UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

NUCLEO DE MATERIALES Y PROCESOS

( Preparado por Hector Aguilar )

PROGRAMACION DE CIENCIA DE LOS MATERIALES 1ER PARCIAL

0. INTRODUCCION : ( PROPIEDADESDesempeo, microestructura, Composicin, Sntesis y procesamiento )

1. INTRODUCCIN AL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

Clasificacin de las propiedades: Fsicas ; Qumicas ; Mecnicas ; Tecnolgicas

Clasificacin de los materiales con relacin a sus propiedades

2. ESTRUCTURA ATOMICA
3. ENLACES ATOMICOS

Enlaces primarios: Inico ; Covalente ; Metlico

Enlaces secundarios: Fuerzas de Van Der Waals

; Dipolos
; Puentes de hidrogeno

Enlaces mixtos

Distancia de equilibrio y Factores que afectan la distancia de equilibrio.

Relacin entre las propiedades de los materiales y el enlace atmico.

Clasificacin de los materiales con relacin al tipo de enlace predominante:

Cermicos ; Metales ; Polmeros

; Otros.

4. ESTADO SOLIDO

Tipos de slidos

Slidos Cristalinos:Cristales Inicos ; Cristales Covalentes ; Cristales Metlicos ; Cristales Moleculares

Slidos Amorfos

Comportamiento Isotrpico y comportamiento Anisotrpico

5. ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Definicin de cristal ; Celdas unitarias

Sistemas cristalinos ( Redes de Bravais )

Parmetros de red

Numero de coordinacin
6. SISTEMAS CRISTALINOS DE LOS METALES

Estudio de las celdas: BCC ; FCC ; HCP.

Alotropa y polimorfismo
7. IDENTIFICACION DE PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LAS CELDAS UNITARIAS

Densidad lineal atmica

Densidad planar atmica

Planos y direcciones compactas

(INDICES DE MILLER)

IMAGENES DE ALGUNOS PROCESOS DE MANUFACTURA

a)

Laminado

PROCESOS DE DEFORMACION PLASTICA

b) Forja
c) Extrusin
d) Trefilado

PROCESOS DE MECANIZADO
a) Torneado
b) Taladrado

c y d) Fresado

e)
e) Doblado de lminas

PROCESO DE SOLDADURA POR FUSION

PROCESO DE FUNDICION Y COLADA

ENLACES ATOMICOS

Fig . 1 Enlace atmico entre tomos de cloro y sodio. La transferencia de un electrn desde el Na al Cl crea un
catin ( Na+ ) y un anin ( Cl - ). El enlace inico se establece debido a la atraccin electrosttica entre los
iones de carga opuesta.

Fig . 2 El enlace covalente requiere que los electrones sean compartidos entre los tomos, de manera que
cada uno obtenga estructura de capa llena. En la figura se representa la estructura tetradrica de la slice
( SiO2 ), que presenta uniones covalentes entre los tomos de silicio y de oxigeno.

Fig . 3 La unin metlica se constituye cuando los tomos ceden sus electrones de valencia, los cuales forman
un mar de electrones.

ENLACES ATOMICOS (Enlaces mixtos)

(a)

(b)
Fig . 4 Enlace mixto, covalente secundario. ( a ) Los tomos de cloro unidos a la cadena polimrica tienen
carga negativa, y los tomos de hidrgeno estn cargados positivamente. Las cadenas se hallan dbilmente
unidas por enlaces de Van der Waals, pero los tomos dentro de la molcula, o grupo de tomos, estn unidos
por fuertes enlaces covalentes o inicos. ( b ) Cuando se aplica una fuerza al polmero, los enlaces de Van der
Waals se rompen y las cadenas se deslizan una sobre la otra.

DISTANCIA DE EQUILIBRIO

Fig . 5
Fuerza/ distancia de separacin,
para un par de iones de carga opuesta. La
distancia interinica de equilibrio es ao .

Fig . 6 Energa/ distancia de separacin,

para un par de iones de carga opuesta. En
la distancia interinica de equilibrio, ao, la
energa potencial neta es mnima.

Fig . 7 La distancia de separacin de equilibrio para tomos o iones, corresponde a la mnima energa de
tomos o iones, adems la fuerza neta entre la atraccin y repulsin de los tomos o iones es nula.

RELACION ENTRE ENLACE ATOMICO Y PROPIEDADES

TABLA N 1 Algunas propiedades de los materiales asociadas con el tipo de enlace atmico
PROPIEDADES

ENLACE IONICO

ENLACE COVALENTE

ENLACE METALICO

Estructurales

No direccional,
determina
estructuras de alta
coordinacin

Especialmente
direccional,
determina
estructuras de baja
coordinacin y baja
densidad

No direccional,
determina
estructuras de alta
coordinacin y alta
densidad

Mecnicas

Trmicas

Elctricas

Resistente, cristales
de gran dureza, no
presentan
ductilidad
Medianamente alto
punto de fusin,
bajo coeficiente de
dilatacin
Aisladores
moderados,
conduccin por
transporte inico en
el estado lquido.

Alto punto de
fusin, bajo
coeficiente de
dilatacin

Resistencia
variable, presentan
por lo general
ductilidad
Punto de fusin
variable, alto
coeficiente de
dilatacin

Aisladores en el
estado slido y
lquido

Conductores por
transporte de
electrones

Resistentes y de
gran dureza, muy
poca ductilidad

ENLACE SECUNDARIO

(Van der Waals)

Anlogo al metlico

Baja resistencia,
cristales blandos
Bajo punto de
fusin, alto
coeficiente de
dilatacin
Aisladores

ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Celda unitaria

Fig. 8 Una red cristalina es un arreglo peridico de

puntos reticulares que definen un espacio. La celda
unitaria (cubo en negrita) es una subdivisin de la
red que sigue conservando las caractersticas de la
red.
Puntos reticulares

Fig. 9 Los catorce principales tipos de celdas unitarias, o redes de Bravais,

agrupados en siete sistemas cristalinos.

TABLA N 2 Caractersticas de los siete sistemas cristalinos

Fig. 10 Definicin de parmetros de red

y su uso en tres sistemas cristalinos

ANALISIS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Fig . 11 Disposicin de empaquetamiento inico en el NaCl. Seis iones de Cl- se pueden empaquetar en torno
a un ion de sodio. Para cada ion en esta estructura, el nmero de coordinacin, NC, es 6; esto es,
cada uno tiene 6 vecinos inmediatos.

(a)

(b)

(c)

Fig. 12 Celdillas unidad BCC : ( a ) de posiciones atmicas; ( b ) celdilla unidad aislada; ( c ) vista del plano
diagonal AEGC.

(a)

(b)

(c)

Fig. 13 Celdillas unidad FCC : ( a ) de posiciones atmicas; ( b ) celdilla unidad aislada; ( c ) vista del plano
diagonal AEFB

a
(a)

(b)

(c)

Fig. 14 Celdillas unidad HCP : ( a ) y ( b ); ( c ) Celda unidad de esferas slidas.

TABLA N 3 Seleccin de propiedades fsicas de algunos metales

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INDICES DE MILLER (I.M)

DESIGNACION DE COORDENADAS CRISTALOGRAFICAS DE PUNTOS EN EL SISTEMA CUBICO
Se localizan estableciendo un sistema coordenado derecho y las distancias se miden en trminos del parmetro
de red ( a ) , en cada una de las coordenadas X. Y y Z.
Ej. 1
DESIGNACION DE DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS EN EL SISTEMA CUBICO
Para los cristales cbicos los ndices de las direcciones cristalogrficas son las componentes vectoriales de las
mismas resueltas a lo largo de cada eje en un sistema coordenado predeterminado.
Los I.M. Se expresan como [u v w] Donde u, v y w son las componentes vectoriales reducidas a los enteros ms
pequeos. Los ndices negativos se representan con un guin en la parte superior del mismo.
Ej. 2
NOTA:
Existen grupos de direcciones equivalentes, sus ndices particulares dependen de la ubicacin del sistema de
referencia. Los grupos de direcciones equivalentes se denominan familia de direcciones y se designan por
<u v w>, donde u, v y w, son los ndices de Miller de cualquier miembro de la familia.
Ej. 3
DESIGNACION DE PLANOS CRISTALOGRAFICOS EN CELDAS UNITARIAS CUBICAS
Para identificar los ndices de planos cristalogrficos, se establece un sistema coordenado cuyo origen no lo
contenga el plano; se identifican los puntos en los cuales el plano intercepta a los ejes coordenados; se calculan
los recprocos de los puntos anteriores; Se eliminan las fracciones, sin reducir a los mnimos enteros. Los I. M.
Se expresan como (h k l). Los ndices negativos se representan igual que en las direcciones.
Ej. 4

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NOTAS.
Los I.M. de un plano y sus negativos identifican el mismo plano.
Ej. 5
En el sistema cbico si una direccin tiene los mismos I.M. que un plano, ambos son perpendiculares. Ej. 6
Los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes y se identifican por { h k l }.
Ej. 7

DESIGNACION DE DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS EN EL SISTEMA HEXAGONAL

Para el sistema hexagonal, debido a su geometra particular se establece un sistema de coordenadas de tres
ejes, dos en el plano basal y uno vertical o un sistema de cuatro ejes, tres en el plano basal, donde uno de
ellos es redundante o transformacin lineal de los otros dos y un cuarto eje vertical.
Ej. 8
En el caso de tres ejes el procedimiento es el mismo utilizado en el sistema cbico, se determinan las
componentes vectoriales de las direcciones resueltas a lo largo de cada eje y reducidas a los mnimos enteros.
Se expresan como [ u v w ].
En el caso de cuatro ejes, los I.M. de las direcciones cristalogrficas son las componentes vectoriales de las
direcciones resueltas a lo largo de cada eje coordenado y reducidos a los mnimos enteros. Se expresan como
[u v t w]. Donde:
u = 1/3 ( 2u - v )
; v = 1/3 (2v - u )
;
t = - 1/3 ( u + v )
;
w = w
t=-(u+v)
u , v y w son los ndices de Miller en el sistema de tres ejes.
Los ndices negativos se representan igual que en el sistema cbico.
Ej. 9
DESIGNACION DE PLANOS EN EL SISTEMA HEXAGONAL
Se establece un sistema de coordenadas de cuatro ejes, cuyo origen no lo contenga el plano; se hallan los
puntos de interseccin del plano con los ejes; se calculan los recprocos de los puntos anteriores; se eliminan las
fracciones sin reducir a los mnimos enteros. Los I.M se expresan como ( h k i l). Donde, i = - (h + k).
Los I.M. negativos se representan igual que en el sistema cbico.
Ej.10

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