III Jornada Cientfica del Instituto de Nanociencia de Aragn

I Jornada sobre Nanofabricacin

Sala de Grados de la Facultad de Ciencias
Universidad de Zaragoza
Zaragoza, 16 de noviembre de 2005

Libro de abstracts

Patrocinada por: Instituto de Nanociencia de Aragn y Universidad de

Zaragoza

Colaboracin de: Gobierno de Aragn y Consejo Superior de Investigaciones

Cientficas

PREFACIO
Esta jornada, la tercera organizada por el Instituto de Nanociencia de Aragn (INA)
desde su creacin, tiene como objetivo reunir a un pequeo pero selecto grupo de
cientficos espaoles expertos en el campo de la fabricacin de pelculas con talla
nanomtrica en la direccin de crecimiento y su litografiado a escalas laterales
nanomtricas. Las jornadas se basan en seminarios de reconocidos investigadores espaoles
que introducirn diferentes tcnicas de crecimiento de pelculas delgadas y nanolitografa y
mostrarn resultados recientes de sus investigaciones. As por ejemplo, en el primer caso se
introducirn las tcnicas de pulverizacin catdica, ablacin lser pulsada, epitaxia de haces
moleculares, etc. En el segundo caso se discutirn las tcnicas de litografa ptica y de rayos
x, litografa por haces de electrones e iones, nanoimprinting, nanolitografa con
microscopios de sonda local, etc. Se pretende fomentar la discusin entre todos los
participantes sobre las diversas tcnicas presentadas.
Esta jornada es muy importante para el instituto puesto que los temas a tratar
corresponden a lneas de investigacin prioritarias en el INA. En la actualidad el INA
dispone de la infraestructura adecuada para el crecimiento de este tipo de sistemas y la
realizacin de tallado por tcnicas litogrficas a escala micromtrica y se est pendiente de
la adquisicin de un equipo de nanolitografa. Esta jornada es una buena oportunidad para
discutir con los expertos nacionales sobre estos complejos equipos y de comprobar de
primera mano la investigacin puntera actual en Espaa con esta tcnicas. La jornada tendr
una sesin de maana que llevar por ttulo Sesion sobre tcnicas litogrficas para
nanofabricacin y una sesin de tarde que llevar por ttulo Sesion sobre crecimiento de
pelculas delgadas, acabndose la jornada con una visita a los laboratorios del INA al
finalizar las charlas de los ponentes invitados. Esperamos que esta jornada sea muy
fructfera para todos los miembros de nuestra comunidad universitaria interesados en este
importante y prometedor campo de trabajo dentro de la Nanociencia as como para los
participantes de otras universidades y centros de investigacin fuera de nuestra comunidad
autnoma.

ORGANIZACION
-Instituto de Nanociencia de Aragn de la Universidad de Zaragoza
-Secretariado: Pedro J. Escriche y Maria Jess Garca
-Comit de programa: Jos Mara De Teresa y Javier Ses

*Imgenes de portada:
-Corral cuntico formado por tomos de hierro posicionados mediante un
microscopio de efecto tnel y realizado en IBM por Eigler et al. (ms informacin en
http://www.almaden.ibm.com/vis/stm/corral.html)
-Imagen de un microcircuito realizado por la empresa DongbuAnam en tecnologa de
130 nm (ms informacin en http://www.dsemi.com)
-Imagen de microscopa electrnica de transmisin de una unin tnel formada por
electrodos de manganita separados por una capa aislante de 2 nm de titanato de estroncio.
Imagen tomada por J.L. Maurice (ms informacin en J.M. De Teresa, Uniones tnel
Magnticas, Investigacin y Ciencia, abril 2001)

Programa Jornada de Nanofabricacin (16 de noviembre de 2005)

-9.00 a 9.30: inauguracin de las jornadas por el Rector Magnfico de la Universidad de

Zaragoza y el Consejero de Ciencia y Tecnologa del Gobierno de Aragn.

SESIN SOBRE TCNICAS LITOGRFICAS PARA NANOFABRICACIN

Chairman: Javier Ses
-9.30 a 10.00: Josep Maria Cirera: Lmites de la litografa ptica
-10.00 a 10.30: Ignacio Martn: Propiedades de sistemas magnticos nanoestructurados
mediante litografa por haz de electrones
-10.30 a 11.00: coffee break
Chairman: Jos Mara De Teresa
-11.30 a 12.00: Francesc Prez-Murano: Litografa por haz de electrones para la
fabricacin de dispositivos nanoelectrnicos y nanomecnicos
-12.00 a 12.30: Elena Martnez: Fabricacin de nanoestructuras mediante la tcnica de
nanolitografa mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB)
-12.30 a 13.00: Xavier Borris: Nanoimprinting lithography: litografa en paralelo a escala
nanomtrica
-13.00 a 13.30: Ricardo Garca: Litografa con AFM
COMIDA: 13.30 a 15.30

SESIN SOBRE CRECIMIENTO DE PELCULAS DELGADAS

Chairman: Manuel Ricardo Ibarra
-15.30 a 16.00: Jose Santiso: Utilizacin de la tcnica de depsito por lser pulsado para la
preparacin de pelculas delgadas
-16.00 a 16.30: Carlos Prieto: Preparacin de materiales mediante pulverizacin catdica
-16.30 a 17.00: Florencio Snchez: Mecanismos de crecimiento en epitaxias de xidos
-17.00 a 17.30: coffee break
Chairman: Miguel Ciria
-17.30 a 18.00: Jacobo Santamara: Epitaxia de xidos mediante pulverizacin catdica a
altas presiones
-18.00 a 18.30: Claudio Aroca.

-18.30 a 19.30: visita a los laboratorios del Instituto de Nanociencia de Aragn

FIN DE LA JORNADA

Abstracts

Lmites de la fotolitografa ptica

Josep Maria Cirera Perich*
Centre Nacional de Microelectrnica, Campus de la Universidad Autonoma, 08193
Bellaterra (Barcelona)
* JosepMaria.Cirera@cnm.es

Describimos la finalidad de la fotolitografa siguiendo su evolucin en la

Microelectrnica. La descripcin permite poner de manifiesto:

Las figuras de mrito de las tcnicas fotolitogrficas.

La evolucin de los materiales y equipos utilizados antes de la

fabricacin sub-micrnica.

Enunciamos, tambin, las limitaciones pticas, constructivas y econmicas a las que se

enfrenta la fotolitografa ptica para dimensiones del orden de 100nm.

PROPIEDADES DE SISTEMAS MAGNTICOS

NANOESTRUCTURADOS MEDIANTE LITOGRAFA POR HAZ DE
ELECTRONES
JOS I. MARTN*, GABRIEL RODRGUEZ, ALEJANDRO PREZJUNQUERA, MARA VLEZ, HONORINO RUBIO, JOS M. ALAMEDA *
Departamento de Fsica. Facultad de Ciencias. Universidad de Oviedo. C/ Calvo Sotelo
s/n, 33007 Oviedo.
*Email del ponente: jmartin@uniovi.es

Desde la ltima dcada del siglo XX se han venido desarrollando diversas tcnicas
litogrficas que permiten la fabricacin de nanoelementos ordenados con dimensiones
laterales inferiores a la micra. En esta presentacin se comenzar por exponer y comparar
las caractersticas fundamentales de algunos de estos mtodos de litografa para obtencin
de nanoestructuras ordenadas; en concreto, litografa por rayos-x (basada en la exposicin a
este tipo de radiacin), litografa por interferencia lser (fundamentada en aprovechar el
conjunto de mximos y mnimos de intensidad en el diagrama de interferencia de dos haces
lser), y litografa por haz de electrones (basada en la exposicin al haz de electrones de un
microscopio electrnico). Esta ltima es la tcnica que ha sido empleada en combinacin
con un proceso de ataque por bombardeo inico para fabricar las muestras magnticas
nanoestructuradas cuyas propiedades se mostrarn en la presentacin.
En particular, se mostrarn los resultados obtenidos en lminas magnticas cuya
superficie ha sido nanoestructurada con conjuntos de agujeros en el rgimen diluido, esto es,
en los que la separacin entre los agujeros es mayor que su tamao. Se expondr la
influencia de la geometra de los agujeros y de la configuracin de los mismos en los
procesos de inversin de la imanacin y, en concreto, en los mecanismos de anclaje del
movimiento de paredes.

5 m

Imagen de microscopa de fuerza

atmica de una superficie de una lmina
magntica amorfa nanoestructurada con
un conjunto de agujeros

6.0m

Imagen de microscopa de fuerza

magntica en la que se aprecia como las
paredes
magnticas
se
sitan
preferentemente a lo largo de las lneas
definidas por los conjuntos de puntos

Litografa por haz de electrones para la fabricacin de dispositivos

nanoelectrnicos y nanomecnicos
GEMMA RIUS, JULIEN ARCAMONE, XAVIER BORRIS, CRISTINA
MARTN, JOAN BAUSELLS, FRANCESC PREZ-MURANO*
Instituto de Microelectrnica de Barcelona. Consejo Superior de Investigaciones
Cientficas (IMB-CNM-CSIC). Campus de la Universitat Autnoma de Barcelona.
E-08193 Bellaterra. Spain
* Francesc.Perez@cnm.es
La litografa por haz de electrones (EBL, electron beam lithography) se basa en la
exposicin selectiva de un material sensible a los electrones mediante un haz de
electrones focalizado. La cesin de la energa de los electrones al material en lugares
prefijados modifica localmente sus propiedades, de manera que un posterior ataque
qumico permite eliminar selectivamente o bien las reas expuestas a los electrones
(resina positiva) o las reas no expuestas (resina negativa). Los materiales ms utilizados
para este fin son habitualmente materiales polimricos, en los que la cesin de energa de
los electrones al polmero ocasiona, en el caso de las resinas positivas, la ruptura de las
cadenas polimricas, hacindolo ms soluble en el lquido revelador. El polimetacrilato
de metilo (PMMA) es el polmero ms utilizado, con el que es posible definir motivos
por debajo de los 100 nanmetros de manera reproducible.
En la presentacin, se mostrarn las principales limitaciones de la litografa por haz
de electrones as como del proceso completo de fabricacin de diversos tipos de motivos
para visualizar la combinacin con otros procesos tecnolgicos: metalizacin, grabados y
tambin con nanolitografa por AFM. Finalmente, se ilustrar la potencialidad de la
litografa por haz de electrones como herramienta de nanofabricacin de diversos tipos de
dispositivos funcionales. En concreto, se mostrar la fabricacin de estructuras
nanomecnicas para su utilizacin como sensores de masa y la fabricacin de un
transistor basado en un solo nanotubos de carbono de capa nica.

Imagen SEM de una nano-palanca de polisilicio

definida mediante litografa por haces de
electrones. Se trata de un dispositivo
nanoelectromecnico, y se ha definido en el
interior de un circuito integrado CMOS

Imagen
AFM de un transistor de
nanotubo de capa nica. Los contactos
metlicos con el nanotubo se han definido
mediante litografa por haces de
electrones

Fabricacin de nanoestructuras mediante la tcnica de nanolitografa

mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB)
Elena Martnez, M. Jess Lpez-Bosque, Josep Samitier
Plataforma de Nanotecnologa, Parc Cientfic de Barcelona, c/ Josep Samitier 1-5,
08028 Barcelona
*Email del ponente: emartinez@pcb.ub.es
La nanolitografia mediante haz de iones focalizados (Focused Ion Beam, FIB)
utiliza un haz de iones acelerados para realizar ataques localizados en la superficie de los
materiales blanco. El equipo del que dispone la Plataforma de Nanotecnologa del Parc
Cientfic de Barcelona es un FIB dual beam Strata de FEI (figura 1) que dispone, adems
de un haz de iones de galio, de un haz de electrones que permite realizar imgenes de
microscopa electrnica de barrido con alta resolucin. Ambos haces estn montados de
manera confocal, de manera que la muestra trabaja inclinada 52 para hacer incidir el haz de
iones perpendicular a la superficie de la misma (figura 2). Adems de permitir el grabado de
los materiales a escala nanomtrica (resolucin mejor de 30 nm), el equipo tambin dispone
de cuatro inyectores que permiten, a partir de diferentes gases precursores, el depsito de
platino, tungsteno, xido de silicio y el grabado selectivo de materiales que contengan
carbono. Esta configuracin dota al sistema de una gran flexibilidad de actuacin, con
aplicaciones interesantes tanto desde el punto de vista de nanofabricacin como de
caracterizacin y anlisis de superficies.
As, el sistema puede utilizarse, entre otras aplicaciones, para las que siguen a continuacin:
realizacin de moldes para estampacin, fabricacin y afilado de puntas de AFM con
caractersticas especiales, fabricacin de microbobinas y de nanoresonadores, reparacin de
circuitos integrados, observacin de muestras en secciones transversales, fabricacin de
microlentes, preparacin de muestras para la observacin por microscopa de transmisin,
fabricacin de nanocontactos y nanoelectrodos y realizacin de cristales fotnicos.

Figura 1. Imagen del FIB instalado en la Plataforma de

Nanotecnologa del PCB

Figura 2. Esquema de la disposicin

de la muestra en el equipo dual beam

NANOMPRINT
nanomtrica.

TECHNOLOGY:

litografa

paralelo

escala

Xavier Borris, Irene Fernndez, Francesc Prez-Murano

Instituto de Microelectronica de Barcelona Consejo Superior de Investigaciones
Cientficas (IMB-CNM-CSIC). Bellaterra, 08193, Spain.
*Email del ponente: xavier.borrise@cnm.es
Inventado por Chou [1] hace a penas 10 aos, la tcnica del nanoimprint est
teniendo un crecimiento muy importante, con apuestas claras para la microectrnica, pero
tambin con aplicaciones claras en el campo de la fotnica y desarrollos incipientes en
biologia, biosensores, etc... Las caractersticas bsicas que permiten estos desarrollos sn
la capacidad de litografiar reas de tamanyo grande (desde centenares de micras hasta
tamao de oblea) con una resolucin nanomtrica (<100nm).
La tcnica inventada por Chou [1] es conceptualmente muy simple: en primer lugar
se fabrica el molde con los motivos/estructuras deseadas (fabricado por cualquier otra
tcnica nanolitogrfica) y se le deposita una capa anti-adherente; a continuacin se
deposita (mediante spinning) un polmero de vaja viscosidad (generalemtne PMMA)
sobre la muestra a litografiar; a continuacin, y ya en la mquina de litografa, se eleva la
temperatura del sustrato por encima de la temperatura de fusin del polmero y se
imprime el molde con una presin que varia entre 20-80bars; el siguiente paso es enfriar
la muestra y se retira el molde; por ltimo se elimina la capa residual de polmero en los
motivos impresos mediante plasma de oxgeno. De esta forma se han abierto unas
ventanas de resolucin nanomtrica en el polmero, listo para transferirlos al sustrato
mediante lift-off, RIE, dopaje,...
En esta charla se repasarn los conceptos bsicos del nanoimprint, las tcnicas existentes
ms extendidas y sus posibles aplicaciones, que van desde la microelectrnica, la
fotnica, los sensores qumicos o a la biologa.

Dots de 300nm, lneas de 200nm i una estructura mecnica

(cantilever ms dos drivers) imprimidos por NIL
[1] Chou S.Y., Krauss P.R., Renstrom P.J., Appl. Phys. Lett 67, 3114 (1995).

LOCAL CHEMICAL NANOLITHOGRAPHIES:

NANOFABRICATION AND NANODEVICES
Ricardo Garca, Ramss V. Martnez, Marta Tello, Nuria Snchez, Javier Martnez
Instituto de Microelectrnica de Madrd, CSIC, 28760 Tres Cantos, Madrid, Spain
*rgarcia@imm.cnm.csic.es:
The development of nanometer-scale lithographies is the focus of an intense
research activity because progress on nanotechnology depends on the capability to fabricate,
position and interconnect nanometer-scale structures. The unique imaging and manipulation
properties of atomic force microscopes have prompted the emergence of several scanning
probe-based nanolithographies. Here we present the most promising probe-based
nanolithographies that are based on the spatial confinement of a chemical reaction within a
nanometer-size region of the sample surface.
The potential of local chemical
nanolithography in nanometer-scale science and technology are illustrated by describing a
range of applications such as the fabrication of conjugated molecular wires, optical
microlenses, complex quantum devices or tailored chemical surfaces for controlling
biorecognition processes.
(a)

(c)

100 nm

(b)

100 nm

1 m

Figure. Examples of local oxidation nanopatterns. (a) Periodic array of 10 nm silicon oxide
dots. The lattice spacing is 40 nm. (b) Alternating insulating (bright) and semiconducting
rings. (c) First paragraph of Don Quixote.
References: D. Wouters and U.S. Schubert, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 2480; J. Dagata et al.
Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 2001; S. Xu and G.Y. Liu, Langmuir 1997, 13, 127; Y. Li, B.W. Maynor,
J. Liu, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 2105; W. Lee, E. R. Kim and H. Lee, Langmuir, 2002, 18,
8375; M. Cavallini et al. Science 2003, 299, 531; R. Garca, M. Calleja and H. Rohrer, J. Appl.
Phys. 1999, 86, 1898 ; M. Tello et al. Adv. Mater. 2005, 17, 1480; R. Garcia et al., Nano Letters
2004, 4, 1115; R.V. Martnez and R. Garca, Nano Lett. 2005, 5, 1161

UTILIZACIN DE LA TCNICA DE DEPSITO POR LSER

PULSADO PARA LA PREPARACIN DE PELCULAS DELGADAS
J. SANTISO
Institut de Cincia de Materials de Barcelona, ICMABCSIC, Campus UAB, E-08193
Bellaterra, Barcelona.
*santiso@icmab.es

En los ltimos aos ha habido una creciente utilizacin de la tcnica de depsito de

pelculas delgadas mediante lser pulsado tanto para estudios fundamentales a escala de
laboratorio como en su aplicacin tecnolgica a una escala pre-industrial. Esto se debe
principalmente al alto grado de reproducibilidad de las pelculas obtenidas en
comparacin a otras tcnicas, y a la simplicidad de la tecnologa requerida para su
implementacin.
En esta presentacin se discuten las
caractersticas fundamentales de la tcnica
PLD (del ingls, Pulsed Laser Deposition),
en particular para el crecimiento de
pelculas delgadas de materiales xidos de
composicin compleja. Se detallan las
ventajas de esta tcnica frente a otras
tcnicas de depsito, y se muestran
algunas de las dificultades observadas, as
como algunos mtodos utilizados para
corregirlas.
Finalmente se mostrarn algunos ejemplos
de casos particulares obtenidos en el
equipo PLD en el ICMAB en Barcelona.

Imagen de un sistema simple de PLD

PREPARACION DE MATERIALES MEDIANTE PULVERIZACIN

CATDICA
C. PRIETO1*, A. de ANDRS1, M. GARCA-HERNNDEZ1, F. JIMNEZVILLACORTA1, E. CSPEDES1, I.M. OCHANDO,1 A. ESPINOSA1, M.
IGLESIAS1, M. VILA1 y A. MUOZ-MARTN2.
1

Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Consejo Superior de Investigaciones

Cientficas. Cantoblanco, 28049 Madrid.
2

Centro de Microanlisis de Materiales, Universidad Autnoma de Madrid.

Cantoblanco, 28049 Madrid.
* cprieto@icmm.csic.es

La tcnica de pulverizacin catdica (o sputtering) es una de las ms versatiles en

la preparacin de materiales en forma de lmina delgada. Las lminas preparadas
mediante sputtering cubren un amplsimo espectro de aplicaciones tanto industriales
como cientficas. Entre ellas se pueden citar ejemplos en temas tan dispares como
preparacin de electrodos ultra-estables, recubrimientos duros, capas reflectantes o
antireflectantes, memorias magnticas basadas en multicapas con magnetorresistencia
gigante, o materiales semiconductores con impurezas magnticas para spintronica. Por
otro lado, el sputtering ofrece la posibilidad de realizar el depsito bajo una gran
diversidad de condiciones experimentales. Por ejemplo, con una buena eleccin del
sustrato y operando a un ritmo de depsito muy lento, puede competir con las tcnicas de
epitaxia por haces moleculares para la fabricacin de muestras epitaxiales; o puede
conseguir materiales de composicin diferente a los de partida como se hace en las
tcnicas de sputtering reactivo o co-sputtering.
En este trabajo, se expondrn brevemente las caractersticas de diversas cmaras de
preparacin para aplicaciones especficas que se encuentran operativas en la actualidad
en nuestro laboratorio; y por otro lado se mostrarn algunos de los aspectos interesantes
dentro de los siguientes temas en los que se ha trabajado recientemente.
a)
b)
c)
d)
e)
f)

Preparacin de Si3N4 mediante sputtering reactivo.

Aumento de las constantes elsticas efectivas del sistema ZnO/Si3N4.
Lminas de hierro nanocristalino preparadas a bajas temperaturas.
Epitaxias de manganita de lantano con calcio y estroncio.
Agregados de Ni en el sistema Ni/Si3N4.
Preparacin de los sistemas Co/ZnO y Mn/ZnO.

MECANISMOS DE CRECIMIENTO EN EPITAXIAS DE XIDOS

F. Snchez
Institut de Cincia de Materials de Barcelona CSIC, Campus UAB, E-08193
Bellaterra, Spain
*fsanchez@icmab.es
Los xidos complejos presentan una amplia variedad de propiedades funcionales
(ferromagnetismo, superconductidad, ferroelectricidad, etc) y pueden crecerse como
capas finas epitaxiales. El crecimiento a partir de una fase vapor es complejo y
condiciona la nanoestructura y la superficie de las capas. A pesar de su papel
determinante, el conocimiento de los mecanismos de crecimiento de xidos complejos es
an reducido y ello limita el control de las superficies. Para el desarrollo de estos
materiales es crucial disponer tanto de superficies perfectamente planas como de
estructuras autoorganizadas.
En esta presentacin discutiremos sobre los principales factores que determinan el
modo de crecimiento en una epitaxia. Analizaremos el crecimiento epitaxial de tres
xidos ferromagnticos (SrRuO3, CoCr2O4 y La0.67Ca0.33MnO3) crecidos mediante
sputtering y pulsed laser deposition [1-6]. Sealaremos las diferencias y similitudes con
los modos de crecimiento en epitaxias de metales o semiconductores. Mostraremos las
posibilidades de crecimiento estrictamente 2D y de formacin de estructuras de baja
dimensionalidad autoorganizadas, haciendo hincapi en la capacidad de control de la
morfologa mediante parmetros de crecimiento.

[1] F. Snchez, M.V. Garca-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, G. Herranz, B. Martnez, J. Fontcuberta,

Transition from three to two-dimensional growth in strained SrRuO3 films on SrTiO3(001), Applied Physics
Letters 83, 902-904 (2003)
[2] U. Lders, F. Snchez, J. Fontcuberta, Self-organized structures in CoCr2O4(001) thin films: tunable
growth from pyramidal clusters to a {111} fully faceted surface, Physical Review B 70, 045403 1-6 (2004)
[3] F. Snchez, G. Herranz, I.C. Infante, J. Fontcuberta, M.V. Garca-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela,
Critical effects of substrate terraces and steps morphology on the growth mode of epitaxial SrRuO3 films,
Applied Physics Letter 85, 1981-1983 (2004)
[4] F. Snchez, U. Lders, G. Herranz, I.C. Infante, J. Fontcuberta, M.V. Garca-Cuenca, C. Ferrater,
M. Varela, Self-organization in complex oxide thin films: from 2-D to 0-D nanostructures of SrRuO3 and
CoCr2O4, Nanotechnology 16, S190-S196 (2005)
[5] F. Snchez, G. Herranz, J. Fontcuberta, M.V. Garca-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, Self-organized
giant step bunching in SrRuO3 epitaxial films, Applied Physics Letter, enviado
[6] F. Snchez, I.C. Infante, U. Lders, Ll. Abad, J. Fontcuberta, Surface roughening by anisotropic
adatom kinetics in epitaxial growth of La0.67Ca0.33MnO3, Physical Review B, enviado

Epitaxy of oxides with high pressure sputtering

1

J. SANTAMARA*, V.PEA, C. VISANI, D. ARIAS, Z. SEFRIOUI, C. LEON

GFMC, Departamento de Fsica Aplicada III, Universidad Complutense de Madrid, 28040

Madrid, Spain;

* jacsan@fis.ucm.es
In this presentation I will start briefly introducing the fundamentals of the
sputtering technique and describe the various operating configurations. The influence of
factors like atom mobility on the substrate, ion (resputtering) or electron bombardment,
on the growth properties will be discussed and their control using accessible variables
(gas pressure, growth temperature, deposition rate, etc.). High pressure pure oxygen
sputtering at high temperatures will be presented as a low cost alternative for high quality
epitaxial growth of complex oxides. Examples will be given of the growth of cuprates
and manganites and on the possibility of tailoring film properties by a controlled growth
mode. I will discuss the importance of epitaxial mismatch strain to produce self
organized patterns of disorder, allowing for example, to control the superconducting
properties of ultrathin layers of cuprates, or to modulate the nanoscale phase separation in
maganites.

ndice de participantes

Claudio

Aroca

caroca@fis.upm.es

Departamento de Fsica Aplicada, Universidad Politcnica de Madrid

Xavier

Borris

xavier.borrise@cnm.es

Instituto de Microelectrnica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrnica

(IMB-CNM-CSIC)
Josep Maria

Cirera

llabad@icmab.es

Instituto de Microelectrnica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrnica

(IMB-CNM-CSIC)
Miguel

Ciria

ciria@unizar.es

Instituto de Nanociencia de Aragn (INA), Universidad de Zaragoza

Jos Mara

de Teresa

deteresa@unizar.es

Instituto de Ciencia de los Materiales de Aragn (ICMA-CSIC)

Ricardo

Garca

rgarcia@imm.cnm.csic.es

Instituto de Microelectrnica de Madrid, CSIC

M. Ricardo

Ibarra

ibarra@unizar.es

Instituto de Nanociencia de Aragn (INA), Universidad de Zaragoza

Jos I.

Martn

jmartin@uniovi.es

Departamento de Fsica. Facultad de Ciencias. Universidad de Oviedo

Elena

Martnez

emartinez@pcb.ub.es

Plataforma de Nanotecnologa, Parc Cientfic de Barcelona

Francesc

Prez-Murano

Francesc.Perez@cnm.es

Instituto de Microelectrnica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrnica

(IMB-CNM-CSIC)
Carlos

Prieto

cprieto@icmm.csic.es

Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC)

Florencio

Snchez

fsanchez@icmab.es

Institut de Cincia de Materials de Barcelona, ICMABCSIC

Jacobo

Santamara

jacsan@fis.ucm.es

GFMC, Departamento de Fsica Aplicada III, Universidad Complutense de Madrid

Jos

Santiso

santiso@icmab.es

Institut de Cincia de Materials de Barcelona, ICMABCSIC

Javier

Ses

jsese@unizar.es

Instituto de Nanociencia de Aragn (INA), Universidad de Zaragoza