INSTITUTO TECNOLOGICO DE PACHUCA

Ingeniera en Sistemas Computacionales

Materia: ARQUITECTURA DE
COMPUTADORAS

Practica Memoria RAM

Equipo: CLR
Alumnos:
MENESES HERNANDEZ
ALEJANDRA ITZEL
OLMOS ESTRADA PEDRO RAL
REYES SANCHEZ ANA LAURA
Catedrtico: ING. LEN OLIVARES ERIC
Semestre: Quinto
Pachuca, Hgo; 20 de Octubre del 2015

Introduccin
Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los
circuitos asociados que se requieren para transferir informacin al y del dispositivo.
El tiempo que toma en transferir informacin a o de cualquier posicin al azar
deseada siempre es el mismo, de ah el nombre de memoria de acceso aleatorio o
RAM.
Una unidad de memoria almacena informacin binaria en grupos de bits llamados
palabras. Una palabra de memoria es una entidad de bits que siempre se guardan
o sacan juntos, como una unidad. Una palabra de memoria es un grupo de unos y
ceros y podra representar un nmero, una instruccin, uno o ms caracteres
alfanumricos o cualquier otra informacin codificada en binario.
La comunicacin entre la memoria y su entorno se efecta a travs de lneas de
entrada y salida de datos, lneas de seleccin de direcciones y lneas de control que
especifican la direccin de transferencia. En la figura siguiente se presenta un
diagrama de bloques de la unidad de memoria. Las n lneas de entrada de datos
alimentan la informacin que se guardar en la memoria, y las n lneas de salida de
datos proporcionan la informacin que viene de la memoria. Las k lneas de
direccin especifican la palabra especfica escogida, de entre muchas disponibles.
Las dos entradas de control especifican la direccin de la transferencia deseada: la
entrada de escritura hace que se transfieran datos binarios a la memoria; la de
lectura hace que se saquen datos binarios de la memoria.
La unidad de memoria se especifica con el nmero de palabras que contiene y el
nmero de bits que hay en cada palabra. Las lneas de direccin seleccionan una
palabra especfica. A cada palabra de la memoria se asigna un nmero de
identificacin, llamado direccin, entre 0 y 2k 1, donde k es el nmero de lneas
de direccin. La seleccin de una palabra especfica de la memoria se efecta
aplicando los k bits de direccin a las lneas de direccin.
n lneas de entrada de datos
k lneas de direccin
Leer

Opciones de Lectura y
Escribir

Unidad de memoria
2k palabras
Escritura
n bits por palabra

n lneas de salida de datos

Las dos operaciones que efecta una memoria de acceso aleatorio son escritura y
lectura. La seal de escritura especifica una operacin de transferencia hacia
adentro, y la de lectura, una de transferencia hacia afuera. Al aceptar una de estas
seales de control, los circuitos internos de la memoria efectan la operacin
deseada.
Los pasos que deben seguirse para transferir una nueva palabra a la memoria son:
1. Aplique la direccin binaria de la localidad deseada a las lneas de direccin.
2. Aplique a las lneas de entrada de datos los bits de datos que se guardarn
en la memoria.
3. Active la entrada escribir.
La unidad de memoria tomar entonces los bits de las lneas de datos de entrada y
los almacenar en la localidad especificada por las lneas de direccin.
Los pasos que deben seguirse para sacar de la memoria una palabra almacenada
son:
1. Aplique a las lneas de direccin la direccin binaria de la localidad deseada.
2. Active la entrada leer.
La unidad de memoria tomar entonces los bits de la localidad seleccionada por la
direccin y los aplicar a las lneas de datos de salida. El contenido de la localidad
seleccionada no cambia despus de la lectura.

DIAGRAMA LGICO

Desarrollo
Esta
prctica
consiste
en
comprender
el
funcionamiento
de una memoria
RAM
y
sus
operaciones de
lectura
y
escritura,
para
esto utilizamos el
circuito
74s289
que
tiene la
funcin de dar a
conocer
cmo
funciona
dicha
memoria.
El
circuito 74s289 est constituido internamente de la siguiente manera (DATA
SHEET).

Las cuatro entradas de direccion seleccionan una de 16 palabras de la memoria. El

bit menos significativo de la direccicon es A0, y el mas significativo, A3. La entrada
de la seleccin de chip (CE, chip enable), debe ser 0 para habilitar la memoria. Si
CE es 1, la memoria queda inhabilitada. La entrada de habilitacion de escritura
(R/W, read/write) determina el tipo de operacin, como se indica en la tabla de
funcion. Se efectua una escritura cuando R/W = 0. Ello consiste en una transferencia
del nmero binario que est en las entradas de datos a la palabra seleccionada de
la memoria. La operacin de lectura se efecta cuando R/W =1, y transfiere el valor
de complemento almacenado en la palabra seleccionada, a las lineas de datos de
la salida.

Material y equipo
1 Multmetro
1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente contina
1 Protoboard
1 Circuito 7489
7404
13 leds
2 DIP switch de 4 interruptores
8 resistencias de 1k

Proceso
Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito
74s289 utilizamos el programa PROTEUS el cual es un paquete de software para
el diseo de circuitos electrnicos que incluye captura (composicin) de los
esquemas, simulaciones analgicas y digitales combinadas.
Se utiliz una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de direccin y de datos
colocamos resistencias de 1 k, nuestro bus de direccin fue colocada en las
entradas A0, A1, A2, A3 porque as est configurado el circuito siguiendo el Data
sheet al mismo tiempo a 4 leds y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4
igualmente conectndolos a 4 leds, en las salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados

a las compuertas negadas 7404, puesto que las salidas 74289 producen los valores
de complemento, salidas que conectamos a los leds que son los que indicaran los
datos que se mandan. Conecte la entrada CE a tierra, y la R/W, a un interruptor de
dos posiciones. Hay que tener cuidado al usar el interruptor R/W. La forma correcta
de escribir requiere colocar primero la direccion en el contador y luego las entradas
en los cuatro interruptores de dos posiciones. Para almacenar la palabra en la
memoria, cambie el interruptor R/W a la posicion de escritura y luego vuelvalo a la
posicion de lectura. Tenga cuidado de no modificar la direccion ni las entradas
cuando R/W est en el modo de escritura.

A continuacin se muestra el diagrama de conexin el cual representa el

funcionamiento de nuestro circuito:

Evidencias
En la direccin 1000 (8) se ingresan los datos 1000 (8) y por lo tanto la salida deber
ser esta misma:

Conclusiones
Comprendimos con mayor precisin el funcionamiento de una memoria RAM y
como es que los buses del sistema, llevan los datos hasta esta, guardndolos de
manera temporal, y posteriormente como es que los buses llevan a la lectura de
datos.
Algunas de las competencias que logramos:
La habilidad de comprensin acerca del funcionamiento correcto de nuestro
circuito de RAM
Capacidad para conocer el circuito 74S289 que esta misma simula lo que
con lleva el funcionamiento de una RAM.
La eficiencia en la atencin de los buses (direccin, control, datos).

Esta informacin que realizamos nos ha ayudado a comprender mejor lo que es una
memoria RAM ya que para nuestro punto de vista no tenamos el conocimiento de
todo lo que implica una memoria RAM y que a la vez qu tan importante es para
nuestro equipo de cmputo.
Competencias Obtenidas:
1. Colaborar en equipo para deducir soluciones aplicadas a circuitos digitales.

2. Disear circuitos digitales.

3. Conocer los conceptos fundamentales de los modelos de arquitecturas de
cmputo.
4. Conocer y analizar los bloques que conforman un sistema de cmputo.

Referencias en formato APA

M.

MORRIS

MANOS.

(2003).

DISEO

DIGITAL.

Mxico:

PEARSON

EDUCACIN.

Roger L. Tokheim. (2015). Electrnica digital. Mxico: MCGRAW-HILL /

INTERAMERICANA DE MEXICO.

Heriberto Antonino. (2012). Memoria ram7489. 2015, de BuenasTareas.com

Sitio

web:

Ram7489/1558512.html

http://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-