Transistor BJT

Electrnica Analgica

Cuadro de tipos de transistores

NPN

BIPOLARES

PNP

* BJT : transistor de unin bipolar

* FET : transistor de efecto de campo

CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES

UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

Construccin BJT

BJT estn constituidos por tres capas. Estn formados por

2 tipos de Silicio, adems de que son elementos
amplificadores de corriente.

Un diodo surge al unir un material N con uno P, el

transistor surge de una unin de tipo NPN, o bien PNP.
C
NP
B

N+
E

BJT

La regin de la base est ligeramente dopada y es muy

delgada en comparacin con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente
dopada

Polarizacin BJT

La unin base-emisor (BE) est polarizada en directa y la

unin base-colector (BC) polarizada en inversa. Esta
condicin se llama polarizacin en directa-inversa.

Flujo de electrones en el BJT

Parmetros del BJT

= =

=20 a 200
=0,95 a0,99

Parmetros del BJT

Modelo en CD de un transistor

El BJT que no est en saturacin puede ser considerado

un dispositivo con una corriente en el circuito de entrada
y una fuente de corriente dependiente en el circuito de
salida

Ejercicio

Determine , , , , , Dado = 150

Curvas caractersticas de Colector

Se puede generar un conjunto de curvas caractersticas

del colector que muestren cmo vara la corriente en el
colector, IC, con el voltaje en el colector con respecto al
emisor, VCE, con valores especificados de corriente de
base, IB. VBB como VCC son fuentes de voltaje variable.

Curvas caractersticas de Colector

VBB ajustado para producir una corriente de base IB,

VCC=0
Union BE y BC polarizados en directa B=0.7V, C=E=0V
circula corriente por el emisor debido a trayectoria de
baja impedancia
Cuando ambas uniones estn polarizadas en directa, el
transistor se encuentra en la regin de saturacin de su
operacin
Saturacin es el estado de un BJT en el cual la corriente
en el colector alcanza un mximo independientemente de
la corriente en la base.

Curvas caractersticas de Colector

VCC incrementa,VCE incrementa a la medida que IC lo

hace ya que VCE < 0,7V polarizacin directa
Si VCE>0.7, la unin BC se polariza en inversa, y el
transistor entra a la regin lineal o activa de su operacin
IC se nivela y permanece esencialmente constante para
un valor dado de IB a medida que VCE contina
incrementndose
Cuando VCE alcanza un voltaje suficientemente alto, la
unin BC polarizada en inversa entra en la condicin de
ruptura, y la corriente de colector se incrementa con
rapidez

Curvas caractersticas de Colector

Curvas caractersticas de Colector

Se produce una familia de curvas caractersticas cuando

IC contra VCE se traza para varios valores de IB
Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la regin de
corte, aunque existe un corriente de fuga muy pequea
en el colector, como se indica.
Corte es el estado de no conduccin de un transistor. La
cantidad de corriente de fuga en el colector con IB = 0
est exagerada en la grfica

Curvas caractersticas de Colector

Recta de carga de CD

La recta de carga de cd es trazada sobre una familia de

curvas que conecta el punto de corte y el punto de
saturacin. La parte inferior de la recta de carga se
encuentra en el punto de corte ideal donde IC = 0 y VCE
= VCC. La parte superior de la recta de carga se
encuentra en el punto de saturacin donde IC = IC(sat) y
VCE = VCE(sat). Entre el punto de saturacin y el punto
de corte a lo largo de la recta de carga se encuentra la
regin activa de la operacin del transistor

Recta de carga de CD

VCE(sat) para un transistor ocurre en alguna parte

debajo de la inflexin de las curvas de colector y
normalmente es de slo unos cuantos dcimos de un
volt.

Amplificador de voltaje

Amplificacin es el proceso de incrementar linealmente la

amplitud de una seal elctrica y es una de las
propiedades importantes de un transistor.
Un BJT presenta una ganancia de corriente (llamada HFE).
Cuando se polariza un BJT en la regin activa (o lineal), la
unin BE tiene baja resistencia debido a la polarizacin en
directa y la unin BC tiene una alta resistencia debido a la
polarizacin en inversa.

Amplificador de voltaje

Vb=Ie*re
VC=Ic*RC
VC=Ie*RC

=
=

Conmutacin

Punto de Operacin

Se debe ajustar el punto de operacin en cd de modo

que las variaciones de la seal en la terminal de entrada
se amplifiquen y reproduzcan con precisin en la terminal
de salida.
Cuando se polariza un transistor se establece el voltaje
de cd y los valores de corriente. El punto de operacin
en cd, IC y VCE tienen valores especificados. El punto de
operacin en cd a menudo se conoce como punto Q.

POLARIZACIN DE TRANSISTORES

La polarizacin establece el punto de operacin en cd

(punto Q) para la operacin lineal apropiada de un
amplificador. Si un amplificador no se polariza con voltajes
de cd correctos a la entrada y salida, puede irse a
saturacin o a corte cuando se aplique una seal de
entrada

POLARIZACIN DE TRANSISTORES

Puntos de trabajo sobre la recta de carga

Recta de carga en cd

La operacin en cd de un circuito con un transistor se

describe grficamente con una recta de carga en cd. sta
es una recta sobre las curvas caractersticas desde el
valor de saturacin donde IC = IC(sat) sobre el eje y
hasta el valor de corte donde VCE = VCC sobre el eje x.
El circuito externo (VCC y RC) determina la recta de
carga, no el transistor mismo

Ejercicio

Determine el punto Q y trace la recta de carga en cd.

Determine el valor pico mximo de la corriente en la
base para operacin lineal. Suponga HFE=200.

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

POLARIZACIN FIJA: Se puede obtener una variacin si a R1 le
llega un voltaje Vi diferente de Vcc.
+VCC IB *RB VBE=0

VCE = 0
En saturacin

RB puede conectarse a un voltaje

diferente de VCC en caso de que la
configuracin demande un voltaje
diferente

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

POLARIZACIN FIJA:
+VCC IB *RB VBE IE*RE=0

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

CON DIVISIN DE VOLTAJE:

Req=R1||R2
Vth = Voltaje en R2 aplicando teora de partidor de tensin

ANALISIS EXACTO

ANALISIS APROXIMADO
la condicin que definir si se
puede aplicar el mtodo
aproximado es

Y se aplicar:
VR2= VB

VR2= VB

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

CON REALIMENTACIN AL COLECTOR:

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Emisor comn

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Base comn

La configuracin en base comn se diferencia en que la seal

aplicada est conectada al emisor y la base est en, o un poco
arriba, del potencial de tierra.
Es una configuracin bastante popular porque en el dominio de
CA tiene una muy baja impedancia de entrada, una alta impedancia
de salida y una buena ganancia.

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Base comn

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Ejercicios
Datos:
Vcc = 12V
HFE = 120

Cuando P1 est en la posicin 2 IC =

40mA, para cuando VCE = 1/3Vcc
Caso contrario VCE=2/3

ELECTRNICA ANALGICA 1

VCE =

Ejercicios

Datos:
G1=8
G2 = 2
HFEQ2=250 HFEQ3=250
IC2=10mA IC3=35mA

ELECTRNICA ANALGICA 1

EJERCICIOS

Datos:
Foco 12V/100W luz intensa
LDR con luz 200
LDR sin luz 5000
VCC=12V

ELECTRNICA ANALGICA 1

Ejercicios

Datos:
Foco 12V/100W luz intensa
LDR con luz 200
LDR sin luz 5000
VCC=12V

CMO FUNCIONARA?
CUL ES LA MEJOR SOLUCIN?
ELECTRNICA ANALGICA 1

Ejercicios

Datos:
Foco 12V/100W luz intensa
LDR con luz 200
LDR sin luz 5000
VCC=12V

CMO FUNCIONARA?
CUL ES LA MEJOR SOLUCIN?

ELECTRNICA ANALGICA 1

TRANSISTOR DARLINGTON

IB2 = IB1+ IC
IC2 = IB2 * 2
IC2 = (IB1+ IC)* 2
IC2 = (IB1+ IB1* 1)*
2
IC2 = IB1(1+ 1)* 2
IC2 / IB1= (1+ 1)* 2
IC2 / IB1 1* 2

ELECTRNICA ANALGICA 1

MULTIVIBRADORES

BIESTABLE
AESTABLE
MONOESTABLE

BIESTABLE

Tambin llamado circuito de memoria, en este esquema

uno de los transistores debe empezar cerrado por lo que
se le otorga mayor garanta
Se tiene dos pulsantes, para pasar de estado se hace que
el potencial que existe en BE sea 0V por lo que dejara de
circular corriente de colector y se accionara la otra parte
del circuito

AESTABLE

Es un circuito oscilador que genera una onda cuadrada

que puede ser de frecuencia fija o variable, la forma de
onda cuadrada se consigue en los colectores de los
transistores
El tiempo que se demore los transistores abiertos o
cerrados es otorgado por T=R*C*0.7
La resistencia que carga a los condensadores es la
resistencia de base del transistor que esta en corte

MONOESTABLE

Es la unin de dos circuitos biestable y aestable

Existe un pulsante el cual cuando es activado se cierra el
transistor por el tiempo determinado por T=R*C*0.7, y
regresa a la posicin de reposo del circuito

CIRUITO ?

Q1 FUNCIONA ->Q2 NO FUNCIONA

Datos:
G1=8
G2 = 3
G3 = 8
HFE1=200
HFE=200
HFE=200
IC1=15mA
IC3=25mA

ELECTRNICA ANALGICA 1

CIRUITO ?

Q1 FUNCIONA ->Q2 NO FUNCIONA

Datos:
G1=8
G2 = 3
G3 = 8
HFE1=200
HFE=200
HFE=200
IC1=15mA
IC3=25mA

Vcc
5

333.33
330
IC1 15mA
IC1
15mA
IB1

75A
HFE1
200
IB1sat IB1 G1 75A 8 600 A
RC1

Vcc VRC 2 VRB1 VBE

Vcc IB1sat RC 2 IB1sat RB1 0.7
RB12

RB1

5 0.7 330 0.6mA

6.84k
6.8k
0.6mA
ELECTRNICA ANALGICA 1

Vcc VBE RC IB1sat

IB1sat

CIRUITO BIESTADO

Q2 FUNCIONA ->Q1 NO FUNCIONA

Datos:
G1=8
G2 = 3
G3 = 8
HFE1=200
HFE=200
HFE=200
IC1=15mA
IC3=25mA
IC3
25mA

125A
HFE 3
200
IB3sat IB3 G3 1mA
IB3

Si RC1 = RC2, entonces la

corriente que atraviesa a
ambas es de 15mA

ELECTRNICA ANALGICA 1

CIRUITO BIESTADO

Q2 FUNCIONA ->Q1 NO FUNCIONA

Datos:
G1=8
G2 = 3
G3 = 8
HFE1=200
HFE=200
HFE=200
IC1=15mA
IC3=25mA

IC1 IRC2 15mA

IRC2 IC2 IB3sat
IC2 IRC2 IB3sat
IC2 15mA 1mA 14mA
IC2
14mA

70 A
HFE 2
200
IB2sat IB2 G 2 70 A 3 210 A

IB2

RB3

Vcc VBE
5 0.7
RC2
330 3.97k
3.9k
IB3sat
1mA

Vcc VRC1 VRB2 VBE

RC1 IB2sat RB2 IB2sat 0.7V
IB2sat
5 0.7 330 210 A
RB2
20.145k
210 A

Vcc

ELECTRNICA ANALGICA
1 k
RB2 20.145
20k

CIRUITO ?

Q2 FUNCIONA ->Q1 NO FUNCIONA Y VICEVERSA

Q1=Q2
G1>G2

ELECTRNICA ANALGICA 1

CIRUITO ?

Q2 FUNCIONA ->Q1 NO FUNCIONA Y VICEVERSA

Inicia funcionando aquel que por caractersticas de
construccin posee mayor .
Q1=Q2
G1=G2

ELECTRNICA ANALGICA 1

Gracias por su atencin