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Transistor bipolar o BJT

BJT=Transistor bipolar de unin son utilizados en un sin nmero de aplicaciones


y muchos circuitos de propsito general.
Para poder disear un circuito que haga cierto objetivo es necesario entender
su funcionamiento su construccin el transistor BJT es controlado por corriente
ofrecen buena ganancia de amplificacin sin embargo su impedancia deja
mucho que desear,
Qu es un transistor bipolar?
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el grfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una
cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se redondea al mismo

valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o
viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver
figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms
corriente la curva es ms alta.

Regiones operativas del transistor


- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector = la corriente
de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito.
Como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0)
- Regin de saturacin: Un transistor est
saturado cuando la corriente de colector = la
corriente de emisor = la corriente mxima, (Ic = Ie
= I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentacin del circuito y de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de


corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib),
de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones del transistor bipolar


Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de
ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice
que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay
corriente de base (Ib = 0)
- Amplificador
- Amplificador
- Amplificador base comn

emisor
colector

comn
comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman
como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a
los circuitos hechos con transistores.

Curvas de los transistores BJT


Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su
de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la
regin
activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de
las
resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
regin

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En
este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido
a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia

de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es


drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:


Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando,
no hay cada de voltaje, ver Ley de ohm.). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:


Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,
(Ic = Ie = Mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector
o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como
para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar
que Ic = * Ib).

Puede distinguirse cuatro zonas del transistor:

REGION DE CORTE: Donde ambas uniones estn conectadas en contra. La corriente de base es
muy pequea, y no fluye, para todos los efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor acta como un amplificador lineal. La unin BE est
conectada en directo y la unin CB est en reversa.
REGION DE SATURACION: Ambas uniones estn conectadas en directo. Cuando un transistor
trabaja en esta regin este funciona como interruptor.
REGION DE RUPTURA: Que determina el lmite fsico de operacin del transistor.
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT
La seleccin del punto de trabajo de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de
polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes.
La polarizacin con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor.
La polarizacin con una fuente es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes
discretos es el circuito de auto polarizacin.
La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su
tensin colector-base positiva.
A continuacin se muestran esquemas de polarizacin y algunas formulas para poder implementar estos
circuitos.
La polarizacin con una fuente (con resistencia de emisor)

La polarizacin con dos fuentes (con resistencia de emisor)

La polarizacin con divisor de tensin (con resistencia de emisor)

Auto polarizacin (con resistencia de emisor)

Explicacin de la prctica
Vamos a comprobar el funcionamiento de los transistores con los diferentes mtodos de polarizarlo. Primero
daremos un voltaje de ingreso a cada circuito que realicemos y con una corriente de salida. El circuito de
fuente doble con un voltaje extra.
Con estos datos dados podemos calcular las resistencias necesarias para la base, colector y cuando sea
necesario para el emisor de cada circuito. Comprobaremos el voltaje Colector-Emisor que debe alcanzar la
mitad del voltaje de alimentacin o un valor aproximado.
Luego con un potencimetro regularemos el voltaje de salida para obtener 1/4 Vcc o 3/4 Vcc segn sea el
caso.
Mediciones:
Para Obtener la Curva Caracterstica del transistor, con el circuito de polarizacin fija con dos fuentes obtener
las siguientes mediciones para 10 valores diferentes de VCC y para Vi constante y obtener la curva
caracterstica del transistor.
Para cumplir con los puntos del objetivo 2 para cada circuito medir VCE, VBE, IC, IB y obtener las
respectivas grficas de la recta de carga del transistor.

William Bradford Shockley


Fsico
William Bradford Shockley fue un fsico estadounidense. En conjunto con John Bardeen y Walter
Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de Fsica en 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y el descubrimiento del Transistor

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