica
LFs
Lmparas Fluorescentes
PDP
Pantalla de plasma (Plasma Display Panel)
PWM
Modulacin por ancho de pulso (Pulse Width Modulation)
xv
xvi
cenidet 1
Diseo de una fuente de alimentacin para la produccin de luz con base en la DBD
Captulo 1
Antecedentes
En la primera parte de este captulo se presenta un resumen de la tesis doctoral titulada:
Anlisis y determinacin de las caractersticas de operacin y modelado de lmparas
fluorescentes convencionales, trabajando con descarga de barrera dielctrica. Se consider
incluir esta seccin ya que dicho trabajo es la principal referencia para el desarrollo de sta
tesis; de este modo se espera que el lector tenga a la mano la informacin ms relevante que
precede a este trabajo. La segunda seccin presenta cul es el problema que aborda esta tesis,
el planteamiento de la hiptesis, la justificacin, el objetivo general y los objetivos particulares.
Finalmente, se incluye un estudio del estado del estado del arte referente a las topologas de la
fuente de alimentacin estudiadas para la seleccin de la que se emplear.
cenidet 3
Capitulo 1. Antecedentes
1.1
Antecedentes
a descarga elctrica es una tcnica utilizada en la actualidad en las modernas

fuentes de luz; esto se debe a las ventajas que sta ofrece sobre la
incandescencia. Las lmparas que trabajan con descarga elctrica son de las ms
eficientes en el uso de energa; adems de tener una vida til ms larga, en comparacin con
otras fuentes de luz [1].
El proceso de la descarga elctrica se inicia cuando un flujo de electrones, que pasa a travs
de un gas, excita los tomos y molculas para emitir radiacin con el espectro caracterstico de
los e lementos presentes. Normalmente se utilizan dos metales, sodio y mercurio, porque sus
caractersticas dan lugar a radiaciones tiles en el espectro de luz visible, a su vez la descarga
que genera el plasma se puede realizar con la ayuda de electrodos internos. Los electrodos
tienen la funcin de iniciar el proceso liberando electrones cuando circula una corriente a
travs de ellos. Cuando los electrodos pierden la capacidad de emitir electrones, el proceso de
generacin de plasma no se puede iniciar y la lmpara llega al fin de su vida til.
Los electrodos son el punto dbil de las lmparas de descarga [2], [3], [4], [5], [6]; en [1] se
propone incrementar la vida til de las mismas eliminando la dependencia que stas presentan
de los electrodos.
1.1.1.
Tipos de descarga
De acuerdo con [1], en la literatura se reporta que la descarga sin electrodos se puede
clasificar segn la forma de crear el plasma.
Estas formas de generar el plasma corresponden a diferentes tipos de interaccin de los
campos electromagnticos con el plasma (dado que stos proveen la energa extra requerida
por los tomos y los electrones). sta interaccin depende, a su vez, del tipo de acoplamiento
existente entre los campos electromagnticos y el plasma, producindose los tipos de descarga
[7], [8], conocidos como:
descarga inductiva, derivada de un acoplamiento inductivo, que a su vez se basa en la

aplicacin de un campo magntico [9], [10].
descarga capacitiva [11], [12] o descarga de barrera dielctrica (DBD) [13], [14], presente
con un acoplamiento capacitivo que se basa en la aplicacin de un campo elctrico
4 Antecedentes
descarga de forma de onda sostenida o de microondas, desarrollada por un acoplamiento

de microondas que se basa en la aplicacin tanto de campos elctricos como magnticos
[15], [16].
En aos recientes, en CENIDET se ha desarrollado una lnea de estudio en torno a la

descarga de barrera dielctrica y sus aplicaciones, enfocadas principalmente a la produccin de
luz [1] y de ozono [17] , [18], [19]. De estos estudios se sabe que la DBD es una tcnica
interesante y poco estudiada dentro del rea de iluminacin; por lo que representa la opcin
ms atractiva de investigacin.
1.1.2.
Descarga de Barrera Dielctrica
El principio de funcionamiento de la descarga de barrera dielctrica, consiste en aplicar

un alto voltaje a un gas esttico, evitndose la formacin de un arco de descarga por medio de
un dielctrico; el alto voltaje produce micro-descargas de baja intensidad las cuales generan
radiacin ultravioleta. En la figura 1.1, se puede observar la configuracin de la descarga de
barrera dielctrica en una lmpara; en este caso se aplica un alto voltaje entre el ctodo y el
nodo, el gas contenido dentro de la lmpara es Xenn, y la ampolla de vidrio funge como
dielctrico.
Figura 1.1. Descarga de barrera dielctrica
La DBD se caracteriza principalmente por la presencia de al menos un dielctrico

ubicado entre sus electrodos, los cuales pueden ser circulares o planos, ver figura 1.2. Como
consecuencia de la presencia del dielctrico, este tipo de descarga requiere de voltajes alternos
o pulsados para su funcionamiento [1]. Otra funcin que desempea el dielctrico es evitar que
los electrodos se encuentren en contacto con el plasma, y, por tanto, se encuentran libres de la
accin corrosiva a la que estn sujetos los electrodos en una descarga en arco, por ejemplo.
La constante dielctrica y el grosor del dielctrico, en combinacin con la derivada del
voltaje aplicado con respecto del tiempo dv dt , determinan la cantidad de corriente de
desplazamiento que puede pasar a travs del dielctrico(s). Para que fluya corriente en el rea
cenidet 5
de descarga el campo elctrico tiene que ser lo suficientemente elevado para causar el
rompimiento dielctrico en el gas.
Los materiales usados para el dielctrico son vidrio, cuarzo, cermica, o tambin capas
de polmeros [20]. Dependiendo de la aplicacin, la amplitud de la cmara de descarga pueden
variar desde 0.1 mm en pantallas de plasma, 1 mm en generadores de ozono hasta varios
centmetros en lseres de CO2 [9]. El intervalo de frecuencias aplicadas a la DBD vara desde
frecuencias por debajo de la de lnea hasta varios gigahertz.
Entre las aplicaciones de la DBD se encuentran: la generacin de ozono, la modificacin
superficial de polmeros, la excitacin de lseres CO2, las lmparas excimer y planon y, ms
recientemente, las pantallas planas de plasma de grandes areas. En la figura 1.3 se muestra
un esquema en el que se engloban los conceptos bsicos en torno a los fenmenos fsicos de la
descarga de barrera dielctrica, a los procesos qumicos de la generacin del plasma, y algunas
de las principales aplicaciones de la DBD.
Electrodo de alto
voltaje
Fuente de
AC
Barrera
dielctrica
Cmara de
descarga
Electrodo aterrizado
b)
a)
c)
d)
e)
Figura 1.2. Configuraciones bsicas para la descarga de barrera dielctrica.
6 Antecedentes
Campo
Elctrico
Breakdown
Fsica de
la
descarga
Electrones e
Iones
Qumica
del
plasma
Excited
Species
Reacciones
qumicas
Generacin
de Ozono
Tratamiento de
superficies
Control de
contaminacin
Lmparas Excimer
Formacin
excimer
Laseres CO2
Hidrogenacin
de CO2
Pantallas de plasma
AC
Figura 1.3. Diagrama esquemtico que resume el principio de la descarga de barrera dielctrica y sus
principales aplicaciones.
1.1.2.1.
Tipos de DBD
Existen dos diferentes formas en que se presenta este tipo de descarga; la filamental,
que es la ms ampliamente conocida, y la difusa, homognea o luminiscente [9].
La DBD filamental se caracteriza porque se lleva a cabo por medio de pequeas
descargas, del orden de los A, en forma de filamentos, ver figura 1.4. Este tipo de descarga es
ampliamente usada en la generacin de ozono, y en el tratamiento de superficies y de gases
[20].
cenidet 7
Figura 1.4. Fotografa de microdescargas y figura de Lichtenberg obtenida de la emulsin de una placa
fotogrfica que sirvi al mismo tiempo de barrera dielctrica. Cmara de descarga de aire 1mm a presin
atmosfrica.
La DBD homognea o difusa tiene la caracterstica de estar constituida por pocas

descargas aunque de amplitud considerablemente mayor que las generadas en el tipo
filamental, y pueden ser incluso del orden de los ampers. Se puede conseguir este tipo de
descarga con una configuracin como la que se muestra en la figura 1.2 c), que incluye dos
dielctricos. Este tipo de descarga se conoce como luminiscente, ya que produce ms energa
luminosa que la filamental; normalmente se emplea en aplicaciones que incluyen la produccin
de luz, como en la lmpara Planon o en las lmparas del tipo excimer, entre otras [9].
1.1.3.
Seleccin del tipo de lmpara
Otro punto tratado en [1] es la seleccin del tipo de lmpara. Se examin la factibilidad
de colocar los electrodos externamente, y su funcionamiento bajo el principio de la DBD.
Las lmparas de descarga en arco de alta presin se caracterizan por tener dos tubos de
descarga; uno para la descarga y otro exterior para la proteccin del usuario, por lo que se
consider que no sera posible su empleo con electrodos externos.
Se encontr que entre los tipos de lmpara en las que se puede implementar la DBD
con electrodos externos, se encuentran las lmparas de vapor de mercurio de baja intensidad
de descarga, comnmente conocidas como lmparas fluorescentes convencionales (LFs). Por
otro lado, existe una lmpara comercial la cual ya tiene integrada esta tecnologa, conocida
comercialmente como Planon y fabricada por Osram. Ante el hecho de que esta ltima resulta
muy costosa, ya que no se comercializa en Mxico y se tiene que importar bajo las polticas de
OSRAM de Mxico, dentro de las cuales se incluyen volmenes mnimos de compra, se decidi
solamente utilizar LFs, especficamente lmparas del tipo compacto, circular y lineal.
8 Antecedentes
Adicional a la facilidad de conseguir las LFs, se visualiz la posibilidad de reutilizar las

lmparas fluorescentes de desperdicio y de esta forma comprobar la teora planteada
originalmente, la cual es alargar la vida til de las lmparas de descarga si se trabaja sin
electrodos internos.
1.1.4.
Influencia de los electrodos externos
Una vez definido el tipo de lmpara que se usara, el paso siguiente fue saber la
ubicacin y geometra de los electrodos externos; los siguientes prrafos resumen el trabajo
hecho en [1] relacionado a este punto. Para la ubicacin se consideraron dos opciones, que
stos se encuentren a lo largo de la periferia de la lmpara o que se ubiquen en los extremos
de sta. Como resultado de las pruebas de con las diferentes configuraciones de electrodos, se
obtuvo que la mejor opcin fue colocar los electrodos en los extremos de las lmparas, esto
tanto para las lmparas lineales como para las circulares.
Para seleccionar las dimensiones de los electrodos se tom en cuenta que stos se
encuentran en el camino del flujo principal de la corriente, por lo cual es de esperar que la
potencia que se disipa en ellos, debido a su resistencia elctrica, afecte directamente a la
eficacia de la lmpara. La ecuacin (1.1) calcula la resistencia elctrica del electrodo.
Ae
(1.1)
La forma de disminuir las prdidas en los electrodos es disminuyendo su resistencia

elctrica, lo cual se puede lograr incrementando el rea del electrodo. No obstante, entre
mayor es el rea que ocupa el electrodo menor es el rea de emisin de luz, por lo cual se
requiere establecer un compromiso entre dichas reas para poder establecer las dimensiones
ms adecuadas.
Cuando los electrodos se colocan en los extremos de la lmpara, tal como se muestra
en la figura 1.5, se forma un capacitor entre el electrodo, el vidrio, que en este caso es el
dielctrico, y el plasma que se forma en el momento de la descarga. En la figura 1.6 se muestra
un corte transversal del electrodo y la lmpara, se aprecian tambin tanto el electrodo, que
est en la parte exterior de la figura, como el tubo de vidrio de la lmpara. En la parte interna
del tubo, el plasma (que es un conductor) se genera en el momento de de la descarga, de tal
forma que una buena aproximacin del valor de este capacitor se puede calcular por medio de
la ecuacin (1.2), [1].
cenidet 9
Cd
0 r h
r
ln 2
r1
(1.2)
donde 0 es la permitividad del gas, r es la permitividad relativa del material de la barrera

dielctrica, h es la altura del cilindro o anchura del electrodo, r1 es el radio menor o del interior
de la lmpara y r2 es el radio mayor o exterior de la lmpara. El valor que se obtiene con la
ecuacin (1.2) en realidad es slo una aproximacin, ya que r es funcin de la temperatura.
Figura 1.5. Bosquejo de electrodo aplicado a las lmparas para un electrodo en forma de anillo colocado en
los extremos.
Figura 1.6. Corte transversal del conjunto lmpara-electrodo para un electrodo en forma de anillo colocado
en los extremos.
La reactancia capacitiva de Cd , que est relacionada con la impedancia que se presenta

en el flujo principal de la corriente en los electrodos se puede calcular por medio de la ecuacin
(1.3), [1].
10 Antecedentes
X cd
r
ln 2
1
r1
2
2 fCd 2 f 0 r h
(1.3)
Se puede observar en la ecuacin (1.3) que, para un tipo de lmpara y frecuencia de

operacin f definida, la nica variable que se tiene es h . La reactancia vara de forma
inversamente proporcional a la anchura del electrodo, lo cual indica que, a mayor dimensin
del electrodo, menores sern las prdidas de ste. Sin embargo, dado que los electrodos no son
translucidos, a mayor dimensin del electrodo menor ser el rea por la cual se permite que la
energa luminosa salga de la lmpara; por esta razn, se debe ser cuidadoso con las
dimensiones de stos.
1.1.5.
Modelado de la lmpara operando con la DBD
Una vez obtenidas las principales caractersticas referentes a la lmpara, en [1] se

propone desarrollar una configuracin que las incluya y que represente adecuadamente a la
DBD. Se parte de la figura 1.7 en donde se muestra un contenedor de vidrio en cuyas
terminales se colocan los electrodos; en este caso las paredes del contenedor trabajan como un
dielctrico.
Lmpara
fluorescente
Electrodos
de cobre
Figura 1.7. Configuracin bsica para una DBD.
En [1] se propone tambin el modelo de la figura 1.8 a). En este modelo se considera
que la descarga trabaja bajo condiciones de valores de pendiente de voltaje altos. Este rgimen
de operacin se conoce como DBD luminiscente y est caracterizado por tener valores de alta
intensidad de microdescargas y un nmero reducido de stas.
cenidet 11
La figura 1.8 a) muestra el modelo elctrico propuesto para la DBD, que est formado
por la capacitancia del rea de descarga C g y por el capacitor cilndrico Cd , los cuales estn
conectados en serie. En este modelo, cuando se alcanza el encendido, el interruptor se cierra
conectando en serie el capacitor Cg ( P) , Cd y la resistencia RS (1/ P) , en este caso Cg ( P) y
RS (1/ P) son funcin del valor de la potencia P , quedando por tanto el modelo elctrico
constituido por tres elementos conectados en serie, Cd , Cg ( P) y RS (1/ P) como ilustra la
figura 1.8 b).
Es posible simplificar el modelo obtenido calculando un capacitor total equivalente de
Cd y Cg ( P) . Si se considera que la DBD trabajar con voltajes de pendientes suficientemente
altas, el voltaje v0 (t ) con el que las descargas inician puede ser considerado cero, lo cual
implica que el interruptor de la figura 1.8 a) siempre estar cerrado. Por lo tanto, el modelo
puede simplificarse al presentando en la figura 1.8 c) sin interruptor. Bajo estas condiciones, el
modelo de la DBD puede simplificarse a un capacitor CS y una resistencia RS conectados en
serie, como se observa en la figura 1.8 c). Sin embargo estos elementos no son constantes
debido a que varan con la potencia promedio entregada por las microdescargas P0 . Pero si el
punto de operacin, que es la potencia, se mantiene constante, la consideracin es vlida.
v0(~)
v0(~)
Cd
Cd
v0(~)
RS(1/P)
RS(1/P)
RS(1/P)
Cs(P)
Cg
Cg(P)
Cg(P)
a)
b)
c)
Figura 1.8. Simplificacin de modelo, a) modelo original, b) modelo de la descarga instantnea, c) modelo
simplificado.
1.1.6.
Efecto de la pendiente de la forma de onda
Las consideraciones del modelo anterior, propuesto en [1], sugieren que se necesita
trabajar con pendientes de voltaje muy elevadas, para lo cual ser necesaria una fuente de
alimentacin de alto voltaje. La seleccin de la forma de onda ptima que esta fuente debe
entregar a la carga se obtuvo del anlisis presentado en [21]. En tal estudio se encontr que la
12 Antecedentes
pendiente de la forma de onda de la seal aplicada en una DBD es el factor medular en la

transferencia de energa en dicha descarga. Para conseguir dicho propsito en [21], se analiz
el comportamiento de la pendiente de las siguientes formas de onda:
Sinusoidal.
Pulsos sinusoidales positivos.
Trapezoidal (Cuadrada Prctica).
Triangular.
Exponencial.
El parmetro que diferencia el comportamiento de la pendiente de cada forma de onda

es el factor de cresta, el cual es la relacin entre el valor pico de la pendiente (pendiente
mxima) y el promedio de la pendiente positiva como se muestra en la ecuacin (1.4).
FC
M max
M prom. pos
(1.4)
El promedio de pendiente positiva se refiere a omitir el intervalo de tiempo donde se

tiene pendiente negativa, ya que se sabe que las microdescargas en la DBD ocurren en la
pendiente positiva de la forma de onda aplicada. Los resultados obtenidos en [21] se resumen
en la tabla 1.1.
Tabla 1.1. Resumen de los factores de pendiente para las formas de onda analizadas en [21].
Forma de onda
Factor de cresta
Sinusoidales
3.1416
Pulsos sinusoidales positivos
125.67; n=20 (2n)
Cuadrada practica (trapezoidal)
200*
Triangular
Exponencial
10.52*
Asi, en [1] se propone trabajar con la forma de onda de pulsos sinusoidales positivos.
Esta forma de onda tiene como principal caracterstica el ser unipolar. Est formada por el
semiciclo positivo de una seal sinusoidal que tiene una frecuencia de resonancia f r , y que se
cenidet 13
repite a una frecuencia f , existiendo un periodo de tiempo en el cual no se tiene seal, de tal
forma que f r nf . Donde n es un nmero positivo. Esta forma de onda se muestra en la
figura 1.9.
Figura 1.9. a) Pulsos cortos, b) Forma de onda de la pendiente.
1.1.6.1.
Factor de cresta
El factor de cresta para la forma de onda de pulsos positivos sinusoidales es una funcin
lineal que est expresada por la ecuacin (1.5) y su comportamiento se puede observar en la
figura 1.10 [1].
FC
M max
2 f rVa n
2 n
M prom. pos.
f rVa
(1.5)
14 Antecedentes
Figura 1.10. Comportamiento del factor de cresta en una seal sinusoidal en funcin de n.
1.1.7.
La fuente de alimentacin
Para la seleccin del circuito que pudiera cumplir con los requerimientos de entregar
pulsos unipolares de alto voltaje y frecuencia elevada, se analiz la literatura referente a los
circuitos conocidos como ignitores, los cuales son muy usados dentro de la alimentacin de
lmparas de descarga. La topologa seleccionada resulta ser una variante del amplificador clase
E, ver figura 1.11. Este esquema ya ha sido propuesto por otros autores [22]. Sin embargo, en
ningn caso se ha empleado para la alimentacin de LDBD y se busca hacer uso del efecto de
resonancia.
Figura 1.11. Circuito esquemtico del sistema de alimentacin.
Esta fuente trabaja por medio de pulsos unipolares de corta duracin, aprovechando de
esta manera principalmente el dv/dt proporcionado por el flanco de subida del pulso, logrando
con esto hacer ms eficiente la descarga.
Partiendo del anlisis del circuito realizado en [22] y adaptndolo al modelo propuesto
de la lmpara se obtiene una metodologa de diseo de la fuente de alimentacin; esta
metodologa permite calcular los elementos de la fuente a partir de unas pocas
cenidet 15
especificaciones derivadas del modelo de la lmpara para tener conmutacin a voltaje y

pendiente cero.
1.1.8.
Conclusiones
Las conclusiones generales del trabajo realizado en [1] se presentan a continuacin. Se

trabaj con el circuito de alimentacin basado en pulsos de voltaje de corta duracin, en esta
ocasin funcionando en una zona diferente de operacin, logrndose una mejor transferencia
de energa a la lmpara y, sobre todo, una mejora en la conversin de energa lumnica. En este
punto se considera que se ha logrado una buena eficacia de la lmpara, pero tambin se
considera que se requiere incrementar la eficiencia de la fuente de alimentacin. Si se mejora
la eficiencia de la fuente de alimentacin por medio de un diseo optimizado del
transformador se podr proponer el nicho de aplicacin de estas lmparas, ya que la misma
naturaleza de las DBDs no permite conseguir potencias altas, al menos no con la configuracin
que se tiene. Con un nicho de aplicacin bien definido se podr plantear de manera completa la
factibilidad de la reutilizacin de las lmparas fluorescentes.
1.2.
Planteamiento del problema
Del sistema de alimentacin que se report en [1] se concluye que, aunque se logr una
buena eficacia en la lmpara, se requiere mayor eficiencia del sistema de alimentacin. Esto se
debe a que el sistema de alimentacin propuesto no cuenta con algn elemento que impida el
regreso de energa a la fuente ni tampoco alguna red de recuperacin de energa. Por esta
razn, ser necesario desarrollar e implementar un sistema de alimentacin que proporcione
una alta eficiencia, y que al igual que en [1], se base en formas de onda pulsantes.
Adicionalmente, se explotar la posibilidad que el sistema resultante sea de costo bajo, y con
un mnimo nmero de elementos.
1.3.
Hiptesis
Al disear una fuente de alimentacin para lmparas fluorescentes, basada en una variante
del amplificador clase E y ponrsele un diodo a la entrada del voltaje de cd, se evitar el regreso
de energa a la fuente; y de esta forma se espera obtener una alta eficiencia de la fuente de
alimentacin.
1.4.
Justificacin
Implementar un sistema de iluminacin eficiente para su aplicacin en lmparas

fluorescentes con electros externos, representara un avance significativo dentro de los
16 Objetivos
sistemas de alimentacin para lmparas fluorescentes y un desarrollo atractivo para las

lmparas de DBD. Adicionalmente con la implementacin de un sistema de iluminacin como
ste, se hara posible la reutilizacin de lmparas fluorescentes, logrando con as contribuir a
reducir la contaminacin por mercurio (que es el gas contenido en las lmparas fluorescentes),
ya que es un gran contaminante de ros y mares.
1.5.
Objetivos
1.5.1.
Objetivo general
Desarrollar una fuente de alimentacin para lmparas fluorescentes, operando bajo el

principio de la descarga de barrera dielctrica, que alimente a la lmpara con formas de onda
pulsantes. Se buscar que esta fuente de alimentacin sea ms eficiente, con respecto a las
topologas similares encontradas en la literatura, y, que tenga un nmero reducido de
componentes.
1.5.2.
Objetivos particulares
Los objetivos particulares planteados son:
1.6.
Estudio de la topologa a estudiar para el diseo de la fuente de alimentacin.

Desarrollo de la metodologa de diseo
Caracterizacin de la lmpara
Implementacin del sistema
Anlisis de la fuente de alimentacin propuesta
Estado del arte
Hasta la fecha en la que se redacta esta tesis, existe un solo modelo comercial de
lmpara que trabaja bajo el principio de la DBD [23]. Una de las principales ventajas de este
tipo de lmparas es el incremento sustancial en su vida til, comparada con el resto de las
lmparas comerciales existentes. Otra caracterstica importante es que no utilizan mercurio
como gas de relleno; lo cual resulta por dems benfico, ya que este metal es unos de los
principales contaminantes de ros y mares [24].
A partir de lo anterior, la revisin del estado del arte se enfoca en las caractersticas
bsicas de la fuente de alimentacin para hacer funcionar una LF con electrodos externos, bajo
el principio de la DBD. Tales caractersticas son:
cenidet 17
Forma de onda entregada a la carga sinusoidal, cuasi-sinusoidal o pulso.

Como consecuencia de la presencia del dielctrico este tipo de descarga requiere de
voltajes alternos o pulsados para su funcionamiento [9].
Conmutacin a alta frecuencia. La intensidad de la descarga de barrera
dielctrica depende directamente de la pendiente del voltaje aplicado a la carga
[21]. Lograr una pendiente alta depende principalmente de dos variables: el voltaje
pico alcanzado y de la frecuencia de la seal; por esta razn, se prefiere que la
fuente de alimentacin pueda conmutar a altas frecuencias.
Alta eficiencia. Se busca aumentar la eficiencia de la fuente de
alimentacin reportada en [1], lo que permitir trabajar a potencias superiores a los
15 W.
La informacin recopilada se obtuvo de bases de datos reconocidas, como la IEEE. La
bsqueda se orient a generadores de ozono considerando que stos son la primera y una de
las principales aplicaciones de la DBD; fuentes de alimentacin para pantallas de plasma, que
tambin trabajan bajo principio de la DBD, y fuentes de alimentacin con circuito de
recuperacin de energa. Este ltimo punto surgi porque el principal problema del sistema de
alimentacin reportado en [1] es precisamente que, al no tener un circuito de recuperacin de
energa, sta tiende a regresarse a la fuente sin haber sido aprovechada por la carga.
Del anlisis de estos documentos se pueden hacer los siguientes comentarios. En lo
referente a la frecuencia de conmutacin a la que trabajan las fuentes de alimentacin, la
mayora trabaja a frecuencias medias [17], [19], [25], [26], [27], [28], [29] y altas [1], [30], [31],
[32], o en su defecto sus interruptores tienen la capacidad de conmutar a frecuencias mayores
a las usadas en esa aplicacin. Por ejemplo, se puede apreciar en la figura 1.12 una variante del
amplificador clase E en el que se usa un MOSFET como interruptor. En conclusin, la frecuencia
de alimentacin no es un dato crtico que pudiera limitarnos en la seleccin de la topologa.
Figura 1.12. Amplificador Clase E con un MOSFET como interruptor; topologa propuesta por [1].
18 Estado del arte
La forma de onda pulsante o CA es tambin una caracterstica que no fue limitante para
las fuentes de las referencias consultadas [1], [17], [19], [28]; se observ que las fuentes que
trabajan con formas de onda diferentes a las requeridas fueron las que alimentan a las
pantallas de plasma [27], [29], [30], [32].
Se encontr una limitante al tratar de evaluar el desempeo de las fuentes de
alimentacin con respecto a su eficiencia; porque la mayora de ellas no incluyen esa
informacin. Las referencias en las s s incluye este dato fueron la [27] que reporta una
eficiencia del 95%, la [19] en la cual es de 88%, la [28] que es de 91% y en [1] que tuvo una
eficiencia del 56.9%.
Se hicieron otras observaciones que se consideran relevantes para la seleccin de la
topologa de la fuente de alimentacin que se usar. Las topologas tpicas empleadas tanto en
los generadores de ozono como en las fuentes de alimentacin para pantallas de plasma son
inversores puente completo [25], [29], [30], [31], [32], [33], lo que implica la presencia de
varios dispositivos semiconductores como interruptores y diodos, como se observa en las
figuras 1.13, 1.14 y 1.15.
Figura 1.13. Inversor puente completo, topologa propuesta por [25].
Figura 1.14. Inversor puente completo, topologa propuesta por [31]
cenidet 19
Figura 1.15. Inversor puente completo, topologia propuesta por [29]
Otra de las topologas empleadas para los generadores de ozono es el amplificador

Clase E [19], [18], esta topologa es una de las ms sencilla de entre las que se estudiaron, la
figura 1.16. muestra el esquema del amplificador clase E.
Celda generadora
de ozono
Lg
T1
Le
Lf
Cf
Cp
Rp
Vcc
-
M1
Ce
Figura 1.16. Amplificador Clase E topologa propuesta por [19]
Una variante del Amplificador Clase E en la que se incluye un diodo en serie con la
fuente de alimentacin se presenta [28] y es empleada en un generador de ozono. En este
trabajo se reporta una de las eficiencias ms altas de entre las referencias consultadas. No
obstante a que esta topologa presenta una etapa de rectificacin y filtrado, la estructura
bsica se compone de pocos elementos.
Figura 1.17. Topologa propuesta por [28]
20 Estado del arte
Se observ que las fuentes de alimentacin para pantallas de plasma recurren al uso de
una [30], o dos [27], [32] ramas de circuitos de recuperacin de energa ERC (Energy Recovery
Circuit), esto se debe a las prdidas de energa ocasionadas por el comportamiento capacitivo
de la pantalla de plasma; as como a las prdidas por interferencias electromagnticas [32]. Sin
embargo, con esto se aumenta tanto el tamao como el costo final del prototipo, lo cual
representa una caracterstica poco deseada si pensamos en que estamos eligiendo un sistema
de alimentacin para una lmpara. Las figuras 1.16 y 1.17 muestran dos topologas en la que se
incluyen dos ramas de ERC.
Figura 1.18. Inversor puente completo con dos ramas de ERC propuesta por [27]
Figura 1.19. Inversor puente completo con dos ramas de ERC propuesta por [32].
La topologa mas recurrida de ERC es la propuesta por Weber [34], o en su defecto un

variante de esa misma topologa.
cenidet 21
1.6.1.
Conclusiones generales del estado del arte
Se considera que la frecuencia conmutacin no es un factor limitante la seleccin de la

topologa; por que como se dijo anteriormente, todas las topologas tienen dispositivos de
conmutacin que manejan amplios intervalos de frecuencia.
Con el parmetro de eficiencia se tiene el problema de que es un dato omitido en la
mayora de las referencias consultadas, por lo cual resultara desatinado considerarlo como un
parmetro decisivo en la seleccin de la topologa.
As, tenemos que el factor limitante para la seleccin de la topologa es la forma de
onda entregada a la carga, porque es justamente la forma de onda pulsante la que genera las
microdescargas que producen luz en la lmpara [9].
Con la finalidad de resumir las caractersticas de la revisin de los artculos del estado
del arte, se presenta la tabla A.1. en el anexo A.
1.7.
Propuesta de solucin
Con base en las conclusiones del estado del arte, se propone el diseo e
implementacin de una fuente de alimentacin para lmparas fluorescentes, basada en formas
de onda pulsante; la cual tendr como base la topologa usada en [1], que es una variante del
amplificador clase E, al que se le agregar un diodo en serie con la fuente de alimentacin,
como se empleo en [28], evitando as el regreso de energa a la fuente.
La topologa seleccionada ofrece la ventaja de tener una estructura ms sencilla ya que
el nmero de elementos que la componen es considerablemente menor comparada con las
otras fuentes de alimentacin consultadas en el estado del arte [25], [30], [31], [33]. De igual
forma rene las caractersticas bsicas de frecuencia de conmutacin y la forma de onda que
entrega a la carga. Cabe sealar que slo cuenta con un elemento magntico, a diferencia de la
mayora de las fuentes presentadas en el estado del arte.
Se espera tener alta eficiencia en la fuente de alimentacin con el diodo D (ver figura
1.20); el cual tiene la funcin de evitar el regreso de energa a la fuente sin la necesidad de usar
complejos circuitos de recuperacin de energa.
22 Propuesta de solucin
Lmpara DBD
N
CS
D
LP
VCD
LS
Rd
Q
PULSO
Figura 1.20. Topologa propuesta.
RS
cenidet 23
Capitulo 2
Captulo 2
Anlisis de la topologa seleccionada y
desarrollo de la metodologa de
diseo
Este captulo presenta la descripcin de la topologa seleccionada para la alimentacin
de la lmpara fluorescente con electrodos externos. Se muestra el anlisis matemtico
desarrollado para esta topologa. De igual forma se incluy el desarrollo de la metodologa de
diseo; con un apartado en el que se explica su funcionamiento y algunas recomendaciones
para diseos futuros.
24
Capitulo 2
cenidet 25
Capitulo 2. Anlisis de la topologa seleccionada y desarrollo de la

metodologa de diseo
2.1.
Amplificador clase E con un inductor y un capacitor en la red de

carga
a topologa seleccionada para alimentar a la lmpara fluorescente con electrodos

externos, es una variante del ACE (Amplificador Clase E). Esta versin del clase E
fue presentada por Sokal, y su principal ventaja es la sencillez, debido a que el
nmero de componentes es mnimo. Su operacin y anlisis se basa en los principios del ACE,
por lo que se le considera como una variante simplificada de la topologa bsica. La mayor
desventaja de esta topologa es que la forma de onda del voltaje alimentado a la carga es una
seal de voltaje asimtrica [22].
ste circuito es apropiado para aplicaciones en donde el contenido armnico y ruido de
modulacin de fase no son factores importantes, por ejemplo donde es necesario proporcionar
energa para calentamiento, generacin de sparks, arcos, plasma o como control de entrada de
una etapa de alta potencia.
No obstante su sencillez, el anlisis del ACE con un solo inductor y un solo capacitor en la
red de carga es complejo, debido a que todos los parmetros estn interrelacionados, por lo
que obtener una combinacin perfecta es casi imposible. Esta circunstancia complica el anlisis
e impide la obtencin de soluciones analticas, por lo que es comn el uso de mtodos
numricos para solucionar los problemas.
En la figura 2.1 se muestra un diagrama del ACE con un solo transformador y un capacitor
en la red de carga; se puede apreciar la sencillez del circuito.
26
Amplificador clase E con un inductor y un capacitor en la red de carga

Lmpara DBD
N
Cs
Lp
Ls
VCD
RS
Rd
Q
PULSO
Figura 2.1. Amplificador Clase E con transformador y un capacitor en la red de carga.
2.1.1.
Acerca de la topologa seleccionada
Se explic en el captulo 1 que, para lograr que la fuente de alimentacin aumente su

eficiencia con respecto a lo reportado en [1], en este trabajo se agregar un diodo en la salida
de la fuente de CD, con el cual se obligar a que toda la energa entregada por la fuente sea
aprovechada por la carga [28].
Como consecuencia de la adicin del diodo D surgi la necesidad de reubicar el
capacitor C como se muestra en la figura 2.2 a). Esta reubicacin evita que se dae el
interruptor Q al permitir la descarga del capacitor C a travs del devanado LP , como se
observa en la figura 2.2 a). De no ser as, este capacitor estara permanentemente cargado
como se observa en la figura 2.2 b), provocando encendidos y apagados duros en el interruptor
e inclusive la destruccin del mismo.
cenidet 27
Lmpara DBD
Lmpara DBD
.
Cs
D
C
Lp
Ls
Cs
Rs
Lp
Ls
VCD
VCD
RS
Q
Rd
Rd
Q
C
PULSO
PULSO
a)
b)
Figura 2.2. a) Topologa propuesta, b) Topologa sin el cambio del capacitor C.
Con estas modificaciones la topologa seleccionada qued como se aprecia en la figura

2.3.
Lmpara DBD
N
Cs
D
C
Lp
Ls
Rs
VCD
Rd
Q
PULSO
Figura 2.3. Topologa propuesta.
Es importante aclarar que de acuerdo al anlisis realizado en [22], si el circuito est bien
sintonizado y cuenta con un solo pulso, el diodo es innecesario. Sin embargo, esta situacin se
da slo para un punto de operacin, el cual es imposible de alcanzar en la vida real; por lo
tanto, al desintonizarse el circuito, el diodo en serie impide el retorno de energa hacia la
fuente por lo que se aplican varios pulsos de voltaje a la carga en lugar de slo uno. El anlisis
del circuito bajo estas condiciones no se ha reportado en la literatura por lo que se procedi a
efectuarlo bajo premisas diferentes a las que se indican en la referencia [22].
28
2.1.1.1.
Simulacin
Puesto que el circuito de la figura 2.3 trabaja bajo condiciones diferentes a las
expuestas en [22], es necesario partir desde cero en el anlisis del mismo; por tal razn, el
primer paso fue obtener las formas de onda caractersticas, para tal fin se parti de los datos
presentados en [1] y se realiz una simulacin en Spice con lo cual se obtuvieron las formas de
onda esperadas; los datos se tomaron del ejemplo 3; y se pueden ver en la tabla 2.1
Tabla 2.1. Parmetros de diseo para la simulacin de la nueva topologa.
Parmetro
Valor
Unidad
VCD
129.9
0.5
PO
Rs
3.5
MHz
En donde VCD es el voltaje de alimentacin, f es la frecuencia de conmutacin, D es

el ciclo de trabajo, PO la potencia de salida y RS es la resistencia del modelo de la lmpara.
Con la simulacin se obtuvieron las formas de onda caractersticas de la topologa
propuesta, las cuales sirvieron de base para el anlisis matemtico de la propuesta. Se debe
sealar que las siguientes figuras nos presentan valores numricos, porque el objetivo de stas
es mostrar nicamente la forma de onda de voltaje y corriente en los componentes del circuito.
Las formas de onda de los voltajes obtenidos en la simulacin se muestran enseguida.
La figura 2.4 a) muestra el voltaje de control en la compuerta. En la figura 2.4 b) se aprecia el
voltaje en el devanado primario el cual, como se puede observar, se carga y se mantiene al
mismo nivel del voltaje de alimentacin durante todo el tiempo de encendido. El voltaje en el
interruptor Q se muestra en la figura 2.4 c); es posible observar la conmutacin a cero voltaje
de Q tanto en el apagado como en el encendido. El voltaje en la carga se muestra en la figura
2.4 d).
En la figura 2.5 a) se observa el voltaje de control de la compuerta, en ella se pueden
identificar los dos estados de operacin del interruptor. La figura 2.5 b) muestra la corriente del
capacitor. En la figura 2.5 c) se observa la corriente en el devanado primario; durante el
encendido sta corriente es la misma que la corriente del interruptor, la cual se muestra en la
figura 2.5 d). En la figura 2.5 e) se aprecia la corriente en la carga, que al estar conectada
cenidet 29
directamente con el devanado secundario es un reflejo de la corriente del devanado primario,

afectada por la relacin de transformacin y por la polaridad.
Figura 2.4. Formas de onda de voltaje de la topologa propuesta.
Figura 2.5. Formas de onda corriente de la topologa propuesta.
2.1.1.2.
Anlisis de la topologa seleccionada
Para el anlisis del circuito se estudiar a continuacin la respuesta del mismo en sus
dos estados: cuando Q est cerrado, es decir en el encendido; y cuando Q est abierto, es decir
en el apagado. Para este anlisis se tomaron las siguientes simplificaciones:
30
1.
El interruptor se comporta como un cortocircuito durante el estado de
encendido ( Rd ( on ) 0 ).
2.
El interruptor se comporta como un circuito abierto cuando est abierto.
2.1.1.2.1.
Estado de encendido (Q cerrado)
En la figura 2.6 se observa el circuito equivalente para el estado de encendido; en

donde VCD es el voltaje de alimentacin, D es el diodo, C capacitor paralelo con el devanado
primario, LP es el devanado primario, LS es el devanado secundario, N es la relacin de
transformacin, RS es la resistencia del modelo de la lmpara y CS es el capacitor del modelo
de la lmpara.
A partir de este diagrama es posible obtener, las expresiones para el clculo de la
corriente en el devanado LP y el voltaje en el capacitor C . Estas expresiones son la (2.1) y la
(2.2) respectivamente.
N
VCD
D
Lp
Cs
Ls Rs
Figura 2.6. Circuito equivalente en el estado encendido.
iLp
vLP tENC
Lp
vLP VCD
(2.1)
(2.2)
Estos valores representan la corriente y el voltaje pico que alcanzan estos componentes
durante el estado de encendido.
2.1.1.2.2.
Estado de apagado (Q abierto)
La figura 2.7 muestra el circuito equivalente para el estado de apagado; por cuestiones
de sencillez este diagrama se simplific reflejando hacia el primario los componentes
conectados al secundario. Durante este estado ocurre un efecto de resonancia entre los
componentes C, Lp, Csr y Rsr; generndose un pico de alto voltaje en la carga como se aprecia en
la figura 2.4
cenidet 31
Csr
Rsr
Lp
C
ic
iLp
iRsr
Figura 2.7. Circuito equivalente en el estado de apagado.
Analizando la figura anterior, con la ayuda de la primera ley de Kirchhoff que dice: la
suma de las corrientes entrantes a un nodo son iguales a la suma de las corrientes salientes; se
puede determinar la corriente de la bobina con la siguiente expresin:
iLp (t ) iRsr (t ) iC (t )
(2.3)
Se desarrollan las expresiones de corriente para cada trmino de la ecuacin (2.3), se

obtiene la ecuacin (2.4)
v (t )
1
vLp (t )dt Rsr CvC (t ) '
Lp
Rsr
(2.4)
Esta expresin contiene 3 variables vLp (t ) , vRsr (t ) , vC (t ) ; se requiere encontrar una

ecuacin que dependa slo de una variable.
Segn la ley de voltajes de Kirchhoff la tensin en la resistencia Rsr es
vRsr (t ) vLp (t ) vCsr (t )
(2.5)
1
iRsr (t )dt
Csr
(2.6)
En donde
vCsr (t )
Por otro lado, de (2.3) se puede conocer el valor de iRsr (t )
32
iRsr (t )
1
vL (t )dt CvC (t ) '
Lp p
(2.7)
Sustituyendo (2.6) y (2.7) en (2.5), encontramos una expresin integro-diferencial

para vRsr (t )
vRsr (t ) vLp (t )
1
Csr
L v
Lp
(t )dt CvC (t ) ' dt
(2.8)
El voltaje vC (t ) se puede expresar tambin como vLp (t ) , ya que LP y C estn

conectados en paralelo; as, la expresin (2.8) queda como
vRsr (t ) vLp (t )
1
Csr
v
(
t
)
dt
Cv
(
t
)
'
dt
Lp
Lp
Lp
(2.9)
Sustituyendo (2.9) en (2.4) y derivando encontramos que
vLP
LP
(t )
1
1
C
vLp (t ) '
vLP (t )dt
vL (t ) ' CvLP (t ) ''
Rsr
LPCsr Rsr
Rsr Csr P
(2.10)
Ordenando la ecuacin (2.10) y aplicando la segunda derivada
vLP (t )
C vLP (t ) '' vLP (t ) '

CvLP (t ) ''' 1
C
R
L
L
C
R
sr
sr
P
P sr sr
(2.11)
Dividiendo (2.11) entre C, se encuentran una ecuacin diferencial que describe el

comportamiento de vLp (t )
vLP (t ) '''
vLP (t ) '
1 Csr C
1
vL (t ) 0
vLP (t ) ''
Rsr Csr C
LPC
LPCsr CRsr p
Se define que
(2.12)
cenidet 33
Ce
CCsr
C Csr
(2.13)
e Rsr Ce
(2.14)
Rsr Csr
(2.15)
1
LP C
(2.16)
r
La ecuacin (2.12) queda como
vLp (t ) '''
vLp (t ) '' r2vLp (t ) '
r2
v (t ) 0
Lp
(2.17)
La expresin (2.13) deja ver que la relacin que existe entre los capacitores C y Csr
tiene la forma de dos capacitores conectados en serie. Es posible observar que a medida que la
diferencia entre estos sea mayor, la influencia de Csr sobre C ser menor al punto de llegar a
ser despreciable; siempre y cuando Csr C . Debemos recordar que el capacitor Csr es el
capacitor CS reflejado hacia el primario; por lo cual el valor de Csr estar afectado siempre por
el valor de la relacin de transformacin al cuadrado, es decir:
Csr N 2CS
(2.18)
Considerando entonces que Csr C podemos despreciar el valor de CS y desarrollar

un anlisis con solo 3 elementos en la red resonante, como se muestra en la figura 2.8.
LP
Rsr
Figura 2.8. Circuito equivalente en el apagado, sin el capacitor Csr.
2.2.
Para el desarrollo de la metodologa de diseo, se consulto el trabajo presentado en

[28]. En esta tesis se presenta dos metodologas de diseo, en ambas se requiere un proceso
34
iterativo para obtener el clculo de las variables deseadas. Ambos procedimientos mostraron
resultados satisfactorios.
Se considera que los clculos que se exhiben en [28] como metodologa de diseo 1
pueden ser adaptados para los fines de esta tesis. Se presenta el siguiente anlisis tomando
como base el anlisis presentado en [28]. Aqu se considerar a la frecuencia de conmutacin y
al ciclo de trabajo como datos de diseo.
Este anlisis se basa en la respuesta subamortiguada de una red RLC paralelo. Esta
respuesta es bien conocida y su ecuacin caracterstica es
vLp (t ) et ( A1 cos d t A2 send t )
(2.19)
En donde se define 0 como
1
LP C
(2.20)
El coeficiente de amortiguamiento como
1
2 Rsr C
(2.21)
y la frecuencia amortiguada
d 02 2
(2.22)
Para desarrollar el procedimiento de diseo es necesario hacer algunas definiciones

importantes que se usarn de aqu en adelante, las cuales se enlistan a continuacin y se
muestran en la figura 2.9 [28]:
A. VLp : Es el voltaje inicial con el que se inician las resonancias.
B. t x : tiempo en el que la respuesta se hace cero por primera vez.
C. Tr : Periodo de las resonancias se define como Tr
2
d
D. Envolvente exponencial: Es la curva tangencial que toca los puntos mximos de la

respuesta subamortiguada, la formula es:
v(t ) e t A12 A22
cenidet 35
E. Voltaje final: Representa el voltaje al que se conmuta para el encendido. Este valor
debe ser aproximadamente igual a VCD , ya que de lo contrario la corriente y el voltaje
en la conmutacin no sern cero.
F. toff : Tiempo de apagado, en el cual se presentan las resonancias.
G. VLp max : Voltaje mximo que se alcanza en el devanado primario.
D
A
E
C
G
Figura 2.9. Definicin de algunos puntos de la respuesta subamortiguada.
Para el desarrollo del anlisis, se parte de que consideraremos a la frecuencia de

conmutacin f , los coeficientes A1 y A2 de la ecuacin caracterstica de la respuesta
subamortiguada, la relacin de transformacin N y el valor de la resistencia del modelo de
lmpara RS como parmetros conocidos; es decir: datos de diseo.
2.2.1.
Tiempo tx
Se desea conocer el instante en el que vLp (t ) es cero. Sustituyendo vLp (t ) 0 , t t x en

(2.19) tenemos
e t [ A1 cos d t x A2 send t x ] 0
Agrupando senos y cosenos de un lado y del otro los exponenciales
(2.23)
36
A1 cos d t x e t
t
A2 send t x
e
(2.24)
A1 cos d t x
1
A2 send t x
(2.25)
Aplicando la identidad de la tangente tenemos
A1
tan d t x
A2
(2.26)
Despejando t x de (2.26); obtenemos la expresin (2.27) con la cual podemos conocer el

tiempo en el cual vLp es cero
A
tan 1 1
A2
tx
2.2.2.
(2.27)
Nmero de ciclos x
En esta metodologa de diseo se pretende manipular el nmero de ciclos que se

presentan durante el tiempo de apagado, al cual llamaremos x . Podemos definir entonces que
[28]:
toff t x xTr
(2.28)
Se desea que la conmutacin en el encendido ocurra cuando vLp (t ) VCD , asegurando

as que no se presenten picos de corriente en el encendido. Para que esto ocurra ser necesario
conmutar antes de completar el ltimo ciclo de resonancia.
Para determinar el valor de x ; definiremos otra variable a la que llamaremos PU ; esta
variable representa el nmero de semiciclos negativos de vLp (t ) , la cual estableceremos como
dato de diseo y en todo momento ser un nmero entero. As pues, podemos calcular el valor
x
en funcin PU como se muestra en la formula (2.10) [28]:
cenidet 37
x PU 0.25
(2.29)
Este valor considera que la conmutacin ocurra siempre en el mismo punto,

independientemente del nmero de pulsos de resonancia que se proponga. La figura 2.10 muestra
la respuesta de vLp (t ) con diferente nmero pulsos de resonancia y el punto en el cual se pretende
que ocurra la conmutacin. Ms adelante, con el clculo de algunas otras variables, se propone
recalcular este valor y as obtener ms precisin del punto de conmutacin.
0.75 ciclos
0
1 pulsos
2 pulsos
Tiempo
a)
5.75 ciclos
Tiempo
b)
c)
11.75 ciclos
8.75 ciclos
Voltaje
3 pulsos
Tiempo
Voltaje
Voltaje
Voltaje
Voltaje
Voltaje
2.75 ciclos
1.75 ciclos
9 pulsos
6 pulsos
Tiempo
d)
12 pulsos
Tiempo
Tiempo
e)
f)
Figura 2.10. Comportamiento de VLP ante diferentes nmeros de pulsos de resonancia.
2.2.3.
Periodo Tr
Se puede conocer el valor de Tr si sustituimos (2.27) en (2.28) y hacemos d
toff
Despejando Tr
A
tan 1 1 Tr
A2 xT
r
2
2
[28]
Tr
(2.30)
38
Tr
toff
1 A1
tan
A2 x
(2.31)
Obtenemos el valor Tr en funcin de valores previamente conocidos
2.2.4.
Constante de amortiguamiento
Esta constante puede ser despejada de la expresin (2.19). Evaluando (2.19) en t 0 ,

encontramos que vLp (0) A1 ; es decir el valor inicial de vLp (t ) en el apagado. Ahora, para
calcular el valor de , sustituimos vLp (0) A1 y t toff en (2.19); ya que es en el tiempo de
apagado donde suceden las resonancias, para las cuales se calcula la constante de
amortiguamiento y, como se mencion, A1 presenta el valor inicial de vLp (t ) en el apagado.
As, nos queda la expresin (2.32) [28]
A1 e
toff
toff
A1 cos d toff A2 send toff
A1
A1 cos d toff A2 send toff
(2.32)
(2.33)
despejando encontramos que:
A cos d toff A2 send toff

ln 1
A1
toff
2.2.5.
(2.34)
Tiempo tmax
Se refiere al tiempo en el que vLp (t ) alcanza su valor mximo; esto es, el primer punto
en el que la derivada de vLp (t ) es cero. Para determinar entonces tmax , hacemos homognea la
expresin (2.19) y agrupamos los trminos semejantes [28]
e t (d A2 A1 ) cos d t e t (d A1 A2 )send t
(2.35)
cenidet 39
(d A2 A1 ) send t
(d A1 A2 ) cos d t
(2.36)
Se puede reescribir (2.36) utilizando la identidad trigonomtrica de la tangente como

sigue
tan d t
(d A2 A1 )
(d A1 A2 )
(2.37)
Ahora, si definimos a como
(d A2 A1 )
(d A1 A2 )
(2.38)
Y adems hacemos que
t tmax
(2.39)
Obtenemos la expresin (2.40) con la que calculamos el tiempo en el cual se presenta el

valor mximo de vLp (t ) , siempre que se cumpla que 0
tmax
tan 1
(2.40)
Existe una consideracin que debe hacerse en el clculo de tmax , cuando el valor de
0 , se debe completar el ngulo calculado como tan 1 ( ) ; as, la expresin (2.40) queda
como [28]
tmax
tan 1
(2.41)
La expresin (2.40) se puede usar para calcular otros puntos de vLp (t ) , por ejemplo,
calcular con precisin el tiempo en el que ocurre la conmutacin para el encendido; a este
tiempo lo llamaremos t final . Para obtener este valor debemos considerar el nmero de pulsos
de resonancia PU , as aseguramos ubicarnos en la ltima cresta de vLp (t ) , que es donde ocurre
la conmutacin para el encendido. As, calculamos t final como [28]
40
t final
tan 1
d
(2.42)
En donde:
2PU , cuando 0
o
(2PU 1) , cuando 0
o
Para obtener el valor de vLp (t ) en el cual ocurre la conmutacin, se evala (2.19) con
t t final
vLpfinal e
t final
A1 cos d t final A2 send t final
(2.43)
Debemos recordar que el valor de x es un valor propuesto, y ahora con el clculo de

t final podemos calcular x con ms precisin con la siguiente frmula
xre
t final t x
Tr
(2.44)
Este valor nos permite tener clculos ms precisos, por lo que se propone recalcular las
variables T , d , t x , y , usando ahora el valor de xre . Una vez obtenidos los nuevos valores de
T , d y t x se continua el anlisis con el clculo de C [28].
2.2.6.
Capacitor C
De (2.21) se puede despejar el valor de C como sigue
2.2.7.
1
2 Rs
(2.45)
2
Tr
(2.46)
Inductancia primaria LP
Si sabemos que
Tr
De (2.46) y de (2.34) se puede conocer 0
cenidet 41
0 d 2 2
(2.47)
Despejando LP de (2.20) obtenemos
LP
2.2.8.
1
02C
(2.48)
Corriente mxima ILpmax
Este valor se refiere al valor mximo de corriente que se alcanza en el inductor primario.
Para calcular este valor, definiremos los valores inciales de A1 y A2 . En el caso de A1 este valor es
igual a VCD ; porque es el voltaje mximo que alcanza
vLp (t ) durante el encendido [28].
Para encontrar el valor de A2 derivamos (2.9)
vLp (t ) ' et [(d A2 A1 ) cos d t (d A1 A2 )send t )]
(2.49)
y la evaluamos en t 0
vLp (0) ' (d A2 A1 )
(2.50)
El valor de la primera derivada evaluada en t=0, se puede obtener en funcin de los

valores inciales de la ecuacin integro-diferencial (2.7)
t
v
1
vLp (t )dt Rsr (t ) CvC (t ) ' i0 0
Lp 0
Rsr
(2.51)
Recordemos que vC (t ) vLp (t )
vRsr
(0) CvLp (0) ' i(0) 0
Rsr
(2.52)
La derivada de (2.51) en t=0 es
vLp (0) '
v(0) i(0)
Rsr C C
Igualando (2.50) y (2.53), y despejando A2 obtenemos la siguiente expresin
(2.53)
42
Metodologa de diseo
A2
1
v(0) i(0)
A1
d
Rsr C C
(2.54)
De (2.54) se despeja la corriente i (0) , que expresa la corriente mxima de LP a la que

se llega en el encendido [28],
1
I Lp max C d A2 A1
Rsr C
2.2.9.
(2.55)
Tiempo de encendido ton
De la expresin que define la tensin en un inductor tenemos
di
dt
di
dt LP
vLP
vLp LP
ton
2.2.10.
(2.56)
LP I Lp max
A1
Frecuencia de conmutacin f
De (2.56) y el valor toff podemos calcular f
2.2.11.
1
ton toff
(2.57)
Ciclo de trabajo D
El ciclo de trabajo se encuentra con la siguiente expresin
D toff f
2.3.
(2.58)
Metodologa de diseo
Con el anlisis anterior se puede obtener una metodologa de diseo; a continuacin se

presenta un listado de los parmetros de diseo.
Parmetros de diseo
cenidet 43
Voltaje de alimentacin VCD
Resistencia de la carga RS
Coeficiente A2 (debe ser negativo, porque se trata del coeficiente del
coseno de la respuesta de vLp , cuya primera resonancia es negativa)
Frecuencia de conmutacin f
Ciclo de trabajo D
Relacin de transformacin N
Numero de pulsos PU
Se enlista un procedimiento de 19 pasos para el clculo de los componentes de la

fuente as como de esfuerzos de voltaje y corriente de algunos de ellos.
Paso 1. Resistencia reflejada al primario
Debido a que es un anlisis en el cual todos los elementos son reflejados hacia el
primario, los clculos se hacen con el valor de RS reflejado al primario. Por lo tanto
Rsr
RS
N2
(2.59)
Paso 2. Tc representa el periodo para un ciclo completo y se calcula con la siguiente frmula
Tc
1
f
(2.60)
toff
D
f
(2.61)
Paso 3. x
Se obtiene x de la expresin (2.29)
Paso 4. toff y ton
Se calcula toff con la siguiente expresin
y ton con
44
Metodologa de diseo
ton Tc toff
(2.62)
Paso 5. Tr
Representa el periodo de la resonancia que se presentan durante el tiempo de apagado.
Se calcula con
Tr
toff
x
(2.63)
Paso 6. d
La frecuencia de resonancia natural d se calcula con la siguiente frmula
2
Tr
(2.64)
Paso 7.
El factor de amortiguamiento
se calcula con la expresin (2.34)
Paso 8. , tmax y VLp max

De la expresin (2.38) se obtiene el valor de y de las expresiones (2.40) y (2.41) el valor
de tmax , conviene recordar que se debe poner atencin al signo de , porque de esa
consideracin es que se obtiene un valor coherente de tmax
Paso 9. Tiempo final t final y voltaje final V final
Se calcula t final con (2.42) y se sustituye en (2.19) con t t final , este voltaje representa el
voltaje en el cual se conmutara para el encendido, y debe aproximarse a VCD
Paso 10.
xre
Con (2.44) se calcula xre , y se sustituye x xre en (2.63); enseguida se repiten los paso 6-9;
y se contina con el paso 11. De esta manera se asegura que V final VCD
Paso 11. Frecuencia angular de resonancia 0
De (2.2) se obtiene el valor 0
Paso 12. Capacitor C
Para el clculo de C se usa la ecuacin (2.45)
cenidet 45
Paso 13. Inductor LP

De la expresin (2.48) se calcula LP
Paso 14. Corriente mxima I Lp max
Con la expresin (2.55) obtenida en el anlisis podemos encontrar el valor de I Lp max
Paso 15. Energa en LP
La energa contenida en LP se obtiene de la siguiente expresin
ELp
Lp I LP max 2
2
(2.65)
Paso 16. Reclculo de ton , f C , D

De (2.56) se recalcula ton , de (2.57) se calcula la frecuencia de conmutacin, y de (2.58)
el ciclo de trabajo
Paso 17. Inductor LS
De la relacin de transformacin N y del inductor LP se puede calcular LS como
Ls Lp N 2
(2.66)
Paso 18. Potencia de la fuente Pin
Pin ELp f
(2.67)
Paso 19. Voltaje mximo en la carga Vo _ max y la pendiente del voltaje en la carga m0
Vo _ max VLp max N
m0
2.3.1.
2Vo _ max
tp
(2.68)
(2.69)
Programacin de la metodologa de diseo
Como se pudo observar, la metodologa de diseo desarrollada consta de 19 pasos.

Algunas de las expresiones propuestas en estos pasos conllevan clculos poco triviales. Para
46
Metodologa de diseo
facilitarnos la tarea del diseo hoy en da existen diversas herramientas que nos ayudan a
programar complejos clculos numricos. Estos programas son llamados sistemas de algebra
computacional (Computer Algebra System).
En el desarrollo de la metodologa de diseo, se usaron 2 programas diferentes;
MathCad 13.0 que es un entorno de documentacin tcnica con prestaciones de clculo
numrico y simblico [35] y Labview 8.2 que es un entorno de programacin grfico [36].
Presentar la metodologa de diseo en dos ambientes de programacin diferentes no obedece
a alguna razn en particular. Las ventajas de cada programa dependen del inters del usuario.
Por un lado el ambiente grfico de Labview es ms amigable para el usuario dejando
transparente los clculos realizados; sin embargo, la programacin simblica de MathCad
permite observar las frmulas y sus resultados. Sea cual sea el caso, en el anexo B se agrega la
programacin que se hizo en los dos diferentes programas.
En seguida se explicar el panel frontal del programa de la metodologa de diseo
desarrollada en Labview 8.2; se considera que no ser necesario explicar la versin desarrollada
en MathCad 13.0, por que el usuario puede guiarse con la seccin 2.3.
La figura 2.11 muestra el panel frontal del programa de diseo. Este se encuentra
dividido en 2 secciones; la seccin superior es un men de 8 variables que corresponde a los
datos de diseo que el usuario debe ingresar, incluyendo el valor de la resistencia del modelo
de la lmpara. La seccin inferior muestra los resultados arrojados por la metodologa de
diseo.
Figura 2.11. Panel frontal de la metodologa de diseo desarrollada en Labview.
cenidet 47
La tabla 2.2 proporciona los valores mximos y mnimos de los datos de diseo segn
fueron programados. Por ejemplo, para el caso del voltaje de alimentacin, se limit su
intervalo de variacin a un valor mximo de 120 V y un valor mnimo de 1 V, el control permite
al usuario variar este valor con un incremento de 1 V. Existe tambin la opcin de teclear el
valor numrico deseado dentro de la caja de control, con la restriccin de que este valor se
encuentre dentro de los lmites establecidos.
Tabla 2.2. Intervalo de valores de los datos de diseo.
Dato de
Descripcin
Valor
Valor
mximo
mnimo
Voltaje de alimentacin
120
Frecuencia de
300 kHz
1 kHz
1 kHz
diseo
VCD
F
Variacin
conmutacin
D
Ciclo de trabajo
0.9
0.1
0.05
Relacin de
15
0.5
0.5
20
transformacin
PU
Nmero de pulsos de
resonancia
A2
Constante
-1
-1000
-10
RS
Resistencia del modelo de
N/A
N/A
N/A
la carga
2.3.2.
Protocolo de pruebas para la validacin de la metodologa de diseo
Una vez establecida la metodologa de diseo, en este apartado se presentan 3

diferentes ejemplos de diseos desarrollados con esta metodologa y simulados en OrCAD 10.5.
El circuito usado en la simulacin se puede ver en la figura 2.12. La finalidad de estas pruebas
es mostrar la validez de la metodologa de diseo, comparando los resultados obtenidos en
simulacin, con los resultados calculados por la metodologa. Todas las simulaciones se
realizaron con elementos ideales, ya que para este caso en particular lo que nos interesa es
nicamente validar la metodologa de diseo.
48
Metodologa de diseo
Lmpara DBD
N
D
Lp
Ls
Rs
VCD
Rd
Q
PULSO
Figura 2.12. Circuito utilizado para la simulacin.
La tabla 2.3 presenta los datos de diseo de los 3 ejemplos desarrollados. En los 3
ejemplos se ajustaron los parmetros de diseo con la finalidad de obtener 3 niveles de
potencia distintos, uno bajo (5 W), uno medio (14 W) y uno alto (62 W).
Tabla 2.3. Parmetros de diseo de los 3 ejemplos para la validacin de la metodologa.
VCD
A2
RS
Pu
Ejemplo 1
30 V
55 kHz
0.35
-600
4k
3.75
Ejemplo 2
20 V
200 kHz
0.5
-300
3k5
Ejemplo 3
24 V
80 kHz
0.5
-470
8k
1.7
10
Los valores de C , LP , LS , D , y f calculados para cada uno de los tres ejemplos se

muestran en la tabla 2.4. Las siguientes graficas muestran las formas de onda ms
representativas.
Tabla 2.4. Datos calculados en la metodologa de diseo para los 3 ejemplos.
LP
LS
Pin
Ejemplo 1
3.73 nF
12.08 H
169.87 H
0.398
94.595 kHz
62.3 W
Ejemplo 2
1.18 nF
5.86 H
52.818 H
0.331
267.40 kHz
14.00 W
Ejemplo 3
379.1 pF
27.36 H
79.073 H
0.241
121.39 kHz
5.05 W
2.3.2.1.
Ejemplo de diseo 1
En la figura 2.13 a) se observa el voltaje de control de compuerta obtenida en la

simulacin del ejemplo 1. La figura 2.13 b) muestra la forma de onda del voltaje del devanado
primario en la cual se seala el voltaje mximo obtenido en simulacin, y en donde se aprecian
cenidet 49
tambin los 5 pulsos de resonancia. En la figura 2.13 c) apreciamos la corriente en el devanado

primario y el punto mximo de corriente alcanzado en el encendido.
Volts(V)
15
10
5
Volts(V)
2.01
2.02
2.03
2.04
2.05
a)
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
2.11
-4
x 10
200
0
-200
-513.9 V
-400
2.01
2.02
2.03
2.04
2.05
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
Corriente(A)
b)
2.11
-4
x 10
10
10.63 A
0
-10
2.01
2.02
2.03
2.04
2.05
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
2.11
-4
c)
x 10
Tiempo (s)
Figura 2.13. Formas de onda del devanado primario para el ejemplo 1. a) Voltaje de control. b) Voltaje en el
devanado primario. c) Corriente en el devanado primario.
En la tabla 2.5 se muestra el error que se presenta entre los resultados de simulacin y
los clculos de la metodologa de diseo. Esto tiene como finalidad evaluar la confiabilidad de
la metodologa de diseo. Es notable que el error ms grande ocurre en el clculo de I Lp max ,
mientras que el ms pequeo ocurre en Pin . Estos errores pueden deberse a que el punto de
conmutacin es un valor aproximado y no exacto.
Tabla 2.5. Comparacin entre los datos calculados y los obtenidos en simulacin para el ejemplo 1.
2.3.2.2.
Datos
Calculados
Simulacin
Error
VLpmax
- 513 V
-513.9 V
-0.175%
ILpmax
10.45 A
10.63 A
-1.72%
Pin
62 W
63.03 W
-1.66%
Ejemplo de diseo 2
Las siguientes figuras corresponde a las formas de onda del ejemplo de diseo 2. La
figura 2.14 a) es el voltaje de control de la compuerta. En la figura 2.14 b) se observa el voltaje
del devanado primario y su valor maximo alcanzado para este ejemplo. Por otra lado la
Metodologa de diseo
Volts(V)
corriente en el devando primario se muestra en la figura 2.14 c), en donde se seala tambien el
valor de la corriente maxima alcanzada durante el encendido.
10
Volts(V)
0
2.015
2.02
2.025
2.03
2.035
a)
2.04
2.035
b)
2.04
2.045
2.05
-4
x 10
200
0
-260.3 V
-200
2.015
Corriente(A)
50
4
2
0
-2
-4
2.015
2.02
2.025
2.03
2.045
2.05
-4
x 10
4.29 A
2.02
2.025
2.03
2.035
c)
Tiempo (s)
2.04
2.045
2.05
-4
x 10
Figura 2.14. Formas de onda del devanado primario para el ejemplo 2. a) Voltaje de control. b) Voltaje en el
De la misma forma que para el ejemplo 1, la tabla 2.6 muestra el error de los valores de
de voltaje, corriente y potencia calculados por la metodologa con los obtenidos en simulacin.
Para este caso el error ms grande se presenta tambin en I Lp max , y el ms pequeo en Pin .
2.3.2.3.
Calculados
Simulacin
Error
VLpmax
-260.2 V
-260.3 V
+0.038%
ILpmax
4.22 A
4.29 A
-1.65%
Pin
14.0 W
14.3 W
-2.14%
Ejemplo de diseo 3
Finalmente para el ejemplo de diseo 3, el voltaje de control de la compuerta en la

compuerta se puede observar en la figura 2.15 a). En la figura 2.15 b) observamos el voltaje en
el devanado primario y el valor de voltaje mximo obtenido en la simulacin. Se dise este
ejemplo con 10 pulsos de resonancia, los cuales se pueden observar en esta misma figura. La
cenidet 51
Volts(V)
forma de onda de corriente y su valor mximo alcanzado durante el encendido, se puede

apreciar en la figura 2.15 c).
10
Volts(V)
2.06
400
200
0
-200
-400
2.08
2.09
2.1
a)
2.11
2.1
b)
2.11
2.1
c)
Tiempo (s)
2.11
2.12
2.13
2.14
-4
x 10
-435.4 V
2.06
Corriente(A)
2.07
2.07
2.08
2.09
2.12
2.13
2.14
-4
x 10
2
1
1.75 A
0
-1
2.06
2.07
2.08
2.09
2.12
2.13
2.14
-4
x 10
Figura 2.15. Formas de onda del devanando primario para el ejemplo 3. a) Voltaje de control. b) Voltaje en
el devanado primario. c) Corriente en el devanado primario.
Para el ejemplo 3, los porcentajes de error entre los valores de voltaje y corriente
calculados y los obtenidos en simulacin se presentan en la tabla 2.7. De igual forma que para
los ejemplos 1 y 2, el porcentaje de error ms grande se presenta en el clculo de I Lp max y el
ms pequeo en Pin .
Calculados
Simulacin
Error
VLpmax
- 435.4 V
-435.5 V
+0.022%
ILpmax
1.74 A
1.75 A
+0.58%
Pin
5.05 W
5.2 W
+2.9%
2.3.3. Efecto del capacitor Cs

Las simulaciones presentadas en la seccin anterior se realizaron sin el capacitor
Cs del modelo de lmpara ya que, por las razones mencionadas en la seccin 2.1.1.2.2, este
capacitor no se incluy en el desarrollo de la metodologa de diseo. En esta seccin se
52
Metodologa de diseo
pretende mostrar el efecto de este capacitor en la respuesta de la topologa, con el objetivo de

tener una repuesta ms cercana a la que se obtendr en la prctica.
De acuerdo a lo planteado en [1], el valor del capacitor CS es el resultado de la suma de
las capacitancias Cd y C g conectadas en serie (este punto se trat a detalle en el Captulo 1).
Cd es el capacitor equivalente que se forma por el dielctrico y por los electrodos de la

lmpara; mientras que C g corresponde a la capacitancia del rea de descarga en estado activo.
Es posible conocer el valor de la capacitancia Cd segn [1], usando la frmula
Cd
0 r h
r
ln 2
r1
(2.70)
donde 0 es la permitividad del gas, r es la permitividad relativa al material de la

barrera dielctrica, h es la altura del cilindro o anchura del electrodo, r1 es el radio menor o el
radio del interior de la lmpara y r2 es el radio mayor o radio exterior de la lmpara. El valor
que se obtiene con la ecuacin (2.55) en realidad es slo una aproximacin, ya que r es
funcin de la temperatura. Sin embargo el valor de la capacitancia C g es slo medible en la
prctica por lo cual para este valor se tom como referencia el ejemplo 3 de [1].
Se usarn los 3 ejemplos de la seccin anterior. Considerando que el valor de CS no
influye dentro de la metodologa de diseo no habr necesidad de disear nuevamente. El
circuito que uso en las siguientes simulaciones es el de la figura 2.3. De esta forma slo se
presentan las tablas con las variaciones en los resultados de simulacin. Las formas de onda se
pueden observar en el anexo C .
La tabla 2.8 muestra el porcentaje de error entre los valores de voltaje y corriente
calculados por la metodologa y los obtenidos en simulacin, con y sin capacitor Csr . Se
observan tambin los valores de VLp max , I Lp max y Pin tomados de la simulacin de la topologa,
en la que se incluye el capacitor Csr . En el caso de las 3 variables presentadas, el error es ms
grande cuando se incluye el capacitor Csr en la simulacin. Sin embargo el porcentaje de error
cenidet 53
se puede considerar aceptable en todos los casos ya que es menor al 10%, y se puede comparar
con la tolerancia que presentan los elementos pasivos comerciales.
Tabla 2.8. Comparacin entre los datos calculados y los obtenidos en simulacin agregando el capacitor C sr,
para el ejemplo 1.
Datos
Calculados
Simulacin
con Csr
Error sin Error

Csr
con Csr
VLpmax
-513 V
-480 V
-0.175%
+6.43%
ILpmax
10.45 A
9.51 A
-1.72%
+8.99%
Pin
62 W
56.8 W
-1.93%
+8.38%
En la tabla 2.9 se muestran ahora los datos de error para el ejemplo 2. La tendencia, al
igual que en el ejemplo 1, es que el error se hace ms grande en comparacin con la simulacin
que no incluye el capacitor Csr . Para este caso tambin se considera que el porcentaje de error
es aceptable, ya que es menor al 10.
Tabla 2.9. Comparacin entre los datos calculados y los obtenidos en simulacin agregando el capacitor C sr,
para el ejemplo 2.
Datos
Calculados
Simulacin
Error sin Error
con Csr
Csr
Csr
VLpmax
-260.2 V
-250.5 V
+0.038%
+3.83%
ILpmax
4.22 A
4.06 A
-1.65%
+3.79%
Pin
14.0 W
12.95 W
-2.14%
7.5%
con
Los datos de error para el ejemplo 3 se muestran en la tabla 2.10. Se puede apreciar
que, para las 3 variables presentadas, el porcentaje de error es mayor cuando se compara con
el error en el que no se incluye el capacitor Csr . El voltaje VLp max y la potencia Pin aumentaron
con respecto a la simulacin sin Csr , mientras que la corriente I Lp max disminuy con respecto a
la misma simulacin.
54
Funcionamiento de la metodologa y algunas recomendaciones para diseos futuros
Tabla 2.10. Comparacin entre los datos calculados y los obtenidos en simulacin agregando el capacitor
Csr, para el ejemplo 3.
Datos
2.4.
Calculados
Simulacin
Error sin Error con
con Csr
Csr
Csr
VLpmax
- 435.4V
-427.7 V
+0.46%
+1.22%
ILpmax
1.74 A
1.71 A
+0.58%
+1.72%
Pin
5.05 W
5.02 W
+2.9%
0.59%
Funcionamiento de la metodologa y algunas recomendaciones para

diseos futuros
La metodologa de diseo propuesta en este trabajo tiene como base la respuesta de un

circuito RLC paralelo, en su caso particular de una respuesta subamortiguada. Los estudios
establecidos sobre este tipo respuesta hicieron posible el desarrollo matemtico de la
metodologa de diseo. Se aprovech el efecto de resonancia del circuito, y se logr manipular
el nmero de resonancias presentes en la carga, lo cual es uno de los puntos con mayor
impacto para el diseo de la fuente de alimentacin.
Por otro lado, es importante mencionar los alcances y limitaciones de esta metodologa.
Uno los compromisos establecidos fue dejar el parmetro de la potencia de la fuente Pin como
un parmetro calculado y no uno de diseo. Como, se deben hacer ajustes en los parmetros
de diseo para lograr la potencia deseada.
Para facilitar futuros diseos se presenta enseguida un estudio en el que se tom como
base un diseo hecho para 15 W; con base en l, se variaron los parmetros de diseo con la
finalidad de observar cmo impacta cada parmetro en la potencia de la fuente y en los
esfuerzos de voltaje y de corriente de los dems elementos. En la tabla 2.11 se pueden
encontrar los parmetros de diseo de la simulacin base. Para las variaciones se consider
limitar los parmetros de diseo al intervalo de valores que se muestra en la tabla 2.2.
cenidet 55
Tabla 2.11. Parmetros de diseo de la simulacin base.
Parametro
Valor
VCD
20 V
100 kHz
0. 5
Pu
A2
-317
RS
3k5
Las unidades se normalizaron con respecto a la simulacin base. En la figura 2.16 se

puede observar la respuesta de la corriente mxima del devanado primario I Lp max , la potencia
de la fuente Pin , el voltaje mximo de salida Vo _ max y la pendiente de la forma de onda m0 con
respecto a la variacin del voltaje de alimentacin VCD . El parmetro que se ve ms afectado
ante la variacin de VCD es Pin , el segundo es I Lp max , se observa una tendencia de incremento
lineal para ambos casos. El Vo _ max y la m0 presentan la misma tendencia; por lo cual las lneas
que representan su respuestas esta traslapadas.
La figura 2.17 muestra la respuesta de m0 con respecto a la variacin de la frecuencia de
conmutacin f . Se muestra nicamente este parmetro porque los dems permanecen sin
variacin. La m0 tiende a aumentar porque al aumentar la frecuencia de conmutacin, la
frecuencia de resonancia de los pulsos aumenta tambin, dando origen al incremento de
pendiente del voltaje en la carga.
3
m0
UNIDADES NORMALIZADAS
2.5
1.5
0.5
0
0
0.5
1.5
2.5
FRECUENCIA DE CONMUTACIN fC
Figura 2.16. Variacin de la frecuencia de conmutacin.

3.5
56
2.5
ILpmax
Pin
Voutmax
m0
1.5
0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
VOLTAJE DE ALIMENTACIN VCD
Figura 2.17. Variacin del voltaje de la fuente de alimentacin V CD.
La variacin del ciclo de trabajo D se presenta en la figura 2.18. Esta variacin no

presenta afecto alguno en I Lp max , Pin y Vo _ max ; motivo por el cual no se presentan sus lneas de
tendencia. Sin embargo, el valor m0 decrece exponencialmente cuando D aumenta. Es
cenidet 57
importante sealar que, aunque el ciclo de trabajo es un parmetro de diseo, ste no es el

dato final que se usar para la implementacin; ya que la metodologa lo recalcula con la
finalidad de obtener una conmutacin en el punto ptimo. El D que se est considerando para
esta grfica es el de diseo.
5
m0
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
CICLO DE TRABAJO D
Figura 2.18. Variacin del ciclo de trabajo D.
En la figura 2.19 observamos cmo el valor ms afectado ante la variacin de la

constante A2 es Pin . Inicialmente Pin incrementa su valor con la misma tendencia que I Lp max ,
m0 y Vo _ max ; sin embargo, se dispara de los dems valores llegando hasta 35 veces ms
potencia, cuando A2 aumenta 3 veces su valor con respecto a la simulacin base.
De la figura 2.20 se puede decir que el numero de pulsos de resonancia afecta a los 4
parmetros presentados en la grfica; el ms afectado es m0 y los menos afectados Vo _ max y
Pin .
35
ILpmax
30
25
Pin
Voutmax
m0
20
15
10
0
0
0.5
1.5
2.5
3.5
CONSTANTE A2
Figura 2.19. Variacin de la constante A2.
ILpmax
6
58
Pin
Vmax
m0
0
0
0.5
1.5
2.5
3.5
PULSOS DE RESONANCIA PU
Figura 2.20. Variacin del nmero de pulsos PU.
Se espera que con la ayuda de estas grficas y las presentadas en el anexo D , en las
que se incluye la respuesta de los valores de LP , LS , C , y f C ante la variacin de los
parmetros de diseo, se facilite el uso de la metodologa de diseo propuesta en este trabajo
de tesis.
cenidet 59
Capitulo 3
Captulo 3
Diseo y construccin del banco de
pruebas y caracterizacin de las
lmparas
En este captulo se hace uso de la metodologa de diseo desarrollada en el captulo
anterior para disear un banco de pruebas que permita caracterizar diferentes modelos de
lmparas fluorescentes. Se explica la seleccin de los modelos que se caracterizaron y se
muestra la respuesta obtenida para cada modelo.
cenidet 61
62
Capitulo 3. Diseo y construccin del banco de pruebas y caracterizacin de las

lmparas
Capitulo 3. Diseo y construccin del banco de pruebas y

caracterizacin de las lmparas
3.1.
Diseo de la fuente de alimentacin para el banco de pruebas
as lmparas disponibles en CENIDET son de diversas potencias y geometras. La

finalidad de este banco de pruebas es caracterizar algunas de ellas a potencias
superiores a las presentadas en [1]. Usando la metodologa de diseo propuesta
en el captulo 2, se disear una fuente de alimentacin robusta que tenga la capacidad de
alimentar a los diferentes modelos de lmparas disponibles aqu en CENIDET.
Recordemos que la metodologa de diseo contempla conocer uno de los valores del
modelo de la lmpara. Este valor es la resistencia RS ; como punto de partida este valor se
tomar del ejemplo 3 de [1].
En el proceso de diseo se consider poner especial atencin en los valores que
tomaran los siguientes parmetros:
Frecuencia de conmutacin f . Se crey conveniente mantener este valor por
debajo de los 100 kHz; con el propsito de mantener al mnimo las prdidas por elementos
parsitos en el CoolMOSTM.
Nmero de pulsos PU . Es en los flancos positivos de la forma de onda que
alimenta a la lmpara en donde se producen las microdescargas [21]; por lo tanto resulta
conveniente tener el mayor nmero de pulsos posibles dentro de un mismo periodo.
Pendiente m0 . De [21] se sabe que la intensidad de las descargas depende
directamente de la magnitud de dvout dt . Por este motivo es importante mantener un
valor elevado de pendiente, en el mayor porcentaje de pulsos por periodo.
Es importante recordar en este punto que no contamos con alguna base para
determinar la potencia mxima que este tipo de lmparas soportar al trabajarlas con
electrodos externos y bajo el principio de la DBD. As pues, se seleccion la potencia final de la
fuente de alimentacin aumentando 50% al valor nominal de la lmpara Philips PL-T
42W/830/4P de 42 watts; que es la lmpara de mayor potencia de las que se dispone. Para
conseguir esta potencia se ajustaron los valores de los parmetros de diseo con la finalidad de
obtener los 63 watts propuestos; la tabla 3.1 muestra cules fueron estos valores.
cenidet 63
Tabla 3.1. Datos de diseo de la fuente de alimentacin para el banco de pruebas.
Parmetro
Valor
VCD
30 V
55 kHz
0.35
PU
A2
-600
RS
4k
No se muestran las formas de onda obtenidas en simulacin, porque este diseo se

present en el captulo 2 como ejemplo para validar la metodologa. En la seccin 2.3.2, se
pueden encontrar tanto las formas de onda como el error entre lo calculado y lo obtenido en
simulacin.
3.2.
Construccin del prototipo
Una vez que se obtuvo el valor de los componentes de la fuente de alimentacin, se

seleccionaron los dispositivos que cumplieran con las caractersticas requeridas de voltaje y
corriente calculadas; considerando adems las que se tomaron de la simulacin de la topologa.
En seguida se describe cada uno de los componentes seleccionados, as como el proceso de
construccin del transformador, y finalmente el de la placa.
3.2.1. Circuito de disparo

El circuito que controlar las conmutaciones del interruptor, generando el patrn PWM,
es el TL494. Con este circuito se puede variar la frecuencia de la seal en un intervalo de 1 a
300 kHz; de la misma forma se puede variar el ciclo de trabajo en un intervalo de 0 a 90%. Para
proveer de la potencia necesaria a la compuerta del interruptor se us la configuracin
conocida como totem-pole. La figura 3.1 muestra la configuracin usada.
64

1
IN+
EI
IN-
E2
10
DTC
RT
GND
16
2IN+
15
2IN-
13
T
L
4
9
4
OUT
CTRL
FEED
BACK
100k
4.7k
CT
C1
C2
11
10u
BD138
VCC
REF
12
330
330
10
AL
INTERRUPTOR
BD137
14
12VCD
10nF
50k
Figura 3.1. Configuracin del circuito TL494.
3.2.2. Diseo del transformador

Existen diversos mtodos para el diseo de transformadores; el mtodo a usar depende del
tipo de transformador que se desee disear. En nuestro caso, se requiere de un transformador
de alta frecuencia, con ncleo de ferrita. El procedimiento de diseo seleccionado se basa en la

constante geomtrica Kg, en el que se establece una densidad de flujo ptima para la cual el
ncleo no se saturar. Este procedimiento es una combinacin del diseo de un transformador
y el diseo de un inductor. Lo anterior obedece a la necesidad de que el transformador,
adems de aislar y elevar el voltaje, pueda almacenar energa como sucede en un simple
inductor. El desarrollo del diseo se encuentra en el anexo E.
Las prdidas que ms afectan a los transformadores de alta frecuencia son:
Prdidas por efecto piel.

Prdidas por efecto proximidad.
El efecto piel es la tendencia de la corriente de alta frecuencia a concentrarse en la

superficie del conductor. Este fenmeno puede mitigarse con el uso de hilo de litz [37],[38].
Para la construccin de ambos devanados se utiliz hilo de litz; disminuyendo as las prdidas
ocasionadas por este fenmeno.
El efecto proximidad son las corrientes parasitas en un conductor debidas a un campo
magntico de otro conductor prximo. Para disminuir las prdidas producidas por este
fenmeno, en el desarrollo del transformador se hizo uso de la tcnica de devanado entre
capas [39]. El principio de este mtodo es separar el devanado primario y el secundario en
pequeas capas e intercalarlas como se muestra en la figura 3.2 [37].
cenidet 65
Figura 3.2. Devanado entre capas para transformadores.
3.2.3. Interruptor
La seleccin del interruptor se bas en el estudio presentado en [40], en el cual se
realiz una revisin de los catlogos de interruptores discretos de potencia media y baja de
cinco fabricantes: ST Microelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifiers,
Infineon Technologies y On Semiconductor. De este trabajo se tomaron las siguientes grficas.
En la figura 3.3 se muestra el voltaje de bloqueo de los 3 principales interruptores usados en
fuentes conmutadas; se incluyen tambin algunas matrculas y el tipo de encapsulado.
Figura 3.3. Voltaje de bloqueo de los interruptores, figura tomada de [40].
La capacidad de corriente de los interruptores la podemos ver en la figura 3.4
66
Figura 3.4. Capacidad de corriente de los interruptores, figura tomada de [40].
De acuerdo a la informacin mostrada en las grficas anteriores, se encontr

conveniente usar como interruptor un SJ-MOSFET, tambin conocido como CoolMOSTM. ste
dispositivo tiene su nicho de aplicacin en fuentes de alimentacin conmutadas, balastros
electrnicos para lmparas y control de motores elctricos [41].
El CoolMOSTM usado fue el SPP17N80C3 con las siguientes caractersticas, ver tabla 3.2.
Tabla 3.2. Caractersticas del CoolMOS seleccionado.
3.2.4.
Vds
800
RDS(on)
0.29
ID
17
Diodo
De acuerdo a los esfuerzos de corriente y voltaje calculados y los vistos en simulacin,

se seleccion el diodo HFA15TB60, el cual tiene las siguientes caractersticas, ver tabla 3.3:
cenidet 67
Tabla 3.3. Caractersticas del diodo seleccionado.
VR
600
IF(AV)
15
VF(TYP)
1.3
trr(TYP)
23
ns
3.2.4. Placa
La construccin de prototipo se muestra en la figura 3.5, se aprecian todos los
componentes de fuente de alimentacin; la etapa de control del PWM est limitada por una
lnea negra punteada.
Figura 3.5. Prototipo del banco de pruebas.
3.3.
Lmparas de vapor de mercurio de baja presin
Como se mencion en el captulo 1, las lmparas requeridas son las fluorescentes

convencionales. En los siguientes prrafos se describen con ms detalle las caractersticas de
este tipo de lmparas.
Las lmparas fluorescentes, son lmparas de descarga que se llenan con vapor de
mercurio de baja presin y con una pequea cantidad de gas inerte (comnmente argn) para
68
Lmparas de vapor de mercurio de baja presin
facilitar el proceso de encendido. Cuando se aplica un voltaje apropiado se produce un arco

debido a la circulacin de corriente entre los electrodos a travs del vapor de mercurio, dando
origen al proceso de descarga en la lmpara. La descarga elctrica dentro del gas genera una
radiacin electromagntica que en su mayor parte se encuentra fuera del espectro visible,
particularmente en la zona de radiacin ultravioleta. La radiacin ultravioleta se convierte en
luz visible por medio de polvos fluorescentes que recubren la parte interna del tubo de la
lmpara. La figura 3.7, muestra la reaccin de los tomos de mercurio y fsforo ante la
descarga elctrica, generada por la diferencia de voltaje creada entre los electrodos.
Figura 3.6. Representacin esquemtica de la forma en que el tomo de mercurio (Hg) emite luz
ultravioleta, invisible para el ojo humano y como el tomo de fosforo (P) los convierte en fotones de luz
blanca visible, tal como ocurre en el interior del tubo de una lmpara fluorescente.
Segn su forma exterior existen diversos tipos de lmparas fluorescentes; pueden ser
lineales, en forma de u, circulares, helicoidales, etc. como puede observarse en la figura 3.7.
Las ms empleadas son las de tipo tubular y compactas. Para indicar el dimetro de estas
lmparas, en Europa se emplean las dimensiones en milmetros; en cambio, en Estados Unidos
se emplea la letra T seguida del valor del dimetro en octavos de pulgada. Las series ms
empleadas son: T12, T8 y T5.
cenidet 69
Figura 3.7. Diversos modelos de lmparas fluorescentes.
Las lmparas fluorescentes se caracterizan por tener una eficacia luminosa alta, por lo
que a largo plazo permiten obtener un ahorro de energa elctrica considerable.
A su vez este tipo de lmparas se pueden clasificar en lmparas con precalentamiento,
lmparas de arranque instantneo y lmparas de arranque rpido.
3.3.1. Lmparas con precalentamiento

En un principio todas las lmparas se manejaban con el sistema de precalentamiento.
Como su nombre lo indica, los electrodos de la lmpara se calientan antes de aplicar un alto
voltaje a travs de la lmpara. Las lmparas que se disean para esta operacin se caracterizan
por tener dos pines para facilitar el calentamiento de los electrodos. El calentamiento requiere
slo unos instantes y se logra al hacer circular corriente a travs de los electrodos de los
filamentos.
3.3.2. Lmparas de arranque instantneo

En las lmparas de arranque instantneo el inicio del arco de descarga depende
solamente del voltaje aplicado a la lmpara de 400 V y 1000 V. Debido a que no se requiere un
electrodo de precalentamiento, las lmparas de arranque instantneo tienen un solo pin en
cada extremo de la lmpara.
3.3.3. Lmparas de arranque rpido.

Las lmparas de arranque rpido utilizan electrodos de baja o alta resistencia que se
calientan de manera continua por medio de devanados auxiliares de bajo voltaje que se
contemplan en el diseo del balastro. Los requerimientos para el voltaje de encendido son
similares a los que se tiene para lmparas con precalentamiento. Este tipo de lmparas
usualmente arrancan en uno o dos segundos, que es el tiempo requerido para calentar los
filamentos hasta una temperatura apropiada [37].
70
Caracterizacin de las lmparas.
3.4.
Una vez construido el banco de pruebas, el siguiente paso fue seleccionar de entre la
variedad de modelos disponibles, los tipos de lmparas a caracterizar.
3.4.1.
Modelos seleccionados
El criterio para seleccin de las lmparas fue usar diferentes potencias nominales,
adems de diferentes formas. Con base en lo anterior se seleccionaron dos lmparas circulares
y una lineal, de las caractersticas de la tabla 3.4.
Tabla 3.4. Datos de las lmparas caracterizadas.
3.4.2.
Marca
Philips
NEC
NEC
Modelo
TL841
MR20SG
Watts efectivos
32W
27W
22W
Salida total de lmenes
2950
1300
Lmenes/W
92.1
59.1
Tipo
Lineal
Circular
Circular
Adaptacin de las lmparas
En la adaptacin de los electrodos externos se us lmina de cobre de 0.12 mm de

espesor. La forma, tamao y posicin de los electrodos se consider segn [1]. La figura 3.9
muestra las lmparas adaptadas.
Figura 3.8. Lmparas con electrodos externos.
cenidet 71
3.4.3.
Proceso de medicin y diseo de experimentos
Las variables que se usaron en el proceso de medicin se definen a continuacin.

Existen dos tipos de variables: variables primarias y variables secundarias. Las variables
primarias son aquellas que se obtienen directamente del prototipo por medio de puntas de
tensin y corriente. As, las variables primarias que se consideran para este caso se muestran
en la tabla 3.5 y su ubicacin en la figura 3.9. [40].
Tabla 3.5. Variables primarias.
Voltajes
Corrientes
vin
iin
vo
io
vCaux
vds
Figura 3.9. Ubicacin de las variables primarias.
Las variables secundarias son el resultado de clculos realizados sobre las primarias,
para encontrar otras cantidades de inters [40]. En nuestro caso las variables secundarias de
inters y la ecuacin para su clculo se muestran en tabla 3.6.
Tabla 3.6. Variables secundarias.
Variables
Clculo de las variables
secundarias
secundarias
72

Po(t)
IO
Rs
Pin(t)
Eficiencia
Po vo (t ) io (t )
T
IO
RS
1 2
io (t )dt
T o
Po _ prom
I o2
Pin vin (t ) iin (t )
Eficiencia
Po _ prom
Pin _ prom
100
Se debe mencionar que la tcnica tradicional para estimar la potencia consumida por la
carga es la de las figuras de Lissajous. Esta tcnica permite obtener la potencia en descargas
parciales como las DBDs; para este caso con grficas de vout vs qcaux , en donde qCaux es carga
instantnea que circula por la lmpara y se obtiene conectando un capacitor auxiliar en serie
con la carga. El rea de la figura es la energa consumida por la carga durante un ciclo. Sin
embargo, esta tcnica considera que la figura de Lissajous es un paralelogramo. Como se puede
observar en la figura 3.10, la figura de Lissajous que se obtuvo para este caso es una serie de
valos anidados. Los valos de la figura representan el nmero de pulsos que se obtiene por
ciclo. Se consider entonces poco prctico tratar de obtener el rea de cada uno de los valos,
as que se opt por calcular la potencia en la carga Pout como se muestra en la tabla 3.6.
Figura 3.10. Figura de Lissajous para la lmpara NEC de 22W en vin
16 volts.
cenidet 73
3.4.4.
Esquema general de medicin
El procedimiento que se sigui para la caracterizacin de cada modelo de lmpara se

describe en la figura 3.11. Inicialmente, por medio de las puntas de voltaje y corriente, se
obtienen las variables primarias. Los vectores de stas se trasfieren a la computadora a travs
del osciloscopio. Una vez capturados los vectores en la computadora, se realizan los clculos
para obtener las variables secundarias.
Este procedimiento se repiti variando vin en un volt. Todas las muestras se iniciaron en
vin 1 volt; sin embargo, la ltima muestra tomada vari en funcin del valor de vo mximo
alcanzado. Este voltaje est limitado por el valor calculado en la metodologa para el diseo del
banco de pruebas y corroborado en simulacin, el cual fue de 1923 volts. Dicho de otra forma,
la ltima muestra tomada no deba sobrepasar 1923 volts en la carga, independientemente del
valor de vin .
Procesamiento
de datos
Puntas
Cable de red
Registro
v(t)
Fuente de
alimentacin
i(t)
(t, v, i)
Clculos
Variables
Secundarias
Osciloscopio
Visualizacin
Variables
Primarias
Vectores
Figura 3.11. Esquema general de mediciones.
3.4.5.
Resultados experimentales
El propsito de la caracterizacin de las lmparas es obtener el valor de la resistencia de

carga RS en funcin de la potencia en la carga. Esto con la finalidad de disear un prototipo
especfico para esa carga; ya que la metodologa de diseo propuesta contempla el valor de RS
como dato de diseo. Otro dato de inters es la eficiencia de la fuente de alimentacin en
funcin de la potencia en la carga; de esta forma tenemos otro parmetro de referencia para
seleccionar el tipo de lmpara y la potencia con la cual trabajar el prototipo final. Los
resultados que se muestran en seguida son grficas del comportamiento RS ante la potencia
en la carga y grficas de la eficiencia de la fuente ante la potencia de la carga.
3.4.5.1.
Lmpara Philips 32W
La figura 3.12 representa una grfica de RS en funcin de la potencia de la carga, para

la lmpara Philips TL841. En esta grfica se distinguen dos comportamientos, el primero de
ellos representa una relacin directamente proporcional entre RS y Po con la lmpara
apagada; y el segundo una relacin inversamente proporcional entre los mismos parmetros
con la lmpara encendida. En la prctica se observ que el primer comportamiento se revierte
despus de haber logrado el encendido de la lmpara; el cual se dio en Po 4.53 watts.
Para este modelo se tomaron 20 muestras, como se mencion en prrafos anteriores,
la primera muestra se tom en vin 1 Volt y la ltima para este caso fue en vin 20 Volts.
4
1.8
x 10
1.6
RESISTENCIA (OHMS)
74
Lmpara encendida
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Lmpara
apagada
0.4
0
10
15
20
POTENCIA (W)
25
30
35
Figura 3.12. Comportamiento del valor de RS con respecto a la potencia de la lmpara Philips de 32W.
La figura 3.13 es un reflejo del comportamiento de la eficiencia de fuente de

alimentacin en funcin de la potencia en la lmpara. En esta grfica se pueden observar
tambin dos comportamientos diferentes, el primero es un comportamiento inversamente
proporcional entre la eficiencia y Po ; el segundo es un comportamiento directamente
proporcional entre los mismos parmetros. Al igual que para el caso de la resistencia, la
eficiencia cambia su comportamiento inicial despus de haberse alcanzado el encendido de la
lmpara.
cenidet 75
80
75
EFICIENCIA (%)
70
65
60
55
50
Lmpara encendida
Lmpara
45 apagada
40
0
10
15
20
POTENCIA (W)
25
30
35
Figura 3.13. Eficiencia de la fuente de alimentacin a diferentes potencias para la lmpara Philips T9 de
32W.
3.4.5.2.
Lmpara NEC 27 W
En la figura 3.14 la grfica de la resistencia RS en funcin de la potencia en la carga,

para la lmpara NEC de 27W. El valor de RS tiene la misma tendencia que la del modelo
anterior; es decir, tienen una relacin inversamente proporcional con Po , una vez alcanzado el
encendido de la lmpara, que para este modelo fue en Po 1 watt. Las muestras tomadas para
este modelo fueron 16, iniciando con vin 1 Volt y terminando con vin 16 Volts.
9000
Lmpara encendida
7000
6000
5000
4000
Lmpara apagada
RESISTENCIA (OHMS)
8000
3000
0
8
10
POTENCIA (W)
12
14
16
Figura 3.14. Comportamiento de RS con respecto a la potencia, para la lmpara de 27W.
Este modelo present las eficiencias ms bajas de entre los tres modelos. Para este
caso, el comportamiento de la eficiencia cambia una muestra despus de haberse logrado el
encendido de la lmpara es decir en Po 1.26 watts, como se observa en la figura 3.15.
65
55
50
45
Lmpara apagada
60
EFICIENCIA (%)
76
40
35
Lmpara encendida
30
0
8
10
POTENCIA (W)
12
14
Figura 3.15. Eficiencia de la fuente de alimentacin para la lmpara de 27W.
16
cenidet 77
3.4.5.3.
Lmpara NEC 22W
Las ltimas dos figuras corresponden a la caracterizacin del modelo NEC de 22 W. En la

figura 3.16 se puede observar el valor de RS en funcin de la potencia de la lmpara. En este
modelo el encendido de la lmpara ocurri en Po 0.53 watts; punto despus del cual el
comportamiento de RS cambia y presentan un comportamiento inversamente proporcional a
Po , excepto en los puntos mencionados Po 2.53 watts y Po 4.4 watts. Las muestras para
este modelo fueron 15, iniciando con vin 1 Volt y terminando con vin 15 Volts.
9000
Lmpara encendida
7000
6000
5000
4000
3000
2000
0
Lmpara apagada
RESISTENCIA (OHMS)
8000
10
12
POTENCIA (W)
14
16
18
20
22
Figura 3.16. Comportamiento de RS con respecto a la potencia de la lmpara NEC de 22W.
La eficiencia en funcin de la potencia de la carga para este modelo se puede observar

en la figura 3.17. El comportamiento de la eficiencia tienda a ser directamente proporcional a
Po despus de haber pasado el punto del encendido de la lmpara, que para este caso fue de
Po 0.53 ; aunque presenta una discontinuidad en el comportamiento de la eficiencia cuando
Po 6.98 watts.
80
60
50
40
Lmpara apagada
70
EFICIENCIA (%)
78
30
20
0
Lmpara encendida
10
12
POTENCIA (W)
14
16
Figura 3.17. Eficiencia de la fuente de alimentacin.
18
20
22
Captulo 4
Captulo 4.
Diseo y construccin de la fuente de
alimentacin para la lmpara Philips
TL081.
En este captulo se muestra el diseo y los resultados experimentales de la fuente de
alimentacin para la lmpara Philips TL081; que fue seleccionada. Adems, se hace un estudio
comparativo de la eficiencia de la fuente y la eficacia de la lmpara con los resultados obtenidos
con otros sistemas similares.
80
Captulo 4
cenidet 81
Capitulo 4. Diseo y construccin de la fuente de alimentacin

para la lmpara Philips TL081
4.1.
Sobre la lmpara seleccionada.
n el proceso de caracterizacin, interesaba obtener el valor de RS del modelo

de la lmpara; porque la metodologa de diseo desarrollada contempla este
valor como dato de diseo. En este proceso se obtuvo tambin la eficiencia de
la fuente de alimentacin como funcin de la potencia de la lmpara. Este ltimo dato fue el
punto clave en la seleccin del modelo de la lmpara que se usara para el prototipo final.
El criterio de seleccin fue precisamente la eficiencia que la fuente de alimentacin
present ante los 3 diferentes tipos de lmparas. As, se seleccion el modelo que presento
mayor eficiencia la cual fue de 78.71% a una potencia de 36.6 W; las caractersticas de esta
lmpara se pueden ver en la tabla 4.1.
Tabla 4.1. Caractersticas de la lmpara seleccionada.
Potencia
Descripcin
(Watts)
Rendimiento
Vida
Flujo
Temperatura
de color
promedio
luminoso
correlacionada al
(Hrs.)
(lmenes)
color
32
F32T8/TL841
86
20,000
2950
4100 K
4.2.
Diseo de la fuente de alimentacin para el prototipo final
Para el diseo del prototipo final se obtuvieron los datos de: potencia de la lmpara y el
valor de RS de la caracterizacin; debemos considerar que la potencia medida en la lmpara es
menor a la de la fuente, debido las prdidas en los semiconductores y en el transformador. Por
esta razn, la potencia de diseo ser mayor que la obtenida de la caracterizacin.
Es importante mencionar que la principal limitacin prctica fue el diseo del
transformador. A pesar de que con la metodologa de diseo se podra trabajar con una mayor
cantidad de pulsos de resonancia, las caractersticas del material magntico disponible
limitaban esta posibilidad; principalmente por la frecuencia mxima a la que trabaja la ferrita.
82
Diseo de la fuente de alimentacin para el prototipo final
Teniendo en consideracin los comentarios anteriores, se ajustaron los datos de diseo

para obtener una potencia de entrada mayor que la potencia obtenida en la caracterizacin; de
igual forma, se trat de tener el mayor nmero de pulsos resonancia posibles. Los datos de
diseo para el prototipo final se muestran en la tabla 4.2.
Tabla 4.2. Datos de diseo del prototipo final
Parametro
VCD
Valor
25V
Unidad
V
54
kHz
0.5
PU
A2
-520
RS
4.3
3.5
Los resultados que se obtienen con la metodologa de diseo con base a los parmetros
de diseo se pueden en tabla 4.3.
Tabla 4.3. Parmetros calculados con la metodologa de diseo.
Parmetro
Valor
Unidad
Lp
10.91
Ls
133.75
72652
kHz
0.32
4.34
nF
VLpmax
-464
Pin
42
ILP
10.31
Se tom como base el prototipo construido para el banco de pruebas. Los dispositivos
semiconductores usados cumplen con los esfuerzos de voltaje y corriente necesarios para este
caso. Por otro lado, la frecuencia de conmutacin y el ciclo de trabajo pueden ajustarse a los
cenidet 83
valores calculados a travs de los potencimetros incluidos en el diseo de la seccin de

control del PWM.
Los cambios significativos entre el banco de pruebas y el prototipo final son el
transformador y el capacitor C . Para el capacitor C , se usaron dos capacitores de
polipropileno de uno de 1 nF y uno de 3.3 nF conectados en paralelo con los que se consigui
un valor muy aproximado al calculado. El diseo del transformador se presenta en la seccin
siguiente.
4.2.1. Diseo del transformador

Este transformador, al igual que el del banco de pruebas, se dise con el mtodo de la
constante geomtrica Kg; los datos de diseo y el desarrollo del procedimiento se presentan el
anexo F.
4.3.
Con el prototipo final listo, se sigui el proceso de medicin presentado en el captulo 3

en las secciones 3.4.3. y 3.4.4.; slo que esta vez para un solo valor de voltaje vin .
Las siguientes figuras representan los vectores de voltaje y corriente medidos en la
prctica.
En la figura 4.1 podemos observar la forma de onda de la corriente de entrada tomada
del prototipo iin . El valor de la corriente pico mxima medida en la prctica tiene fue de 9.9 A.
10
9.9 A
8
Corriente(A)
6
4
2
0
-2
-4
-6
10
Tiempo (s)
-6
x 10
Figura 4.1. Corriente de entrada medida en la prctica.
La figura 4.2 muestra la forma de onda de la corriente en el devanado primario iLp ,

resultado de las pruebas experimentales. El valor mximo registrado fue de 9.8 A que es 4.9%
menor al valor calculado por la metodologa de diseo.
a)
10
b)
10
9.8 A
Corriente(A)
Corriente(A)
84
2
0
2
0
-2
-2
-4
-4
-6
-6
-8
-8
0
Tiempo (s)
10
10.34 A
Sin Cs
Con Cs
1.075
-6
x 10
1.08
1.085
Tiempo (s)
Figura 4.2. Corriente en el inductor primario medida en la prctica.
La corriente en la carga io , tuvo un valor mximo de 326 mA y su forma onda se

muestra en la figura 4.3
1.09
-3
x 10
cenidet 85
a)
b)
0.4
0.4
0.3
0.3
Sin Cs
376 mA
Con Cs
0.2
0.2 248 mA
0.1
0.1
Corriente(A)
Corriente(A)
326 mA
0
-0.1
0
-0.1
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-0.4
-0.4
10
Tiempo (s)
1.075
1.08
1.085
1.09
Tiempo (s)
-6
x 10
-3
x 10
Figura 4.3. Corriente en la carga medida en la prctica.
El esfuerzo de voltaje del interruptor, que en este caso fue el CoolMOS SPP17N80C3
se puede ver en la figura 4.4. El valor maximo alcanzado fue de 545 V.
a)
b)
500
500
400
545 V
300
400
Volts(A)
Volts(V)
200
300
100
200
-100
-200
100
-300
-4
-2
Tiempo (s)
10
-400
1.074
12
-6
x 10
1.076
1.078
1.08
1.082
1.084
1.086
Tiempo (s)
Figura 4.4. Voltaje en el interruptor medido en la prctica.
En la figura 4.5 se muestra el voltaje en la carga vo , obtenido en la pruebas

experimentales; el valor maximo de vo es 3.9% menor a lo calculado en la metodologia de
diseo. Se pueden ver los 7 pulsos de resonancia presentes en el apagado.
1.088
1.09
1.092
-3
x 10
Anlisis comparativo
a)
b)
1500
Sin Cs
Con Cs
1500
1560 V
1620 V
1000
1000
500
500
Volts(V)
Volts(V)
86
-500
-500
-1000
-1000
Tiempo (s)
10
1.075
x 10
-6
1528 V
1.08
1.085
Tiempo (s)
Figura 4.5. Voltaje en la carga. Medida en la prctica.
La eficiencia final fue de 80.95%. El flujo luminoso fue de 1009 lmenes por tanto la
eficacia lumnica de la lmpara fue de 28.85 lmenes/Watts.
4.4.
Anlisis comparativo
Con la finalidad de evaluar los resultados obtenidos en las pruebas experimentales, se

presenta la tabla 4.4. En sta, se compara la fuente de alimentacin implementada, la fuente
de alimentacin reportada en [1] y el balastro y la lmpara Planon de Osram [23]. Cabe aclarar
que esta ltima comparacin se hace con el nico propsito de comparar la funcionalidad de
un sistema probado, como lo es la lmpara Planon, con los sistemas desarrollados en CENIDET.
Adems, Osram es el nico fabricante que hasta la fecha tiene colocado en el mercado un
sistema de iluminacin que trabaja con el principio de la descarga de barrera dielctrica; por lo
tanto, es la nica referencia con la que contamos.
Dicho lo anterior, los parmetros de comparacin fueron la eficiencia de la fuente y la
eficacia de lmpara. Como se puede observar la eficiencia y eficacia ms altas se consiguieron
con la fuente de alimentacin propuesta en esta tesis. Otro punto importante es que la eficacia
lumnica es muy cercana a la eficacia que tiene la lmpara Planon. Se debe notar que la
potencia conseguida fue 900% ms que la conseguida en [1].
1.09
x 10
-3
cenidet 87
Tabla 4.4. Anlisis comparativo entre el diseo propuesto con el sistema de Planon y el protipo.
Fuente de alimentacin
Potencia
Eficiencia de la
nominal
fuente
Pulso con resonancia [1]
5W
44.8%
22 lmenes/Watt
Planon de osram [12]
90 W
75.5%
27 lmenes/Watt
Propuesta en este trabajo
45 W
80.95%
28.85 lmenes/Watt
de tesis
Eficacia de la lmpara
cenidet 89
Capitulo 5
Captulo 5
Conclusiones
En este captulo se presentan las conclusiones generales de los temas desarrollados en
esta tesis.
90
Capitulo 5
cenidet 91
Capitulo 5. Conclusiones
5.1.
Acerca de la topologa seleccionada
a seleccin de la topologa para la fuente de alimentacin desarrollada, fue

uno de los puntos medulares en el desarrollo de esta tesis. Las caractersticas
deseadas de alta eficiencia, sencillez as como de un tipo de forma de onda
especfica generada por la fuente, limitaron las opciones a unas cuantas topologas.
El ACE en su variante de un solo inductor y capacitor en la red de carga, fue la topologa
en la que se encontr la mayora de las caractersticas deseadas. Sin embargo, la baja eficiencia
reportada en [1] para la misma aplicacin, dio lugar a un par de modificaciones en la topologa
original; con la propsito de corregir esta baja eficiencia. La inclusin del diodo D tuvo como
finalidad evitar el regreso de energa a la fuente de CD, situacin que se considera era una de
las principales causas de la baja eficiencia que reportaba la topologa original. El cambio del
capacitor C es una consecuencia de la inclusin del diodo, y su principal ventaja es darle una
ruta de descarga al mismo a travs del inductor LP y no a travs del interruptor Q ; con lo que
se evita el dao del interruptor y adicionalmente forma parte del circuito resonante en el
apagado, que dan lugar a las resonancias que alimentan a la carga.
Como consecuencia de los cambios hechos en la topologa original, hubo la necesidad
de desarrollar un anlisis para la nueva topologa. Una de las consideraciones tomadas fue no
incluir el capacitor CS del modelo de la lmpara fluorescente en el desarrollo del anlisis;
porque su valor se considera despreciable, siempre que se cumpla que Csr C . Con este
cambio se observ que la topologa poda ser analizada como un circuito RLC en su caso subamortiguado, considerando slo la respuesta del circuito en el apagado; ya que es en este
estado en donde se presenta la transferencia de energa a la carga.
5.2.
Acerca la metodologa de diseo
Se consigui con xito desarrollar una metodologa de diseo para la topologa

seleccionada. En ella, se logr manipular el nmero de resonancias en el voltaje vLp , que
finalmente se reflejaba a la lmpara a travs del transformador. Esta caracterstica fue una de
las principales ventajas logradas en el desarrollo de la metodologa; porque permiti obtener
los siguientes efectos:
92
Acerca de la caracterizacin de las lmparas
Ms de un pulso de resonancia en vLp para el mismo periodo de conmutacin,
obteniendo as dos frecuencias, la de conmutacin f y la resonancia de los pulsos f r .
El que f r f tiene como ventaja obtener pendientes altas de voltaje en la
carga, con voltajes pico de apenas un par de kilovolts.
Altas pendientes de voltaje provocan microdescargas ms intensas y
consecuentemente se incrementa la produccin de luz en la lmpara.
Mantener una f baja permite disminuir las prdidas por conmutacin en el
interruptor.
Los compromisos establecidos para controlar el nmero de resonancias en vLp , fueron
tener como datos de diseo parmetros poco convencionales y dejar fuera a la potencia de la
fuente, como un dato de diseo. Esto trajo como consecuencia que el usuario deba ajustar los
parmetros de diseo para obtener la potencia deseada en la fuente, esto es se vuelve un
mtodo iterativo. Pese a estos inconvenientes, la precisin que se obtuvo entre los datos
calculados por la metodologa y los obtenidos en simulacin, aprueban la validez y el uso de la
metodologa de diseo.
5.3.
Acerca de la caracterizacin de las lmparas
Con la mejora del sistema de alimentacin se pudo aumentar la potencia de la fuente

de la fuente de alimentacin, con lo cual el modelo matemtico establecido para el clculo de
RS y CS se volvi insuficiente. As, hubo la necesidad de llevar a cabo nuevamente la
caracterizacin para obtener la impedancia de las lmparas a potencias superiores que las
obtenidas con el modelo matemtico, e incluso a potencias mayores que la potencia nominal
de la misma lmpara. Otro que resulto de la caracterizacin fue la eficiencia de la fuente, la
cual se estableci como criterio para la seleccin de la lmpara y la potencia con la que se
trabajara el prototipo final.
5.4.
Acerca del prototipo final
Se implement con xito una fuente de alimentacin para la lmpara Philips TL841,
obteniendose una eficiencia de la fuente de alimentacin de 80.95% y una eficacia de la
lmpara de 28.85 lmenes/Watts. Se logr tambin que esta fuente de alimentacin tuviera
una estructura sencilla y de tamao reducido.
cenidet 93
Esta fuente hizo posible la reutilizacin de una lmpara inservible, hacindola

trabajar con electrodos externos bajo el principio de la DBD, con lo cual se comprueba la
hiptesis planteada inicialmente.
5.5.
Aportaciones
Las aportaciones de este trabajo se enlistan a continuacin
5.6.
Anlisis matemtico del circuito

Metodologa de diseo
Caracterizacin de 3 modelos diferentes de lmparas fluorescentes
Fuente de alimentacin con mejor eficiencia
Contratiempos
En el desarrollo de este trabajo se tuvieron principalmente dos inconvenientes. El

primero de ellos tiene que ver con el material magntico para la construccin del
transformador, ya que las ferritas disponibles no eran apropiadas para la frecuencia con la cual
trabajara el transformador. La solucin fue reducir los pulsos de resonancia, para obtener una
f r menor y de esta forma utilizar las ferritas disponibles.

En la medicin de la potencia de la lmpara se tiene establecido el mtodo a utilizar
para el tipo de descarga que con la cual trabaja la lmpara. Sin embargo, el mtodo establece
que la grfica obtenida de vo vs qCaux debe tener la forma de un paralelogramo; sin embargo,
en nuestro caso esta grfica dibujo una serie de valos anidados. Es por esto que hubo la
necesidad de usar un mtodo diferente, pero igualmente confiable; sin embargo con este
ltimo no se pudo calcular el valor del capacitor CS , dejando la caracterizacin de las lmparas
solo con el valor de RS .
94
Referencias
5.7.
[1]
Referencias
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lamparas fluorescentes convencionales, trabajando con descarga de barrera
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cenidet 97
Anexo A: Resumen de la revisin del Estado del Arte
Tabla A.1. Resumen de la revisin del estado del arte
Referencia.
Eficiencia
%
ERC
ZVS
ZCS
Frecuencia
(Hz)
Forma de onda
entregada por
la fuente
Interruptor
Ao de
publicacin
TIPO DE
DOCUMENTO
(Huang, Wang et al. 2004)

[25]
__
no
no
si
Entre 10k y
30k
corriente
sinusoidal
IGBT
2004
ARTICULO
(Beutelspacher 2005)
[19]
(Fernndez 2005)
[17]
88
no
si
no
25k
sinusoidal
MOSFET
2005
TESIS CENIDET
__
no
si
si
17.5k
sinusoidal
MOSFET
2005
TESIS CENIDET
(Alonso, Ordiz et al. 2007)

[26]
95
no
si
no
40.6k
sinusoidal
MOSFET
2004
ARTICULO
(Weber 1987)
[34]
__
si
si
no
100k
alterna no
sinusoidal
MOSFET
2003
PATENTE (USA)
(Han, Moon et al. 2004)

[27]
__
si
si
si
50k
alterna no
sinusoidal
MOSFET
2004
ARTICULO
(Ling-Guo, Zhi-Hu et al. 2007)

[30]
(Olivares 2008) [1]
__
si
si
no
100k
MOSFET
2003
PATENTE
56.9
no
si
no
50k- 500k
MOSFET
2008
TESIS CENIDET
__
si
no
si
90 k
alterna no
sinusoidal
pulsos
sinusoidales
cuadrados
positivos
MOSFET
2000
ARTICULO
__
si
si
no
200 k
sinusoidal
MOSFET
2006
ARTICULO
91
no
no
no
8.7 k
pulsos
sinusoidales
IGBT
2009
TESIS
(Horng-Bin, Chern-Lin et al.

2000)
[31]
(Horng-Bin, Chern-Lin et al.
2000; Kim, Han et al. 2006)
[32]
(Moreno 2009)
[28]
98
Anexo B: Programas de la metodologia de diseo.
Anexo B: Programas de la metodologia de diseo.

En esta seccin se presenta la programacin de la metodologa de diseo en los dos
diferentes ambientes que se utilizaron. El primero que se presenta es el de MathCAD, la Figura
B.1 es una imagen de parte del programa de la metodologa de diseo, en la cual se pueden ver
los datos de diseo que el usuario debe ingresar, incluido el dato de la resistencia del modelo
de lmpara. El intervalo de los valores que se pueden ingresar est definido por el mismo
MathCAD.
Figura B.1. Pantalla de la metodologa de diseo desarrollada en MathCAD 13.
La Figura B.2 es la otra parte de las frmulas de la metodologa de diseo, se muestran

los paso 4 al 8.
cenidet 99
Figura B.2. Parte de la metodologa de diseo desarrollada en MatCAD 13 (pasos 4-8)
Los ltimos pasos de la metodologa en los que se calcula el voltaje mximo en la carga
y la pendiente de voltaje se presenta en la Figura B.3
Para el diseo en Mathcad el usuario se puede guiar del diagrama de flujo de la
metodologa de diseo que se muestras en la Figura B.4
100 Anexo B: Programas de la metodologia de diseo.
Figura B.3. Parte de la metodologa de diseo desarrollada en MathCAD 13 (pasos 16-19).
Figura B.4. Diagrama de flujo de la metodologa de diseo.
cenidet 101
La Figura B.5 es del panel frontal del programa desarrollado para la metodologa de
diseo en LabVIEW 8.2; esta pantalla es la interfaz del usuario en la que se ingresan los datos
de diseo y se visualizan los resultados.
Figura B.5. Panel frontal del programa de la metodologa de diseo desarrollada en LabVIEW .
La Figura B.6 es la parte del panel de programacin en LabVIEW. Una de las

caractersticas de este programa es precisamente que la programacin se hace con base en la
interconexin de bloques as como se observa en esta imagen.
102 Anexo B: Programas de la metodologia de diseo.
Figura B.6. Muestra parte de la programacin a bloques desarrollada en Labview 8.2
cenidet 103
Anexo C: Formas de onda del efecto del capacitor Cs.

Las siguientes grficas corresponden a los resultados de simulacin de la topologa
propuesta, en la cual se agreg el capacitor Csr .
En la Figura C.1 a) se observa el voltaje de control de compuerta. La Figura C.1 b)
muestra la forma de onda del voltaje del devanado primario, se puede ver el voltaje mximo
obtenido en simulacin; este voltaje es inferior al obtenido en la simulacin sin el capacitor Csr
, para el mismo ejemplo, que en este caso fue el llamado ejemplo 1. Se aprecian tambin en
esta figura, los 5 pulsos de resonancia. En la Figura C.1 c) vemos la corriente en el devanado
primario y el punto mximo de corriente alcanzado en el encendido, la corriente pico mxima
fue tambin menor con respecto a la simulacin sin el capacitor Csr .
Volts(V)
15
10
5
0
2.02
2.04
2.06
2.08
2.1
Volts(V)
a)
400
200
0
-200
-400
-4
-480 V
2.02
2.04
2.06
2.08
2.1
b)
Corriente(I)
2.12
x 10
2.12
x 10
-4
10
5
9.51 A
0
-5
2.02
2.04
2.06
2.08
c)
Tiempo (s)
2.1
2.12
x 10
-4
Figura C.1. Formas de onda del devanado primario para el ejemplo 1. a) Voltaje de control. b) Voltaje en el
Las siguientes formas de onda corresponden a la simulacin del ejemplo 2. La Figura C.2
a) es el voltaje de control. En la Figura C.2 b) se observa el voltaje del devanado primario y su
valor maximo alcanzado. Por otra lado la corriente en el devando primario se muestra en la
Figura C.2 c), en donde se aprecia el valor de la corriente maxima alcanzada durante el
104 Anexo C: Formas de onda del efecto del capacitor Cs.
encendido. La tendencia es la misma que para el ejemplo 1, el voltaje pico y la corriente pico
alcanzados en el devanado primario son menores, en comparacin con la simulacin hecha sin
el capacitor Csr .
Volts(V)
15
10
5
0
2.055
2.06
2.065
2.07
a)
2.075
2.08
2.085
2.09
x 10
-4
Volts(V)
200
0
-250.5 V
-200
Corriente(I)
2.055
2.06
2.065
2.07
b)
2.075
2.08
2.085
2.09
x 10
-4
4
4.06 A
2
0
-2
-4
2.055
2.06
2.065
2.07
2.075
c)
Tiempo (s)
2.08
2.085
2.09
x 10
-4
Finalmente para el ejemplo 3, el voltaje de control de la compuerta en la compuerta se

puede observar en la Figura C.3 a). Figura C.3 b) observamos el voltaje en el devanado primario
y el valor de voltaje mximo obtenido en la simulacin del ejemplo 3. Se diseo este ejemplo
con 10 pulsos de resonancia, los cuales se pueden observar en esta misma figura. La forma de
onda de corriente y su valor mximo alcanzado durante el encendido, se puede apreciar en la
Figura C.3 c). La tendencia es la misma que para los otros dos ejemplos, el valor mximo del
voltaje y corriente disminuyen con respecto a la simulacin hecha sin el capacitor Csr .
cenidet 105
Volts(V)
15
10
5
0
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
2.11
2.12
2.13
a)
2.14
x 10
-4
Volts(V)
400
200
0
-200
-427.7 V
-400
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
2.11
2.12
2.13
Corriente(I)
b)
2.14
x 10
-4
2
1.71 A
0
-2
2.06
2.07
2.08
2.09
2.1
2.11
2.12
c)
Tiempo (s)
2.13
2.14
x 10
-4
Para los tres ejemplos anteriores, otro efecto observado fue la disminucin de la
potencia de la fuente Pin ; lo cual resulta lgico ya que los valores de corriente y voltaje
disminuyeron en todos los casos.
106 Anexo D: Grficas de la respuesta de las variables
Anexo D: Grficas de la respuesta de las variables

En la Figura D.1 podemos observar la variacin del parmetro de diseo VCD y la
respuesta de las variables L p , Ls , C y f ante tal variacin. Se nota fcilmente que todas las
variables se ven afectadas por VCD , especialmente el valor del capacitor C , las expresiones
(2.45) y (2.34) pueden dar cuenta de esta relacin. El siguiente parmetro en el que tiene
mayor impacto VCD es f ; esta influencia se hace evidente en el clculo f , el cual se puede
consultar en el captulo 2; en las expresiones (2.57). El valor de L p tiende a ser menor
conforme VCD aumenta, sin embargo la variacin no es tan dramtica como en el caso de las
otras tres variables. El valor de Ls tiene la misma tendencia que el de L p , ya que el clculo del
primero est hecho en funcin del segundo; de ah que las lneas de tendencia aparezcan
superpuestas. Es oportuno aclarar que la variable f a la que se hace referencia en ste y el
resto de ejemplos de variacin de parmetros, es la f que se calcula y no la que se propone.
2.4
2.2
LP
LS
1.8
1.6
C
fc
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.5
1.5
2.5
3.5
VOLTAJE DE ALIMENTACIN VCD
4.5
Figura D.1. Respuesta de las variables Lp, Ls, C y fc ante la variacin de la fuente de alimentacin.
En la Figura D.2., el parmetro de variacin fue la frecuencia de conmutacin como dato

de diseo, y se muestra, la respuesta de la frecuencia de conmutacin como dato calculado por
cenidet 107
la metodologa. Dicho de otra forma, la variacin se hace en la f de diseo y se observa la

respuesta de la f calculada. La tendencia de la f calculada, es aumentar linealmente segn
el aumento de la f de diseo. Las variables L p , Ls y C presentan el mismo comportamiento
entre si, decrecen exponencialmente con el aumento de la f . Recordemos que una de las
ventajas de aumentar la frecuencia de conmutacin en las fuentes de alimentacin
conmutadas, es precisamente la disminucin de los elementos magnticos; esta tendencia se
puede ver perfectamente en la figura d.2. En cuanto al valor de C , ste se encuentra ligado a
la constante de amortiguamiento , la cual depende directamente del tiempo de apago, que a
su vez depende de la frecuencia de conmutacin, lo que hace entonces que el valor C vare
con la variacin de f .
10
LP
LS
C
fc
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.5
FRECUENCIA DE CONMUTACIN FC
2.5
Figura D.2. Respuesta de las variables Lp, Ls, C y fc ante la variacin de la frecuencia de conmutacin.
En la figura d.3 vemos la respuesta de las variables, L p , Ls , C y f ante la variacin del

ciclo de trabajo D . Cabe mencionar que a pesar de que el ciclo de trabajo es un parmetro de
diseo, la metodologa lo re-calcula con la finalidad de obtener el nmero de pulsos de
resonancia deseados y adems hacer que la conmutacin en el encendido ocurra cuando
vLp vCD . Aclarado este punto, la variacin que se presenta es la del ciclo de trabajo como
parmetro de diseo. El impacto ms grande es en la f calculada; debido a que esta variable
est en funcin del ciclo de trabajo. La tendencia indica que a menor D mayor f ; se puede
decir entonces que a menor D , menor valor de L p , Ls y C , y lo demuestra las lneas de
tendencia de tales variables.
7
LP
LS
C
fc
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
CICLO DE TRABAJO D
1.4
1.6
1.8
Figura D.3. Respuesta de las variables Lp, Ls, C y fc ante la variacin del ciclo de trabajo D.
La constante A2 es el coeficiente que multiplica la funcin seno de la respuesta

caracterstica de un circuito RLC paralelo, con un comportamiento subamortiguado; la cual se
us como base para el desarrollo de la metodologa de diseo propuesta en este trabajo. Este
coeficiente es un dato de diseo, y afecta a las variables LP , LS , C y f . En la figura D.4,
vemos que la variable ms afectada por A2 es vLp ; sta relacin es directa por lo que el
incremento de A2 , aumenta el valor de vLp . La f se ve afectada inversamente con el
aumento de A2 ; por lo cual la respuesta en LP , LS , C , es contraria a la de f ; recordemos a
mayor frecuencia, LP , LS y C , se vuelven ms pequeos.
cenidet 109
2
1.8
1.6
1.4
LP
1.2
LS
C
fc
0.8
0.6
0.4
0
0.5
1.5
CONSTANTE A2
2.5
3.5
Figura D.4. Respuesta de las variables Lp, Ls, C y fc ante la variacin de la constante A2.
Como se observa en la figura D.5., la variacin del nmero de pulsos de resonancia que
se desean en el apagado, afecta a la mayora de las variables que se muestran en sta grafica;
exceptuando el valor de C . El efecto ms visible es el de la variable f calculada; esto sucede
porque la frecuencia de resonancia de los pulsos f r es funcin directa del nmero de ellos, lo
cual se puede observar en la expresin (2.63). En cuanto a la variable VLp sta es funcin de Tr
y d , por lo que tambin se ve afectado directamente con la variacin del numero de pulsos.
Los valores de LP , LS y C varan inversamente a la frecuencia de conmutacin f .
35
LP
30
LS
25
C
fc
20
15
10
0
0
0.5
1.5
2.5
PULSOS DE RESONANCIA PU
3.5
Figura D.5. Respuesta de las variables Lp, Ls, C y fc ante la variacin del nmero de pulsos.
cenidet 111
Anexo E: Diseo del transformador para el banco de pruebas

Las especificaciones requeridas en este procedimiento de diseo se presentan en la
tabla e.1.
Tabla E.1. Datos de diseo para el transformador.
Variable
Descripcin
Valor
Unidades
Los volts segundos aplicados al devanado primario
1.478m
V/s
ILP
La corriente rms aplicada al devanado primario. Este
3.9
106m
valor de tomo de las simulaciones. Este valor fue

tomado de simulacin.
ILS
La corriente rms aplicada al devanado secundario.

Este valor de tomo de las simulaciones. Este dato fue
tomado de simulacin.
La relacin de transformacin
3.75
Lp
El valor del inductor primario
12.08
Ptot
La estimacin de las prdidas totales; usualmente
representa el 5% de la potencia en la carga

Ku
Factor de utilizacin. Representa la fraccin del rea
0.2
de ventana del ncleo que se rellena con el alambre

de cobre. El valor tpico es de 0.4
Resistividad del alambre magneto
1.72
Permeabilidad del aire=410-7
410-7
Exponente de prdidas en el ncleo.
2.6
Bmax
Mxima densidad de flujo magntico
0.23
Tesla
Pv
Perdidas volumtricas del material
200
kW/m3
Ohm-cm
La Tabla E.2 muestra los datos del ncleo RM14 de material Ferroxcube 3F3. El material
de la ferrita juega un papel importante en el diseo del transformador, ya que ste determina
112 Anexo E: Diseo del transformador para el banco de pruebas
la frecuencia y la densidad de flujo magntico mxima que a la que el transformador puede

trabajar.
Tabla E.2. Datos del ncleo.
Variable
Descripcin
Valor
Unidad
Ac
Seccin del rea transversal del ncleo
1.98
cm2
WA
rea de ventana
1.12
cm2
MLT
Longitud media por vuelta
7.1
cm
Lm
Longitud de la trayectoria magntica
cm
Este procedimiento de diseo es una combinacin del diseo de un transformador y el

diseo de un inductor. Lo anterior obedece a la necesidad de que el transformador adems de
aislar y elevar el voltaje; pueda almacenar energa como sucede en un simple inductor.
A continuacin se enlista la serie de pasos de dicho procedimiento:
Paso 1. Determinar la constante K fe mediante la siguiente formula
K fe
pv
1103 Bmax
6.01
W
T cm3
(E.1.)
Paso 2. Calculo de las prdidas totales en corriente I tot
Itot I LP N I LS 4.29 A
(E.2)
Paso 3. Calculo del valor requerido de K gfe
K gfe
2 I tot2 K 2fe
2 Ku ( Ptot )
( 2)/
108 0.01349
(E. 3)
Paso 4. Calculo del valor de K gfe para el ncleo RM14 y su comparacin con el K gfe requerido
cenidet 113
K gfe
2
2

2
2
2(11/ )
C
2/
WA A
MLT lm
0.02437
E.4)
K gfe necesitado es K gfe RM14 requerido por lo tanto se puede usar este ncleo.
Paso 5. Calculo de las vueltas en el devanado primario y secundario
np
2 Bmax AC
104 13.82vueltas
nS nP N 51.83vueltas
(E.5)
(E.6)
Paso 6. Calculo del entrehierro
0 AC nP2
lg
L 110
104 3.95mm
(E.7)
Paso 7. Calculo del calibre del alambre magneto
Awp
I LP
0.9075
I tot
(E.8)
I LS
N 0.0924
I tot
(E.9)
KuWA1
N 22 103 cm2
nP
(E.10)
KuWA 2
599 106 cm2
nS
(E.11)
Lo que corresponde a un calibre #14
Aws

Paso 8. Resistencia de los devanados
114 Anexo E: Diseo del transformador para el banco de pruebas
RP
n p MLT
7.6m
(E.12)
1.05
(E.13)
2
Ppcu I LP
Rp 116mW
(E.14)
2
Pscu I LS
RS 12.82mW
(E.15)
Pfe K gfe Bmax

AC Lm 6.21m
(E.16)
RS
Awp
ns MLT
Aws
Paso 9. Clculo de las prdidas en el cobre
Paso 10. Prdidas en el ncleo
Paso 11. Profundidad piel
2.14 103 cm
0 fC
(E.17)
Con lo cual se recomienda usar un calibre mximo #26, para evitar prdidas por efecto piel
(skin effect).
cenidet 115
Anexo F: Diseo del transformador para el prototipo final

Las especificaciones requeridas en este procedimiento de diseo se presentan en la
tabla f.1.
Tabla F.1. Datos de diseo para el transformador del prototipo final.
Variable
Descripcin
Valor
Unidades
Los volts segundos aplicados al devanado primario
2.53m
V/s
ILP
La corriente rms aplicada al devanado primario. Este
3.58
87m
valor se tom de las simulaciones.

ILS
La corriente rms aplicada al devanado secundario.

Este valor se tom de las simulaciones
La relacin de transformacin
3.5
Lp
El valor del inductor primario
10.91
Ptot
La estimacin de las prdidas totales; usualmente
representa el 5% de la potencia en la carga

Ku
Factor de utilizacin. Representa la fraccin del rea
0.25
de ventana del ncleo que se rellena con el alambre

de cobre. El valor tpico es de 0.4
Resistividad del alambre magneto
1.72
Permeabilidad del aire=4x10-7
410-7
Exponente de prdidas en el ncleo.
2.6
Bmax
Mxima densidad de flujo magntico
0.35
Tesla
Pv
Prdidas volumtricas del material
180
KW/m3
Ohms-cm
Se necesitan tambin los datos del ncleo que se pretense usar, ver Tabla F.2.
116 Anexo F: Diseo del transformador para el prototipo final

Tabla F.2. Datos del ncleo.
Variable
Descripcin
Unidades
Ac
Seccin del rea transversal del ncleo
1.98
cm2
WA
rea de ventana
1.12
cm2
MLT
Longitud media por vuelta
7.1
cm
Lm
Longitud de trayectoria magntica
cm
El procedimiento de diseo es una combinacin del diseo de un transformador y el

diseo de un inductor. Lo anterior obedece a la necesidad de que el transformador adems de
aislar y elevar el voltaje; pueda almacenar energa como sucede en un simple inductor.
El procedimiento de diseo consiste en los siguientes pasos:
Paso 1. Determinar la constante K fe mediante la siguiente frmula
K fe
pv
1103 Bmax
2.758
W
T cm3
(F.1)
Paso 2. Clculo de las prdidas totales en corriente I tot
Itot I LP N I LS 4.1A
(F.2)
Paso 3. Clculo del valor requerido de K gfe
K gfe
2 I tot2 K 2fe
2 Ku ( Ptot )
( 2)/
108 0.0238
(F.3)
Paso 4. Calculo del valor de K gfe para el ncleo RM14 y su comparacin con el K gfe requerido
K gfe
2(11/ )
C
2/
WA A
MLT lm

2

2
2
0.0243
K gfe necesitado es K gfe RM14 requerido por lo tanto se puede usar este ncleo.
(F.4)
cenidet 117
Paso 5. Clculo de las vueltas en el devanado primario y secundario
np
2 Bmax AC
104 18.25vueltas
nS nP N 63.88vueltas
(F.5)
(F.6)
Paso 6. Clculo del entrehierro
lg
0 AC nP2
L 110
104 3.59mm
(F.7)
Paso 7. Clculo del calibre del alambre magneto
I LP
0.925
I tot
Awp
(F.8)
I LS
N 0.07418
I tot
KuWA1
N 14.2 103 cm2
nP
(F.9)
(F.10)
Aws
KuWA 2
325 106 cm2
nS
(F.11)

Paso 8. Resistencia de los devanados
RP
n p MLT
RS
Awp
15.73m
ns MLT
Aws
2.4
(F.12)
(F.13)
118 Anexo F: Diseo del transformador para el prototipo final
Paso 9. Clculo de las prdidas en el cobre, prdidas en el ncleo y la profundidad piel.

2
Ppcu I LP
Rp 227mW
(F.14)
2
Pscu I LS
RS 18.20mW
(F.15)
Prdidas en el ncleo
Pfe K gfe Bmax

AC Lm 21.53mW
(F.16)
Profundidad piel
2.14 103 cm
0 fC
(F.17)
Con lo cual se recomienda usar un calibre mximo #26, para evitar prdidas por efecto piel
(skin effect).

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Contenido

Capitulo 1. Antecedentes ............................................................................................................ 3

Tipos de descarga .............................................................................................................. 3

Descarga de Barrera Dielctrica ........................................................................................ 4

Tipos de DBD ............................................................................................................. 6

Seleccin del tipo de lmpara ........................................................................................... 7

Influencia de los electrodos externos ............................................................................... 8

Modelado de la lmpara operando con la DBD .............................................................. 10

Efecto de la pendiente de la forma de onda ................................................................... 11

Factor de cresta ...................................................................................................... 13

Planteamiento del problema .................................................................................................. 15

Objetivo general .............................................................................................................. 16

Objetivos particulares ..................................................................................................... 16

Estado del arte ........................................................................................................................ 16

Conclusiones generales del estado del arte .................................................................... 21

Propuesta de solucin ............................................................................................................. 21

Capitulo 2. Anlisis de la topologa seleccionada y desarrollo de la metodologa de diseo ........ 25

Amplificador clase E con un inductor y un capacitor en la red de carga ................................ 25

Acerca de la topologa seleccionada ............................................................................... 26

Anlisis de la topologa seleccionada ...................................................................... 29

Desarrollo de la metodologa de diseo ................................................................................. 33

Nmero de ciclos x .......................................................................................................... 36

Constante de amortiguamiento ................................................................................... 38

Tiempo tmax ...................................................................................................................... 38

Inductancia primaria LP.................................................................................................... 40

Corriente mxima ILpmax ................................................................................................... 41

Tiempo de encendido ton ................................................................................................ 42

Frecuencia de conmutacin f ....................................................................................... 42

Ciclo de trabajo D ............................................................................................................ 42

Programacin de la metodologa de diseo .................................................................... 45

Protocolo de pruebas para la validacin de la metodologa de diseo .......................... 47

Ejemplo de diseo 1 ................................................................................................ 48

Ejemplo de diseo 2 ................................................................................................ 49

Ejemplo de diseo 3 ................................................................................................ 50

Efecto del capacitor Cs ..................................................................................................... 51

Funcionamiento de la metodologa y algunas recomendaciones para diseos futuros ......... 54

Diseo de la fuente de alimentacin para el banco de pruebas ............................................. 62

Construccin del prototipo ..................................................................................................... 63

Circuito de disparo .......................................................................................................... 63

Diseo del transformador ............................................................................................... 64

Lmparas de vapor de mercurio de baja presin ................................................................... 67

Lmparas con precalentamiento .................................................................................... 69

Lmparas de arranque instantneo ................................................................................ 69

Lmparas de arranque rpido. ........................................................................................ 69

Caracterizacin de las lmparas. ............................................................................................. 70

Modelos seleccionados ................................................................................................... 70

Adaptacin de las lmparas ............................................................................................ 70

Proceso de medicin y diseo de experimentos ............................................................ 71

Esquema general de medicin ........................................................................................ 73

Resultados experimentales ............................................................................................. 73

Lmpara Philips 32W ............................................................................................... 74

Lmpara NEC 27 W .................................................................................................. 75

Lmpara NEC 22W................................................................................................... 77

Sobre la lmpara seleccionada................................................................................................ 81

Diseo de la fuente de alimentacin para el prototipo final .................................................. 81

Diseo del transformador ............................................................................................... 83

Resultados experimentales ..................................................................................................... 83

Anlisis comparativo ............................................................................................................... 86

Capitulo 5. Conclusiones ........................................................................................................... 91

Acerca de la topologa seleccionada ....................................................................................... 91

Acerca la metodologa de diseo ............................................................................................ 91

Acerca de la caracterizacin de las lmparas.......................................................................... 92

Acerca del prototipo final ....................................................................................................... 92

Anexo A: Resumen de la revisin del Estado del Arte ................................................................ 97