SCR:

Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo

de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta
dos estados estables: en uno conduce, y en otro est en corte (bloqueo
directo, bloqueo inverso y conduccin directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de
silicio SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se
hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando
siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para
comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2),
este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la
base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el
encendido del SCR.

BJT:
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede
ser
de
germanio
o
silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y
el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de
lacorriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada
tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base

(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla
que tiene la flecha en el grfico de transistor.

MOSFET:
MOSFET significa "FET
de compuerta aislada

de

Metal

Oxido

Semiconductor"

FET

Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal
P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2)
(tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor
y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la
figura)
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y
al
drenaje
(drain)

En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y

al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es

controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso
de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por
una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe
corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que
manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada,
se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad
esttica.
GTO:
es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal
puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio
puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el
mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido
como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).

FUNCIONAMIENTO

Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin

de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar
mediante una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de
enganche y se construir con especificaciones de corriente y voltajes

similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un

pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.

SITH:
Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de
compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un
voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en
estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con
especificaciones de voltaje y corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas

de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La
especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est
limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso
de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de
manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas
IGBT:
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingles Insulated Gate
Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de electronica depotencia
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
trasistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturacin del transistor bipolar , combinando una puerta aislada fet para

la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo

dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables
hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia as como en
las aplicaciones en maquinas electricas y convertidores de potencia que
nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso: automovil , tren , metro, (en Ingls
UPS), etc.

SIT:
El Dispositivo mas importante bajo desarrollo es el transistor de induccin
estatica (SIT) mostrado esquemticamente en la figura 1. El SIT es un
dispositivo portador mayoritario (unipolar) en el que el flujo de electrones de
la fuente a el drenaje es controlado por un potencial de barrera en el
semiconductor de dos dimensiones con forma de silla de montar entre las
compuertas metlicas.Si el dopado y las dimensiones laterales son
escogidas adecuadamente, la altura del potencial de barrera sera modulado
por la compuerta y el dranje.

Debido a que la corriente se incrementa exponencialmente conforme la

barrera es disminuido, las caracteristicas de la salida del SIT son usualmente
no saturadas o de manera de triodo, por ejemplo pareciendose a un triodo

de tubo al vacio.El SIT es importante como un dispositivo de microondas a

bahas frecuencias en GHz porque este entrega potencia extremadamente
alta por unidad de area.

MCT:
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un
tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS.
El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo
correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por
un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta
MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M 1 y un MOSFET de
ventajas
canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura
PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia
con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta.
Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un
voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el
material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del
emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal
p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p).
Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al
transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C 1) que
hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que
se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de
compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la
corriente de base del transistor Q2.

La especificacin
puede llegar has
los 1200 V.

La velocidad de c
es de hasta 100 k

Es muy adecuado
aplicaciones de a
alta frecuencia (a
de Audio, de DHF

Un MCT tiene:
1.
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;
2.
Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
3.

Bajas perdidas de conmutacin;

4.

Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.

5.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica
mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en
paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones
en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar
fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una
polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

TRIAC:
El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear
tensin y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales
principales T1 y T2
Es una terminal de compuertas, usualmente es un SCR en paralelo, e
igualmente maneja la corriente en cualquier direccin.

Las caractersticas del Triac en el 1er. Y 3er. Cuadrantes, son diferentes a las
del Diac, la corriente de sostenimiento en cada direccin no esta presente
en las caractersticas del Diac.

RCT:
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo
antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de
corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito
de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de
bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de rgimen
permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso
puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia
dispersa del circuito dentro del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos
del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo
incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce
tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara
de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje
de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo
determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a
travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se
limitarn a diseos de circuitos especficos.

Figura 6. Tiristor de conduccin inversa