I.U.CESMAG. Becerra Camilo, Benavides Jaime, Rosero Steven. Proyecto lab.

Ingeniera Electrnica
Becerra Camilo, Benavides Jaime, Rosero Ssteven.
Daniel.benavides.trejo@gmail.com
cami537@hotmail.com
I.U.CESMAG

Practica de laboratorio

Caractersticas del Diodo de unin PN

Resumen la prctica que se desarroll en el laboratorio

San Buenaventura en el cual realizamos dos circuitos donde
utilizamos dos transistores los cuales eran 2n3904 y el
bc548 para saber el funcionamiento de estos junto a un
parlante y un tweetter ,en donde calculamos el rango de
frecuencias audibles capaces de ser reproducidas por estos.

I. INTRODUCCIN

Diferenciar las caractersticas de ganancias de

voltaje para diferentes circuitos amplificadores en
emisor comn.

Reforzar la realizacin de informes tcnicos de

ejercicios de aplicacin.

MARCO

TEORICO

TRANSISTOR BIPOLAR: 2N3904

En el siguiente informe desarrollado en el

laboratorio san buenaventura en donde
manejamos funcionamiento de los transistor
bipolar 2N3904 y el transistor Darlington
BC548 los cuales estn diseados para
funcionar en frecuencias pequeas donde se los
utilizo en conjunto de un parlante mini speaker
y un tweetter para esto se utiliz un protoboard
en donde hicimos el montaje del circuito para
lo cual deseamos saber
las frecuencias
audibles.
OBJETIVOS

General
Verificar la utilidad de un circuito amplificador con
transistores para una aplicacin prctica.

Especficos

Reforzar el anlisis circuital en A.C para

transistores BJT

Es un dispositivo electrnico de estado

slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. La denominacin de
bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades
(huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante
baja.
Los transistores bipolares son los
transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica
analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est
formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una
regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las
otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

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Base, la intermedia, muy estrecha,

que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho
mayor.
TRANSISTOR DE UNION
BIPOLAR
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores
bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los transistores
bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es
mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa
de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin
emisor-comn es amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN
est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

TRANSISTOR DARLINGTON BC548:

Consiste en dos transistores conectados juntos
de tal forma que la
corriente amplificada por el primero es amplificada de
nuevo por el
segundo transistor. Esto da al par Darlington una
ganancia de corriente

muy alta, tanto como 10000. Los pares Darlington se

venden en un
encapsulado completo que contiene los dos transistores.
Tienen tres terminales (B, C y E) los cuales son
equivalentes a los
terminales de un transistor individual estndar.

El transistor es un componente electrnico que

tiene tres terminales, denominados
base, emisor y colector. Los nombres son poco
explicativos y su origen se pierde en la
niebla de los tiempos remotos.
Su comportamiento bsico es el de ser un amplicador
de corriente: tiene la capacidad
de hacer que la corriente que circula entre el colector y
el emisor sea un nmero grande
de veces la que circula entre base y emisor.
Esta configuracin sirve para que el dispositivo
sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente y, al poder estar todo integrado,
requiere menos espacio que dos transistores
normales en la misma configuracin. La
ganancia total del Darlington es el producto de
la ganancia de los transistores individuales. Un
dispositivo tpico tiene una ganancia en
corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un
mayor
desplazamiento
de
fase
en
altas frecuencias que un nico transistor, de ah
que pueda convertirse fcilmente en inestable.
La tensin base-emisor tambin es mayor,
siendo la suma de ambas tensiones base-emisor,
y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
La beta de un transistor o par darlington se halla
multiplicando
las
de
los
transistores
individuales. la intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la
beta total.

PARLANTE
Cuando se aplica a la bobina la seal elctrica
procedente del amplificador o de cualquier otro
equipo, se crea un campo magntico que vara
de sentido de acuerdo con dicha seal. En el
entrehierro del imn se coloca una bobina

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cilndrica de hilo que est unida al diafragma.

La bobina genera una corriente elctrica que
provoca que el imn produzca un flujo
magntico que hace vibrar la membrana.
Al vibrar la membrana, mueve el aire que tiene
situado frente a ella, generando as variaciones
de presin en el mismo, o lo que es lo mismo,
ondas
sonoras.
En funcin de las variaciones de voltaje de
entrada, el cono vibra y genera perturbaciones
equivalentes
en
el
aire.

20KHz

19,5 kHz

7.2
ganancia de voltaje del 2n3904
Teorico
2.6

Practico
2,576
Valorprctico/
Valorterico
x 100
Valorterico
error =
2,576 /
x 100
2.6
error =

2.6
Se puede demostrar que el desplazamiento del
diafragma se relaciona con la frecuencia por:
A menor frecuencia mayor desplazamiento del
cono y viceversa. Por ello, es fcil ver el
movimiento del cono de un woofer y difcil el
diafragma de un tweeter. Cuando el altavoz
reproduce
bajas
frecuencias,
los
desplazamientos del cono son grandes y lentos.
sin embargo cuando son altas frecuencias,
ocurre
lo
contrario.
Los altavoces que radian bien las bajas
frecuencias slo funcionan eficientemente hasta
1 2 kHz. Cuanto mayor sea el valor de la
potencia acstica producida por el cono, mayor
ser la sensacin de volumen que podremos
percibir
TWEETER
Son parlantes especializados que reproducen las
frecuencias agudas que un parlante normal no puede
reproducir. son tres los principales, los Woofers=
bajos de 20 y 500 Hz, Medios= Medios frecuencias
entre 200Hz y 4KHz y Tweeters frecuencias entre
2KHz y pueden llegar por encima de los 20KHz
7. 1

Tabla de resumen frecuencias

Espectro audible
Espectro inaudible
Dispositivo Usado
mini speaker 8 ohms Tweetter
100Hz
4Hz

%error = 0,009%

ganancia de voltaje en darlinton

Teorico
2.6

Practico
2,4565
Valorprctico/
Valorterico
x 100
Valorterico
error =
2.4565/
x 100
2.6
error =

2.6

%error = 0,05%
7.3
7.4

ganancia de voltaje en darlinton

La gancia de voltaje en darlintong es de
2,4565 y la diferencia entre los dos es que
el darlintong amplifica mas las seales
pequeas de corriente.

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